專利名稱：銅互連結(jié)構(gòu)及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，尤其涉及一種銅互連結(jié)構(gòu)及其形成方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，超大規(guī)模集成電路芯片的集成度已經(jīng)高達(dá)幾億乃至幾十億個器件的規(guī)模，兩層以上的多層金屬互連技術(shù)廣泛使用。傳統(tǒng)的金屬互連是由鋁金屬制成的，但隨著集成電路芯片中器件特征尺寸的不斷減小，金屬互連線中的電流密度不斷增大，要求的響應(yīng)時間不斷減小，傳統(tǒng)鋁互連線已經(jīng)不能滿足要求，工藝尺寸小于130nm以后，銅互連線技術(shù)已經(jīng)取代了鋁互連線技術(shù)。與鋁相比，金屬銅的電阻率更低，銅互連線可以降低互連線的電阻電容(RC)延遲，改善電遷移，提高器件的可靠性。金屬銅作為互連線材料也有缺點，銅容易擴(kuò)散進(jìn)入襯底或者介質(zhì)層中，在銅互連層形成后，需要在其上形成介質(zhì)帽蓋層來防止其擴(kuò)散。但是銅與常用的介質(zhì)帽蓋層材料之間的附著力較差，因此仍會導(dǎo)致銅元素擴(kuò)散進(jìn)入其周圍的介質(zhì)層中，使得相鄰的互連線之間的擊穿電壓(Voltage Breakdown, VBD)降低，導(dǎo)致器件的時間相關(guān)電介質(zhì)擊穿(TDDB， Time Dependent DielectricBreakdown)問題。為了解決銅與介質(zhì)帽蓋層之間的粘附問題，常用的解決方法是在銅栓塞上形成鈷鎢磷材質(zhì)的金屬帽蓋，以此來防止銅擴(kuò)散，避免電遷移，具體可以參見申請?zhí)枮?200510105104. χ的中國專利公開的一種金屬帽蓋的形成方法。圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)形成的一種銅互連結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，包括半導(dǎo)體襯底 10 ；介質(zhì)層11，覆蓋所述半導(dǎo)體襯底10，所述介質(zhì)層11 一般為低k(low k)介質(zhì)層或超低 k(ultra low k)介質(zhì)層；所述介質(zhì)層11中形成有開口，所述開口可以是通孔，或雙鑲嵌結(jié)構(gòu)中的通孔和溝槽的組合結(jié)構(gòu)，所述開口中填充有銅栓塞12 ；所述銅栓塞的表面覆蓋有鈷鎢磷13。所述鈷鎢磷13的形成方法一般是使用含鈷、含鎢和含磷的鍍液無電鍍敷形成的， 由于在刻蝕形成所述開口過程中會對開口側(cè)壁的介質(zhì)層11造成損傷，金屬離子14特別是鈷離子容易擴(kuò)散進(jìn)入所述介質(zhì)層11中。由于低k材料和超低k材料比較疏松，其中具有大量的空洞，因此更容易導(dǎo)致金屬離子14的擴(kuò)散，造成TDDB問題，影響銅互連結(jié)構(gòu)的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是在形成鈷鎢磷的過程中，金屬離子容易擴(kuò)散進(jìn)入介質(zhì)層，影響銅互連結(jié)構(gòu)的可靠性。為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上覆蓋有第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層上形成
有第一開口；在所述第一開口中填充金屬銅，形成銅栓塞，所述銅栓塞的表面與所述第一介質(zhì)層的表面齊平；對所述第一介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，去除與所述銅栓塞的側(cè)壁相接的部分第一介質(zhì)層，在所述銅栓塞和第一介質(zhì)層之間形成空隙；形成第二介質(zhì)層，覆蓋所述第一介質(zhì)層和銅栓塞的表面并密封所述空隙；在所述銅栓塞上方的第二介質(zhì)層上形成第二開口，所述第二開口的寬度小于等于所述銅栓塞的寬度，所述開口的底部暴露出所述銅栓塞；在所述第二開口中填充鈷鎢磷?？蛇x的，所述第一介質(zhì)層的材料為低k材料或超低k材料?？蛇x的，使用濕法刻蝕去除與所述銅栓塞的側(cè)壁相接的部分第一介質(zhì)層。可選的，所述濕法刻蝕使用的反應(yīng)溶液為氫氟酸溶液?？蛇x的，所述氫氟酸溶液中，H2O 冊為沘0 1至320 1?？蛇x的，所述第二介質(zhì)層的材料為低k材料或超低k材料?？蛇x的，在所述第二開口中填充鈷鎢磷之后，所述銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法還包括 刻蝕去除所述第二介質(zhì)層的表面部分?？