專利名稱：具有多級(jí)電容器的集成電路系統(tǒng)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路系統(tǒng)，尤其涉及一種包括層次式電容器的集成電路系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
集成電路在當(dāng)今的許多消費(fèi)類電子產(chǎn)品例如手機(jī)、攝像機(jī)、便攜式音樂(lè)播放器、打 印機(jī)、計(jì)算機(jī)、定位設(shè)備中都有應(yīng)用。集成電路可包括主動(dòng)組件、被動(dòng)組件及其互連線的組
合O片上電容器(on-chip capacitor)是集成電路的重要組件。這些電容器用于 旁路以及針對(duì)模擬和射頻集成電路應(yīng)用的電容匹配等多種目的。由于傳統(tǒng)的平面電容 器例如金屬-絕緣層-金屬(metal-insulator-metal ；MIM)電容器需要額外的制程步 驟和掩膜(mask)，因此最近出現(xiàn)的具有叉指(inter-digitated)金屬結(jié)構(gòu)的后端工藝 (back-end-of-line ；BE0L)垂直自然電容器(vertical natural capacitor ；VNCAP)已作 為更具吸引力的選擇而應(yīng)用于先進(jìn)CMOS和BiCMOS射頻技術(shù)。但是，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步， 人們期望增加VNCAP結(jié)構(gòu)的單位電容并提升VNCAP結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因素。因此，為增加VNCAP結(jié)構(gòu)的單位電容，設(shè)計(jì)人員開始利用最小長(zhǎng)度寬度和間隔設(shè) 計(jì)規(guī)則來(lái)開發(fā)VNCAP結(jié)構(gòu)的金屬內(nèi)電容。不幸的是，隨著后端工藝流程中集成低介電常數(shù) 材料和超低介電常數(shù)材料(例如出于減少RC延遲的目的)，即使制造最小設(shè)計(jì)規(guī)則金屬線， 仍大大降低了金屬內(nèi)電容的增益。因此需要提供一種可靠的集成電路系統(tǒng)、制造方法和組件設(shè)計(jì)來(lái)改善集成電路系 統(tǒng)的VNCAP可靠性性能，增加單位電容，減小電阻和/或提升品質(zhì)因素。鑒于日益加劇的商 業(yè)競(jìng)爭(zhēng)壓力以及不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)者預(yù)期和市場(chǎng)上產(chǎn)品差異化的日漸縮小，解決上述問(wèn)題變 得極為迫切。此外，降低成本、提高效率和性能以及應(yīng)付競(jìng)爭(zhēng)壓力的需要更增加了解決上述 問(wèn)題的緊迫性。長(zhǎng)期以來(lái)人們一直在試圖解決上述問(wèn)題，但現(xiàn)有發(fā)展未給出任何教導(dǎo)或啟示，因 此，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，上述問(wèn)題一直未能得到解決。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種集成電路系統(tǒng)的制造方法，包括提供包括前端工藝電路的基板； 采用第一設(shè)計(jì)規(guī)則在所述基板上方形成包括第一指狀結(jié)構(gòu)和第二指狀結(jié)構(gòu)的第一組金屬 層，該第一組金屬層未形成指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔；采用第二設(shè)計(jì)規(guī)則在所述第一組金屬層上方 形成包括第一指狀結(jié)構(gòu)、第二指狀結(jié)構(gòu)和指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔的第二組金屬層，該第二設(shè)計(jì)規(guī) 則大于所述第一設(shè)計(jì)規(guī)則；互連所述第一組金屬層和第二組金屬層，從而形成電容器。本發(fā)明提供一種集成電路系統(tǒng)，包括包括前端工藝電路的基板；位于該基板上 方的第一組金屬層，該第一組金屬層包括第一指狀結(jié)構(gòu)和第二指狀結(jié)構(gòu)，且該第一組金屬 層的構(gòu)造遵循第一設(shè)計(jì)規(guī)則且不具有指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔；位于該第一組金屬層上方的第二組 金屬層，該第二組金屬層包括第一指狀結(jié)構(gòu)、第二指狀結(jié)構(gòu)和指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔且該第二組金屬層的構(gòu)造遵循第二設(shè)計(jì)規(guī)則且該第二設(shè)計(jì)規(guī)則大于所述第一設(shè)計(jì)規(guī)則；以及所述第一 組金屬層與第二組金屬層互連而形成電容器。在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，在上述步驟或組件之外可具有其它步驟或組件，或者 采用其它步驟或組件替代上述步驟或組件。本領(lǐng)域的技術(shù)人員在參照附圖閱讀下列詳細(xì)說(shuō) 明之后將明白所述步驟或組件。


圖1顯示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在后端工藝制造階段包括第一組金屬化層的集成電 路系統(tǒng)的局部俯視圖。圖2顯示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在后端工藝制造階段包括第二組金屬化層的集成電 路系統(tǒng)的局部俯視圖。圖3顯示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在后端工藝制造階段包括第三組金屬化層的集成電 路系統(tǒng)的局部俯視圖。圖4顯示圖1中虛線框4內(nèi)區(qū)域的三維局部放大視圖。圖5顯示圖2中虛線框5內(nèi)區(qū)域的三維局部放大視圖。圖6顯示圖3中虛線框6內(nèi)區(qū)域的三維局部放大視圖。圖7顯示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例集成電路系統(tǒng)中指狀結(jié)構(gòu)和指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔的局部 剖視示意圖。圖8顯示依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例集成電路系統(tǒng)中指狀結(jié)構(gòu)和指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔的 局部剖視示意圖。圖9顯示本發(fā)明實(shí)施例中集成電路系統(tǒng)的制造方法流程圖。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)描述實(shí)施例以使本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠制造和使用本發(fā)明?；诒窘衣?可使其它實(shí)施例顯而易見，并且可作系統(tǒng)、流程或機(jī)械的變化而不背離本發(fā)明范圍。下面的描述中給出諸多特定細(xì)節(jié)以利于充分理解本發(fā)明。不過(guò)，顯而易見的是可 在不具有這些特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施本發(fā)明。為避免模糊本發(fā)明，對(duì)一些已知的電路、系統(tǒng) 架構(gòu)和流程步驟地均不作詳細(xì)揭露。顯示系統(tǒng)實(shí)施例的附圖是半示意圖，并非按比例繪制。更詳細(xì)地說(shuō)，為清楚起見， 圖中對(duì)一些尺寸進(jìn)行放大顯示。同樣，盡管為描述方便，附圖部分的視圖通常都顯示類似的 方位，但圖中的此類描述大多是隨意的。一般而言，可在任意方位下執(zhí)行本發(fā)明。出于清楚、簡(jiǎn)化和便于理解的目的，對(duì)于所揭露的具有一些共同特征的多個(gè)實(shí)施 例，彼此類似的特征通常采用類似的參考術(shù)語(yǔ)。需要說(shuō)明的是，這里將術(shù)語(yǔ)“水平面”定義為不考慮方位，與基板傳統(tǒng)平面或表面 平行的平面。術(shù)語(yǔ)“垂直”指垂直于所述水平面的方向?！吧戏健薄ⅰ跋路健?、“底部”、“頂部”、 “側(cè)面”、“高于”、“低于”等術(shù)語(yǔ)都相對(duì)水平面定義，如附圖所示。術(shù)語(yǔ)“上面”意味著組件之 間直接接觸。這里所用的術(shù)語(yǔ)“制程”包括形成所描述結(jié)構(gòu)所需的金屬或光阻材料的沉積、圖案 化、曝光、顯影、蝕刻、清洗和/或所述材料或光阻材料的移除等步驟。
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這里所用的術(shù)語(yǔ)“例子”或“示例，，是指舉例說(shuō)明。并不一定將“例子”或“示例，， 的實(shí)施例解釋為優(yōu)于其它設(shè)計(jì)或?qū)嵤├＿@里所用的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”僅出于描述組件之間差別的目的，而不應(yīng) 解釋為限制本發(fā)明的范圍。這里所用的術(shù)語(yǔ)“間距”是指圖案中特征之間邊到邊的距離。例如，可將“間距”定 義為大致等于(指狀結(jié)構(gòu)的寬度)加(相鄰指狀結(jié)構(gòu)組件之間的間隔)。這里所用的術(shù)語(yǔ)“導(dǎo)通孔密度”是指導(dǎo)通孔(例如帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔和/或指狀結(jié) 構(gòu)導(dǎo)通孔)占用的面積除以該導(dǎo)通孔的總面積與導(dǎo)通孔之間的間隔。這里所用的術(shù)語(yǔ)“帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔”是指直接接觸第一帶狀結(jié)構(gòu)或第二帶狀結(jié)構(gòu) 的垂直相鄰架構(gòu)的電性互連。這里所用的術(shù)語(yǔ)“指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔”是指直接接觸第一指狀結(jié)構(gòu)或第二指狀結(jié)構(gòu) 的垂直相鄰架構(gòu)的電性互連。應(yīng)當(dāng)理解的是，附圖中代表導(dǎo)通孔的圓圈僅代表這些導(dǎo)通孔的中心，這些導(dǎo)通孔 的形狀通常為正方形。這里所用的術(shù)語(yǔ)“最小尺寸”是指當(dāng)前工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)所允許的最小可重復(fù)特征尺 寸。出于揭露目的，這里所用的術(shù)語(yǔ)“前端工藝”(front-end-of-line ；FE0L)指的是 從晶圓開始直到接觸蝕刻(contact etch)的制程步驟，包括主動(dòng)組件結(jié)構(gòu)和被動(dòng)組件結(jié)構(gòu) 的制造。