專(zhuān)利名稱(chēng)：電子裝置殼體及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子裝置殼體，尤其涉及一種具有三維天線(xiàn)層的電子裝置殼體及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著移動(dòng)通信、藍(lán)牙等技術(shù)的發(fā)展，實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用的電子裝置具有了越來(lái)越多的功能，然而這些電子裝置的體積向著輕、薄的方向發(fā)展，因此，如何簡(jiǎn)化這些電子裝置中內(nèi)置元件的結(jié)構(gòu)、減小這些內(nèi)置元件的體積對(duì)于簡(jiǎn)化整個(gè)電子裝置的結(jié)構(gòu)及降低該電子裝置的體積具有非常重要的作用。天線(xiàn)作為電子裝置中一收發(fā)信號(hào)的重要元件，其結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)化及體積的減小對(duì)于簡(jiǎn)化整個(gè)電子裝置的結(jié)構(gòu)及降低該電子裝置的體積具有重要的作用?，F(xiàn)有的電子裝置包括一本體、一天線(xiàn)輻射體及一殼體。該天線(xiàn)輻射體通過(guò)粘貼的方式固定在本體上。該殼體通過(guò)卡合的方式固定在該本體上并覆蓋該天線(xiàn)輻射體。然而，通過(guò)上述方式形成電子裝置，采用粘貼的方式將天線(xiàn)輻射體固定于本體上， 天線(xiàn)容易脫膠而與本體相分離，從而影響了電子裝置的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于此，有必要提供一種使用壽命長(zhǎng)的集成天線(xiàn)的電子裝置殼體。另外，還有必要提供一種上述集成天線(xiàn)的電子裝置殼體的制作方法?！N電子裝置殼體，包括一基體、一三維天線(xiàn)層及一遮蓋層；所述基體包括注塑形成的一第一成型層及一與第一成型層相結(jié)合的第二成型層，該第二成型層的材質(zhì)包含可激光活化物；該三維天線(xiàn)層為形成于第二成型層上的電鍍層，其為對(duì)所述第二成型層的預(yù)選表面進(jìn)行激光活化后電鍍形成；該遮蓋層覆蓋所述三維天線(xiàn)層。一種電子裝置殼體，包括注塑形成的一第一成型層、一第二成型層、一遮蓋層及一三維天線(xiàn)層，該第二成型層包含可激光活化物并注塑形成于遮蓋層上；該三維天線(xiàn)層為形成于第二成型層上的電鍍層，其為對(duì)所述第二成型層的預(yù)選表面進(jìn)行激光活化后電鍍形成；該第一成型層至少部分覆蓋所述三維天線(xiàn)層。一種電子裝置殼體的制作方法，包括如下步驟雙射注塑成型以形成電子裝置殼體的第一成型層和第二成型層，該第二成型層結(jié)合于所述第一成型層上；激光活化所述第二成型層的預(yù)選表面；將所述被活化的第二成型層的預(yù)選表面金屬化形成三維天線(xiàn)層；注塑成型以形成電子裝置殼體的遮蓋層，該遮蓋層至少覆蓋部分三維天線(xiàn)層。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明電子裝置殼體的制作方法雙射注塑成型殼體，所述第一成型層可使用普通的塑材，如此可以大大降低第二成型層的可激光活化材料的用量，從而降低了產(chǎn)品的成本；通過(guò)遮蓋層覆蓋三維天線(xiàn)層，該三維天線(xiàn)層為遮蓋層所覆蓋，不易分離，使用壽命長(zhǎng)。


