專利名稱：光熱轉(zhuǎn)換片以及使用它的有機(jī)場致發(fā)光原料片及有機(jī)場致發(fā)光裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適用于利用激光熱轉(zhuǎn)印法來制造有機(jī)場致發(fā)光裝置(以下有時也稱 作“有機(jī)EL裝置”、“有機(jī)電致發(fā)光裝置”)的光熱轉(zhuǎn)換片、以及使用它的有機(jī)場致發(fā)光原料 片、及有機(jī)場致發(fā)光裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
有機(jī)場致發(fā)光裝置是自發(fā)光型的顯示裝置，被期待用于顯示器或照明中。例如，有 機(jī)場致發(fā)光顯示器與以往的CRT或LCD相比具有可見性高、沒有視場角依賴性等顯示性能 上的優(yōu)點(diǎn)。另外，還有可以將顯示器輕型化、薄層化的優(yōu)點(diǎn)。另一方面，有機(jī)場致發(fā)光照明 除了可以實(shí)現(xiàn)輕型化、薄層化的優(yōu)點(diǎn)以外，通過使用柔性的基板，還有可能可以實(shí)現(xiàn)迄今為 止無法實(shí)現(xiàn)的形狀的照明。在此種有機(jī)場致發(fā)光顯示器的制造中，需要微細(xì)圖案處理工序。例如，使用金屬掩 模對藍(lán)色(B)、綠色(G)、紅色(R)的像素分別進(jìn)行圖案處理。另外，在濾色片等的微細(xì)圖案 處理中使用光刻法。但是，在大面積的有機(jī)場致發(fā)光顯示器的制作中，從掩模的精度、價(jià)格的方面考 慮，使用金屬掩模并不實(shí)用。另外，在光刻法中，需要溶液工藝，因而存在難以適用于電子設(shè) 備的情況。所以，希望提供可以有效地制造大面積且可靠性高的有機(jī)場致發(fā)光顯示器的新的 方法。所以，例如提出過如下的熱轉(zhuǎn)印元件，是包含基材、作為將上述基材上面覆蓋的光 熱轉(zhuǎn)換層的成像放射線吸收劑物質(zhì)、含有可以利用固化波長的放射線的照射而固化的放射 線固化型物質(zhì)的光熱轉(zhuǎn)換層的熱轉(zhuǎn)印元件，上述成像放射線吸收劑物質(zhì)不會使上述固化波 長下的放射線吸收度實(shí)質(zhì)性地上升，此外還提出過使用熱轉(zhuǎn)印元件的轉(zhuǎn)印方法，即，使熱轉(zhuǎn) 印元件與受體密合，進(jìn)行成像放射線的圖案照射，從而向受體轉(zhuǎn)印圖案(參照專利文獻(xiàn)1)。另外，還提出過如下的方法，S卩，使用具備基材和在其上依次形成的光熱轉(zhuǎn)換層、 含有因光熱轉(zhuǎn)換層的作用而被加熱熔融并向基板上以圖案狀轉(zhuǎn)印的圖像成分的轉(zhuǎn)印層的 給體片，利用激光進(jìn)行熱成像工藝(參照專利文獻(xiàn)2)。這些先行技術(shù)文獻(xiàn)中，在被轉(zhuǎn)印的基板或受體為平面的情況下可以有效地將圖像 成分向基板等轉(zhuǎn)印。但是，在這些情況下，在如圖IA 圖IB所示，在被轉(zhuǎn)印的基板6中形成多個絕緣 層4等，從而存在0. 5 μ m 3 μ m的階梯結(jié)構(gòu)時，利用先行技術(shù)文獻(xiàn)的方法，會有有機(jī)場致 發(fā)光原料層(轉(zhuǎn)印層)3無法追隨階梯結(jié)構(gòu)的情況，因而有機(jī)場致發(fā)光原料層被切斷，或在 基板與有機(jī)場致發(fā)光原料層之間產(chǎn)生間隙，其結(jié)果是，產(chǎn)生出像素缺陷，成品率有可能降 低。由此，現(xiàn)實(shí)狀況是，在向階梯結(jié)構(gòu)的基板轉(zhuǎn)印有機(jī)場致發(fā)光原料層的方法方面提出了課題。專利文獻(xiàn)1日本特表2009-512143號公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開2001-130141號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的課題是，解決以往的上述各個問題，實(shí)現(xiàn)以下的目的。S卩，本發(fā)明的目的 在于，提供一種光熱轉(zhuǎn)換片，其在利用激光熱轉(zhuǎn)印法的熱轉(zhuǎn)換時因熱氣化物質(zhì)氣化而使有 機(jī)場致發(fā)光原料層變形，即使有機(jī)場致發(fā)光裝置的基板為階梯結(jié)構(gòu)，有機(jī)場致發(fā)光原料層 也可以追隨階梯，可以提高成品率，此外，還提供使用該光熱轉(zhuǎn)換片的有機(jī)場致發(fā)光原料 片、以及有機(jī)場致發(fā)光裝置的制造方法。為了解決上述問題，本發(fā)明人反復(fù)進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過在光熱轉(zhuǎn)換層 中含有0. 5質(zhì)量％ 10質(zhì)量％的沸點(diǎn)至少為70°C的熱氣化物質(zhì)，在熱轉(zhuǎn)換時就會因熱氣化 物質(zhì)氣化而使有機(jī)場致發(fā)光原料層變形，即使是階梯結(jié)構(gòu)的基板，有機(jī)場致發(fā)光原料層也 可以追隨階梯。本發(fā)明是基于本發(fā)明人的上述見解的發(fā)明，作為用于解決上述問題的途徑，如下 所示。即，<1> 一種光熱轉(zhuǎn)換片，是在利用激光熱轉(zhuǎn)印法制造有機(jī)場致發(fā)光裝置中所用的 光熱轉(zhuǎn)換片，其特征在于，具有基材、該基材上的光熱轉(zhuǎn)換層，上述光熱轉(zhuǎn)換層含有0. 5質(zhì) 量％ 10質(zhì)量％的沸點(diǎn)至少為70°C的熱氣化物質(zhì)。對于上述有機(jī)場致發(fā)光原料片而言，在上述光熱轉(zhuǎn)換層中含有0. 5質(zhì)量％ 10質(zhì) 量％的沸點(diǎn)至少為70°C的熱氣化物質(zhì)。通過使用上述光熱轉(zhuǎn)換片，在利用激光熱轉(zhuǎn)印法進(jìn)行熱轉(zhuǎn)換時，就會因光熱轉(zhuǎn)換 層中的熱氣化物質(zhì)氣化而產(chǎn)生氣化層。因產(chǎn)生上述氣化層而使光熱轉(zhuǎn)換層變形，從而追隨 階梯。<2> 一種有機(jī)場致發(fā)光片，其特征在于，在上述<1>中記載的光熱轉(zhuǎn)換片的光熱轉(zhuǎn) 換層上具有有機(jī)場致發(fā)光原料層。通過使用上述有機(jī)場致發(fā)光原料片，在利用激光熱轉(zhuǎn)印法進(jìn)行熱轉(zhuǎn)換時，就會因 光熱轉(zhuǎn)換層中的熱氣化物質(zhì)氣化而產(chǎn)生氣化層。