出于揭露目的，這里所用的術(shù)語(yǔ)“后端工藝”(back-end-of-line ；BE0L)指的是從 接觸金屬直到電性測(cè)試之前的晶圓完工的制程步驟，可包括BE0L金屬化層的形成，以在包 括FE0L結(jié)構(gòu)的基板上方形成電容器結(jié)構(gòu)。出于揭露目的，如果第一設(shè)計(jì)規(guī)則(design rule ；DR)等于當(dāng)前工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)所 允許的最小可重復(fù)尺寸，則將其稱為lx構(gòu)造，第二設(shè)計(jì)規(guī)則可為lx的2倍(2*lx)或者是 2x構(gòu)造，第三設(shè)計(jì)規(guī)則可為大于2x或者是“> 2x”構(gòu)造，例如4x。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員 很容易了解，如果lx設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸約為50納米，則2x設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸約為100納 米，大于2x設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸大致大于100納米，例如，4x設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸約為200納 米。應(yīng)當(dāng)理解的是，這里所用的設(shè)計(jì)規(guī)則、定義和術(shù)語(yǔ)僅為示例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員很 容易理解，可使用其它設(shè)計(jì)規(guī)則、定義和術(shù)語(yǔ)來(lái)描述所述技術(shù)、系統(tǒng)、組件和方法。下列實(shí)施例通常涉及集成電路系統(tǒng)的形成，該集成電路系統(tǒng)包括由混合金屬層形 成的后端工藝層次式電容器結(jié)構(gòu)，其中，一些金屬層形成有指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔，而另一些金屬 層沒(méi)有形成指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔。表I提供了三種不同的65納米六層VNCAP結(jié)構(gòu)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)， 所述三種結(jié)構(gòu)分別為l)Mlx層和M2x層不具有指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔；2)Mlx層和M2x層都具有 指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔；3)Mlx層不具有指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔，但M2x層具有指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔。表 I 表I清楚描述了如何通過(guò)不具有導(dǎo)通孔的金屬層和具有導(dǎo)通孔的金屬層的混合 來(lái)提高BE0L電容器結(jié)構(gòu)的總單位電容(注意上述65納米VNCAP設(shè)計(jì)的(3)結(jié)構(gòu))。而且， 本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，利用混合不具有導(dǎo)通孔的金屬層和具有導(dǎo)通孔的金屬層的VNCAP設(shè)計(jì)可不 犧牲電容密度而提升電容器可靠性和射頻性能。作為示例描述，本實(shí)施例可藉由形成不具有指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔的第一組金屬化層 (例如遵循lx設(shè)計(jì)規(guī)則鄰近基板形成的金屬化層)來(lái)制造BE0L層次式電容結(jié)構(gòu)，以增加 lx級(jí)的密度和電容。由于lx指狀結(jié)構(gòu)可通過(guò)lx最小設(shè)計(jì)規(guī)則形成而無(wú)需通過(guò)放寬規(guī)則來(lái) 避免導(dǎo)通孔短路，因而lx級(jí)實(shí)現(xiàn)了密度和電容的增加。在lx級(jí)上方(例如2x級(jí)和/或大于(> )2x級(jí))形成的金屬化層可形成有指狀 結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔。更具體地說(shuō)，在lx級(jí)上方形成的金屬層組可包括優(yōu)化的指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔密 度，其位于金屬層組內(nèi)垂直相鄰的金屬層指狀結(jié)構(gòu)之間，其中，各金屬層垂直堆迭組使用加 大的金屬線設(shè)計(jì)規(guī)則。通過(guò)使用與各金屬層組及其導(dǎo)通孔相關(guān)的最小設(shè)計(jì)尺寸來(lái)優(yōu)化使用加大的金屬 線設(shè)計(jì)規(guī)則的各金屬層組的導(dǎo)通孔密度，可優(yōu)化垂直相鄰層之間的導(dǎo)通孔的總面積，降低 導(dǎo)通孔電阻，并增加VNCAP結(jié)構(gòu)的有效電容器板面積，從而提升VNCAP結(jié)構(gòu)的可靠性。而 且，對(duì)于使用加大的金屬線設(shè)計(jì)規(guī)則的金屬層組，本實(shí)施例通過(guò)優(yōu)化各金屬層組的導(dǎo)通孔 密度，可克服VNCAP結(jié)構(gòu)的下列相關(guān)問(wèn)題不同設(shè)計(jì)規(guī)則金屬線的使用，由于導(dǎo)通孔突出和 /或錯(cuò)位引起短路而導(dǎo)致的組件可靠性問(wèn)題，以及由于BE0L電容器中集成低介電常數(shù)(k) 材料和超低介電常數(shù)材料而導(dǎo)致的低單位電容。此外，這里揭露的實(shí)施例通過(guò)降低總導(dǎo)通 孔電阻而增加和/或提升了 BE0L電容器結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因素。本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解， 上述方面將有利于提升VNCAP的總體可靠性能。圖1-8示例形成集成電路系統(tǒng)的實(shí)施例，但其不應(yīng)解釋為限制本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)理解 的是，現(xiàn)有技術(shù)中已知的多個(gè)制程可在圖1-8之前或之后執(zhí)行，這里不作重復(fù)。而且，應(yīng)當(dāng) 理解的是，可對(duì)下述制程和/或?qū)嵤├餍薷?、添加?或省略而不背離所請(qǐng)求保護(hù)主體的 范圍。例如，下述制程和/或?qū)嵤├砂ǜ嗷蚋俚牟襟E或其它步驟。此外，可以任意 順序執(zhí)行步驟而不背離本發(fā)明的范圍。
而且，應(yīng)當(dāng)了解的是，本發(fā)明的集成電路系統(tǒng)可包括任意數(shù)目的主動(dòng)組件結(jié)構(gòu)和/ 或被動(dòng)組件結(jié)構(gòu)。該集成電路系統(tǒng)中的示例組件可包括處理器部件、存儲(chǔ)器部件、邏輯部 件、數(shù)字部件、模擬部件、混合信號(hào)部件、電源部件、射頻部件(例如RF CMOS電路)、數(shù)字信 號(hào)處理器部件、電阻部件、電感部件、電容部件、微機(jī)電部件、光學(xué)傳感器部件等等，并可根 據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行多種構(gòu)造和布置。此外，應(yīng)當(dāng)理解，可在一個(gè)媒介上可一次準(zhǔn)備一個(gè)或多個(gè)集成電路系統(tǒng)，并可在以 后的制造階段將其分為單個(gè)或多個(gè)集成電路封裝組件。圖1顯示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在后端工藝制造階段的集成電路系統(tǒng)100的局部俯視 圖，該集成電路系統(tǒng)100包括第一組金屬化層114。通常，該集成電路系統(tǒng)110可包括在基板102上方形成的層次式VNCAP結(jié)構(gòu)。透 過(guò)范例方式，基板102可以是自晶圓切割的單個(gè)芯片乃至300納米的半導(dǎo)體晶圓，而該半導(dǎo) 體晶圓在其上形成有任意數(shù)目的主動(dòng)和/或被動(dòng)組件結(jié)構(gòu)(例如前端工藝電路103)且可 形成其互連線。一般，所述VNCAP結(jié)構(gòu)可由后端工藝金屬層形成，例如金屬層Ml-Mx，這里的x為大 于1的正整數(shù)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，可以對(duì)這些金屬層分組以包括一個(gè)或多個(gè) 垂直堆迭的逐漸增大的金屬層組，其中各組中的金屬層彼此平行并與基板102平行。本實(shí)施例描述在基板102上方形成的第一組金屬化層114，其包括第一帶狀結(jié)構(gòu) 104、第二帶狀結(jié)構(gòu)106、第一指狀結(jié)構(gòu)108、第二指狀結(jié)構(gòu)110以及帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112。本 領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，可在相同和不同金屬層的所述帶狀結(jié)構(gòu)、指狀結(jié)構(gòu)和導(dǎo)通孔 之間形成介電材料(為清楚起見未圖示)。第一組金屬化層114也可稱作金屬層。通常，可將一個(gè)或多個(gè)第一組金屬化層114例如第一金屬化層(Ml)、第二金屬化 層(M2)、第三金屬化層(M3)、第四金屬化層(M4)和/或第五金屬化層(M5)彼此垂直堆迭， 從而形成一組金屬層。但是，應(yīng)當(dāng)了解的是，可以采用任意數(shù)目(例如一個(gè)或多個(gè))的金屬 化層來(lái)獲得具有策略上設(shè)計(jì)電容值的VNCAP結(jié)構(gòu)。而且，本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，與 基板102直接相鄰的第一組金屬化層114(例如第一金屬化層Ml)可通過(guò)帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔 112與形成于基板102上面和/或內(nèi)部的前端工藝電路結(jié)構(gòu)(例如主動(dòng)組件和被動(dòng)組件) 電性連接。在至少一個(gè)實(shí)施例中，具有相對(duì)極性的第一帶狀結(jié)構(gòu)104和第二帶狀結(jié)構(gòu)106可 彼此錯(cuò)開、平行或相對(duì)。這種情況下，第一帶狀結(jié)構(gòu)104可具有第一極性(例如負(fù)極)并且 第二帶狀結(jié)構(gòu)具有第二極性(例如正極)，反之亦然。