專利名稱：具有改進(jìn)光輸出的led模塊的制作方法
具有改進(jìn)光輸出的LED模塊芯片直接貼裝(COB)技術(shù)中，封裝后的LED的光輸出受到了周圍封裝材料的光學(xué)特性的影響，特別是磷光體和LED芯片的反射率和位置。封裝材料的重要性體現(xiàn)在a)高反射率b)高光穩(wěn)定性c)高熱穩(wěn)定性

圖1示出了磷光體轉(zhuǎn)換(phosphor-converted)白光LED的典型光發(fā)射路徑，其中在LED芯片的發(fā)光區(qū)域的頂部覆蓋有熒光粉。LED的一種構(gòu)造是將發(fā)射端布置在半球形的中央，使得光能夠以最小的反射損耗從LED封裝輸出。少量的光被反射回芯片和PCB或者 SMD封裝的周圍區(qū)域中，在這里被吸收或者反射。如果半球形球體頂端在尺寸上足夠大，那么大約3%-5% (這取決于半球材料的反射系數(shù))的光會被反射并損耗掉。因為熒光粉在各個方向發(fā)光，座椅大約一半的光不得不被LED芯片本身反射，芯片本身也會產(chǎn)生一些附加的損耗。雖然高反射率也是一個LED芯片本身需要具備的特性，但高反射率的主要功能是發(fā)出有效率的光，這可能意味著其反射率的降低。如果不需要高光密度，那么磷光體也可以分布在半球形球體頂內(nèi)部。這樣做不會對光輸出和光路有明顯改進(jìn)，但是能夠容易控制色彩穩(wěn)定性和色彩再現(xiàn)性，并且光密度不會太高，這意味著需要進(jìn)行相對少的防眩工作。由于發(fā)射的光有很大一部分會落到PCB或者SMD封裝上，因此，PCB或者SMD封裝的反射率對最終的光輸出影響很大。因為在一些情況下，區(qū)域部分需要用金線連接到芯片上，根據(jù)設(shè)計規(guī)則需要設(shè)定距離以保持區(qū)域部分不和阻焊層(solder stop mask)連接，所以PCB板或者SMD封裝的總體反射率會受到限制，或者僅能夠使用低穩(wěn)定性的材料。本發(fā)明的目的是改進(jìn)在LED芯片的頂部(比如，所謂的球形頂)設(shè)置有元件的LED 模塊的光輸出。該目的通過獨立權(quán)利要求的技術(shù)特征來實現(xiàn)。從屬權(quán)利要求進(jìn)一步擴(kuò)展了本發(fā)明的中心思想。根據(jù)本發(fā)明，LED模塊，比如以芯片直貼(COB)技術(shù)制成的LED模塊或者SMD封裝載體可以包括至少一個安裝在板上或者載體上的LED芯片。在對LED芯片裸片鍵合后，在板或者載體上涂覆反射性的，優(yōu)選為白色的涂層，至少覆蓋上面將設(shè)置元件(比如球形頂或者半球形透鏡)的整個區(qū)域。此外，白色涂層可以覆蓋LED芯片本身的一部分，比如側(cè)壁的一部分。如果LED芯片沒有橫向發(fā)光，則所述涂層優(yōu)選為具有75%到90%的芯片厚度， 否則為了達(dá)到對具有側(cè)向發(fā)光的LED芯片的反射率的改進(jìn)，需要設(shè)置最小的高度。為了達(dá)到最佳的光反射效率，反射性的白色涂層優(yōu)選與芯片的一部分相接觸甚至交疊?；旧贤该鞯那蛐雾斂梢栽O(shè)置在LED芯片的頂部和板或者載體的圍繞LED芯片的區(qū)域上。板或者載體的設(shè)置有球形頂?shù)谋砻姹话咨瓷洳牧细采w。雖然通過透明球形頂能夠提升光輸出，但是基本上漫射的填充有色變換材料(如由BOSE或者YAG或者氮化物制成磷光體)的球形頂會因為光將從磷光體向各個方向出射而在光輸出方面產(chǎn)生更大影響。根據(jù)本發(fā)明，能夠使用高反射率的材料，所述高反射率材料被沉積在色轉(zhuǎn)換元件底部與之緊密相連。