專利名稱：發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝和包括發(fā)光器件封裝的照明系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
實施方案涉及發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝和包括所述發(fā)光器件封裝的照明系統(tǒng)。
背景技術：
發(fā)光器件(LED)可通過p-n結(jié)二極管來實現(xiàn)，其特征是將電能轉(zhuǎn)化為光能，并 且可通過結(jié)合元素周期表的III族元素和V族元素而形成。LED可通過調(diào)整化合物半導 體的組成比實現(xiàn)不同顏色。當正偏壓施加到p-n結(jié)二極管上時，η-型層的電子與ρ_型層的空穴復合以發(fā)射 對應于導帶和價帶之間能隙的能量。能量主要以熱或光的形式發(fā)射。當能量以光的形式 發(fā)出時，p-n結(jié)二極管變?yōu)長ED。例如，由于高熱穩(wěn)定性和寬帶隙能，氮化物半導體一直是開發(fā)光學器件和高 功率電子器件領域中高度關注的對象。具體地，利用氮化物半導體的藍色LED、綠色 LED、UV LED等已經(jīng)商業(yè)化并且廣泛應用。在相關技術的垂直型LED中，η-型電極和ρ_型電極分別在垂直型LED的上部 和下部形成，用于電流注入。此時，從η-型電極下面的層發(fā)出的光被η-型電極吸收或 者反射，因此發(fā)光效率可下降。另外，被η-型電極反射的光被再次吸收，因此可以產(chǎn)生 熱。另外，根據(jù)相關技術，LED的壽命和可靠性可能由于電流擁擠而下降。

發(fā)明內(nèi)容
實施方案提供可以提高光提取效率和電流擴散效率的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝 和包括所述發(fā)光器件封裝的照明系統(tǒng)。在一個實施方案中，發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導電型 半導體層、在所述第一導電型半導體層下的有源層和在所述有源層下的第二導電型半導 體層；在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第二電極，包括底部構(gòu)件和在所述底部構(gòu)件上的至少一個突 起，所述突起穿過所述第二導電型半導體層和有源層；和設置于所述至少一個突起之上 的絕緣層，其中所述至少一個突起包含具有不同尺寸的上部和下部。在另一個實施方案中，發(fā)光器件封裝包括封裝體；在封裝體上的上述發(fā)光器 件；和在所述封裝體中形成并與所述發(fā)光器件電連接的第三電極層。在另一個實施方案中，照明系統(tǒng)包括具有上述發(fā)光器件封裝的發(fā)光模塊部。


圖1是根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件的剖面圖。圖2至5是說明根據(jù)第二實施方案制造發(fā)光器件的方法的剖面圖。圖6是根據(jù)第二實施方案的發(fā)光器件的剖面圖。圖7是根據(jù)一個實施方案的發(fā)光器件封裝的剖面圖。圖8是根據(jù)一個實施方案的發(fā)光單元的立體圖。圖9是根據(jù)一個實施方案的背光單元的分解立體圖。
具體實施例方式本文中，將參考附圖描述根據(jù)本申請公開的實施方案的發(fā)光器件、發(fā)光器件封 裝和包括所述發(fā)光器件封裝的照明系統(tǒng)。在實施方案的描述中，應理解當層(或膜)稱為在另一層或襯底“上”時，其 可以直接在所述另一層或襯底上，或者也可以存在中間層。另外，應理解當一層稱為在 另一層“下”時，其可以直接在所述另一層下，或者也可以存在一個或更多個中間層。 另外，也應理解，當一層稱為在兩層“之間”時，其可以是該兩層之間的唯一層，或者 也可以存在一個或更多個中間層。實施方案圖1是根據(jù)第一實施方案的發(fā)光器件100的剖面圖。根據(jù)一個實施方案的發(fā)光器件(LED) 100可包括包括第二導電型半導體層 130、有源層120和第一導電型半導體層110的發(fā)光結(jié)構(gòu)；在通過移除部分發(fā)光結(jié)構(gòu)而限 定的腔C上形成的絕緣層140 ；和在第二導電型半導體層130上的第二電極150。