圖1為本發(fā)明較佳實(shí)施方式電子裝置殼體立體示意圖；圖2為圖1中電子裝置殼體的剖示圖；圖3為本發(fā)明較佳實(shí)施例的電子裝置殼體的制作流程圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明電子裝置殼體10基體11第一成型層111第二成型層113三維天線(xiàn)層13遮蓋層15導(dǎo)電件17雙射注塑成型S11激光活化S13電鍍S15注塑成型S1具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖1和圖2所示，本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的電子裝置殼體10包括一基體 11、一三維天線(xiàn)層13、一遮蓋層15及一導(dǎo)電件17。該三維天線(xiàn)層13形成于基體11上，該 遮蓋層15結(jié)合于基體11上并覆蓋三維天線(xiàn)層13。所述導(dǎo)電件17嵌入成型于基體11上并 與三維天線(xiàn)層13電連接，以形成天線(xiàn)的饋入端及接地端。所述基體11包括一第一成型層111及一與第一成型層111相結(jié)合的第二成型層 113。所述第一成型層111以注塑成型的方式制成，該導(dǎo)電件17嵌入其中。注塑成型第 一成型層111的塑料可選自為聚丙烯(PP)、聚酰胺(PA)、聚碳酸酯(PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二 酯(PET)及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的任一種。該第一成型層111可直接成型為所述 電子裝置殼體10的形狀，并占所述電子裝置殼體10的厚度的三分之一至五分之三左右；亦 可成型為所述電子裝置殼體10的一部分。所述第二成型層113以注塑成型的方式制成。注塑成型第二成型層113的材質(zhì)可 為熱塑性塑料、有機(jī)填充物與可激光活化物的混合物。所述熱塑性塑料可為聚對(duì)苯二甲酸 丁二醇酯(PBT)或聚酰亞胺(PI)。所述有機(jī)填充物可為娃酸和/或娃酸衍生物。所述可激 光活化物可為不導(dǎo)電的基于尖晶石的高階氧化物，如含銅尖晶石等。在所述注塑成型第二 成型層113的混合物中，該熱塑性塑料的質(zhì)量百分含量為65-75%，有機(jī)填充物的質(zhì)量百分 含量為22-28%，不導(dǎo)電的基于尖晶石的高階氧化物的質(zhì)量百分含量為3-7%。所述不導(dǎo)電 的基于尖晶石的高階氧化物可被激光活化而析出金屬晶核覆蓋于第二成型層113的表面。 該第二成型層113成型后，所述導(dǎo)電件17突出或者平齊于第二成型層113的表面。所述三維天線(xiàn)層13為一形成于第二成型層113的預(yù)選表面的電鍍層。該電鍍層包括依次形成于該預(yù)選表面的電鍍銅層、電鍍鎳層及電鍍金層。所述電鍍銅層主要起天線(xiàn)的作用；所述電鍍鎳層為中間過(guò)渡層，其可增強(qiáng)電鍍金層與電鍍銅層的結(jié)合力；所述電鍍金層的抗氧化能力較強(qiáng)，其可預(yù)防所述三維天線(xiàn)層13被氧化，且該電鍍金層的導(dǎo)電能力較強(qiáng)，其可保證所述三維天線(xiàn)層13與電子裝置的控制系統(tǒng)的電性連接的穩(wěn)定性。該三維天線(xiàn)層13可為對(duì)所述第二成型層113表面的預(yù)選區(qū)域先進(jìn)行激光活化，使該預(yù)選區(qū)域的不導(dǎo)電的基于尖晶石的高階氧化物的金屬晶核析出于表面，而后對(duì)該預(yù)選區(qū)域進(jìn)行電鍍而制得。 該三維天線(xiàn)層13形成后與導(dǎo)電件17電連接。所述遮蓋層15以注塑成型的方式制成。注塑成型遮蓋層15的塑料可選自為聚丙烯(PP)、聚酰胺(PA)、聚碳酸酯(PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)及聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)中的任一種。該遮蓋層15覆蓋三維天線(xiàn)層13最終形成所述電子裝置殼體10的形狀。