因產(chǎn)生氣化層而使有機(jī)場致發(fā)光原料層變 形，因此即使有機(jī)場致發(fā)光裝置的基板是階梯結(jié)構(gòu)，有機(jī)場致發(fā)光原料層也會追隨階梯。<3>根據(jù)上述<2>中所述的有機(jī)場致發(fā)光原料片，其中，在光熱轉(zhuǎn)換層與有機(jī)場致 發(fā)光原料層之間具有保護(hù)層。<4>根據(jù)上述<2>或<3>所述的有機(jī)場致發(fā)光原料片，其中，有機(jī)場致發(fā)光原料層 是選自密封層、發(fā)光層、空穴注入層、空穴輸送層、電子注入層、電子輸送層以及濾色片層中 的至少任意一種。<5>根據(jù)上述<2>到<4>中任意一項(xiàng)所述的有機(jī)場致發(fā)光原料片，其中，有機(jī)場致 發(fā)光原料層是無機(jī)層。<6>根據(jù)上述<2>到<4>中任意一項(xiàng)所述的有機(jī)場致發(fā)光原料片，其中，有機(jī)場致 發(fā)光原料層是有機(jī)層及無機(jī)層的層疊體。<7> 一種有機(jī)場致發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，包括將上述<2>到<6>中任意一項(xiàng)所述的有機(jī)場致發(fā)光原料片和基板層疊而形成層疊體的層疊工序；向上述層疊體 的光熱轉(zhuǎn)換層照射光而向上述基板上轉(zhuǎn)印有機(jī)場致發(fā)光原料層的轉(zhuǎn)印工序。在上述有機(jī)場致發(fā)光裝置的制造方法中，上述層疊工序中，將有機(jī)場致發(fā)光原料 片和有機(jī)場致發(fā)光裝置的基板層疊而形成層疊體。上述轉(zhuǎn)印工序中，向?qū)盈B體的光熱轉(zhuǎn)換層照射光而向基板上轉(zhuǎn)印有機(jī)場致發(fā)光原料層。上述轉(zhuǎn)印工序中，通過使用上述有機(jī)場致發(fā)光原料片，在利用激光熱轉(zhuǎn)印法進(jìn)行 熱轉(zhuǎn)換時，就會因光熱轉(zhuǎn)換層中的熱氣化物質(zhì)氣化而產(chǎn)生氣化層。因產(chǎn)生上述氣化層而使 有機(jī)場致發(fā)光原料層變形，因此即使有機(jī)場致發(fā)光裝置的基板是階梯結(jié)構(gòu)，有機(jī)場致發(fā)光 原料層也會追隨階梯。<8>根據(jù)<7>中所述的有機(jī)場致發(fā)光裝置的制造方法，其中，在基板上具有多個絕緣層。根據(jù)本發(fā)明，可以解決以往的上述各個問題，可以提供如下的光熱轉(zhuǎn)換片，S卩，在 利用激光熱轉(zhuǎn)印法進(jìn)行熱轉(zhuǎn)換時，因熱氣化物質(zhì)氣化而使有機(jī)場致發(fā)光原料層變形，即使 有機(jī)場致發(fā)光裝置的基板是階梯結(jié)構(gòu)，有機(jī)場致發(fā)光原料層也會追隨階梯，可以提高成品 率，此外，還可以提供使用它的有機(jī)場致發(fā)光原料片、以及使用該有機(jī)場致發(fā)光原料片的有 機(jī)場致發(fā)光裝置的制造方法。


圖IA是表示向階梯結(jié)構(gòu)的基板利用以往方法進(jìn)行轉(zhuǎn)印的一例的示意性剖面圖。圖IB是表示向階梯結(jié)構(gòu)的基板利用以往方法進(jìn)行轉(zhuǎn)印后的一例的示意性剖面 圖。圖2A是表示將本發(fā)明的有機(jī)場致發(fā)光原料片與有機(jī)場致發(fā)光裝置的基板層疊而 形成層疊體的一例的示意性剖面圖。圖2B是表示向?qū)盈B體照射激光并轉(zhuǎn)印的一例的示意性剖面圖。圖2C是表示使用本發(fā)明的有機(jī)場致發(fā)光原料片轉(zhuǎn)印后的一例的示意性剖面圖。圖3是表示熱氣化物質(zhì)的含量與有機(jī)場致發(fā)光原料層的變形率的關(guān)系的一例的 曲線圖。圖4是表示變形率的測定方法的一例的示意圖。圖5是表示激光照射后的有機(jī)場致發(fā)光原料層的變形了的樣子的一例的照片。圖6A是表示激光的照射方法的一例的圖。圖6B是表示激光的照射方法的一例的圖。圖6C是表示激光的照射方法的一例的圖。
具體實(shí)施例方式(光熱轉(zhuǎn)換片)本發(fā)明的光熱轉(zhuǎn)換片被用于利用激光熱轉(zhuǎn)印法制造有機(jī)場致發(fā)光裝置，具有基材 和該基材上的光熱轉(zhuǎn)換層，此外根據(jù)需要還具有其他的層。< 基材 >
作為上述基材，對于其形狀、結(jié)構(gòu)、大小、材料等沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng) 地選擇，作為上述形狀，例如可以舉出平板狀等，作為上述結(jié)構(gòu)，既可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以 是疊層結(jié)構(gòu)，作為上述大小，可以根據(jù)上述光熱轉(zhuǎn)換片的大小等適當(dāng)?shù)剡x擇。作為上述基材的材料，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，例如可以舉出聚 對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸-2，6-乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯、聚酰亞胺樹脂 (PI)、聚乙烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物等。它們既可以單 獨(dú)使用1種，也可以并用2種以上。它們當(dāng)中，從機(jī)械強(qiáng)度和相對于熱的尺寸穩(wěn)定性的方面 考慮，特別優(yōu)選聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。對于上述基材的表面，為了提高與其上的光熱轉(zhuǎn)換層的密合性，優(yōu)選進(jìn)行表面活 化處理。作為上述表面活化處理，例如可以舉出輝光放電處理、電暈放電處理等。上述基材既可以是恰當(dāng)?shù)睾铣傻牟牧?，也可以使用市售品。作為上述基材的厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，優(yōu)選為ΙΟμπ!以 上，更優(yōu)選為50 μ m以上。