通過該實施方案的LED，由于可以有效控制電流流動，所以可提高光提取效率。另外，根據(jù)該實施方案，電流擴散可增強LED的可靠性。另外，根據(jù)該實施方案，由于形成反射斜面，可增強光提取效率和光輸出功 率。下文中，將參考圖2至5描述根據(jù)第一實施方案的LED的制造方法。首先，如圖2所示，制備第一襯底105。第一襯底105可包括導電襯底或絕緣 襯底。例如，第一襯底 105 可為藍寶石(Al2O3)、SiC> Si、GaAs> GaN、ZnO> Si、 GaP> InP, Ge和Ga2O3襯底中的至少一種。雖然可在第一襯底105的上表面上形成不規(guī) 則結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明不限于此。可對第一襯底105進行濕蝕刻以除去第一襯底105的表面 的雜質(zhì)。然后，可在第一襯底105上形成包括第一導電型半導體層110、有源層120和第 二導電型半導體層130的發(fā)光結(jié)構(gòu)135?？稍诘谝灰r底105上形成緩沖層(未示出)。緩沖層可緩沖構(gòu)成發(fā)光結(jié)構(gòu)135 和第一襯底105的材料之間的晶格失配。例如，緩沖層可由III-V族化合物半導體例如 GaN、InN、A1N、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少之一形成。在緩沖層上
可形成未摻雜的半導體層(未顯示)，但是本發(fā)明不限于此。 第一導電型半導體層110可通過摻雜有第一導電型摻雜劑的III-V族化合物半導 體來實現(xiàn)。在第一導電型半導體層110是N型半導體層的情況下，第一導電型摻雜劑是N型摻雜劑，其可包括Si、Ge、Sn、Se和/或Te作為N型摻雜劑。但是本發(fā)明不限于 此。第一導電型半導體層110可包括組成式為InxAlyGai_x_yN (0<χ<1，0<y<l， 0<x+y<l)的半導體材料。第一導電型半導體層110可為N-型GaN層，其通過使用化學氣相沉積(CVD)、 分子束外延(MBE)、濺射或者氫化物氣相外延(HVPE)等形成。而且，第一導電型半導 體層110可通過注入三甲基鎵氣體(TMGa)、氨氣(NH3)、氮氣(N2)和/或包括η型雜 質(zhì)例如硅(Si)的硅烷氣體(SiH4)形成。有源層120是在通過第一導電型半導體層110注入的電子與通過第二導電型半導 體層130注入的空穴相遇并復合時發(fā)出具有能量的光的層，所述能量由構(gòu)成有源層(即發(fā) 光層)的材料的固有能帶所決定。有源層120可形成為單量子阱結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)或者 量子點結(jié)構(gòu)中的至少一種。例如，有源層120可通過注入三甲基鎵氣體(TMGa)、氨氣 (NH3)、氮氣(N2)和三甲基銦(TMIn)氣體形成為MQW結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明不限于此。有源層120的阱層/勢壘層可形成為InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/ GaN、InAlGaN/GaN、GaAs/AlGaAs (InGaAs)、GaP/AlGaP (InGaP)中的至少一對結(jié) 構(gòu)，但是本發(fā)明不限于此。阱層可由能帶隙低于勢壘層的能帶隙的材料形成。在有源層120上或/和下可形成導電覆層。導電覆層可由AlGaN基半導體形成 并且其能帶隙可高于有源層120的能帶隙。第二導電型半導體層130可包括III-V族化合物半導體，例如組成式為 InxAlyGa1^yN (0<x<l, 0<y<l, 0《x+y《l)的半導體材料。在第二導電型半導體層130是P 型半導體層的情況下，第二導電型摻雜劑可包括Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba等作為P型摻 雜劑。第二導電型半導體層130可為P型GaN層，其通過將三甲基鎵(TMGa)氣體、氨 氣(NH3)、氮氣(N2)和/或包括P型雜質(zhì)例如Mg的雙(乙基環(huán)戊二烯基)鎂((EtCp2Mg) {Mg(C2H5C5H4)2))注入室中形成，但是本發(fā)明不限于此。