在一些實(shí)施例中，第一帶狀結(jié)構(gòu)104 和第二帶狀結(jié)構(gòu)106可比第一指狀結(jié)構(gòu)108和第二指狀結(jié)構(gòu)110寬，以容納特定構(gòu)造或密 度的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112。但是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，第一帶狀結(jié)構(gòu)104和第二 帶狀結(jié)構(gòu)106的形狀或尺寸只需由VNCAP結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)規(guī)格限制。而且，本領(lǐng)域的技術(shù)人員 也很容易了解，可通過(guò)一個(gè)或多個(gè)帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112電性互連兩相鄰層(例如Ml和M2) 的第一帶狀結(jié)構(gòu)104，并通過(guò)一個(gè)或多個(gè)帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112電性互連兩相鄰層的第二帶 狀結(jié)構(gòu)106。作為示例描述，本實(shí)施例描述的第一帶狀結(jié)構(gòu)104和第二帶狀結(jié)構(gòu)106通過(guò)42個(gè) 帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112將相鄰層的各帶狀結(jié)構(gòu)與每一層的每一帶狀結(jié)構(gòu)互連。但是，應(yīng)當(dāng)理 解的是，本文所述實(shí)施例的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112的數(shù)目不受前述例子的限制。在至少一個(gè)實(shí)施例中，帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112的數(shù)目可更多或更少，并可隨組件設(shè)計(jì)參數(shù)、改進(jìn)單位電容 的需要、提升品質(zhì)因素的需要、降低導(dǎo)通孔電阻的需要和/或確保不同層的帶狀結(jié)構(gòu)良好 的電性互連的需要而變化。而且，應(yīng)當(dāng)理解，用于連接兩相鄰層的第一帶狀結(jié)構(gòu)104的帶狀 結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112的數(shù)目不必與用于連接兩相鄰層的第二帶狀結(jié)構(gòu)106的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔 112的數(shù)目相同。在至少一個(gè)實(shí)施例中，在第一帶狀結(jié)構(gòu)104和/或第二帶狀結(jié)構(gòu)106上方形成的 帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112的數(shù)目和/或密度可大致等于帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112的最大數(shù)目或密 度，該最大數(shù)目或密度是第一組金屬化層114的最小設(shè)計(jì)規(guī)則所允許的。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，增 加和/或最大化帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112的數(shù)目和/或密度可提升VNCAP的品質(zhì)因素。自第一帶狀結(jié)構(gòu)104和第二帶狀結(jié)構(gòu)106分別伸出第一指狀結(jié)構(gòu)108和第二指狀 結(jié)構(gòu)110，其中，彼此交替的指狀結(jié)構(gòu)連接至第一帶狀結(jié)構(gòu)104和第二帶狀結(jié)構(gòu)106，從而形 成叉指(inter-digitated)結(jié)構(gòu)。因此，第一指狀結(jié)構(gòu)108和第二指狀結(jié)構(gòu)110彼此分隔， 并交替連接第一帶狀結(jié)構(gòu)104或第二帶狀結(jié)構(gòu)106，從而形成具有第一極性和第二極性的 交替件/指狀結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，各第一組金屬化層114的第一指狀結(jié) 構(gòu)108和第二指狀結(jié)構(gòu)110的數(shù)目可隨組件設(shè)計(jì)參數(shù)(例如當(dāng)前的工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn))、改進(jìn)單 位電容的需要和/或提升品質(zhì)因素的需要而變化。第一組金屬化層114的設(shè)計(jì)通常依賴于設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸(或基礎(chǔ)規(guī)則尺寸)。 更詳而言之，可遵循lx最小寬度、lx最小間隔和/或lx最小間距設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)設(shè)計(jì)第一指狀 結(jié)構(gòu)108、第二指狀結(jié)構(gòu)110和帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112的任一個(gè)，lx最小寬度、lx最小間隔和 /或lx最小間距設(shè)計(jì)規(guī)則可由所使用制程的設(shè)計(jì)規(guī)則確定。例如，lx設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸可 定義為當(dāng)前工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)所允許的最小可重復(fù)特征尺寸。不過(guò)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解， 當(dāng)當(dāng)前工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)無(wú)法滿足設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸時(shí)，可通過(guò)使用比集成電路系統(tǒng)100的布 局設(shè)計(jì)中設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸稍高的推薦規(guī)則值(例如放寬的設(shè)計(jì)規(guī)則1.5x)來(lái)提高良率， 代價(jià)是減少了單位面積的電容。在至少一個(gè)實(shí)施例中，第一指狀結(jié)構(gòu)108、第二指狀結(jié)構(gòu)110和帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔 112可通過(guò)lx設(shè)計(jì)規(guī)則(DR)方案而形成。本揭露中也可將lx設(shè)計(jì)規(guī)則稱為第一設(shè)計(jì)規(guī) 則。通常，指狀結(jié)構(gòu)和導(dǎo)通孔之間的寬度、間隔和/或間距會(huì)保持在第一組金屬化層114的 lx設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸，以在降低總導(dǎo)通孔電阻的同時(shí)最大化指狀結(jié)構(gòu)之間的密度和內(nèi)層電容。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，如果lx設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸約為50納米，則2x設(shè)計(jì) 規(guī)則最小尺寸約為100納米，且4x設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸約為200納米，以此類推。本揭露中， 可將2x設(shè)計(jì)規(guī)則和4x設(shè)計(jì)規(guī)則分別稱為第二設(shè)計(jì)規(guī)則和第三設(shè)計(jì)規(guī)則。由本揭露顯而易 見，所述第一設(shè)計(jì)規(guī)則不同于第二和第三設(shè)計(jì)規(guī)則。一般而言，所述第二設(shè)計(jì)規(guī)則大于第一 設(shè)計(jì)規(guī)則，而所述第三設(shè)計(jì)規(guī)則大于第二設(shè)計(jì)規(guī)則。在這種情況下，所述第一設(shè)計(jì)規(guī)則可代 表當(dāng)前工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)形成特征的最小尺寸。不過(guò)，應(yīng)當(dāng)理解的是，各第一指狀結(jié)構(gòu)108、第二指狀結(jié)構(gòu)110和帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔 112的lx設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸寬度、間隔和/或間距僅受用于形成叉指結(jié)構(gòu)(例如第一組金 屬化層114)的當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)制程(例如45納米、32納米或更小)及制造設(shè)備的限制。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，使用lx設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸的指狀結(jié)構(gòu)和導(dǎo)通孔的互連在亞90納米制程中變得越來(lái)越復(fù)雜。通常，在亞90納米制程中，在lx設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸形成的導(dǎo)通 孔和指狀結(jié)構(gòu)會(huì)出現(xiàn)突出或錯(cuò)位，這些突出或錯(cuò)位會(huì)導(dǎo)致短路，從而對(duì)VNCAP結(jié)構(gòu)的可靠 性產(chǎn)生不利影響。例如，由于各第一組金屬化層114中呈叉指排列的垂直堆迭指狀結(jié)構(gòu)彼 此平行，從一層至下一層的互連導(dǎo)通孔和/或指狀結(jié)構(gòu)的任何錯(cuò)位都會(huì)導(dǎo)致不希望看到的 電容變化和短路。本發(fā)明人通過(guò)在第一組金屬化層114的第一指狀結(jié)構(gòu)108和第二指狀結(jié)構(gòu)110的 相鄰層之間不形成任何導(dǎo)通孔來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。例如，在第一金屬化層(Ml)和第二金屬化 層(M2)之間無(wú)任何導(dǎo)通孔互連第一指狀結(jié)構(gòu)108和第二指狀結(jié)構(gòu)110的垂直堆迭指部，由 此，本發(fā)明人找到了方法來(lái)避免因突出和/或錯(cuò)位的導(dǎo)通孔所引起的短路、電容變化和可 靠性問(wèn)題。