蛇x的，使用濕法刻蝕去除所述第二介質(zhì)層的表面部分?？蛇x的，所述濕法刻蝕使用的反應(yīng)溶液為氫氟酸溶液?？蛇x的，所述氫氟酸溶液中，H2O 冊為沘0 1至320 1?？蛇x的，使用非共形(non-conformal)化學(xué)氣相沉積形成所述第二介質(zhì)層。本發(fā)明還提供了一種銅互連結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體襯底；第一介質(zhì)層，覆蓋所述半導(dǎo)體襯底，其上形成有第一開口 ；銅栓塞，填充所述第一開口，且所述銅栓塞與所述第一介質(zhì)層之間具有空隙；第二介質(zhì)層，覆蓋所述第一介質(zhì)層和銅栓塞的表面并密封所述空隙；第二開口，形成于所述銅栓塞上方的第二介質(zhì)層中，其寬度小于等于所述銅栓塞的寬度，所述第二開口中填充有鈷鎢磷?？蛇x的，所述第一介質(zhì)層的材料為低k材料或超低k材料?？蛇x的，所述第二介質(zhì)層的材料為低k材料或超低k材料?？蛇x的，所述第二介質(zhì)層的表面低于所述鈷鎢磷的表面。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本技術(shù)方案在銅栓塞和第一介質(zhì)層之間形成空隙，之后再形成第二介質(zhì)層，覆蓋所述第一介質(zhì)層和銅栓塞的表面并密封所述空隙，在所述銅栓塞上方的第二介質(zhì)層中形成第二開口并在其中填充鈷鎢磷，由于所述銅栓塞和第一介質(zhì)層之間具有空隙，防止了金屬離子擴(kuò)散進(jìn)入第一介質(zhì)層中，避免了 TDDB問題，有利于提高銅互連結(jié)構(gòu)的可靠性。進(jìn)一步的，本技術(shù)方案在形成鈷鎢磷之后，還刻蝕去除所述第二介質(zhì)層的表面部分，也即將形成鈷鎢磷過程中受到污染的部分去除，從而進(jìn)一步避免了 TDDB問題，提高了銅互連結(jié)構(gòu)的可靠性。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種銅互連結(jié)構(gòu)的剖面圖；圖2是本發(fā)明實施例的銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法的流程示意圖；圖3至圖10是本發(fā)明實施例的銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法的中間結(jié)構(gòu)的剖面圖。
具體實施例方式現(xiàn)有技術(shù)在銅栓塞的表面形成鈷鎢磷時，金屬離子容易擴(kuò)散進(jìn)入銅栓塞側(cè)壁的介質(zhì)層，容易導(dǎo)致TDDB問題，降低了銅互連結(jié)構(gòu)的可靠性。本技術(shù)方案在銅栓塞和第一介質(zhì)層之間形成空隙，之后再形成第二介質(zhì)層，覆蓋所述第一介質(zhì)層和銅栓塞的表面并密封所述空隙，在所述銅栓塞上方的第二介質(zhì)層中形成第二開口并在其中填充鈷鎢磷，由于所述銅栓塞和第一介質(zhì)層之間具有空隙，防止了金屬離子擴(kuò)散進(jìn)入第一介質(zhì)層中，避免了 TDDB問題，有利于提高銅互連結(jié)構(gòu)的可靠性。進(jìn)一步的，本技術(shù)方案在形成鈷鎢磷之后，還刻蝕去除所述第二介質(zhì)層的表面部分，也即將形成鈷鎢磷過程中受到污染的部分去除，從而進(jìn)一步避免了 TDDB問題，提高了銅互連結(jié)構(gòu)的可靠性。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施方式
的限制。圖2示出了本發(fā)明實施例的銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法的流程示意圖，包括步驟S21，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上覆蓋有第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層上形成有第一開口；步驟S22，在所述第一開口中填充金屬銅，形成銅栓塞，所述銅栓塞的表面與所述第一介質(zhì)層的表面齊平；步驟S23，對所述第一介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，去除與所述銅栓塞的側(cè)壁相接的部分第一介質(zhì)層，在所述銅栓塞和第一介質(zhì)層之間形成空隙；步驟S24，形成第二介質(zhì)層，覆蓋所述第一介質(zhì)層和銅栓塞的表面并密封所述空隙；步驟S25，在所述銅栓塞上方的第二介質(zhì)層上形成第二開口，所述第二開口的寬度小于等于所述銅栓塞的寬度，所述開口的底部暴露出所述銅栓塞；步驟S26，在所述第二開口中填充鈷鎢磷。