這種高反射率材料總體的量根據(jù)能夠達(dá)到的期望光波長和/或色溫做調(diào)整。此外可以用更低的體積密度的反射材料來沉積反射材料，比如硅基體中的反射顆粒， 使之在總體上具有更大的量，以便克服劑量上的不準(zhǔn)確性。因為這種材料和基板緊密相連并且不包含磷光體粒子，所以硅樹脂能夠在沒有熱退化風(fēng)險的情況下被使用。一般情況下，用于LED的磷光體是磷光體轉(zhuǎn)換LED領(lǐng)域的技術(shù)人員所公知的。此外，散射材料可以存在于球形頂內(nèi)或者(預(yù)成型的)半球形透鏡內(nèi)。注意，被應(yīng)用為球形頂?shù)耐繉訉τ贚ED封裝領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是公知的。在無橫向發(fā)光的芯片的情況下，反射材料可以是厚度在5微米到250微米的層，優(yōu)選為20微米到200微米的層，更優(yōu)選為100微米到150微米的層。反射材料可以是具有頂部表面的層，其中在LED芯片位于板或者載體的頂部的情況下從LED芯片的側(cè)面觀察時，所述頂部表面低于LED芯片的頂部表面。由于芯片高度根據(jù)時間會發(fā)生變化，因此反射材料可以是厚度為LED芯片厚度的 75%到90%的層。另外，LED芯片的一個或者多個側(cè)壁，優(yōu)選為垂直側(cè)壁，涂覆了一種材料，所述材料被設(shè)置為對入射到LED芯片上的光進(jìn)行反射?？梢栽谇蛐雾攦?nèi)和/或在LED芯片頂部表面上設(shè)置色轉(zhuǎn)換材料。反射材料可以被設(shè)計為至少對LED芯片和色轉(zhuǎn)換材料(如果有的話)所發(fā)射的光譜進(jìn)行反射。LED模塊可以發(fā)射基本上為白色的光，所述白色的光是LED芯片的光譜和色轉(zhuǎn)換的發(fā)射光譜的混合。另外或者另選地，LED模塊也可以發(fā)射可視光譜外的光。相應(yīng)地，將設(shè)置依賴波長的反射特性。本發(fā)明還提出了一種借助于(尤其對于COB技術(shù))將反射率穩(wěn)定至一個更好的可控值來改進(jìn)LED模塊的色坐標(biāo)公差的技術(shù)，所述LED模塊包括印刷電路板或者SMD載體。當(dāng)本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合附圖閱讀以下本發(fā)明實施方式部分的詳細(xì)描述后，就能夠明確本發(fā)明進(jìn)一步的優(yōu)點、特征和目的。圖1示出了代表現(xiàn)有技術(shù)的具有磷光體層的芯片封裝；圖2示出了代表現(xiàn)有技術(shù)的具有分布式磷光體層的芯片封裝；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施方式的具有白色涂層的芯片封裝；圖4示出了具有用于限定白色涂層的外部形狀的額外屏障(dam)的LED芯片封裝；圖5示出了涂覆在具有帶橫向發(fā)光的LED芯片的LED芯片封裝上的白色涂層；圖6示出了涂覆在具有帶側(cè)發(fā)光的LED芯片的SMD封裝上的白色涂層；圖7示出了 DE 202007008258 Ul中可知的可以應(yīng)用本發(fā)明的改型LED模塊；圖8示出了對圖5和6的實施方式的進(jìn)一步改進(jìn)；圖9示出了根據(jù)本發(fā)明另選實施方式的對球形頂?shù)囊徊糠滞扛擦送繉拥腖ED芯片封裝；圖10示出了對設(shè)置在LED芯片上方的預(yù)成型的元件涂覆了涂層的LED芯片封裝；圖11示出了對設(shè)置在LED芯片上方的預(yù)成型元件的一部分涂覆了額外的涂層的 LED芯片封裝；