在該實施方案中，第一導電型半導體層110可通過N型半導體層實現(xiàn)，第二導電 型半導體層130可通過P型半導體層實現(xiàn)，但是本發(fā)明不限于此?；蛘?，在第二半導體 層130上可形成具有與第二導電型相反的導電類型的半導體層，例如N型半導體層(未 顯示)。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)135可實現(xiàn)為N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)或者 P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少之一。然后，如圖3所示，部分移除第二導電型半導體層130、有源層120和第一導電 型半導體層110以形成腔C，所述腔C可包括例如凹陷、凹槽、溝渠、溝槽等形式。例如，為了形成腔C，從第二導電型半導體層130的垂直位于后續(xù)將形成的第一 電極160的下方的部分開始實施蝕刻，直至暴露出第一導電型半導體層110的一部分?？?通過干蝕刻或者濕蝕刻進行形成腔C的蝕刻。 在該實施方案中，腔C可通過部分和依次蝕刻第二導電型半導體層130和有源層 120、或者進一步蝕刻第一導電型半導體層110的一部分來形成。根據(jù)該實施方案，因為電流不是平滑地提供給腔形成區(qū)域，所以在腔C上不產(chǎn) 生發(fā)光，因此由位于腔上的第一電極160所引起的光吸收可最小化。
另外，在 該實施方案中，腔C的寬度在接近有源層120的部分可小于遠離有源層 120的部分。因此，后續(xù)形成的發(fā)光層等發(fā)射的光可被有效反射并由此提取到外部。另外，在該實施方案中，優(yōu)于絕緣層140在腔C上形成，電流不是平滑地提供給 腔形成區(qū)域，所以在腔C上的有源層120不產(chǎn)生發(fā)光，因此由位于腔上的第一電極160所 引起的光吸收可最小化。然后，如圖4所示，在腔C上形成絕緣層140。絕緣層140可包括例如介電層、
非晶層等。例如，可在腔C上形成介電層140如氮化物層(例如SiN)或者氧化物層(例如 SiO2) O同時，在該實施方案中，由于絕緣層140包括透明絕緣層，由有源層120發(fā)出的 光透過絕緣層140然后被后續(xù)將形成的第二電極150的反射層152反射，從而可提高光提 取效率。同時，根據(jù)該實施方案，當絕緣層140的反射率大于透射率的情況下，絕緣層 140可起到反射由有源層120發(fā)出的光的作用。另外，在該實施方案中，具有高動能的質(zhì)子可注入腔C的表面中，使得質(zhì)子與 晶格發(fā)生碰撞以破壞單晶狀態(tài)，從而能夠形成具有高電阻的非晶層。在該實施方案中，絕緣層140可部分形成在第二導電型半導體層130的底表面以 及側(cè)表面和頂面上，從而能夠剛性地保持絕緣層。然后，在第二導電型半導體層130和絕緣層140上形成第二電極層150。第二電極層150可包括歐姆層(未顯示)、反射層152、結(jié)層(未顯示)、導電 襯底154等。第二電極層150可由鈦(Ti)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鉬(Pt)、金(Au)、鎢 (W)或者摻雜有雜質(zhì)的半導體襯底中的至少之一形成。例如，第二電極層150可包括歐 姆層，該歐姆層(未顯示)可通過多次堆疊單金屬層、金屬合金層和/或金屬氧化物層 而形成，使得有效進行空穴注入。例如，歐姆層可形成為包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦 鋅(IZO)、氧化銦鋅錫(IZTO)、氧化銦鋁鋅(IAZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵 錫(IGTO)、氧化鋁鋅(AZO)、氧化銻錫(ATO)、氧化鎵鋅(GZO)、氮化IZO(IZON)、 A卜Ga ZnO (AGZO)、In-Ga ZnO (IGZO)、ZnO > IrOx、RuOx、NiO > RuOx/ITO、Ni/ IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、 Au或Hf中的至少之一，但是本發(fā)明不限于此。第二電極層150還可包括反射層152或結(jié)層(未顯示)。