在本發(fā)明的較佳實(shí)施例中，該遮蓋層15完全覆蓋三維天線(xiàn)層13，即遮蓋層15與基體 11將三維天線(xiàn)13包裹于其內(nèi)，該三維天線(xiàn)層13通過(guò)導(dǎo)電件17與電路板或者電子器件電連接。請(qǐng)結(jié)合參閱圖3，本發(fā)明較佳實(shí)施方式的制作所述電子裝置殼體10的方法包括如下步驟提供一第一注塑模具。該第一注塑模具具有一一次成型型腔及一與該一次成型型腔相連通的二次成型型腔。雙射注塑成型(步驟Sll)。向所述一次成型型腔中注塑塑料形成電子裝置殼體10 的第一成型層111。注塑成型第一成型層111的塑料可選自為聚丙烯(PP)、聚酰胺(PA)、聚碳酸酯(PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的任一種；向所述二次成型型腔中注塑含可激光活化物的塑料形成電子裝置殼體的第二成型層113，該第二成型層113結(jié)合于所述第一成型層111上。所述可激光活化物可為不導(dǎo)電的基于尖晶石的高階氧化物，如含銅尖晶石。所述塑料可為聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)或聚酰亞胺(PI)。 注塑形成所述第二成型層113的塑料中還可包含有硅酸和/或硅酸衍生物。在所述第二成型層113的表面預(yù)選一任意的三維形狀的區(qū)域，并使用激光照射該預(yù)選的區(qū)域，使該區(qū)域的不導(dǎo)電的基于尖晶石的高階氧化物的金屬離子析出表面，而活化成為導(dǎo)體(步驟S13)。將所述第二成型層113的被活化的預(yù)選區(qū)域金屬化制得三維天線(xiàn)層13(步驟 S15)。所述金屬化的方法可為電鍍。由于第二成型層113未被激光活化的區(qū)域?yàn)椴粚?dǎo)電體， 因此電鍍時(shí)僅被活化的預(yù)選區(qū)域上可被電鍍上金屬層，而制得所述三維天線(xiàn)層13。電鍍時(shí)可先電鍍一銅層，然后電鍍一鎳層，最后電鍍一金層。提供一第一注塑模具。該第二注塑模具一型腔。在將上述的三維天線(xiàn)層13定位放入第二注塑模具的型腔中，向所述型腔中注塑塑料形成電子裝置殼體10的遮蓋層15(步驟S17)。該遮蓋層15的塑料可選自為聚丙烯 (PP)、聚酰胺(PA)、聚碳酸酯(PC)、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)及聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 中的任一種?？梢岳斫?，當(dāng)先注塑形成該遮蓋層15，再于遮蓋層15內(nèi)側(cè)注塑形成第二成型層 113并激光活化第二成型層113的預(yù)定表面，在所述預(yù)定表面上形成三維天線(xiàn)層13最后在注塑第一成型層111時(shí)，該第一成型層111可一不完全覆蓋三維天線(xiàn)層13，即該三維天線(xiàn)層13的部分裸露，以直接與外部電路電連接，相應(yīng)的導(dǎo)電件17可以省略。本發(fā)明所述的電子裝置殼體10的制作方法適用于無(wú)線(xiàn)通信產(chǎn)品、筆記本電腦等產(chǎn)品殼體的生產(chǎn)中。本發(fā)明電子裝置殼體的制作方法分兩次注塑成型殼體，所述第一成型層可使用普通的塑材，如此可以大大降低第二成型層的可激光活化材料的用量，從而降低了產(chǎn)品的成本；通過(guò)遮蓋層覆蓋三維天線(xiàn)層，該三維天線(xiàn)層內(nèi)置于電子裝置的殼體內(nèi)，不易分離，使用壽命長(zhǎng)。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明權(quán)利要求公開(kāi)的范圍和精神內(nèi)做其它形式和細(xì)節(jié)上的各種修改、添加和替換。