圖12示出了對LED芯片側(cè)面和設(shè)置在LED芯片上方的預(yù)成型元件的一部分涂覆了涂層的LED芯片封裝；圖13示出了一種對殼體側(cè)面附圖了涂層的LED芯片封裝，該殼體包括LED芯片和位于LED芯片上方的預(yù)成型元件。為了克服圖2中示出的一些問題，可以在載體或者板上的安裝了 LED芯片并且圍繞LED芯片的區(qū)域上涂覆反射涂層。反射涂層可以覆蓋所有具有有限反射率的部分，尤其是被球形頂覆蓋的那部分。在同一個球形頂(球形頂僅僅是設(shè)置在LED芯片頂部并包含有磷光體的元件的例子)內(nèi)可以設(shè)置多個一個LED芯片。因此，“球形頂”僅表示一種設(shè)置在一個或者更多個LED 芯片的頂部上的元件。一個或者更多個這種LED可以發(fā)射具有藍(lán)色光譜的光，這種光將會部分地被磷光體下轉(zhuǎn)換。另外，一個或者更多個LED可發(fā)射基本上不被磷光體下轉(zhuǎn)換的光譜。也就是這種情況，比如，至少一個發(fā)射紅光的LED芯片被設(shè)計為對藍(lán)光進(jìn)行下轉(zhuǎn)換的磷光體所覆蓋。一個實施方式包括位于光學(xué)元件下的一個或者更多個LED芯片，所述光學(xué)元件包括一個或者更多個磷光體以便轉(zhuǎn)換至少一個LED芯片的光譜，使得LED模塊發(fā)射混合光譜， 例如可以是白光，特別是暖白光。這樣的設(shè)置能夠被用于改型的LED模塊，也就是具有電連接的LED模塊(類似于電燈泡或者鹵素?zé)?。這種改型的模塊出現(xiàn)在以引用方式并入本文的DE202007008258 Ul 的公開文本中。特別是參照DE 202007008258 Ul中的圖1，該圖作為本說明書的圖7被并入。圖7中示出的板4和LED 7可以是根據(jù)本發(fā)明的相應(yīng)部分。球形頂可以是一個施放(dispensed)的球形頂或者是一個預(yù)成型的基本上為半球形的透鏡元件。另外，LED芯片的側(cè)壁也可以被涂覆，由于這些側(cè)壁通常是基于硅(一種已知的低反射率半導(dǎo)體材料)制成的。采用這種設(shè)計，能減少對反射率的約束，從而得到更好的光輸
出ο另外，能夠?qū)崿F(xiàn)相對于圖1中所示的封裝保持更低色坐標(biāo)公差的優(yōu)勢。PCB頂部通常使用的阻焊層典型地具有低于90%的反射率，有些低至僅60%。另外，在一些生產(chǎn)中采用熱處理的情況下，反射率是可變的。由于對藍(lán)光的顯著吸收，金質(zhì)焊盤的反射率甚至更糟。這一點可以通過采用銀質(zhì)的焊盤加以克服，但是金的移動速度 (migration speed)遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于銀，這將導(dǎo)致更低的可靠性。為了最大化輸出，必須尋求一種高反射率，這可以通過反射率涂層來實現(xiàn)?？梢酝ㄟ^標(biāo)準(zhǔn)的施放技術(shù)來涂覆反射材料層(白色涂層)，厚度為5微米到250微米，優(yōu)選為20到200微米，更優(yōu)選為100到150微米?？梢圆捎谜辰Y(jié)劑或者膠水將LED芯片貼附在它的支撐結(jié)構(gòu)上。這些材料在LED芯片側(cè)壁上具有不希望出現(xiàn)的向上移動的趨勢。本發(fā)明的白色涂層優(yōu)選地具有足夠的厚度， 以確保白色涂層實際在上位于任何向上移動的粘結(jié)劑或者膠水之上與LED芯片連接。鑒于此，選擇白色涂層的厚度要超過預(yù)期的向上移動的高度。從板或者載體的表面上測得的厚度優(yōu)選地大約占LED芯片厚度的75%到90%。因此，反射材料層的頂部表面將會變低，但是基本上平行于LED芯片的頂部表面(光發(fā)射面)。 