而且，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過(guò)形成第一指狀結(jié)構(gòu)108和第二指狀結(jié)構(gòu)110的垂直相鄰層 (其間并無(wú)導(dǎo)通孔)，可遵循lx設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸可靠地形成第一組金屬化層114。由于在 第一指狀結(jié)構(gòu)108和第二指狀結(jié)構(gòu)110的垂直相鄰層之間并無(wú)形成導(dǎo)通孔，因而無(wú)需藉由 放寬第一組金屬化層114的lx設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸來(lái)避免導(dǎo)通孔突出和/或錯(cuò)位引起的短 路、電容變化和可靠性問(wèn)題。此外，透過(guò)形成在第一指狀結(jié)構(gòu)108和第二指狀結(jié)構(gòu)110的垂 直相鄰層之間并無(wú)導(dǎo)通孔的VNCAP結(jié)構(gòu)，使第一組金屬化層114的lx設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸無(wú) 需放寬，因而增加了第一組金屬化層114的密度和單位電容。由于先前的方法總是試圖通過(guò)減少各lx級(jí)導(dǎo)通孔的間隔來(lái)增加導(dǎo)通孔數(shù)量，從 而增加lx級(jí)內(nèi)的單位電容，如表II示例的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)所示，因此本發(fā)明非常值得注意。表 II 此外，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過(guò)最大化形成在第一帶狀結(jié)構(gòu)104和第二帶狀結(jié)構(gòu)中的 帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112的數(shù)目或密度，可以抵消或改善由于在第一指狀結(jié)構(gòu)108和第二指狀 結(jié)構(gòu)110的相鄰層之間未形成導(dǎo)通孔所帶來(lái)的不利影響(例如品質(zhì)因素的降低)。最大化第 一帶狀結(jié)構(gòu)104和第二帶狀結(jié)構(gòu)中的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112的數(shù)目或密度有利于降低VNCAP 結(jié)構(gòu)的電阻，從而提升VNCAP結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因素。例如，可使用lx設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸和/或 加大第一帶狀結(jié)構(gòu)104和第二帶狀結(jié)構(gòu)106以容納更多的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112，從而最大化 帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112的數(shù)目或密度。本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，第一帶狀結(jié)構(gòu)104、第二帶狀結(jié)構(gòu)106、第一指狀 結(jié)構(gòu)108、第二指狀結(jié)構(gòu)110和帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112可由提供低電阻至電流通路的導(dǎo)電材料 所形成，例如金屬材料或半導(dǎo)體材料。而且，指狀結(jié)構(gòu)的材料成分可彼此不同，帶狀結(jié)構(gòu)和 帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔同樣如此。此外，指狀結(jié)構(gòu)、帶狀結(jié)構(gòu)和帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔的材料成分也無(wú)需 相同。另外，沉積在層次式VNCAP結(jié)構(gòu)周圍的介電材料可包括任意類型的材料，其能夠 承受電場(chǎng)并作為絕緣體使導(dǎo)體彼此隔離。在至少一個(gè)實(shí)施例中，所述介電材料可包括低介 電常數(shù)材料，例如介電常數(shù)值約在3. 9以下的介電材料。其它實(shí)施例中，介電材料可包括多種具有不同介電常數(shù)的介電材料，以最優(yōu)化VNCAP結(jié)構(gòu)的電容值。不過(guò)，應(yīng)當(dāng)理解的是，上述例子并非限制本發(fā)明，導(dǎo)電材料和介電材料的選擇僅受 組件設(shè)計(jì)和制程的限制。圖4放大顯示方框4所界定的區(qū)域，后面有進(jìn)一步描述。圖2顯示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在后端工藝制造階段的集成電路系統(tǒng)100的局部俯視 圖，該集成電路系統(tǒng)100包括第二組金屬化層210。圖2所描述的構(gòu)造類似圖1，因此下面 僅描述二者之間的區(qū)別，以避免贅述。本實(shí)施例的第二組金屬化層210包括在圖4的第一組金屬層400上方形成的第一 帶狀結(jié)構(gòu)200、第二帶狀結(jié)構(gòu)202、第一指狀結(jié)構(gòu)204、第二指狀結(jié)構(gòu)206以及帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通 孔208。本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，可在相同或不同金屬層的帶狀結(jié)構(gòu)、指狀結(jié)構(gòu)和導(dǎo) 通孔之間形成介電材料(未圖示)。第二組金屬化層210可稱為金屬層。一個(gè)實(shí)施例中，第 二組金屬化層210的金屬線的厚度是圖1所示的第一組金屬化層114的金屬線的厚度的兩 倍。通常，可將一個(gè)或多個(gè)第二組金屬化層210，例如第五金屬化層(M5)、第六金屬化 層(M6)和/或第七金屬化層(M7)，可垂直堆迭而形成一組金屬層。但是，應(yīng)當(dāng)理解，可以采 用任意數(shù)目的第二組金屬化層210來(lái)獲得具有期望電容值的VNCAP結(jié)構(gòu)。而且，本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，與第一組金屬層400直接相鄰的第二組金 屬化層210可通過(guò)帶狀結(jié)構(gòu)與第一組金屬層400的頂部金屬層電性連接。例如，最底下的帶 狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208連接圖1中最上面的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112 (亦即，帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208橋 接于圖1的第一組金屬化層114和第二組金屬化層210之間)。在至少一個(gè)實(shí)施例中，與最 上面的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔112互連的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208可形成為雙鑲嵌(dual damascene) 結(jié)構(gòu)的一部分，該雙鑲嵌結(jié)構(gòu)形成帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208與第一帶狀結(jié)構(gòu)200和/或帶狀結(jié) 構(gòu)導(dǎo)通孔208與第二帶狀結(jié)構(gòu)202。某些實(shí)施例中，第一帶狀結(jié)構(gòu)200和第二帶狀結(jié)構(gòu)202可比第一指狀結(jié)構(gòu)204和 第二指狀結(jié)構(gòu)206寬，以容納特定構(gòu)造或密度的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208。但是，本領(lǐng)域的技術(shù) 人員很容易了解，第一帶狀結(jié)構(gòu)200和第二帶狀結(jié)構(gòu)202的形狀或尺寸僅受VNCAP結(jié)構(gòu)的 設(shè)計(jì)規(guī)格限制。由本揭露顯而易見，可通過(guò)一個(gè)或多個(gè)帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208電性互連兩相 鄰層(例如M6和M7)的第一帶狀結(jié)構(gòu)200，并通過(guò)一個(gè)或多個(gè)帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208電性互 連兩相鄰層的第二帶狀結(jié)構(gòu)202。作為示例描述，本實(shí)施例描述的每一個(gè)第一帶狀結(jié)構(gòu)200和第二帶狀結(jié)構(gòu)202分 別通過(guò)14個(gè)帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208使每一層的每一帶狀結(jié)構(gòu)與相鄰層的各帶狀結(jié)構(gòu)互連。但 是，應(yīng)當(dāng)理解的是，本實(shí)施例所用的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208的數(shù)目不受前述例子的限制。在至 少一個(gè)實(shí)施例中，帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208的數(shù)目可更多或更少，并可隨組件設(shè)計(jì)參數(shù)、改進(jìn)單 位電容的需要、提升品質(zhì)因素的需要、減小導(dǎo)通孔電阻的需要和/或確保不同層的帶狀結(jié) 構(gòu)良好的電性互連的需要而變化。而且，應(yīng)當(dāng)理解，用于連接兩相鄰層的第一帶狀結(jié)構(gòu)200 的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208的數(shù)目不必與用于連接兩相鄰層的第二帶狀結(jié)構(gòu)202的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo) 通孔208的數(shù)目相同。在至少一個(gè)實(shí)施例中，形成在第一帶狀結(jié)構(gòu)200和/或第二帶狀結(jié)構(gòu)202上方的 帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208的數(shù)目和/或密度可大致等于依據(jù)2x最小尺寸設(shè)計(jì)規(guī)則配置所允許的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208的最大數(shù)目或密度。