專利名稱：半導(dǎo)體封裝用厚膠膜旋涂方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體為一種用以在半導(dǎo)體晶片上通過(guò)兩次特殊方式的覆蓋旋涂方法，獲得半導(dǎo)體厚道封裝用厚膠膜的旋涂方法，具體為在半導(dǎo)體封裝厚膠涂膠方法特殊的二次涂膠方式，通過(guò)兩次不同膠膜厚度和形式進(jìn)行互補(bǔ)，達(dá)到最終封裝用厚膠膠膜的均一性。
背景技術(shù)：
目前，公知的半導(dǎo)體封裝厚膠涂膠工藝需要二次涂膠，通常的涂膠方式會(huì)造成二次涂膠后，晶片中間厚度高于兩邊厚度，這是因?yàn)槎瓮磕z不同于一次涂膠成膜工藝，一次涂膠成膜工藝底片為晶片，不會(huì)和光刻膠發(fā)生二次融合作用，然而二次涂膠工藝由于是在之前的膠膜基礎(chǔ)上進(jìn)行二次涂膠，第二次的涂膠膠膜會(huì)和第一次的涂膠膠膜發(fā)生二次融合物理作用，尤其是中心滴膠，晶片中部的膠液和之前的膠膜融合時(shí)間最長(zhǎng)，造成涂膠時(shí)中間溶劑消耗較快，邊緣溶劑消耗較慢，形成溶劑的濃度梯度差，照成涂膠中間明顯后于兩邊。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述的種種不足，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝用厚膠膜旋涂方法，解決現(xiàn)有技術(shù)膠膜中間厚，兩邊薄，不能滿足厚膠工藝需求。本發(fā)明的技術(shù)方案是一種半導(dǎo)體封裝用厚膠膜旋涂方法，旋涂裝置的晶片吸附于真空吸盤上，滴膠管路設(shè)置于晶片的上方；第一次涂膠時(shí)，中心滴膠，通過(guò)真空吸盤吸住晶片旋轉(zhuǎn)，使膠膜全部覆蓋在晶片上，通過(guò)調(diào)節(jié)不同的旋轉(zhuǎn)速度達(dá)到第一次涂膠膠膜中間薄兩邊厚；第二次涂膠時(shí)，中心滴膠，通過(guò)真空吸盤吸住晶片旋轉(zhuǎn)使膠膜全部覆蓋在晶片上，通過(guò)調(diào)節(jié)不同的旋轉(zhuǎn)速度達(dá)到第二次涂膠膠膜中間厚兩邊薄；兩次涂膠結(jié)果互補(bǔ)，形成最終膠膜厚度的均一。所述的半導(dǎo)體封裝用厚膠膜旋涂方法，第一次涂膠時(shí)，根據(jù)膠的種類和粘度，真空吸盤的旋轉(zhuǎn)速度范圍為200-6000rpm ；第二次涂膠時(shí)，根據(jù)膠的種類和粘度，真空吸盤的旋轉(zhuǎn)速度范圍為200-6000rpm ；滴膠管路出口與晶片之間的距離范圍為5_30mm，晶片直徑范圍為6英寸、8英寸或12英寸。所述的半導(dǎo)體封裝用厚膠膜旋涂方法，第一次涂膠控制在膠膜厚度為通過(guò)晶片中心向晶片邊緣變厚的趨勢(shì)方式涂膠，即為通過(guò)中心點(diǎn)的晶片上膠膜剖面呈現(xiàn)向下凹的圖形方式涂膠；第二次涂膠控制在膠膜厚度為通過(guò)晶片中心向晶片邊緣變薄的趨勢(shì)方式涂膠， 即為通過(guò)中心點(diǎn)的晶片上膠膜剖面呈現(xiàn)向下凸的圖形方式涂膠。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)及有益效果是1、本發(fā)明不改變?cè)械耐磕z結(jié)構(gòu)，只是通過(guò)工藝調(diào)節(jié)達(dá)到工藝要求，節(jié)省設(shè)備改造成本。2、本發(fā)明工藝調(diào)試簡(jiǎn)單，只需要改變涂膠和甩膠時(shí)晶片的旋轉(zhuǎn)速度，即可達(dá)到如上所述的工藝要求。