改進(jìn)后的光輸出在整個白色LED(比如一般的白色)可視范圍內(nèi)為15%的量級。用于反射材料的硅基質(zhì)中的典型染料是不導(dǎo)電材料，比如Ti02、BaS03、Zr02、 BaTi03。本發(fā)明還公開了一種生產(chǎn)這種包含白色涂層的LED的方法。反射材料層，參見圖3，可具有傾斜側(cè)壁，也就是非垂直的側(cè)壁。球形頂可以表現(xiàn)為半圓形。色轉(zhuǎn)換材料可以設(shè)置在，比如球形頂和/或LED芯片的硅樹脂基質(zhì)上(比較圖1)。圖4示出了具有用于限定白色涂層的外部形狀的額外屏障結(jié)構(gòu)的LED芯片封裝。 所述屏障結(jié)構(gòu)優(yōu)選地在涂覆白色涂層之前形成。所述屏障結(jié)構(gòu)優(yōu)選地由諸如硅基材料的材料制成，因此是由不同于白色涂層的材料的材料制成的。圖5示出了采用具有側(cè)發(fā)光(側(cè)發(fā)光=當(dāng)采用透明基板比如藍(lán)寶石或者SiC時芯片側(cè)壁發(fā)光)的LED芯片的COB封裝實施方式。在這種情況下，白色涂層的厚度優(yōu)選為小于LED芯片厚度的50%，更優(yōu)選小于25%，最優(yōu)選小于10%。圖5的實施方式可以進(jìn)一步改進(jìn)，如圖8所示，在支承體上放置LED芯片，從俯視角度觀察，支承體的輪廓在至少一個維度上等于或者小于LED芯片的輪廓。因此，白色涂層能夠隨意流動并且位于LED芯片的底面下方。所述支承體的厚度大于白色涂層的厚度。另選地，支承體的圍繞LED芯片的區(qū)域可以比如通過刻蝕而凹陷。盡管白色涂層與LED芯片的側(cè)壁接觸，但這些技術(shù)特征確保白色涂層基本上不覆蓋LED芯片的側(cè)發(fā)光表圖6示出了 SMD封裝的一個實例，該SMD封裝具有側(cè)發(fā)光的LED芯片。另外，白色涂層的厚度優(yōu)選小于LED芯片厚度的50%，更優(yōu)選小于25%，最優(yōu)選小于10%。圖6的LED芯片安裝在LED封裝載體上，LED封裝載體又焊接在比如PCB上。根據(jù)本發(fā)明的另一些實施方式，參見圖9到13，優(yōu)選為白色材料的反射層可以涂覆在至少一個LED芯片的頂部上的(光學(xué))元件的表面上。設(shè)置在LED芯片頂部上的所述元件優(yōu)選可以為半圓形球形頂6，如在第一實施方式中所述或者參見圖9，所述球形頂例如是沉積在基板5的頂部、LED芯片4及其裸片(未示出)上方的樹脂。另選地，并根據(jù)如圖10到13的另一些實施方式，設(shè)置在LED芯片頂部上的元件可以是預(yù)成型或者預(yù)先制造的、設(shè)置在LED芯片上，優(yōu)選設(shè)置在LED芯片的裸片上的光學(xué)元件7。預(yù)成型的元件7優(yōu)選是透鏡并且可以為例如半圓形(未示出)或者矩形，就像圖12中設(shè)置在LED芯片4頂部的平行六面體元件。如上所述，設(shè)置在LED芯片頂部上的元件優(yōu)選地包括像磷光體這樣的色轉(zhuǎn)換材料或者波長轉(zhuǎn)換材料，用于改變并且優(yōu)選地下轉(zhuǎn)換由LED芯片4發(fā)出的光的光譜。因此，包括基本上發(fā)出藍(lán)光的藍(lán)色LED的LED模塊能夠基于色轉(zhuǎn)換而發(fā)出白光。在設(shè)置在至少一個LED芯片的頂部上的光學(xué)元件表面上涂覆反射材料層能夠提升LED模塊的反射率。這些實施方式的另一個優(yōu)點在于LED模塊發(fā)出的光的光譜是可控的。更進(jìn)一步來講，可以改善在單獨(白色)LED模塊或者燈中的色溫再現(xiàn)性。