<光熱轉(zhuǎn)換層>對于上述光熱轉(zhuǎn)換層的形狀、結(jié)構(gòu)、大小等沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x 擇，例如作為上述形狀可以舉出平板狀等，作為上述結(jié)構(gòu)既可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是層疊 結(jié)構(gòu)，作為上述大小可以根據(jù)用途等適當(dāng)?shù)剡x擇。上述光熱轉(zhuǎn)換層含有光熱轉(zhuǎn)換材料，并含有粘合劑、熱氣化物質(zhì)、以及根據(jù)需要含 有的其他的成分。-光熱轉(zhuǎn)換材料-作為上述光熱轉(zhuǎn)換材料，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，例如大致上分 為無機(jī)材料和有機(jī)材料。作為上述無機(jī)材料，例如可以舉出碳黑或Ge、Bi、In、Te、Se、Cr等金屬或半金屬 以及含有它的合金。它們是利用真空蒸鍍法或?qū)⒘Ｗ訝畹牟牧嫌脴渲日辰佣詫訝钚纬?的。作為上述有機(jī)材料，可以根據(jù)應(yīng)當(dāng)吸收的光波長適當(dāng)?shù)厥褂酶鞣N染料，在作為光 源使用半導(dǎo)體激光器的情況下，可以使用在600nm 1，200nm附近具有吸收峰的近紅外吸 收色素。具體來說，可以舉出喹啉衍生物、苯二胺系鎳絡(luò)合物、酞菁系色素等。它們既可以 單獨(dú)使用1種，也可以并用2種以上。作為上述喹啉衍生物，可以舉出花青色素、醌系色素、indonaphtol等。為了反復(fù)進(jìn)行圖像處理，優(yōu)選選擇耐熱性優(yōu)異的光熱轉(zhuǎn)換材料，從這一點(diǎn)考慮，特 別優(yōu)選酞菁系色素。上述光熱轉(zhuǎn)換材料在上述光熱轉(zhuǎn)換層中的含量沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng) 地選擇，然而優(yōu)選為5質(zhì)量％ 30質(zhì)量％。-粘合劑-作為上述粘合劑，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，例如可以舉出丙烯酸 系單體的均聚物或共聚物、纖維素系聚合物、聚苯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯 基系聚合物及乙烯基化合物的共聚物、縮合系聚合物、橡膠系熱塑性聚合物、使光聚合性或 熱聚合性化合物聚合 交聯(lián)而得的聚合物、聚酰亞胺樹脂等。它們既可以單獨(dú)使用1種，也可以并用2種以上。作為上述丙烯酸系單體的均聚物或共聚物，可以舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸 酯、甲基丙烯酸酯等。作為上述纖維素系聚合物，可以舉出甲基纖維素、乙基纖維素、纖維素乙酸酯等。作為上述乙烯基系聚合物及乙烯基化合物的共聚物，可以舉出聚乙烯基吡咯烷 酮、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醇等。作為上述縮合系聚合物，可以舉出聚酯、聚酰胺等。作為上述橡膠系熱塑性聚合物，可以舉出丁二烯-苯乙烯共聚物等。作為上述使光聚合性或熱聚合性化合物聚合·交聯(lián)而得的聚合物，可以舉出環(huán)氧 化合物等。-熱氣化物質(zhì)-上述熱氣化物質(zhì)是在后述的轉(zhuǎn)印時氣化的物質(zhì)。如圖2B中給出的一例所示，因在 轉(zhuǎn)印時熱氣化物質(zhì)氣化，而在基材1與光熱轉(zhuǎn)換層2之間產(chǎn)生上述熱氣化物質(zhì)的氣化層7。 氣化層7隨著轉(zhuǎn)印的推進(jìn)而膨脹，然而由于基材1不會變形，因此上述氣化層7就會按照將 光熱轉(zhuǎn)換層2及上述光熱轉(zhuǎn)換層上的有機(jī)場致發(fā)光原料層3向與基材相反方向推出的方式 膨脹。其結(jié)果是，有機(jī)場致發(fā)光原料層3就會追隨基板6的階梯結(jié)構(gòu)。作為上述熱氣化物質(zhì)的沸點(diǎn)，優(yōu)選至少為70°C，更優(yōu)選為100°C 250°C，特別優(yōu) 選為150°C 250°C以上。如果上述沸點(diǎn)小于70°C，則會有在50°C左右的室溫下?lián)]發(fā)的情況，如果超過 2500C，則在熱轉(zhuǎn)印時不會氣化，從而會有無法使有機(jī)場致發(fā)光原料層追隨基板的情況。上述沸點(diǎn)是在1個大氣壓下測定的，具體來說，可以使用熱重差熱同時分析裝置 (TG-DTA)測定。作為上述熱氣化物質(zhì)，只要沸點(diǎn)在上述范圍內(nèi)，就沒有特別限制，可以根據(jù)目的 適當(dāng)?shù)剡x擇，例如可以舉出N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAC)、二甲基甲酰胺 (DMF)等。它們既可以單獨(dú)使用1種，也可以并用2種以上。作為上述熱氣化物質(zhì)在上述光熱轉(zhuǎn)換層中的含量，優(yōu)選為0. 5質(zhì)量％ 10質(zhì) 量％，更優(yōu)選為2質(zhì)量％ 10質(zhì)量％，特別優(yōu)選為4質(zhì)量％ 10質(zhì)量％。如果上述含量小于0. 5質(zhì)量％，則由于有機(jī)場致發(fā)光原料層的變形率小，因此會 有無法使有機(jī)場致發(fā)光原料層追隨階梯結(jié)構(gòu)的基板的情況，如果超過20質(zhì)量％，則會有光 熱轉(zhuǎn)換層與基材剝離的情況。上述含量可以通過如下操作來計(jì)測，S卩，以5cmX5cm見方切取光熱轉(zhuǎn)換層，對所 切取的光熱轉(zhuǎn)換層，在30°C 500°C的溫度范圍中，用升溫速度為10°C /min的氣相色譜 (島津制作所制GC-2010)測定重量變化。上述光熱轉(zhuǎn)換層例如可以通過將光熱轉(zhuǎn)換層用涂布液涂布于基材上來形成，上述 光熱轉(zhuǎn)換層用涂布液含有熱氣化物質(zhì)、光熱轉(zhuǎn)換材料，并含有粘合劑以及根據(jù)需要含有的 其他成分。作為上述光熱轉(zhuǎn)換層的厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，然而優(yōu)選 為 50nm 1，OOOnm,更優(yōu)選為 IOOnm 500nm。如果上述厚度小于50nm，則會過薄而出現(xiàn)剝離的情況，如果超過1，OOOnm,則會有難以將熱向光熱轉(zhuǎn)換層整體傳遞的情況。