圖3至圖10示出了本發(fā)明實施例的銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法的中間結(jié)構(gòu)的剖面圖， 下面結(jié)合圖2和圖3至圖10對本發(fā)明的實施例進(jìn)行詳細(xì)說明。結(jié)合圖2和圖3，執(zhí)行步驟S21，提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上覆蓋有第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層上形成有第一開口。具體的，提供半導(dǎo)體襯底20，所述半導(dǎo)體襯底20 上覆蓋有第一介質(zhì)層21，所述第一介質(zhì)層21中形成有第一開口 22。所述半導(dǎo)體襯底20可以是單晶硅，也可以是硅鍺化合物，還可以是絕緣體上硅 (SOLSilicon On Insulator)結(jié)構(gòu)或硅上外延層結(jié)構(gòu)，其中還可以形成有MOS晶體管等半導(dǎo)體器件(圖中未示出)，本實施例中所述半導(dǎo)體襯底20為硅襯底。所述第一介質(zhì)層21可以是半導(dǎo)體工藝中常用的層間介質(zhì)層(ILD)材料，本實施例中，所述第一介質(zhì)層21為低k材料，如氟硅玻璃(FSG)，摻碳氧化硅(SiOC)等，也可以為超低k材料，如納米孔二氧化硅(NPQ等。
本實施例中所述開口 22為雙鑲嵌結(jié)構(gòu)中的溝槽和通孔的組合結(jié)構(gòu)，在其他具體實施例中，也可以僅包括通孔或溝槽中的一個。結(jié)合圖2和圖4，執(zhí)行步驟S22，在所述第一開口中填充金屬銅，形成銅栓塞，所述銅栓塞的表面與所述第一介質(zhì)層的表面齊平。具體的，在所述第一開口中填充金屬銅，形成銅栓塞23，所述銅栓塞的表面與所述第一介質(zhì)層21的表面齊平。所述銅栓塞23的形成方法可以是電化學(xué)鍍(ECP)，在填充金屬銅之前，還可以在所述第一開口的側(cè)壁和底部形成阻擋層(圖中未示出)，所述阻擋層的材料可以是鈦、鉭或氮化鉭，其形成方法為濺射法。在電化學(xué)鍍之后，金屬銅填滿所述第一開口并溢出覆蓋在所述第一介質(zhì)層21的表面，之后對金屬銅進(jìn)行平坦化，去除所述第一介質(zhì)層21表面的金屬銅，形成銅栓塞23，使其表面與所述第一介質(zhì)層21的表面齊平，所述平坦化的方法可以是化學(xué)機械拋光(CMP)。結(jié)合圖2和圖5，執(zhí)行步驟S23，對所述第一介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，去除與所述銅栓塞的側(cè)壁相接的部分第一介質(zhì)層，在所述銅栓塞和第一介質(zhì)層之間形成空隙。具體的，對所述第一介質(zhì)層21進(jìn)行刻蝕，去除與所述銅栓塞23的側(cè)壁相接的部分第一介質(zhì)層21，在所述銅栓塞23和第一介質(zhì)層21之間形成空隙M。本實施例中采用濕法刻蝕形成所述空隙M，所述濕法刻蝕中采用的反應(yīng)溶液為氫氟酸溶液，其中H2O 冊為觀0 1至320 1。由于在刻蝕形成所述第一開口時，第一開口側(cè)壁的第一介質(zhì)層21會受到部分損傷，容易受到氫氟酸溶液的侵蝕而去除，因此，上述濕法刻蝕不需要使用光刻膠等形成掩膜，可以直接對所述第一介質(zhì)層21進(jìn)行濕法刻蝕以形成所述空隙M。當(dāng)然，在其他具體實施例中，也可以使用光刻膠等形成掩膜圖形，之后對所述第一介質(zhì)層21進(jìn)行刻蝕以形成空隙24。結(jié)合圖2和圖6，執(zhí)行步驟S24，形成第二介質(zhì)層，覆蓋所述第一介質(zhì)層和銅栓塞的表面并密封所述空隙。具體的，形成第二介質(zhì)層25，所述第二介質(zhì)層25覆蓋所述第一介質(zhì)層21和銅栓塞23的表面，并密封所述空隙M。所述第二介質(zhì)層25的材料可以是低k材料或超低k材料，其形成方法為非共形化學(xué)氣相沉積，如等離子增強型化學(xué)氣相沉積等。由于采用非共形的沉積方法，因此沉積過程中介質(zhì)材料并不會填充至所述空隙M中，使得形成的第二介質(zhì)層25實現(xiàn)了對空隙M的密封。 結(jié)合圖2和圖7，執(zhí)行步驟S25，在所述銅栓塞上方的第二介質(zhì)層上形成第二開口， 所述第二開口的寬度小于等于所述銅栓塞的寬度，所述開口的底部暴露出所述銅栓塞。具體的，在所述銅栓塞23上方的第二介質(zhì)層25上形成第二開口 26，所述第二開口沈的寬度 w小于等于所述銅栓塞23的寬度W，即所述第二開口沈并未暴露出所述空隙M。其中，所述第二開口沈的寬度w是指其在第一介質(zhì)層21表面的寬度，相應(yīng)的，所述銅栓塞23的寬度W是指銅栓塞23在第一介質(zhì)層21表面的寬度。所述第二開口沈的形成方法可以是干法刻蝕，包括在所述第二介質(zhì)層25的表面形成光刻膠層并圖形化，定義出所述第二開口 26的圖形；之后以所述圖形化后的光刻膠層為掩膜，對所述第二介質(zhì)層25進(jìn)行刻蝕，形成第二開口沈；之后通過灰化(ashing)等方法將所述光刻膠層去除。