圖9示出了對圖3-8的實施方式的進(jìn)一步改進(jìn)。反射材料層8位于基板5和球形頂6之間。另外的反射材料層1部分地覆蓋了球形頂6。球形頂6的相應(yīng)部分3因此被另外的反射材料1覆蓋，相應(yīng)部分9沒有被所述另外的反射材料1覆蓋。LED芯片4發(fā)出的被球形頂6的部分3中的所述另外的反射材料1反射的光將被磷光體進(jìn)一步下轉(zhuǎn)換。由于這種反射，被轉(zhuǎn)換的藍(lán)色光被反射回色轉(zhuǎn)換元件，在那里至少一部分藍(lán)色光被轉(zhuǎn)換成具有更低波長的光，比如黃光。因此，整體的色轉(zhuǎn)換溫度下降了。圖10示出了另一個實施方式，其包括位于LED芯片4頂部的預(yù)成型元件7。所述 LED模塊包括設(shè)置在基板5上的藍(lán)色LED裸片4，所述LED芯片或者裸片4上方設(shè)置有色轉(zhuǎn)換元件7。優(yōu)選的高反射材料1設(shè)置在基板5上，部分地覆蓋色轉(zhuǎn)換元件7。圖10和11例示了如何控制由LED模塊發(fā)出的光的波長，以及如何改進(jìn)單獨LED 模塊或者燈的色溫再現(xiàn)性。調(diào)整反射層1的數(shù)量和/或高度能夠調(diào)整期望的光波長和/或色溫。這點通過如下操作來實現(xiàn)設(shè)置引起波長調(diào)節(jié)或者色溫改變色轉(zhuǎn)換元件7，所述色溫優(yōu)選的稍高于期望的色溫；并且如前所述，在所述藍(lán)色LED上添加所述色轉(zhuǎn)換元件7。第一個可選步驟包括測量LED模塊的所產(chǎn)生的光波長和/或色溫。然后，可以在色轉(zhuǎn)換元件7的周圍沉積優(yōu)選的高反射材料1，比如硅樹脂或者其他透明基質(zhì)中的反射顆粒，參見圖10。在測量了光波長和/或整體色溫后，判定是否需要對波長進(jìn)行進(jìn)一步的下轉(zhuǎn)換。 只要波長和/或色溫不在期望范圍內(nèi)，就可以將額外的反射材料10 —步步地添加到色轉(zhuǎn)換元件并沒有被反射材料覆蓋的周圍區(qū)域，參見圖11。對于整體光波長和/或色溫的測量可以重復(fù)若干次，并且可以步步地添加額外的反射材料，直到得到期望值或者期望值范圍為止。反射材料可以包括嵌入在硅樹脂基質(zhì)中的高反射顆粒，所述硅樹脂基質(zhì)在熱作用下容易退化。在優(yōu)選實施方式中，為了克服沉積少量材料時的不足，反射顆粒的體積分?jǐn)?shù)被選擇為非常小。反射材料1、10通過施放、噴射或墨水噴射印刷被沉積在色轉(zhuǎn)換元件7的周圍。另選地，高反射率材料不是通過施放或者噴射來沉積的，而是由預(yù)先制成的高反射率元件構(gòu)成，所述高反射元件集成在反射器的頂面。盡管在包括施放或者噴射顆粒的實施方式中，發(fā)出的光的波長僅能夠在一個方向上被調(diào)節(jié)，也就是說僅能增大，或者僅是減小，但是這種預(yù)先制成的元件的優(yōu)點在于，反射材料能夠被移除或者移動，這樣就能夠覆蓋更多或者更少的光轉(zhuǎn)換元件。因此能夠增大或者減小期望的波長或者色溫，使得調(diào)節(jié)操作變得更加簡單。所述的調(diào)節(jié)方法能夠在改善長時間工作中單獨LED的再現(xiàn)性或者控制色溫?？梢栽谏D(zhuǎn)換元件7中使用的磷光體在長時間的工作過程中的確具有輕微的退化傾向。LED燈的發(fā)射波長和/或色溫能夠被諸如探測單元(未示出)控制，然后被調(diào)節(jié)到一個期望值或者期望的范圍。期望光波長和/或色溫的長時間的穩(wěn)定性可以通過如上的方式得到保證。 