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，增加和/或最大化帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo) 通孔208的數(shù)目和/或密度可提升VNCAP的品質(zhì)因素。盡管本實(shí)施例描述特定數(shù)目的第一指狀結(jié)構(gòu)204和第二指狀結(jié)構(gòu)206，但是本領(lǐng) 域的技術(shù)人員很容易了解，各第二組金屬化層210可包括任意數(shù)目的第一指狀結(jié)構(gòu)204和 第二指狀結(jié)構(gòu)206。例如，第一指狀結(jié)構(gòu)204和第二指狀結(jié)構(gòu)206的數(shù)目可隨組件設(shè)計(jì)參數(shù) (例如當(dāng)前的工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn))、改進(jìn)單位電容的需要和/或提升品質(zhì)因素的需要而變化。較佳地，第一指狀結(jié)構(gòu)204、第二指狀結(jié)構(gòu)206和帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208通?？删?有最小寬度、最小間隔和最小間距，其可由所使用的制程設(shè)計(jì)規(guī)則確定(例如第二設(shè)計(jì)規(guī) 則)。例如，在至少一個(gè)實(shí)施例中，可使用2x設(shè)計(jì)規(guī)則配置來(lái)形成第一指狀結(jié)構(gòu)204、第二 指狀結(jié)構(gòu)206和帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208。通常，對(duì)于第二組金屬化層210，最好將于2x設(shè)計(jì)規(guī) 則配置的指狀結(jié)構(gòu)和導(dǎo)通孔之間的寬度、間隔和/或間距保持在2x設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸，以 最大化指狀結(jié)構(gòu)之間的密度和內(nèi)層電容，并減小總導(dǎo)通孔電阻。不過(guò)，應(yīng)當(dāng)理解，各第一指狀結(jié)構(gòu)204、第二指狀結(jié)構(gòu)206和帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208的 2x設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸寬度、間隔和/或間距僅受形成叉指結(jié)構(gòu)(例如第二組金屬化層210) 的當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)(例如45納米、32納米或更小)的制程與制造設(shè)備的限制。而且，應(yīng)當(dāng)理 解，第一指狀結(jié)構(gòu)204、第二指狀結(jié)構(gòu)206和帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208可根據(jù)設(shè)計(jì)要求(例如為 提升VNCAP結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因素或可靠性)單獨(dú)或集體形成超過(guò)2x設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸的寬度 或間隔尺寸(例如放寬的設(shè)計(jì)規(guī)則配置)。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，允許第一指狀結(jié)構(gòu)204、第二指狀結(jié)構(gòu)206和 帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208的寬度或間隔尺寸超過(guò)2x設(shè)計(jì)規(guī)則尺寸的寬松設(shè)計(jì)容差有利于放寬 系統(tǒng)的制程自由度，從而能夠使更多產(chǎn)品通過(guò)電性測(cè)試并滿足組件可靠性要求。值得注意的是，藉由使用2x設(shè)計(jì)規(guī)則形成第二組金屬化層210，可最大限度地減 輕在lx設(shè)計(jì)規(guī)則級(jí)所發(fā)生的由導(dǎo)通孔突起或錯(cuò)位引發(fā)的問(wèn)題。因此，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，可在 第一指狀結(jié)構(gòu)204和第二指狀結(jié)構(gòu)206的垂直相鄰層之間形成一個(gè)或多個(gè)指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔 212，使導(dǎo)通孔突起和/或錯(cuò)位的發(fā)生率降低。通常，本實(shí)施例的各指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212可彼此聯(lián)系形成，以使其構(gòu)造有利于增 加VNCAP結(jié)構(gòu)的單位電容、減小電阻并提升品質(zhì)因素。在至少一個(gè)實(shí)施例中，可形成具有大 約為2x設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸的寬度和間隔的各指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212。本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容 易了解，指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212的2x規(guī)則最小尺寸配置可最大化第二組金屬化層210的密度 和電容。而且，應(yīng)當(dāng)理解，各指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212的寬度、間隔和/或間距僅受形成垂直互 連的叉指結(jié)構(gòu)的當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)(例如45納米、32納米或更小)制程與制造設(shè)備的限制。此外，應(yīng)當(dāng)理解，指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212可根據(jù)設(shè)計(jì)要求(例如為提升VNCAP結(jié)構(gòu)的 品質(zhì)因素或可靠性)單獨(dú)或集體形成超過(guò)2x設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸的寬度或間隔尺寸(例如 放寬的設(shè)計(jì)規(guī)則進(jìn)行導(dǎo)通孔保守間隔構(gòu)造)。采用保守間隔構(gòu)造的指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212有 助于避免相鄰的指狀結(jié)導(dǎo)通孔212之間發(fā)生短路。一些實(shí)施例中，形成于第一指狀結(jié)構(gòu)204和第二指狀結(jié)構(gòu)206上方的各指狀結(jié)構(gòu) 導(dǎo)通孔212可相互錯(cuò)開，以便剖視時(shí)兩相鄰指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212不會(huì)重迭。通過(guò)在第一指 狀結(jié)構(gòu)204上方形成各指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212，就不會(huì)與第二指狀結(jié)構(gòu)206上方形成的相鄰指 狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212的長(zhǎng)度重迭，可大大降低由指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212錯(cuò)位引起的短路風(fēng)險(xiǎn)，并
11增加電容。換句話說(shuō)，如果在第一指狀結(jié)構(gòu)204上方形成的各指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212彼此間 隔矢量X，則在第二指狀結(jié)構(gòu)206上方形成的指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212之間同樣彼此間隔矢量 X，但相對(duì)第一指狀結(jié)構(gòu)204上方形成的指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212偏離大約1/2矢量X。此外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，本實(shí)施例可采用包括導(dǎo)通孔封閉規(guī)則 (enclosure rule)的設(shè)計(jì)規(guī)則技術(shù)，以確保沉陷金屬和覆蓋金屬以一定量封閉導(dǎo)通孔。換 句話說(shuō)，這些導(dǎo)通孔封閉規(guī)則確保各金屬層以一定量的額外金屬迭蓋導(dǎo)通孔，以確保該導(dǎo) 通孔于經(jīng)制造的兩金屬層間提供可靠連接。圖5放大顯示方框5界定的區(qū)域，后面有進(jìn)一步描述。圖3顯示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在后端工藝制造階段的集成電路系統(tǒng)100的局部俯視 圖，該集成電路系統(tǒng)100包括第三組金屬化層310。圖3所描述的構(gòu)造類似圖1和圖2，下 面僅描述它們之間的區(qū)別，以避免贅述。集成電路系統(tǒng)100可形成有第三組金屬化層310， 也可不具有第三組金屬化層310。本實(shí)施例的第三組金屬化層310包括在圖5的第二組金屬層500上方形成的第一 帶狀結(jié)構(gòu)300、第二帶狀結(jié)構(gòu)302、第一指狀結(jié)構(gòu)304、第二指狀結(jié)構(gòu)306以及帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通 孔308。本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，可在相同或不同金屬層的帶狀結(jié)構(gòu)、指狀結(jié)構(gòu)和導(dǎo) 通孔之間形成介電材料(未圖示)。第三組金屬化層310可稱為金屬層。通?？蓪⒁粋€(gè)或多個(gè)第三組金屬化層310例如第七金屬化層(M7)、第八金屬化層 (M8)和/或第九金屬化層(M9)垂直堆迭，從而形成一組金屬層。但是，應(yīng)當(dāng)理解，可以采用 任意數(shù)目的第三組金屬化層310來(lái)獲得具有期望電容值的VNCAP結(jié)構(gòu)。而且，本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，與第二組金屬層500直接相鄰的第三組金 屬化層310可通過(guò)帶狀結(jié)構(gòu)與第二組金屬層500的頂部金屬層電性連接。