例如，在第二電極150 包括反射層152的情況下，第二電極150可由包括鋁(Al)、銀(Ag)或包括Al或Ag的合 金的金屬材料形成。Al、Ag等可有效反射由有源層產(chǎn)生的光從而大大提高LED的光提 取效率。在該實施方案中，反射層152可在腔C中部分形成。例如，反射層152可在腔 C的表面上形成并且不完全填滿腔C。因此，根據(jù)該實施方案，反射層152的厚度可考 慮能夠獲得最優(yōu)反射率的反射層152的厚度來決定。同時，圖6是根據(jù)第二實施方案的LED 102的剖面圖。在LED 102中，反射層 153可形成為完全填滿腔的結(jié)構(gòu)。在這種情況下，反射層153易于結(jié)合后續(xù)將形成的導電 襯底154。根據(jù)該實施方案，由發(fā)光層發(fā)出的光透過絕緣層140然后被第二電極150的反射層153反射，從而能夠提高光提取效率。另外，根據(jù)該實施方案，在腔C形成為腔C的寬度從其上部至下部增加的情況下，由反射層153反射的光沿著發(fā)光結(jié)構(gòu)的向上的方向 可得到有效反射，因此可提高光提取效率。而且，在該實施方案中，在第二電極層150包括結(jié)層的情況下，反射層用作結(jié) 層或者結(jié)層可由鎳(Ni)、金(Au)等形成。然后，如圖5或6所示，在反射層153上可形成導電襯底154。例如導電襯底 154可選擇性包括銅(Cu)、金(Au)、Cu合金、鎳(Ni)、Cu_W、載體晶片(例如GaN、 Si、Ge、GaAs> ZnO> SiGe、SiC 等)等。導電襯底154可利用電化學金屬沉積方法或者使用共晶金屬的接合方法來形 成。然后，如圖5所示，可移除第一襯底105?？赏ㄟ^使用高功率激光剝離第一襯底 或通過使用化學蝕刻法移除第一襯底105。也可通過物理研磨第一襯底105來移除第一襯 底 105。然后，可在通過移除第一襯底105而暴露的第一導電型半導體層110上形成第一 電極160。第一電極160可在第一導電型半導體層110上形成以使得第一電極160在空間
上與腔C交疊。在該實施方案中，因為垂直位于第一電極160下方的腔區(qū)域不具有有源層120， 所以不發(fā)生由于載流子(電子和空穴)的復合所導致的光產(chǎn)生。在該實施方案中，因為作為經(jīng)蝕刻的區(qū)域的腔C覆蓋有絕緣層140，所以電流不 流過腔C，而是流過到除了腔C之外的區(qū)域。即，因為腔覆蓋有絕緣層140，所以腔用 作電流阻擋層(CBL)。因此，可產(chǎn)生高效的電流流動，使得可提高可靠性并且使得由第 一電極吸收的光可最小化，由此提高光量。根據(jù)該實施方案，可同時提高光提取效率和電流擴散效率。圖7是根據(jù)實施方案設置有發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝200的剖面圖。根據(jù)圖7，根據(jù)該實施方案的發(fā)光器件封裝200包括主體205、安裝于主體205 上的第三和第四電極層210和220、安裝于主體205上并與第三和第四電極層210和220 電連接的LED 100、以及包封LED 100的模制元件240。主體205可形成為包括硅材料、合成樹脂材料或者金屬材料，并且可在LED 100
周圍具有傾斜表面。第三電極層210和第四電極層220彼此電隔離并可用于對LED 100供電。而且， 第三和第四電極層210和220可反射由LED 100產(chǎn)生的光，由此提高光效率，并且可將來 自LED 100的熱散發(fā)至外部。LED 100可為如圖1所示的垂直型LED，但是本發(fā)明不限于此。例如，水平型 LED可用于發(fā)光器件封裝200。LED 100可安裝于主體上或者第三電極層210或者第四電極層220上。LED 100可通過導線230與第三電極層210和/或第四電極層220電連接。雖 然本實施方案說明性地顯示LED 100是垂直型LED，并且使用單個導線230電連接，但 是本發(fā)明不限于此。模制元件240可包封和保護LED 100。而且，在模制元件240中可包含熒光物質(zhì)以改變由LED 100發(fā)射的光的波長。根據(jù) 該實施方案，發(fā)光器件封裝可應用于照明系統(tǒng)，照明系統(tǒng)可包括如圖8所 示的照明單元、圖9中所示的背光單元、另外還可包括交通信號燈、車輛前燈和標記 牌。圖8是根據(jù)一個實施方案的發(fā)光單元1100的示意圖。