作為上述光熱轉(zhuǎn)換層的變形率，優(yōu)選為150%以上，更優(yōu)選為180%以上，進(jìn)一步 優(yōu)選為200%以上，特別優(yōu)選為220%以上。如果上述變形率小于150%，則會有不能追隨具有階梯結(jié)構(gòu)的基板的情況。上述變形率可以如圖4及圖5所示，在照射激光的部位，以激光照射后的增加的截 面積為基礎(chǔ)根據(jù)下述的式子求出。變形率(％)=((激光照射前的截面積+激光照射后的增加的截面積)/激光照 射前的截面積)X100··· (1)(有機(jī)場致發(fā)光原料片)本發(fā)明的有機(jī)場致發(fā)光原料片是被用于利用激光熱轉(zhuǎn)印法來制造有機(jī)場致發(fā)光 裝置，其是在上述光熱發(fā)光片的光熱轉(zhuǎn)換層上具有有機(jī)場致發(fā)光原料層而成的，此外根據(jù) 需要還具有其他的層。<有機(jī)場致發(fā)光原料層>上述有機(jī)場致發(fā)光原料層是含有轉(zhuǎn)印成分的層，該轉(zhuǎn)印成分被利用上述光熱轉(zhuǎn)換 層加熱而熔融，向有機(jī)場致發(fā)光裝置的基板轉(zhuǎn)印。作為上述有機(jī)場致發(fā)光原料層的轉(zhuǎn)印成分，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)?選擇，也可以從密封層(屏蔽層)、濾色片層、發(fā)光層中選擇。另外，也可以除了發(fā)光層以外 還具有空穴注入層、空穴輸送層、電子注入層、電子輸送層?？昭ㄗ⑷雽?、空穴輸送層、電子 注入層、電子輸送層、密封層、濾色片層等各層也可以分別具備其他的功能。另外，例如也可 以像發(fā)光層兼電子輸送層那樣是兼作兩個層的層。作為上述發(fā)光層的材料，只要是能夠形成具有如下功能的層的材料即可，S卩，在電 場施加時可以從陽極或空穴注入層、空穴輸送層注入空穴，并且可以從陰極或電子注入層、 電子輸送層注入電子的功能；或使所注入的電荷移動的功能；或提供空穴與電子的復(fù)合的 場所而使之發(fā)光的功能。作為上述發(fā)光層中所用的發(fā)光材料，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，例 如可以舉出苯并噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基苯衍生物、聚苯 基衍生物、二苯基丁二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、萘二甲酰亞胺衍生物、香豆素衍生 物、茈衍生物、紫環(huán)酮(perinone)衍生物、噁二唑衍生物、醛連氮衍生物、pyralizine ( 7 'J ” > )衍生物、環(huán)戊二烯衍生物、二苯乙烯基蒽衍生物、喹吖啶酮衍生物、吡咯并吡啶衍 生物、噻二唑并吡啶衍生物、環(huán)戊二烯衍生物、苯乙烯基胺衍生物、芳香族二亞甲基衍生物、 以8-羥基喹啉衍生物的金屬絡(luò)合物或稀土類絡(luò)合物為代表的各種金屬絡(luò)合物等、聚噻吩、 聚亞苯基、聚亞苯基亞乙烯等聚合物化合物等。它們既可以單獨(dú)使用1種，也可以并用2種 以上。作為上述發(fā)光層的形成方法，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，例如可以 舉出電阻加熱蒸鍍、電子束、濺射、分子層疊法、涂覆法(旋涂法、流延法、浸涂法等)、LB法等作為上述發(fā)光層的厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，優(yōu)選為Inm 5 μ m，更優(yōu)選為5nm 1 μ m,特別優(yōu)選為IOnm 500nm。作為上述空穴注入層、空穴輸送層的材料，只要是具有從陽極注入空穴的功能、輸送空穴的功能、阻擋從陰極注入的電子的功能的任意一種的材料即可。作為其具體例， 可以舉出咔唑衍生物、三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基鏈烷衍 生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取代查耳酮衍 生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、硅氮烷衍生物、芳香族叔胺化 合物、苯乙烯基胺化合物、芳香族二亞甲基系化合物、P卜啉系化合物、聚硅烷系化合物、聚 (N-乙烯基咔唑)衍生物、苯胺系共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩等電導(dǎo)性高分子低聚物等。上 述空穴注入層、空穴輸送層既可以是由上述的材料的1種或2種以上構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)，也可 以是由同一組成或不同種組成的多層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。作為上述空穴注入層、空穴輸送層的形成方法，可以舉出真空蒸鍍法、LB法、將上 述空穴注入輸送劑溶解或分散于溶劑中而涂覆的方法(旋涂法、流延法、浸涂法等)等。作為上述空穴注入層、空穴輸送層的厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x 擇，優(yōu)選為Inm 5 μ m,更優(yōu)選為5nm 1 μ m,特別優(yōu)選為IOnm 500nm。作為上述電子注入層、電子輸送層的材料，只要是具有從陰極注入電子的功能、輸 送電子的功能、阻擋從陽極注入的空穴的功能的任意一種的材料即可。作為其具體例，可 以舉出三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、芴酮衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生 物、二苯基醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、碳二亞胺衍生物、亞芴基甲烷衍生物、二苯乙烯 基吡嗪衍生物、萘茈衍生物等雜環(huán)四羧酸酐、酞菁衍生物、以8-羥基喹啉衍生物的金屬絡(luò) 合物或?qū)⒔饘偬?、苯并噁唑或苯并噻唑?yàn)榕潴w的金屬絡(luò)合物為代表的各種金屬絡(luò)合物 等。上述電子注入層、電子輸送層既可以是由上述的材料的1種或2種以上構(gòu)成的單層結(jié) 構(gòu)，也可以是由同一組成或不同種組成的多層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。