當(dāng)必須在LED陣列壽命期限內(nèi)更換LED燈陣列內(nèi)部的LED燈時，也可以用到所述方法。應(yīng)用本方法能夠保證更換的安裝在陣列內(nèi)部的新LED燈與期望的替換的LED燈或者LED燈周圍的光波長和/或色溫相吻合。這通過如上所述的調(diào)節(jié)步驟就可以實現(xiàn)。根據(jù)圖12的實施方式，LED模塊包括設(shè)置在基板5上的LED裸片4和位于LED裸片4頂部的色轉(zhuǎn)換元件7。發(fā)射的光的一部分被色轉(zhuǎn)換元件7 (如色轉(zhuǎn)換材料片)轉(zhuǎn)換，所述色轉(zhuǎn)換元件設(shè)置在從LED裸片4發(fā)出的光的方向上。為了獲得期望的光波長和/或色溫，測量發(fā)光裝置的實際色溫，并且在色轉(zhuǎn)換元件7的底部沉積足夠量的反射材料1。在此實施方式中，基板5和LED裸片4以及色轉(zhuǎn)換元件7的下部都被反射材料1 覆蓋。更具體來講，色轉(zhuǎn)換元件7的沒有覆蓋裸片的下表面也被反射材料覆蓋。另外或者另選地，色轉(zhuǎn)換元件7的下側(cè)被反射材料1涂覆。圖13示出了另一實施方式，LED模塊包括色轉(zhuǎn)換材料7，所述轉(zhuǎn)換材料沉積在殼體 10內(nèi)部，并且環(huán)繞在第一波長區(qū)域發(fā)光的LED裸片4。殼體10由透明材料比如硅樹脂或者玻璃制成。再次測量發(fā)光裝置的色溫。然后將足夠量的反射材料1沉積在殼體10的外部， 覆蓋殼體10的底部。
權(quán)利要求
1.一種LED模塊，該LED模塊包括諸如印刷電路板的板或者諸如SMD載體的載體(5)；直接安裝或者間接安裝在所述板或者載體(5)上的至少一個LED芯片0)，其中，在所述LED芯片的頂部設(shè)置，也就是施放或者安裝有光學(xué)元件(6，7)，并且其中，所述LED模塊還包括優(yōu)選的白色反射層(1)，所述白色反射層覆蓋了所述板或者載體 (5)的上面設(shè)置了所述光學(xué)元件(6，7)的表面和/或部分地覆蓋所述光學(xué)元件(6，7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED模塊，其中，所述反射材料是這樣的層，該層的厚度介于5微米和250微米之間，優(yōu)選20到 200微米之間，更優(yōu)選100微米到150微米之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LED模塊，其中，所述反射材料是這樣的層，在所述LED芯片位于所述板或者載體的頂部的情況下從側(cè)面觀察所述LED模塊時，該層的頂面低于所述LED芯片的頂面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED模塊，其中，所述反射材料是這樣的層，該層的厚度介于所述LED芯片的厚度的75%至90% 之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED模塊，其中，所述LED芯片的橫向側(cè)壁上也涂覆了一種材料，這種材料被設(shè)置為對發(fā)射到所述LED芯片上的光進(jìn)行反射。
6.根據(jù)以上任一項權(quán)利要求所述的LED模塊，其中，所述光學(xué)元件(6、7)內(nèi)和/或所述LED芯片的頂面上存在色轉(zhuǎn)換材料。