根據(jù)圖8，照明單元1100包括外殼體1110、設置于外殼體1110中的發(fā)光模塊 部1130、以及設置于外殼體1110中并從外部電源供電的接線端子1120。外殼體110可優(yōu)選由具有良好熱屏蔽特性的材料例如金屬材料或者樹脂材料形 成。發(fā)光模塊部1130可包括襯底1132和安裝于襯底1132上的至少一個發(fā)光器件封 裝 200。襯底1132可為其上印刷有電路圖案的絕緣體襯底，可包括例如普通印刷電路板 (PCB)、金屬芯PCB、柔性PCB、陶瓷PCB等。另外，襯底1132可由有效反射光的材料形成，并且其表面可形成為能夠有效反 射光的顏色，例如白色或者銀色。在襯底1132上可安裝至少一個發(fā)光器件封裝200。各個發(fā)光器件封裝200可包 括至少一個發(fā)光二極管(LED) 100。發(fā)光二極管100可包括發(fā)射紅色光、綠色光或者白色 光的彩色LED或者發(fā)射紫外線(UV)的UVLED。發(fā)光模塊部1130可具有幾種LED的組合，以獲得期望的顏色和亮度。例如， 發(fā)光模塊部分1130可具有白色LED、紅色LED和綠色LED的組合，以獲得高的顯色指 數(shù)(CRI)。接線端子1120可與發(fā)光模塊部1130電連接以供電。如圖8所示，接線端子1120 可以以插座型旋入并與外電源連接，但是本發(fā)明不限于此。例如，接線端子1120可制成 為銷型并插入外電源中，或者可通過電力線與外部電源連接。圖9是根據(jù)一個實施方案的背光單元1200的分解立體圖。根據(jù)該實施方案的背光單元1200可包括導光板1210、為導光板1210提供光 的發(fā)光模塊部1240、在導光板1210下的反射元件1220、以及容納導光板1210、發(fā)光模塊 部1240和反射元件1220的底蓋1230，但是本發(fā)明不限于此。導光板1210用于通過將線性光散射以將線性光轉(zhuǎn)變?yōu)槠矫婀狻Ч獍蹇砂ū?烯酰系樹脂例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯 (PC)、COC或者聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂中的一種。發(fā)光模塊部1240為導光板1210的至少一個側(cè)表面提供光，并最終用作其中設置 背光單元的顯示器件的光源。發(fā)光模塊部1240可與導光板1210接觸，但是本發(fā)明不限于此。更具體而言，發(fā) 光模塊部1240包括襯底1242和安裝于襯底1242上的多個發(fā)光器件封裝200。襯底1242 可與導光板1210接觸，但是本發(fā)明不限于此。襯底1242可為包括電路圖案(未顯示)的PCB。襯底1242可包括金屬芯 PCB(MCPCB)、柔性PCB(FPCB)等以及普通PCB，但是本發(fā)明不限于此。所述多個發(fā)光器件封裝200可安裝在襯底1242上，使得多個發(fā)光器件封裝200的發(fā)光表面與導光板1210間隔開預定距離。 在導光板1210下可提供反射元件1220。反射元件1220反射從導光板的底表面入 射的光，以使得反射光朝向向上的方向，由此能夠提高背光單元的亮度。反射元件1220 可由例如PET、PC或者PVC樹脂等形成，但是本發(fā)明不限于此。底蓋1230可容納光導板1210、發(fā)光模塊部1240、反射元件1220等。為此，底 蓋1230可形成為具有打開的頂表面的盒形，但是本發(fā)明不限于此。底蓋1230可由金屬材料或者樹脂材料形成，并且可使用例如壓?；蛘咦⒛９に?制造。在本說明書中對〃 一個實施方案〃、“實施方案〃、“示例性實施方案〃等的 任何引用，表示與該實施方案相關描述的具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性包含于本發(fā)明的至少 一個實施方案中。在說明書不同地方出現(xiàn)的這些措詞不必都涉及相同的實施方案。此 夕卜，當結(jié)合任何實施方案描述具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性時，認為將這種特征、結(jié)構(gòu)或特 性與其它的實施方案相關聯(lián)均在本領域技術人員的范圍之內(nèi)。雖然已經(jīng)參考大量說明性實施方案描述了實施方案，但是應理解本領域技術人 員可設計很多的其它改變和實施方案，這些也將落入本公開的原理的精神和范圍內(nèi)。