例如，最底下 的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308可連接圖2中最上面的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208 (亦即，帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通 孔308橋接于圖2的第二組金屬化層210和第三組金屬化層310之間)。在至少一個(gè)實(shí)施 例中，與最上面的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔208互連的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308可形成為雙鑲嵌(dual damascene)結(jié)構(gòu)的一部分，該雙鑲嵌結(jié)構(gòu)形成帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308和第一帶狀結(jié)構(gòu)300和 /或帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308和第二帶狀結(jié)構(gòu)302。某些實(shí)施例中，第一帶狀結(jié)構(gòu)300和第二帶狀結(jié)構(gòu)302可比第一指狀結(jié)構(gòu)304和 第二指狀結(jié)構(gòu)306寬，以容納特定構(gòu)造或密度的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308。但是，本領(lǐng)域的技術(shù) 人員很容易了解，第一帶狀結(jié)構(gòu)300和第二帶狀結(jié)構(gòu)302的形狀或尺寸僅受VNCAP結(jié)構(gòu)的 設(shè)計(jì)規(guī)格限制。由本揭露顯而易見，可通過(guò)一個(gè)或多個(gè)帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308電性互連兩相 鄰層(例如M8和M9)的第一帶狀結(jié)構(gòu)300，并通過(guò)一個(gè)或多個(gè)帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308電性互 連兩相鄰層的第二帶狀結(jié)構(gòu)302。作為示例描述，本實(shí)施例描述第一帶狀結(jié)構(gòu)300和第二帶狀結(jié)構(gòu)302分別通過(guò)7 個(gè)帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308將每一層的每一帶狀結(jié)構(gòu)與相鄰層的各別帶狀結(jié)構(gòu)互連。但是，應(yīng) 當(dāng)理解，本實(shí)施例所用的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308的數(shù)目不受前述例子的限制。在至少一個(gè)實(shí) 施例中，帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308的數(shù)目可更多或更少，并可隨組件設(shè)計(jì)參數(shù)、改進(jìn)單位電容的 需要、提升品質(zhì)因素的需要、減小導(dǎo)通孔電阻的需要和/或確保不同層的帶狀結(jié)構(gòu)良好的 電性互連的需要而變化。而且，應(yīng)當(dāng)理解，用于連接兩相鄰層的第一帶狀結(jié)構(gòu)300的帶狀結(jié) 構(gòu)導(dǎo)通孔308的數(shù)目不必與用于連接兩相鄰層的第二帶狀結(jié)構(gòu)302的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308的數(shù)目相同。在至少一個(gè)實(shí)施例中，在第一帶狀結(jié)構(gòu)300和/或第二帶狀結(jié)構(gòu)302上方形成的 帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308的數(shù)目和/或密度可大致等于依據(jù)> 2x最小尺寸設(shè)計(jì)規(guī)則配置(> 2xDR)所允許的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308的最大數(shù)目或密度。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，增加> 2x最小尺 寸設(shè)計(jì)規(guī)則配置的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308的數(shù)目和/或密度可提升VNCAP的品質(zhì)因素。本揭 露中，大于(> )2x設(shè)計(jì)規(guī)則(> 2xDR)可稱為第三設(shè)計(jì)規(guī)則。盡管本實(shí)施例描述特定數(shù)目的第一指狀結(jié)構(gòu)304和第二指狀結(jié)構(gòu)306，本領(lǐng)域的 技術(shù)人員很容易了解，各第三組金屬化層310可包括任意數(shù)目的第一指狀結(jié)構(gòu)304和第二 指狀結(jié)構(gòu)306。例如，第一指狀結(jié)構(gòu)304和第二指狀結(jié)構(gòu)306的數(shù)目可隨組件設(shè)計(jì)參數(shù)(例 如當(dāng)前工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn))、改進(jìn)單位電容的需要和/或提升品質(zhì)因素的需要而變化。較佳地，第一指狀結(jié)構(gòu)304、第二指狀結(jié)構(gòu)306和帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308通常可具 有最小寬度、最小間隔和最小間距，其可由所使用的制程設(shè)計(jì)規(guī)則確定(例如第三設(shè)計(jì)規(guī) 則)。例如，在至少一個(gè)實(shí)施例中，可使用> 2x設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸來(lái)形成第一指狀結(jié)構(gòu)304、 第二指狀結(jié)構(gòu)306和帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308。較佳地，對(duì)于第三組金屬化層310，將> 2x設(shè)計(jì) 規(guī)則配置的指狀結(jié)構(gòu)和導(dǎo)通孔之間的寬度、間隔和/或間距保持在> 2x設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸 以最大化指狀結(jié)構(gòu)之間的密度和內(nèi)層電容并減小總導(dǎo)通孔電阻。不過(guò)，應(yīng)當(dāng)理解，各第一指狀結(jié)構(gòu)304、第二指狀結(jié)構(gòu)306和帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308 的> 2x設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸寬度、間隔和/或間距僅受形成叉指結(jié)構(gòu)(例如第三組金屬化層 310)的當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)(例如45納米、32納米或更小)的制程與制造設(shè)備的限制。而且，應(yīng) 當(dāng)理解，第一指狀結(jié)構(gòu)304、第二指狀結(jié)構(gòu)306和帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308可根據(jù)設(shè)計(jì)要求(例 如為提升VNCAP結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因素或可靠性)單獨(dú)或集體形成超過(guò)> 2x設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸 的寬度或間隔尺寸(例如放寬的設(shè)計(jì)規(guī)則配置)。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是，允許第一指狀結(jié)構(gòu)304、第二指狀結(jié)構(gòu)306和 帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔308的寬度或間隔尺寸超過(guò)> 2x設(shè)計(jì)規(guī)則尺寸的寬松設(shè)計(jì)容差有利于放 寬系統(tǒng)的制程自由度，從而能夠使更多產(chǎn)品通過(guò)電性測(cè)試并滿足組件可靠性要求。值得注意的是，使用> 2x設(shè)計(jì)規(guī)則配置形成第三組金屬化層310可最大限度地減 輕在lx設(shè)計(jì)規(guī)則級(jí)發(fā)生的由導(dǎo)通孔突起或錯(cuò)位引發(fā)的問(wèn)題。因此，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，可在第 一指狀結(jié)構(gòu)304和第二指狀結(jié)構(gòu)306的垂直相鄰層之間形成一個(gè)或多個(gè)指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔 312，而導(dǎo)通孔突起和/或錯(cuò)位的發(fā)生率降低。通常，本實(shí)施例的各指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔312可彼此聯(lián)系形成，以使其構(gòu)造有利于增 加VNCAP結(jié)構(gòu)的單位電容、減小電阻并提升品質(zhì)因素。在至少一個(gè)實(shí)施例中，各指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo) 通孔312的寬度和間隔大致為> 2x設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸。本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，這 樣的構(gòu)造可最大化第三組金屬化層310的密度和電容。而且應(yīng)當(dāng)理解，各指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔 312的寬度、間隔和/或間距僅受形成垂直互連叉指結(jié)構(gòu)的當(dāng)前技術(shù)節(jié)點(diǎn)(例如45納米、32 納米或更小)的制程與制造設(shè)備的限制。不過(guò)，應(yīng)當(dāng)理解，指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔312可根據(jù)設(shè)計(jì)要求(例如為提升VNCAP結(jié)構(gòu)的 品質(zhì)因素或可靠性)單獨(dú)或集體形成超過(guò)>2x設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸的寬度或間隔尺寸(例 如放寬的設(shè)計(jì)規(guī)則配置)。