作為上述電子注入層、電子輸送層的形成方法，可以舉出真空蒸鍍法、LB法、將上 述電子注入輸送劑溶解或分散于溶劑中而涂覆的方法(旋涂法、流延法、浸涂法等)等。作為上述電子注入層、電子輸送層的厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x 擇，優(yōu)選為Inm 5 μ m,更優(yōu)選為5nm 1 μ m,特別優(yōu)選為IOnm 500nm。作為上述陽極，是向空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層等供給空穴的材料，可以使 用金屬、合金、金屬氧化物、導(dǎo)電性化合物或它們的混合物等。優(yōu)選功函數(shù)為4eV以上的材 料。作為具體例，可以舉出氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦 錫(ITO)、氧化銦 氧化鋅(ΙΖ0 Indium Zinc Oxide)等導(dǎo)電性金屬氧化物、或金、銀、鉻、鎳等金屬、以及這些金屬與導(dǎo)電性 金屬氧化物的混合物或?qū)盈B物、碘化銅、硫化銅等無機(jī)導(dǎo)電性物質(zhì)、聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯 等有機(jī)導(dǎo)電性材料、或它們與ITO的層疊物等。它們當(dāng)中，從生產(chǎn)性、高導(dǎo)電性、透明性等方 面考慮，特別優(yōu)選ITO、IZO0作為上述陽極的厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)材料適當(dāng)?shù)剡x擇，然而優(yōu)選為 IOnm 5 μ m，更優(yōu)選為50nm 1 μ m，進(jìn)一步優(yōu)選為IOOnm 500nm。上述陽極通常來說使用在鈉鈣玻璃、無堿玻璃、透明樹脂基板等上形成層的材料。 在使用玻璃的情況下，對于其材質(zhì)，為了減少來自玻璃的溶出離子，優(yōu)選使用無堿玻璃。另 外，在使用鈉鈣玻璃的情況下，優(yōu)選使用實(shí)施了二氧化硅等的屏蔽涂覆的玻璃。作為上述基板的厚度，只要是足以保持機(jī)械強(qiáng)度，就沒有特別限制，然而在使用玻 璃的情況下，優(yōu)選為0. 2mm以上，更優(yōu)選為0. 7mm以上。上述陽極的薄層電阻越低越好，優(yōu) 選為數(shù)百Ω/□以下。
作為上述陽極的形成方法，可以根據(jù)材料使用各種方法，例如在ITO的情況下，可 以舉出電子束法、濺射法、電阻加熱蒸鍍法、化學(xué)反應(yīng)法(溶膠-凝膠法等)、氧化銦·錫的 分散物的涂布方法等。上述陽極也可以利用清洗等其他的處理來降低顯示裝置的驅(qū)動電 壓、提高發(fā)光效率。例如在ITO的情況下，UV-臭氧處理等是有效的。上述陰極是向電子注入層、電子輸送層、發(fā)光層等供給電子的材料，可以考慮與電 子注入層、電子輸送層、發(fā)光層等同負(fù)極相鄰的層的密合性或電離勢、穩(wěn)定性等而選擇。作 為上述陰極的材料，可以舉出金屬、合金、金屬氧化物、導(dǎo)電性化合物、或它們的混合物等。 作為具體例，可以舉出堿金屬(例如Li、Na、K等)或其氟化物、堿土類金屬(例如Mg、Ca 等)或其氟化物、金、銀、鉛、鋁、鈉-鉀合金或它們的混合金屬、鋰-鋁合金或它們的混合金 屬、鎂-銀合金或它們的混合金屬、銦、鐿等稀土類金屬等。優(yōu)選功函數(shù)為4eV以下的材料， 更優(yōu)選鋁、鋰-鋁合金或它們的混合金屬、鎂-銀合金或它們的混合金屬等。作為上述陰極的厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)材料適當(dāng)?shù)剡x擇，然而優(yōu)選為 IOnm 5 μ m，更優(yōu)選為50nm 1 μ m，特別優(yōu)選為IOOnm 1 μ m。作為上述陰極的形成方法，可以舉出電子束法、濺射法、電阻加熱蒸鍍法、涂覆法 等，既可以將金屬以單質(zhì)蒸鍍，也可以同時蒸鍍兩種成分以上。此外，也可以同時蒸鍍多種 金屬而形成合金電極，另外還可以蒸鍍預(yù)先制備的合金。上述陰極的薄層電阻越低越好，優(yōu) 選為數(shù)百Ω/□以下。作為上述密封層(屏蔽層)，只要是具有防止大氣中的氧、水分、氮氧化物、硫氧化 物、臭氧等的透過的功能，就沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇。作為上述密封層的材料，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，例如可以舉出 SiN、SiON等的無機(jī)層。作為上述密封層的厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，然而優(yōu)選為 5nm 10 μ m,更優(yōu)選為7nm 8 μ m,特另Ij優(yōu)選為IOnm 5 μ m。如果上述密封層的厚度小于5nm，則會有防止大氣中的氧及水分的透過的屏蔽功 能不夠充分的情況，如果超過10 μ m,則光線透過率降低，會有損害透明性的情況。作為上述密封層的光學(xué)性質(zhì)，光線透過率優(yōu)選為80%以上，更優(yōu)選為85%以上， 特別優(yōu)選為90%以上。作為上述密封層的形成方法，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，例如可以 舉出CVD法、真空蒸鍍法等。作為上述濾色片層，只要是具有彩度的材料，就沒有特別限制，根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x 擇即可，可以舉出層構(gòu)成的材料。在濾色片層為層構(gòu)成的情況下，也可以在同一基板上具有 2種以上的發(fā)光顏色不同的部分。另外，例如也可以是具有三原色的紅色、綠色及藍(lán)色的紅 色濾片部、綠色濾片部、以及藍(lán)色濾片部的層構(gòu)成。另外，也可以按照使從1個有機(jī)化合物 層中發(fā)出的光與紅色濾片部、綠色濾片部及藍(lán)色濾片部的各色對應(yīng)的方式來構(gòu)成。作為上述濾色片層的形成方法，只要是可以形成如上所述的構(gòu)成的方法，就沒有 特別限制，根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇即可，例如可以舉出光刻法、蝕刻法、噴墨法等。