結(jié)合圖2和圖8，執(zhí)行步驟S26，在所述第二開口中填充鈷鎢磷。具體的，在所述第二開口中填充鈷鎢磷27，所述鈷鎢磷27的表面可以與所述第二介質(zhì)層25的表面齊平，其形成方法可以是使用含鈷、鎢、磷的鍍液進(jìn)行無電鍍敷，或是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的其他方法。由于在所述銅栓塞23與第一介質(zhì)層21之間形成有空隙24，因此形成鈷鎢磷27的過程中可以有效避免金屬離子擴(kuò)散進(jìn)入第一介質(zhì)層21中，防止TDDB問題，提高銅互連結(jié)構(gòu)的可靠性。參考圖9，在形成所述鈷鎢磷27之后，本實施例還刻蝕去除所述第二介質(zhì)層25的表面部分，去除方法可以是濕法刻蝕，所述濕法刻蝕使用的反應(yīng)溶液為氫氟酸溶液，其中 H2O 冊為觀0 1至320 1。在所述濕法刻蝕之后，剩余的第二介質(zhì)層25的厚度較薄， 其表面低于所述鈷鎢磷27。在形成所述鈷鎢磷27的過程中，不可避免的會對所述第二介質(zhì)層25的表面部分造成污染，金屬離子擴(kuò)散進(jìn)入其中，引起TDDB問題。本實施例去除所述第二介質(zhì)層25的表面部分，從而有效的將受到金屬離子污染的第二介質(zhì)層25去除，有利于提高銅互連結(jié)構(gòu)的
可靠性。參考圖10，之后，形成第三介質(zhì)層觀，覆蓋所述第二介質(zhì)層25和鈷鎢磷27，所述第三介質(zhì)層觀可以是低k材料或超低k材料。之后，還可以在所述鈷鎢磷27上方的第三介質(zhì)層觀中繼續(xù)形成上層金屬層的互連結(jié)構(gòu)，如栓塞等。仍然參考圖9，本實施例形成的銅互連結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底20 ；第一介質(zhì)層21， 覆蓋所述半導(dǎo)體襯底20，第一介質(zhì)層21中形成有第一開口 ；銅栓塞23，填充所述第一開口， 且與所述第一介質(zhì)層21之間具有空隙M ；第二介質(zhì)層25，覆蓋所述第一介質(zhì)層21和銅栓塞23的表面并密封所述空隙M ；第二開口，形成于所述銅栓塞23上方的第二介質(zhì)層25中， 其寬度小于等于所述銅栓塞23的看寬度，所述第二開口中填充有鈷鎢磷27。由于在形成鈷鎢磷27之后將所述第二介質(zhì)層25的表面部分刻蝕去除，因此，所述第二介質(zhì)層25的表面低于所述鈷鎢磷27的表面。綜上，本技術(shù)方案在銅栓塞和第一介質(zhì)層之間形成空隙，之后再形成第二介質(zhì)層， 覆蓋所述第一介質(zhì)層和銅栓塞的表面并密封所述空隙，在所述銅栓塞上方的第二介質(zhì)層中形成第二開口并在其中填充鈷鎢磷，由于所述銅栓塞和第一介質(zhì)層之間具有空隙，防止了金屬離子擴(kuò)散進(jìn)入第一介質(zhì)層中，避免了 TDDB問題，有利于提高銅互連結(jié)構(gòu)的可靠性。進(jìn)一步的，本技術(shù)方案在形成鈷鎢磷之后，還刻蝕去除所述第二介質(zhì)層的表面部分，也即將形成鈷鎢磷過程中受到污染的部分去除，從而進(jìn)一步避免了 TDDB問題，提高了銅互連結(jié)構(gòu)的可靠性。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上覆蓋有第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層上形成有第一開口 ；在所述第一開口中填充金屬銅，形成銅栓塞，所述銅栓塞的表面與所述第一介質(zhì)層的表面齊平；對所述第一介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，去除與所述銅栓塞的側(cè)壁相接的部分第一介質(zhì)層，在所述銅栓塞和第一介質(zhì)層之間形成空隙；形成第二介質(zhì)層，覆蓋所述第一介質(zhì)層和銅栓塞的表面并密封所述空隙； 在所述銅栓塞上方的第二介質(zhì)層上形成第二開口，所述第二開口的寬度小于等于所述銅栓塞的寬度，所述開口的底部暴露出所述銅栓塞； 在所述第二開口中填充鈷鎢磷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材料為低k材料或超低k材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，使用濕法刻蝕去除與所述銅栓塞的側(cè)壁相接的部分第一介質(zhì)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕使用的反應(yīng)溶液為氫氟酸溶液。