總之，本發(fā)明用以在半導(dǎo)體晶片上通過(guò)兩次特殊方式的覆蓋旋涂方法，達(dá)到半導(dǎo)體封裝用厚膠膜的旋涂工藝需求，具體為通過(guò)控制兩次旋涂膠膜厚度的相反和互補(bǔ)，達(dá)到最終膠膜厚度均一性結(jié)果。第一次涂膠控制在膠膜厚度為通過(guò)晶片中心向晶片邊緣變厚的趨勢(shì)方式涂膠，即為通過(guò)中心點(diǎn)的晶片上膠膜剖面呈現(xiàn)向下凹的圖形方式涂膠，第二次涂膠控制在膠膜厚度為通過(guò)晶片中心向晶片邊緣變薄的趨勢(shì)方式涂膠，即為通過(guò)中心點(diǎn)的晶片上膠膜剖面呈現(xiàn)向下凸的圖形方式涂膠。本發(fā)明通過(guò)兩次特殊如上所述特殊涂膠方式， 可以實(shí)現(xiàn)厚高粘度膠膜封裝工藝的涂膠需求，解決了二次涂膠工藝的缺陷。本發(fā)明通過(guò)改變?cè)械恼Ｍ磕z方式，改變第一次涂膠的中間厚度，使中間變薄，減小二次涂膠融合的困難因素，即第一次膠膜中間厚度，達(dá)到最終膜厚均一的要求。


圖1是本發(fā)明第一次涂膠示意圖。圖2是本發(fā)明第二次涂膠示意圖。圖中，1滴膠管路；2晶片；3真空吸盤；4第一次涂膠膠膜；5第二次涂膠膠膜。
具體實(shí)施例方式如圖1-2所示，旋涂裝置為常規(guī)技術(shù)，主要包括滴膠管路1、晶片2、真空吸盤3， 晶片2吸附于真空吸盤3上，滴膠管路1設(shè)置于晶片2的上方。第一次涂膠時(shí)，中心滴膠， 通過(guò)真空吸盤吸住晶片旋轉(zhuǎn)，使膠膜全部覆蓋在晶片上，通過(guò)調(diào)節(jié)不同的旋轉(zhuǎn)速度達(dá)到第一次涂膠膠膜4中間薄兩邊厚的要求。第二次涂膠時(shí)，中心滴膠，通過(guò)真空吸盤吸住晶片旋轉(zhuǎn)使膠膜全部覆蓋在晶片上，通過(guò)調(diào)節(jié)不同的旋轉(zhuǎn)速度達(dá)到第二次涂膠膠膜5中間厚兩邊薄的要求。兩次涂膠結(jié)果互補(bǔ)，形成最終膠膜厚度的均一。本發(fā)明中，第一次涂膠時(shí)，真空吸盤的旋轉(zhuǎn)速度范圍為200-6000rpm ；第二次涂膠時(shí)，真空吸盤的旋轉(zhuǎn)速度范圍為200-6000rpm ；滴膠管路1出口與晶片2之間的距離范圍為 5-30mm,晶片2直徑范圍為6英寸、8英寸或12英寸。本發(fā)明通過(guò)控制兩次旋涂膠膜厚度的相反和互補(bǔ)，達(dá)到最終膠膜厚度均一性結(jié)果。第一次涂膠控制在膠膜厚度為通過(guò)晶片中心向晶片邊緣變厚的趨勢(shì)方式涂膠，即為通過(guò)中心點(diǎn)的晶片上膠膜剖面呈現(xiàn)向下凹的圖形方式涂膠，第二次涂膠控制在膠膜厚度為通過(guò)晶片中心向晶片邊緣變薄的趨勢(shì)方式涂膠，即為通過(guò)中心點(diǎn)的晶片上膠膜剖面呈現(xiàn)向下凸的圖形方式涂膠。實(shí)施例1本實(shí)施例中，第一次涂膠時(shí)，正性光刻膠粘度為300厘泊，真空吸盤的旋轉(zhuǎn)速度為 1200rpm ；第二次涂膠時(shí)，正性光刻膠粘度為300厘泊，真空吸盤的旋轉(zhuǎn)速度為1200rpm ；滴膠管路1出口與晶片2之間的距離為15mm，晶片2直徑為8英寸。實(shí)施例2本實(shí)施例中，第一次涂膠時(shí)，負(fù)性光刻膠粘度為4000厘泊，真空吸盤的旋轉(zhuǎn)速度為1500rpm ；第二次涂膠時(shí)，負(fù)性光刻膠粘度為4000厘泊，真空吸盤的旋轉(zhuǎn)速度為1600rpm ； 滴膠管路1出口與晶片2之間的距離為10mm，晶片2直徑為12英寸。實(shí)施例3