作為濾色片層的材料，沒有特別限制，根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇即可，例如可以舉出各 種樹脂、染料、顏料等。作為上述有機(jī)場致發(fā)光原料層，除了上述發(fā)光層、密封層以外，還可以是無機(jī)層、有機(jī)層、有機(jī)層及無機(jī)層的層疊體。作為上述有機(jī)場致發(fā)光原料層的變形率，優(yōu)選為150%以上，更優(yōu)選為180%以 上，進(jìn)一步優(yōu)選為200%以上，特別優(yōu)選為220%以上。如果上述變形率小于150%，則會有不能追隨具有階梯結(jié)構(gòu)的基板的情況。上述變形率可以如圖4及圖5所示，在照射激光的部位，以激光照射后的增加的截 面積為基礎(chǔ)根據(jù)下述的式子求出。變形率(％ )=((激光照射前的截面積+激光照射后的增加的截面積)/激光照 射前的截面積)X100··· (1)〈其他的層〉-保護(hù)層_為了保護(hù)上述光熱轉(zhuǎn)換層，優(yōu)選在上述光熱轉(zhuǎn)換層與上述有機(jī)場致發(fā)光原料層之 間設(shè)置保護(hù)層。作為上述保護(hù)層，對于其形狀、結(jié)構(gòu)、大小等沒有特別限制，可以根據(jù)目的適 當(dāng)?shù)剡x擇，例如作為上述形狀可以舉出平板狀等，作為上述結(jié)構(gòu)既可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以 是疊層結(jié)構(gòu)，作為上述大小可以根據(jù)用途等適當(dāng)?shù)剡x擇。作為上述保護(hù)層的材料，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，例如可以舉出 無機(jī)材料、有機(jī)材料等。作為上述無機(jī)材料，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，例如可以舉出 Si02、Al203、ITO(Indium Tin Oxide)、Ti02、Cr203、A1N、MgF2、Al、Au、Ag 等。它們當(dāng)中，特別 優(yōu)選 Si02、Al203、ITO (Indium Tin Oxide)。作為上述有機(jī)材料，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，例如可以舉出聚 酯、聚丙烯酸酯、聚氨酯、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、乙烯-乙酸乙烯酯、聚氯乙烯等。它們當(dāng)中，從平坦性、覆蓋性、傳熱性的方面考慮，上述保護(hù)層優(yōu)選為無機(jī)材料的
蒸鍍層。作為上述保護(hù)層的形成方法，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，例如可以 舉出鍍膜法、印刷法、濺射法、CVD法、蒸鍍法、旋涂法、浸涂法、噴涂法、擠壓法、淋涂法、棒涂 法、凹版涂覆法等。作為上述保護(hù)層的厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，然而優(yōu)選為 IOnm 1，OOOnm,更優(yōu)選為 20nm 200nm。如果上述厚度小于lOnm，則會有不能作為保護(hù)層發(fā)揮作用的情況，如果超過 l，000nm，則會有難以將熱向有機(jī)場致發(fā)光原料層傳遞的情況。-密合層_為了提高上述基材與設(shè)于其上的上述光熱轉(zhuǎn)換層的密合性，也可以設(shè)置密合層。作為上述密合層的材料，優(yōu)選為與支承體和光熱轉(zhuǎn)換層的兩個表面顯示出高粘接 性并且熱傳導(dǎo)性小、耐熱性優(yōu)異的材料，例如可以舉出苯乙烯、苯乙烯-丁二烯共聚物、明膠等。作為上述密合層的形成方法，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，例如可以 舉出鍍膜法、印刷法、濺射法、CVD法、蒸鍍法等。作為上述密合層的厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，然而優(yōu)選為 0. 01 μ m 2 μ m0
本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換片及使用它的有機(jī)場致發(fā)光原料片可以用于各種用途，然而可 以適用于以下說明的有機(jī)場致發(fā)光裝置的制作方法中，可以有效地制造大面積且可靠性高 的有機(jī)場致發(fā)光顯示器。(有機(jī)場致發(fā)光裝置的制造方法)本發(fā)明的有機(jī)場致發(fā)光裝置的制造方法包括層疊工序、轉(zhuǎn)印工序，此外根據(jù)需要 還包括其他的工序?！磳盈B工序〉上述層疊工序如圖2A中作為一例所示，是將本發(fā)明的上述有機(jī)場致發(fā)光原料片 11與有機(jī)場致發(fā)光裝置的基板6層疊而形成層疊體的工序。-基板-上述基板6例如為了進(jìn)行有機(jī)場致發(fā)光顯示器的RGB的涂抹而形成具有絕緣層4 等的階梯結(jié)構(gòu)。作為上述階梯，優(yōu)選為200nm以上，更優(yōu)選為200nm 3，OOOnm，特別優(yōu)選為 1，OOOnm 2，OOOnm。如果上述階梯小于200nm，則會有產(chǎn)生短路的情況。階梯可以利用掃描型電子顯微 鏡(S-4100日立制作所制)觀察階梯的截面而求出。作為上述基板6，對于其形狀、大小、材料，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x 擇，作為上述形狀，例如可以舉出平板狀等，作為上述結(jié)構(gòu)，既可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是層 疊結(jié)構(gòu)，作為上述大小，可以根據(jù)上述有機(jī)場致發(fā)光裝置的大小等適當(dāng)?shù)剡x擇。作為上述基板6，例如可以舉出玻璃基板、石英基板、硅基板、SiO2膜覆蓋硅基板、 聚對苯二甲酸乙二醇酯基板、聚碳酸酯基板、聚苯乙烯基板、聚甲基丙烯酸甲酯基板等聚合 物基板等。它們既可以單獨(dú)使用1種，也可以并用2種以上。上述基板6既可以是恰當(dāng)?shù)睾铣傻?，也可以使用市售品。作為上述基?的厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，優(yōu)選為ΙΟΟμπι 以上，更優(yōu)選為500 μ m以上。