一些實(shí)施例中，形成于第一指狀結(jié)構(gòu)304和第二指狀結(jié)構(gòu)306上方的各指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔312可相互錯(cuò)開，以便剖視時(shí)兩相鄰指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔312不會(huì)重迭。在第一指狀結(jié) 構(gòu)304上方形成各指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔312并且不與第二指狀結(jié)構(gòu)306上方形成的相鄰指狀結(jié) 構(gòu)導(dǎo)通孔312重迭，可大大降低由指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔312錯(cuò)位引起的短路風(fēng)險(xiǎn)，并增加電容。 換句話說(shuō)，如果在第一指狀結(jié)構(gòu)304上方形成的各指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔312彼此間隔矢量X，則 在第二指狀結(jié)構(gòu)306上方形成的指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔312之間同樣彼此間隔矢量X，但相對(duì)第一 指狀結(jié)構(gòu)304上方形成的指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔312偏離大約1/2矢量X。此外，體領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，本實(shí)施例的總電容(例如VNCAP結(jié)構(gòu)，包括 不具指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔的金屬化層和具有指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔的金屬化層)超過(guò)現(xiàn)有技術(shù)中在 VNCAP結(jié)構(gòu)的各層都使用指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔或在任何層都不使用指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔而形成的電 容。而且，本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，本實(shí)施例可采用包括導(dǎo)通孔封閉規(guī)則 (enclosure rule)的設(shè)計(jì)規(guī)則技術(shù)，以確保沉陷金屬和覆蓋金屬以一定量封閉導(dǎo)通孔。換 句話說(shuō)，這些導(dǎo)通孔封閉規(guī)則確保各金屬層以一定量的額外金屬迭蓋導(dǎo)通孔，以確保該導(dǎo) 通孔可靠連接兩金屬層.圖6放大顯示方框6界定的區(qū)域，后面有進(jìn)一步描述。圖4為圖1的方框4內(nèi)區(qū)域的三維局部放大示意圖。通過(guò)此圖可以看出，可垂直堆迭多個(gè)第一組金屬化層114以形成第一組金屬層 400。盡管圖中第一組金屬層400僅包括兩個(gè)第一組金屬化層114，但應(yīng)當(dāng)理解，第一組金屬 層400可包括任意數(shù)目的第一組金屬化層114，以獲得具有期望電容值的VNCAP結(jié)構(gòu)。例 如，第一組金屬層400可包括一個(gè)或多個(gè)垂直堆迭層，例如第一金屬化層(Ml)、第二金屬化 層(M2)、第三金屬化層(M3)、第四金屬化層(M4)和/或第五金屬化層(M5)，這些層統(tǒng)稱為 第一組金屬層400。從圖中可清楚看到，垂直堆迭的相鄰金屬層的第一指狀結(jié)構(gòu)108和/或第二指狀 結(jié)構(gòu)110之間未形成指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔。由于無(wú)指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔形成，因此避免了錯(cuò)位和/ 或突出導(dǎo)通孔引起的短路問(wèn)題，從而提升VNCAP結(jié)構(gòu)的可靠性，同時(shí)增加第一組金屬層400 的密度和電容。本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，第一組金屬層400可通過(guò)同級(jí)(thesame intra-level)金屬層內(nèi)的第一指狀結(jié)構(gòu)108和第二指狀結(jié)構(gòu)110的電位差形成電容。圖5為圖2的方框5內(nèi)區(qū)域的局部三維放大示意圖。通過(guò)此圖可以看出，可垂直堆迭多個(gè)第二組金屬化層210以形成第二組金屬層 500。盡管圖中第二組金屬層500僅包括兩個(gè)第二組金屬化層210，但應(yīng)當(dāng)理解，第二組金屬 層500可包括任意數(shù)目的第二組金屬化層210，以獲得具有期望電容值的VNCAP結(jié)構(gòu)。例 如，第二組金屬層500可包括一個(gè)或多個(gè)垂直堆迭金屬層，例如第五金屬化層(M5)、第六金 屬化層(M6)和/或第七金屬化層(M7)，這些層統(tǒng)稱為第二組金屬層500。從圖中可清楚看到，垂直堆迭的相鄰金屬層的第一指狀結(jié)構(gòu)204和/或第二指狀 結(jié)構(gòu)206之間形成指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212。藉由在垂直堆迭的相鄰金屬層的第一指狀結(jié)構(gòu)204 和/或第二指狀結(jié)構(gòu)206之間形成指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212，所述導(dǎo)通孔212有助于增加VNCAP 結(jié)構(gòu)的單位電容，減小電阻并增加品質(zhì)因素。應(yīng)當(dāng)理解，第二組金屬層500可通過(guò)同級(jí)內(nèi)和級(jí)間金屬層的第一指狀結(jié)構(gòu)204和第二指狀結(jié)構(gòu)206的電位差形成期望電容。本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通 孔212可促進(jìn)系統(tǒng)寄生電容的形成，從而增加系統(tǒng)的總電容。圖6為圖3的虛線方框6內(nèi)區(qū)域的局部三維放大示意圖。通過(guò)此圖可以看出，可垂直堆迭多個(gè)第三組金屬化層310以形成第三組金屬層 600。盡管圖中第三組金屬層600僅包括兩個(gè)第三組金屬化層310，但應(yīng)當(dāng)理解第三組金屬 層600可包括任意數(shù)目(一個(gè)或多個(gè))的第三組金屬化層310，以獲得具有期望電容值的 VNCAP結(jié)構(gòu)。例如，第三組金屬層600可包括一個(gè)或多個(gè)垂直堆迭層，例如第七金屬化層 (M7)、第八金屬化層(M8)和/或第九金屬化層(M9)，這些層統(tǒng)稱為第三組金屬層600。本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，圖1-3的集成電路系統(tǒng)100進(jìn)一步包括在第三組 金屬層600上方形成的其它組金屬層，例如第四組金屬層、第五組金屬層等等，而這是集成 電路系統(tǒng)100的設(shè)計(jì)要求所需要的。從圖中可清楚看到，垂直堆迭的相鄰金屬層的第一指狀結(jié)構(gòu)304和/或第二指狀 結(jié)構(gòu)306之間形成指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔312。所述導(dǎo)通孔312有助于增加VNCAP結(jié)構(gòu)的單位電 容，減小電阻并增加品質(zhì)因素。因此，第三組金屬層600可通過(guò)同級(jí)內(nèi)和級(jí)間金屬層的第一指狀結(jié)構(gòu)304和第二 指狀結(jié)構(gòu)306的電位差形成期望電容。本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔312 可促進(jìn)系統(tǒng)寄生電容的形成，從而增加系統(tǒng)的總電容。圖7顯示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例集成電路系統(tǒng)100中指狀結(jié)構(gòu)700和指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通 孔的局部剖視示意圖。應(yīng)當(dāng)理解，這里為表述清楚除去了指狀結(jié)構(gòu)700之間的電介質(zhì)。示 例示意圖描述如何在指狀結(jié)構(gòu)700之間形成不具有指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔的第一組金屬層400、 具有指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212的第二組金屬層500和具有指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔312的第三組金屬層 600。此實(shí)施例中，各第一組金屬層400、第二組金屬層500和第三組金屬層600中的指狀結(jié) 構(gòu)700可具有不同的厚度和/或?qū)挾?。在至少一個(gè)實(shí)施例中，可采用與各設(shè)計(jì)規(guī)則一致的比例形成層間間隔和級(jí)間間隔。圖8顯示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例集成電路系統(tǒng)100中指狀結(jié)構(gòu)700和指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔 的局部剖視示意圖。應(yīng)當(dāng)理解，這里為表述清楚除去了指狀結(jié)構(gòu)700之間的電介質(zhì)。示例示 意圖描述如何在指狀結(jié)構(gòu)700之間形成不具有指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔的第一組金屬層400、具有 指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212的第二組金屬層500和具有指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔312的第三組金屬層600。 此實(shí)施例中，兩組或多組金屬層中的指狀結(jié)構(gòu)700具有大體相同的厚度和/或?qū)挾?，而其?組金屬層具有不同的厚度和/或?qū)挾?。例如，在至少一個(gè)實(shí)施例中，第一組金屬層400和第二組金屬層500可采用大體與 各金屬化級(jí)(例如lx設(shè)計(jì)規(guī)則厚度和/或?qū)挾?相同的指狀結(jié)構(gòu)700的厚度和/或?qū)挾龋?而第三組金屬層600可采用4x設(shè)計(jì)規(guī)則。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解，盡管可采用更大的 寬度和/或間隔配置形成指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212，但也可采用lx設(shè)計(jì)規(guī)則寬度和/或間隔配 置來(lái)形成。由本揭露顯而易見，指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212可包括交錯(cuò)構(gòu)造。應(yīng)當(dāng)理解，為了在第二組金屬層500內(nèi)容納指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔212，位于第二組金屬 層500的指狀結(jié)構(gòu)700彼此之間的間距大于第一組金屬層400。在此情況下，第二組金屬 層500的指狀結(jié)構(gòu)700之間形成放寬的間距，例如間隔和/或間距比第一組金屬層400的