更 具體地，在公開、附圖和所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)，在本發(fā)明的組合排列的構(gòu)件和/或 結(jié)構(gòu)中可能具有各種的變化和改變。除構(gòu)件和/或結(jié)構(gòu)的變化和改變之外，對本領域技 術人員而言，可替代的用途也會是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導電型半導體層、在所述第一導電型半導體層下 的有源層和在所述有源層下的第二導電型半導體層；在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第二電極，所述第二電極包括底部構(gòu)件和在所述底部構(gòu)件上的 至少一個突起，所述突起穿過所述第二導電型半導體層和所述有源層；和設置在所述至少一個突起之上的絕緣層，其中所述至少一個突起包括具有不同尺寸的上部和下部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，還包括在所述第一導電型半導體層上的第一電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中所述至少一個突起的寬度從其所述上部至所述下 部增加。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中所述第二電極包括導電層；和設置在所述絕緣層和所述導電層之間的反射層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的發(fā)光器件，其中所述反射層設置在所述第二導電型半導體層和所 述導電層之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中在所述第二電極的至少一個突起上的所述絕緣層 與所述第一導電型半導體層接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求2的發(fā)光器件，其中所述第一電極設置在所述第一導電型半導體層上 并與所述至少一個突起對齊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中所述絕緣層包括透明絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中所述絕緣層設置在所述至少一個突起的上表面和 側(cè)表面上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的發(fā)光器件，其中在所述底部構(gòu)件的上表面與設置于所述至少一 個突起的側(cè)表面上的所述絕緣層的表面之間的角度和在所述有源層的上表面與設置于所 述至少一個突起的所述側(cè)表面上的所述絕緣層的表面之間的角度相同。
11.一種發(fā)光器件封裝，包括封裝體；在所述封裝體上的權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件；和在所述封裝體中形成的并與所述發(fā)光器件電連接的第三電極層。
12.一種照明系統(tǒng)，包括設置有權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件封裝的發(fā)光模塊部。
全文摘要
實施方案涉及發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝和包括所述發(fā)光器件封裝的照明系統(tǒng)。所述發(fā)光器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)下的第二電極，和置于至少一個突起之上的絕緣層。所述第二電極包括底部構(gòu)件和在所述底部構(gòu)件上的所述至少一個突起，所述突起穿過所述第二導電型半導體層和有源層。所述至少一個突起包含具有不同尺寸的上部和下部。
文檔編號H01L33/46GK102024889SQ201010280520
公開日2011年4月20日 申請日期2010年9月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月10日
發(fā)明者黃盛珉 申請人:Lg伊諾特有限公司