如果上述基板6的厚度小于ΙΟΟμπι，則會因基板的撓曲而出現(xiàn)密合性降低的情況。作為將本發(fā)明的上述有機(jī)場致發(fā)光原料片11與基板6層疊的方法，沒有特別限 制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x擇，例如可以舉出真空吸附、靜電吸附、粘接等。另外，也可以在 基板6上預(yù)先形成并非轉(zhuǎn)印對象的有機(jī)場致發(fā)光原料層5。〈轉(zhuǎn)印工序〉上述轉(zhuǎn)印工序如圖2Β中作為一例所示，是向?qū)⑸鲜鲇袡C(jī)場致發(fā)光原料片11與基 板6層疊而成的層疊體的光熱轉(zhuǎn)換層2照射光而向上述基板6上轉(zhuǎn)印上述有機(jī)場致發(fā)光原 料層3的工序。作為上述光，優(yōu)選激光8。作為該激光8，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)?shù)剡x 擇，例如可以利用氬離子激光、氦氖離子激光、氦鎘激光等氣體激光、YAG激光等固體激光、 半導(dǎo)體激光、色素激光、準(zhǔn)分子激光等直接的激光?；蛘咭部梢允褂脤⑦@些激光穿過二次高 次諧波元件而轉(zhuǎn)換為一半的波長的光等。它們當(dāng)中，如果考慮到輸出功率或變頻的容易度 等，則特別優(yōu)選半導(dǎo)體激光。
另外，激光8優(yōu)選在光熱轉(zhuǎn)換層2上的束徑(半值直徑)達(dá)到3 μ m 50 μ m (特 別是6μm 30μm)的范圍的條件下照射，掃描速度優(yōu)選為0. 1m/秒以上(特別優(yōu)選3m/ 秒以上)。上述激光8的照射可以利用對將本發(fā)明的上述有機(jī)場致發(fā)光原料片11與基板6 層疊而成的層疊體照射激光8的方法來進(jìn)行。激光8的照射可以通過如下操作來進(jìn)行，即，固定曝光頭，在可以沿X-Y方向移動 的曝光載臺(可以在內(nèi)部具有真空形成機(jī)構(gòu)，在表面設(shè)置多個微小的開口，抽真空而固定) 上疊放形成有有機(jī)場致發(fā)光原料層3的基材1，通過使之移動，而沿主掃描方向進(jìn)行主掃 描，在每一次掃描中沿副掃描方向以一定的速度移動(副掃描)。例如，如圖6A所示，使用具備將層疊體吸附(例如在載臺的基板設(shè)置面具有多個 孔，通過從孔中抽真空而進(jìn)行真空吸附)而固定的吸附載臺61、具有搭載著半導(dǎo)體激光器 的激光器單元64而可以將來自激光器單元的激光向?qū)盈B體照射地構(gòu)成的激光頭組件65、 固定配置于激光頭組件上的CXD照相機(jī)單元66的激光曝光裝置60，一邊沿著線性導(dǎo)軌62 沿圖中的箭頭B的方向以恒速移動吸附固定有層疊體的吸附載臺61，一邊在吸附載臺61朝 向一方的方向的去路中，利用CCD照相機(jī)單元66從層疊體的背面?zhèn)扰臄z處于預(yù)先確定的多 個標(biāo)準(zhǔn)像素圖案的位置附近的有機(jī)場致發(fā)光原料層3、電極層4、基板6等的圖像，從這些圖 像當(dāng)中，檢測出形狀與標(biāo)準(zhǔn)像素圖案一致的像素圖像，求出該位置坐標(biāo)，與預(yù)先確定的標(biāo)準(zhǔn) 像素圖案的坐標(biāo)比較，算出實(shí)際的載臺上的基板(層疊體)的位置偏移和尺寸(倍率)偏 移、角度偏移，將位圖形式的曝光數(shù)據(jù)進(jìn)行坐標(biāo)轉(zhuǎn)換后，可以在拍攝結(jié)束后在朝向與去路相 反的方向的回路中，依照所轉(zhuǎn)換的曝光數(shù)據(jù)用激光頭組件65進(jìn)行激光曝光。激光頭組件 65 (及CCD照相機(jī)單元66)被安裝于將長度方向平行于與吸附載臺的移動方向(箭頭B的 方向)正交的方向配置的軌道上，可以沿圖中的箭頭A的方向移動。激光頭組件65如圖6B 所示，由激光單元64激振出的激光穿過透鏡而射入多面的多面反射鏡67，入射光由恒速旋 轉(zhuǎn)的多面反射鏡67以規(guī)定的角度反射而借助反射鏡68射入f θ透鏡69，從而可以向吸附 載臺上的層疊體70照射激光。此時，拍攝及激光曝光如圖6Α及圖6C所示，首先，將CCD照相機(jī)單元66從規(guī)定的 開始位置沿箭頭方向B恒速移動，從層疊體70的背面?zhèn)扰臄z有機(jī)場致發(fā)光層等像素圖案 (去路)，拍攝結(jié)束后，一邊從拍攝結(jié)束位置附近的規(guī)定的地點(diǎn)沿箭頭B的方向返回，一邊沿 a方向(主掃描方向)高速掃描(主掃描)激光束而進(jìn)行激光曝光。此時，激光被根據(jù)與想 要用光束來曝光的坐標(biāo)位置對應(yīng)的轉(zhuǎn)換后的曝光數(shù)據(jù)進(jìn)行0N/0FF控制。與此同時，在b方 向(副掃描方向)進(jìn)行副掃描的速度被按照使連續(xù)的2次主掃描方向a的間距達(dá)到一定的 方式進(jìn)行同步控制。為了不產(chǎn)生曝光量的不均，優(yōu)選將各掃描間的副掃描方向b的間距設(shè) 為束徑以下，更優(yōu)選設(shè)為束徑的1/5以下。這里所說的束徑是指半值直徑，是最大峰值的一 半的位置的半值全寬(full width at half maximum)。最終，在將吸附載臺移至原來的開 始位置而結(jié)束曝光(第一次掃描)后，將激光頭組件65及CCD照相機(jī)單元66沿圖6A的箭 頭A的方向移動規(guī)定的距離，同樣地沿主掃描方向a及副掃描方向b拍攝，進(jìn)行激光曝光， 第二次掃描結(jié)束后，通過再繼續(xù)進(jìn)行第三次、第四次、…、第N次的掃描而進(jìn)行。轉(zhuǎn)印工序結(jié)束后，如圖2C中作為一例所示，將有機(jī)場致發(fā)光原料片11剝離。〈有機(jī)場致發(fā)光裝置〉