15間隔和/或間距寬約20%到30%，以使第二組金屬層500容納指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔，以避免形 成突出和/或錯(cuò)位的指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔，從而防止短路。由本揭露顯而易見，與傳統(tǒng)的VNCAP 結(jié)構(gòu)相比，本實(shí)施例的VNCAP構(gòu)造也可提升電容密度、可靠性和射頻性能。本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易了解，本實(shí)施例允許鄰近4x設(shè)計(jì)規(guī)則金屬化級(jí)(例如第 三組金屬層600)形成一個(gè)或多個(gè)Ix設(shè)計(jì)規(guī)則金屬化級(jí)(例如第一組金屬層400和第二組 金屬層500)。在至少一實(shí)施例中，可采用與各設(shè)計(jì)規(guī)則一致的比例形成層間間隔和級(jí)間間隔。圖9顯示依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例制造集成電路系統(tǒng)100的方法900的流程圖。該方法 900包括在方塊902中，提供包括前端工藝電路的基板；在方塊904中，采用第一設(shè)計(jì)規(guī)則 在所述基板上方形成包括第一指狀結(jié)構(gòu)和第二指狀結(jié)構(gòu)的第一組金屬層，該第一組金屬層 未形成指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔；在方塊906中，采用第二設(shè)計(jì)規(guī)則在所述第一組金屬層上方形成 包括第一指狀結(jié)構(gòu)、第二指狀結(jié)構(gòu)和指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔的第二組金屬層，該第二設(shè)計(jì)規(guī)則大 于所述第一設(shè)計(jì)規(guī)則；以及在方塊908中，互連所述第一組金屬層和第二組金屬層，以形成 電容器。因此，本發(fā)明的集成電路系統(tǒng)和器件或產(chǎn)品是一種前所未有的解決方案，其增加 了 VNCAP結(jié)構(gòu)的單位電容和品質(zhì)因素，同時(shí)減小了 VNCAP結(jié)構(gòu)的電阻。所述方法、流程、裝置、器件、產(chǎn)品和/或系統(tǒng)簡(jiǎn)單明了、經(jīng)濟(jì)有效、靈活多變、精 確、靈敏而有效，可適應(yīng)現(xiàn)有組件進(jìn)行簡(jiǎn)單、有效、經(jīng)濟(jì)的制造、應(yīng)用和使用。本發(fā)明具有諸多優(yōu)點(diǎn)。一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)在層次式VNCAP結(jié)構(gòu)的Ix設(shè)計(jì)規(guī)則金屬 化層中相鄰層的指狀結(jié)構(gòu)之間不形成導(dǎo)通孔，得以極大地減輕突出或錯(cuò)位導(dǎo)通孔引發(fā)的可 靠性問(wèn)題。本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)遵循> 2x設(shè)計(jì)規(guī)則金屬化層的最小設(shè)計(jì)規(guī)則形成交 錯(cuò)的指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔，得以增加層次式VNCAP結(jié)構(gòu)的單位電容、減小電阻并增加品質(zhì)因素。本發(fā)明的再一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)遵循金屬化層的最小設(shè)計(jì)規(guī)則(例如Ix設(shè)計(jì)規(guī)則最 小尺寸、2x設(shè)計(jì)規(guī)則最小尺寸等)形成帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔，得以提升層次式VNCAP結(jié)構(gòu)的品質(zhì) 因素，以減小總導(dǎo)通孔電阻。本發(fā)明的再一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是其符合降低成本、簡(jiǎn)化系統(tǒng)、提高性能的歷史性發(fā)展趨勢(shì)。 因此本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)提升了技術(shù)水平。盡管本文結(jié)合特定實(shí)施例描述了本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù) 上述說(shuō)明進(jìn)行替換和更改。因此，所有此類替換和變更均落入權(quán)利要求范圍。上述內(nèi)容或 附圖所示內(nèi)容均為描述性質(zhì)，而非限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
一種集成電路系統(tǒng)的制造方法，包括提供包括前端工藝電路的基板；采用第一設(shè)計(jì)規(guī)則在所述基板上方形成包括第一指狀結(jié)構(gòu)和第二指狀結(jié)構(gòu)的第一組金屬層，該第一組金屬層未形成指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔；采用第二設(shè)計(jì)規(guī)則在所述第一組金屬層上方形成包括第一指狀結(jié)構(gòu)、第二指狀結(jié)構(gòu)和指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔的第二組金屬層，該第二設(shè)計(jì)規(guī)則大于所述第一設(shè)計(jì)規(guī)則；以及互連所述第一組金屬層和第二組金屬層，從而形成電容器。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路系統(tǒng)的制造方法，其中，形成的指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔包括 交錯(cuò)構(gòu)造。
3.如權(quán)利要求1所述的集成電路系統(tǒng)的制造方法，其中，采用所述第一設(shè)計(jì)規(guī)則形成 所述第一組金屬層包括形成當(dāng)前工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)所允許的最小可重復(fù)特征尺寸。
4.如權(quán)利要求1所述的集成電路系統(tǒng)的制造方法，其中，互連所述第一組金屬層和第 二組金屬層包括來(lái)自所述第二組金屬層的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔。
5.如權(quán)利要求1所述的集成電路系統(tǒng)的制造方法，進(jìn)一步包括圍繞所述第一組金屬 層和第二組金屬層沉積介電常數(shù)值在3. 9以下的介電材料。
6.一種集成電路系統(tǒng)，包括包括前端工藝電路的基板；位于該基板上方包括第一指狀結(jié)構(gòu)和第二指狀結(jié)構(gòu)的第一組金屬層，該第一組金屬層 的構(gòu)造遵循第一設(shè)計(jì)規(guī)則且不具有指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔；位于該第一組金屬層上方包括第一指狀結(jié)構(gòu)、第二指狀結(jié)構(gòu)和指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔的第二 組金屬層，該第二組金屬層的構(gòu)造遵循第二設(shè)計(jì)規(guī)則且該第二設(shè)計(jì)規(guī)則大于所述第一設(shè)計(jì) 規(guī)則；以及所述第一組金屬層與第二組金屬層互連形成電容器。
7.如權(quán)利要求6所述的集成電路系統(tǒng)，其中，所述指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔包括交錯(cuò)構(gòu)造。
8.如權(quán)利要求6所述的集成電路系統(tǒng)，其中，所述第一組金屬層包括當(dāng)前工藝技術(shù)節(jié) 點(diǎn)所允許的最小可重復(fù)特征尺寸。
9.如權(quán)利要求6所述的集成電路系統(tǒng)，其中，所述第一組金屬層和第二組金屬層的互 連包括來(lái)自所述第二組金屬層的帶狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔。
10.如權(quán)利要求6所述的集成電路系統(tǒng)，進(jìn)一步包括圍繞所述第一組金屬層和第二組 金屬層且介電常數(shù)值在3. 9以下的介電材料。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有多級(jí)電容器的集成電路系統(tǒng)及其制造方法。其中一種集成電路系統(tǒng)的制造方法，包括提供包括前端工藝電路的基板；采用第一設(shè)計(jì)規(guī)則在所述基板上方形成包括第一指狀結(jié)構(gòu)和第二指狀結(jié)構(gòu)的第一組金屬層，該第一組金屬層未形成指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔；采用第二設(shè)計(jì)規(guī)則在所述第一組金屬層上方形成包括第一指狀結(jié)構(gòu)、第二指狀結(jié)構(gòu)和指狀結(jié)構(gòu)導(dǎo)通孔的第二組金屬層，該第二設(shè)計(jì)規(guī)則大于所述第一設(shè)計(jì)規(guī)則；互連所述第一組金屬層和第二組金屬層，從而形成電容器。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101894795SQ20101018288
公開日2010年11月24日 申請(qǐng)日期2010年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月22日
發(fā)明者張少?gòu)?qiáng), 趙國(guó)偉, 鞠韶復(fù), 黃澤慧 申請(qǐng)人:新加坡格羅方德半導(dǎo)體制造私人有限公司