本實(shí)施例中，第一次涂膠時(shí)，負(fù)性光刻膠粘度為1500厘泊，真空吸盤的旋轉(zhuǎn)速度為3000rpm ；第二次涂膠時(shí)，負(fù)性光刻膠粘度為1500厘泊，真空吸盤的旋轉(zhuǎn)速度為^OOrpm ； 滴膠管路1出口與晶片2之間的距離為20mm，晶片2直徑為8英寸。實(shí)施例結(jié)果表明，本發(fā)明通過(guò)中心滴膠旋轉(zhuǎn)涂膠，在涂膠速度和甩膠速度上的控制，來(lái)達(dá)到第一次涂膠膠膜的中間略薄，邊緣略厚。本發(fā)明通過(guò)中心滴膠旋轉(zhuǎn)涂膠，在涂膠速度和甩膠速度上的控制，來(lái)達(dá)到第二次涂膠膠膜的中間略厚，邊緣略薄。通過(guò)兩次涂膠的厚度互補(bǔ)，達(dá)到最終膠膜厚度的均一性。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝用厚膠膜旋涂方法，其特征在于旋涂裝置的晶片吸附于真空吸盤上，滴膠管路設(shè)置于晶片的上方；第一次涂膠時(shí)，中心滴膠，通過(guò)真空吸盤吸住晶片旋轉(zhuǎn)，使膠膜全部覆蓋在晶片上，通過(guò)調(diào)節(jié)不同的旋轉(zhuǎn)速度達(dá)到第一次涂膠膠膜中間薄兩邊厚；第二次涂膠時(shí)，中心滴膠，通過(guò)真空吸盤吸住晶片旋轉(zhuǎn)使膠膜全部覆蓋在晶片上，通過(guò)調(diào)節(jié)不同的旋轉(zhuǎn)速度達(dá)到第二次涂膠膠膜中間厚兩邊薄；兩次涂膠結(jié)果互補(bǔ)，形成最終膠膜厚度的均一。
2.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝用厚膠膜旋涂方法，其特征在于第一次涂膠時(shí)， 根據(jù)膠的種類和粘度，真空吸盤的旋轉(zhuǎn)速度范圍為200-6000rpm ；第二次涂膠時(shí)，根據(jù)膠的種類和粘度，真空吸盤的旋轉(zhuǎn)速度范圍為200-6000rpm;滴膠管路出口與晶片之間的距離范圍為5-30mm，晶片直徑范圍為6英寸、8英寸或12英寸。
3.按照權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝用厚膠膜旋涂方法，其特征在于第一次涂膠控制在膠膜厚度為通過(guò)晶片中心向晶片邊緣變厚的趨勢(shì)方式涂膠，即為通過(guò)中心點(diǎn)的晶片上膠膜剖面呈現(xiàn)向下凹的圖形方式涂膠；第二次涂膠控制在膠膜厚度為通過(guò)晶片中心向晶片邊緣變薄的趨勢(shì)方式涂膠，即為通過(guò)中心點(diǎn)的晶片上膠膜剖面呈現(xiàn)向下凸的圖形方式涂膠。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體為一種用以在半導(dǎo)體晶片上通過(guò)兩次特殊方式的覆蓋旋涂方法，獲得半導(dǎo)體厚道封裝用厚膠膜的旋涂方法，具體為在半導(dǎo)體封裝厚膠涂膠方法特殊的二次涂膠方式，通過(guò)兩次不同膠膜厚度和形式進(jìn)行互補(bǔ)，達(dá)到最終封裝用厚膠膠膜的均一性。第一次涂膠控制在膠膜厚度為通過(guò)晶片中心向晶片邊緣變厚的趨勢(shì)方式涂膠，即為通過(guò)中心點(diǎn)的晶片上膠膜剖面呈現(xiàn)向下凹的圖形方式涂膠，第二次涂膠控制在膠膜厚度為通過(guò)晶片中心向晶片邊緣變薄的趨勢(shì)方式涂膠，即為通過(guò)中心點(diǎn)的晶片上膠膜剖面呈現(xiàn)向下凸的圖形方式涂膠。本發(fā)明通過(guò)兩次特殊如上所述特殊涂膠方式，可以實(shí)現(xiàn)厚高粘度膠膜封裝工藝的涂膠需求，解決了二次涂膠工藝的缺陷。
文檔編號(hào)H01L21/56GK102259083SQ201110022450
公開(kāi)日2011年11月30日 申請(qǐng)日期2011年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月19日
發(fā)明者王陽(yáng), 胡延兵 申請(qǐng)人:沈陽(yáng)芯源微電子設(shè)備有限公司