利用本發(fā)明的有機(jī)場致發(fā)光裝置的制造方法制造的有機(jī)場致發(fā)光裝置可以作為 能夠以全色進(jìn)行顯示的裝置來構(gòu)成。作為將上述有機(jī)場致發(fā)光裝置設(shè)為全色類型的裝置的方法，例如像“顯示器月 刊”、2000年9月號、33 37頁中記載的那樣，已知有將分別發(fā)出對應(yīng)于顏色的三原色(藍(lán) 色(B)、綠色(G)、紅色(R))的光的層結(jié)構(gòu)配置于基板上的3色發(fā)光法；使由白色發(fā)光用的 層結(jié)構(gòu)造成的白色發(fā)光穿過濾色片層而分為三原色的白色法；使由藍(lán)色發(fā)光用的層結(jié)構(gòu)造 成的藍(lán)色發(fā)光穿過熒光色素等而轉(zhuǎn)換為紅色(R)及綠色(G)的色轉(zhuǎn)換法等。該情況下，優(yōu)選隨著藍(lán)色(B)、綠色(G)、紅色(R)的像素而適當(dāng)?shù)卣{(diào)整激光器功 率、膜厚。另外，通過將利用上述方法得到的不同的發(fā)光顏色的層結(jié)構(gòu)組合多種使用，就可 以得到所需的發(fā)光顏色的平面型光源。例如為組合了藍(lán)色及黃色的發(fā)光元件的白色發(fā)光光 源；組合了藍(lán)色、綠色、紅色的發(fā)光元件的白色發(fā)光光源等。上述有機(jī)場致發(fā)光裝置例如可以適用于以計(jì)算機(jī)、車載用顯示器、野外顯示器、家 用機(jī)器、商用機(jī)器、家電用機(jī)器、交通領(lǐng)域顯示器、鐘表顯示器、日歷顯示器、熒光屏、音響機(jī) 器等為首的各種領(lǐng)域中。[實(shí)施例]下面，對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明，然而本發(fā)明并不受這些實(shí)施例的任何限定。(制造例1)-光熱轉(zhuǎn)換層用涂布液A的制備-將下述組成的各成分在用攪拌器攪拌下混合，制備出光熱轉(zhuǎn)換層用涂布液A。[光熱轉(zhuǎn)換層用涂布液A的組成] 紅外線吸收色素(“NK-2014”、日本感光色素株式會社制、花青色素)…7. 6質(zhì)量 份 粘合劑(Rikacoat SN-20F、新日本理化株式會社制、聚酰亞胺樹脂)"·29. 3質(zhì)量 份· Exxon Naphtha (Exxon Naphtha No_5Exxon 化學(xué)公司制)…5. 8 質(zhì)量份· N-甲基吡咯烷酮(沸點(diǎn)203°C )…1，500質(zhì)量份 表面活性劑(Megafack F-177PF、大日本油墨科學(xué)工業(yè)株式會社制、氟系表面活 性劑)…0.5質(zhì)量份(制造例2)〈光熱轉(zhuǎn)換片1的制作〉作為基材，在厚75μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜的一方的表面上，使用 旋涂機(jī)(Mikasa公司制MSA-20)涂布所得的光熱轉(zhuǎn)換層用涂布液A后，通過在120°C的烤 爐中干燥2分鐘，按照使厚度達(dá)到0. 2μπι的方式形成光熱轉(zhuǎn)換層，而制作出光熱轉(zhuǎn)換片1。 利用氣相色譜(島津制作所制GC-2010)測定出，在光熱轉(zhuǎn)換層中含有8質(zhì)量％的N-甲基 吡咯烷酮。而且，光熱轉(zhuǎn)換層的厚度是利用掃描型電子顯微鏡(日立制作所制S-4100)觀 察光熱轉(zhuǎn)換層的截面而求出的。<有機(jī)場致發(fā)光原料片1的制作>在光熱轉(zhuǎn)換片1的光熱轉(zhuǎn)換層上，以85 15(質(zhì)量比)共蒸鍍綠色發(fā)光的以下述結(jié)構(gòu)式表示的mCP(l，3-雙(咔唑-9-基)苯)、以下述結(jié)構(gòu)式表示的Ir(ppy3)(三(2-苯 基吡啶銥)，形成厚42nm的綠色發(fā)光層(有機(jī)場致發(fā)光原料層)。[化1]
權(quán)利要求
1.一種光熱轉(zhuǎn)換片，是在利用激光熱轉(zhuǎn)印法制造有機(jī)場致發(fā)光裝置中所用的光熱轉(zhuǎn)換 片，其特征在于，具有基材和該基材上的光熱轉(zhuǎn)換層，所述光熱轉(zhuǎn)換層含有0. 5質(zhì)量％ 10質(zhì)量％的沸點(diǎn)至少為70°C的熱氣化物質(zhì)。
2.一種有機(jī)場致發(fā)光片，其特征在于，在權(quán)利要求1所述的光熱轉(zhuǎn)換片的光熱轉(zhuǎn)換層 上具有有機(jī)場致發(fā)光原料層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)場致發(fā)光片，其中，在光熱轉(zhuǎn)換層與有機(jī)場致發(fā)光原料 層之間具有保護(hù)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)場致發(fā)光片，其中，有機(jī)場致發(fā)光原料層是選自密封層、 發(fā)光層、空穴注入層、空穴輸送層、電子注入層、電子輸送層以及濾色片層中的至少任意一 種。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)場致發(fā)光原料片，其中，有機(jī)場致發(fā)光原料層是無機(jī)層。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)場致發(fā)光原料片，其中，有機(jī)場致發(fā)光原料層是有機(jī)層 與無機(jī)層的層疊體。
7.一種有機(jī)場致發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，包括將權(quán)利要求2所述的有機(jī)場致發(fā)光原料片和基板層疊而形成層疊體的層疊工序； 向所述層疊體的光熱轉(zhuǎn)換層照射光而向所述基板上轉(zhuǎn)印有機(jī)場致發(fā)光原料層的轉(zhuǎn)印 工序。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)場致發(fā)光裝置的制造方法，其中，在基板上具有多個絕緣層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光熱轉(zhuǎn)換片，其被用于利用激光熱轉(zhuǎn)印法制造有機(jī)場致發(fā)光裝置中，具有基材和該基材上的光熱轉(zhuǎn)換層的光熱轉(zhuǎn)換片的所述光熱轉(zhuǎn)換層含有0.5質(zhì)量％～10質(zhì)量％的沸點(diǎn)至少為70℃的熱氣化物質(zhì)。另外，提供一種有機(jī)場致發(fā)光裝置的制造方法，其包括將所述在光熱轉(zhuǎn)換層上具有有機(jī)場致發(fā)光材料層的有機(jī)場致發(fā)光原料片與基板層疊而形成層疊體的層疊工序；向所述層疊體的光熱轉(zhuǎn)換層照射光而向所述基板上轉(zhuǎn)印有機(jī)場致發(fā)光原料層的轉(zhuǎn)印工序。
文檔編號H01L27/32GK102148335SQ20101058340
公開日2011年8月10日 申請日期2010年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月17日
發(fā)明者白崎裕一, 高橋俊朗 申請人:富士膠片株式會社