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液中， H2O HF 為沘0 1 至 320 1。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材料為低k材料或超低k材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述第二開口中填充鈷鎢磷之后，還包括刻蝕去除所述第二介質(zhì)層的表面部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，使用濕法刻蝕去除所述第二介質(zhì)層的表面部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕使用的反應(yīng)溶液為氫氟酸溶液。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液中， H2O HF 為沘0 1 至 320 1。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，使用非共形化學(xué)氣相沉積形成所述第二介質(zhì)層。
12.—種銅互連結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 半導(dǎo)體襯底；第一介質(zhì)層，覆蓋所述半導(dǎo)體襯底，其上形成有第一開口 ； 銅栓塞，填充所述第一開口，且所述銅栓塞與所述第一介質(zhì)層之間具有空隙； 第二介質(zhì)層，覆蓋所述第一介質(zhì)層和銅栓塞的表面并密封所述空隙； 第二開口，形成于所述銅栓塞上方的第二介質(zhì)層中，其寬度小于等于所述銅栓塞的寬度，所述第二開口中填充有鈷鎢磷。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的銅互連結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的材料為低k材料或超低k材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的銅互連結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材料為低k材料或超低k材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的銅互連結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的表面低于所述鈷鎢磷的表面。
全文摘要
一種銅互連結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述銅互連結(jié)構(gòu)的形成方法包括提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上覆蓋有第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層上形成有第一開口；在所述第一開口中填充金屬銅，形成銅栓塞，所述銅栓塞的表面與所述第一介質(zhì)層的表面齊平；對所述第一介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕，去除與所述銅栓塞的側(cè)壁相接的部分第一介質(zhì)層，在所述銅栓塞和第一介質(zhì)層之間形成空隙；形成第二介質(zhì)層，覆蓋所述第一介質(zhì)層和銅栓塞的表面并密封所述空隙；在所述銅栓塞上方的第二介質(zhì)層上形成第二開口，所述第二開口的寬度小于等于所述銅栓塞的寬度，所述開口的底部暴露出所述銅栓塞；在所述第二開口中填充鈷鎢磷。本發(fā)明有利于避免金屬離子擴(kuò)散進(jìn)入介質(zhì)層，提高可靠性。
文檔編號H01L21/288GK102487038SQ20101057322
公開日2012年6月6日 申請日期2010年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月3日
發(fā)明者張海洋, 胡敏達(dá) 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司