7.根據(jù)以上任一項權(quán)利要求所述的LED模塊，其中，所述反射材料至少反射由所述LED芯片所發(fā)出的光譜，并且如果存在色轉(zhuǎn)換材料，則還至少反射由所述光學(xué)元件(6、7)中的色轉(zhuǎn)換材料所發(fā)出的光譜。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的LED模塊，其中，所述LED模塊發(fā)射基本上為白色的光，該白色的光是所述LED芯片的光譜和色轉(zhuǎn)換材料的發(fā)射光譜的混合。
9.根據(jù)以上任一項權(quán)利要求所述的LED模塊，其中，所述反射材料是不導(dǎo)電材料。
10.根據(jù)以上任一項權(quán)利要求所述的LED模塊，其中，在同一光學(xué)元件(6，7)下面設(shè)置有多個LED芯片。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的LED模塊，其中，至少一個LED芯片發(fā)射諸如藍(lán)光的光譜，該光譜被熒光體部分地進(jìn)行下轉(zhuǎn)換，并且至少另外一個LED芯片發(fā)射諸如紅色的光譜，該光譜基本上不受所述熒光體的影響。
12.根據(jù)以上任一項權(quán)利要求所述的LED模塊，其中，所述光學(xué)元件被預(yù)成型(7)或者被施放為球形頂(6)。
13.根據(jù)以上任一項權(quán)利要求所述的LED模塊，其中，所述白色反光材料(1)涂覆在圍繞所述LED芯片(4)和/或所述光學(xué)元件(6、7) 的殼體(10)上。
14.一種改進(jìn)的LED燈，該LED燈包括至少一個根據(jù)以上任一項權(quán)利要求所述的LED模塊。
15.一種改進(jìn)LED模塊的色坐標(biāo)公差的方法，所述LED模塊包括板或者載體( 和直接或者間接地安裝在所述板或者載體(5)上的至少一個LED芯片0)，其中，在所述LED芯片(4)的頂部，優(yōu)選地在所述板或者載體的圍繞所述LED芯片的區(qū)域上設(shè)置，即施放或安裝有基本透明的元件(6，7)，該方法的特征在于包括以下步驟用白色反射材料覆蓋所述板或者載體( 的上面施放了所述元件(6，7)的表面和/或所述LED芯片的至少一個側(cè)壁，和/或部分地覆蓋所述元件(6，7)。
16.一種調(diào)整由LED模塊發(fā)出的光的光譜的方法，所述光譜例如是波長或者色溫，所述 LED模塊包括印刷電路板或者SMD載體(5)以及直接地或者間接地安裝在所述板或者載體 (5)上的至少一個LED芯片G)，其中，所述LED芯片(4)的頂部上設(shè)置，也就是施放或者安裝有元件(6,7),該方法包括以下步驟用白色反射材料覆蓋所述板或者載體( 的施放有所述元件(6，7)的表面和/或所述 LED芯片(4)的至少一個側(cè)壁，和/或部分地覆蓋所述元件(6，7)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，首先測量由所述LED模塊發(fā)出的光的色溫上的波長，并且僅在測得的色溫上的波長不在期望范圍內(nèi)的情況下才進(jìn)行所述用白色反射材料覆蓋的步驟。
全文摘要
一種LED模塊包括印刷電路板或者SMD載體。印刷電路板或者SMD載體上設(shè)置有至少一個LED芯片。在LED芯片的頂部設(shè)置有，也就是施放或者安裝有一個元件。在印刷電路板或者SMD載體的施放有球形頂?shù)谋砻嫔?，?yōu)選地在芯片側(cè)壁上，覆蓋與LED芯片連接的白色反射材料。另選地，所述元件部分地被所述反射材料覆蓋。
文檔編號H01L25/075GK102349168SQ201080011322
公開日2012年2月8日 申請日期2010年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月9日
發(fā)明者彼得·帕克勒 申請人:赤多尼科詹納斯多夫有限公司