當(dāng)然，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的各種修改、添加和替換等變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電子裝置殼體，其包括一基體，其特征在于所述基體包括注塑形成的一第一成型層及一與第一成型層相結(jié)合的第二成型層，該第二成型層的材質(zhì)包含可激光活化物； 該電子裝置殼體進(jìn)一步包括一三維天線(xiàn)層及一遮蓋層；該三維天線(xiàn)層為形成于第二成型層上的電鍍層，其為對(duì)所述第二成型層的預(yù)選表面進(jìn)行激光活化后電鍍形成；該遮蓋層覆蓋所述三維天線(xiàn)層。
2.如權(quán)利要求1所述的電子裝置殼體，其特征在于所述電子裝置殼體包括至少一導(dǎo)電件，所述導(dǎo)電件一端與三維天線(xiàn)層電連接另一端平齊或者突出于第一成型層。
3.如權(quán)利要求1所述的電子裝置殼體，其特征在于所述第二成型層以注塑成型的方式制成，注塑成型第二成型層的材質(zhì)為熱塑性塑料、有機(jī)填充物與可激光活化物的混合物。
4.如權(quán)利要求3所述的電子裝置殼體，其特征在于所述可激光活化物為不導(dǎo)電的基于尖晶石的高階氧化物。
5.一種電子裝置殼體，其特征在于該電子裝置殼體包括注塑形成的一第一成型層、 一第二成型層、一遮蓋層及一三維天線(xiàn)層，該第二成型層包含可激光活化物并注塑形成于遮蓋層上；該三維天線(xiàn)層為形成于第二成型層上的電鍍層，其為對(duì)所述第二成型層的預(yù)選表面進(jìn)行激光活化后電鍍形成；該第一成型層至少部分覆蓋所述三維天線(xiàn)層。
6.如權(quán)利要求5所述的電子裝置殼體，其特征在于所述可激光活化物為不導(dǎo)電的基于尖晶石的高階氧化物。
7.一種電子裝置殼體的制作方法，其包括如下步驟雙射注塑成型以形成電子裝置殼體的第一成型層和第二成型層，該第二成型層結(jié)合于所述第一成型層上；激光活化所述第二成型層的預(yù)選表面；將所述被活化的第二成型層的預(yù)選表面金屬化形成三維天線(xiàn)層；注塑成型以形成電子裝置殼體的遮蓋層，該遮蓋層覆蓋三維天線(xiàn)層。
8.如權(quán)利要求7所述的電子裝置殼體的制作方法，其特征在于所述可激光活化物為不導(dǎo)電的基于尖晶石的高階氧化物。
9.如權(quán)利要求8所述的電子裝置殼體的制作方法，其特征在于所述激光活化為使用激光對(duì)所述第二成型層的預(yù)選表面進(jìn)行照射，使該第二成型層中的不導(dǎo)電的基于尖晶石的高階氧化物的金屬晶核析出于該預(yù)選表面，使該預(yù)選表面成為導(dǎo)體。
10.如權(quán)利要求9所述的電子裝置殼體的制作方法，其特征在于所述金屬化的方法為對(duì)所述被活化的第二成型層的預(yù)選表面進(jìn)行電鍍。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子裝置殼體及其制作方法。該電子裝置殼體包括一基體、一三維天線(xiàn)層及一遮蓋層；所述基體包括注塑形成的一第一成型層及一與第一成型層相結(jié)合的第二成型層，該第二成型層的材質(zhì)包含可激光活化物；該三維天線(xiàn)層為形成于第二成型層上的電鍍層，其為對(duì)所述第二成型層的預(yù)選表面進(jìn)行激光活化后電鍍形成；該遮蓋層覆蓋所述三維天線(xiàn)層。該電子裝置殼體的三維天線(xiàn)層為形成層所覆蓋，不易分離，使用壽命長(zhǎng)。
文檔編號(hào)H01Q1/40GK102299403SQ201010210968
公開(kāi)日2011年12月28日 申請(qǐng)日期2010年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月28日
發(fā)明者吳照毅, 樊永發(fā), 趙治國(guó), 閻勇 申請(qǐng)人:深圳富泰宏精密工業(yè)有限公司