專利名稱：用于電氣電子部件的銅合金材料及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于電氣電子設(shè)備的部件，例如連接器、端子材料等，尤其涉及適用于 要求高導(dǎo)電性的高頻繼電器、開關(guān)或者用于汽車車載的連接器、端子材料以及引線框等電 氣電子部件的銅合金材料。
背景技術(shù)：
迄今，在連接器、端子、繼電器、開關(guān)等用于電氣電子設(shè)備的部件中一直使用了 黃銅(C26000)、磷青銅(C51910, C52120, C52100)、鈹青銅(C17200, C17530)以及鋼鎳硅 系銅合金(以下，簡稱為鋼鎳硅銅，例如C70250)等銅合金。其中，(CXXXXX)是指 CDA(Copper Development Association，銅業(yè)發(fā)展協(xié)會)中規(guī)定的銅合金的種類。近年來，隨著電氣電子設(shè)備中使用的電流變大，對于用于電氣電子設(shè)備的部件所 使用的銅合金材料也要求高導(dǎo)電性。例如，黃銅和磷青銅的導(dǎo)電性低，作為連接器材料的鋼 鎳硅銅顯示中度導(dǎo)電性(導(dǎo)電率約為40% IACS)，但被要求具有更高的導(dǎo)電性。此外，鈹青 銅的價(jià)格昂貴也是眾所周知的。另一方面，具有高導(dǎo)電性的純銅(CllOOO)和錫銅(C14410) 等具有強(qiáng)度低的缺點(diǎn)。因此，期望有一種比以往的鋼鎳硅銅更高的導(dǎo)電性并具有等同的抗 拉強(qiáng)度、彎曲加工性的銅合金。作為滿足該要求的銅合金，Cu-Co(鈷)-Si (硅)系合金廣 受矚目。該Cu-Co-Si系合金是利用了 Co和Si的金屬間化合物的析出強(qiáng)化型銅合金。特別是，在近幾年的電子設(shè)備部件中，隨著設(shè)備的小型化，出現(xiàn)了復(fù)雜且彎曲加工 性嚴(yán)格的連接器和端子。這是因?yàn)殡S著小型化，連接器的大小也趨于小型化，但為了確保 接觸可靠性，想將接觸長度取得盡可能長。基于這種設(shè)計(jì)思想的連接器和端子常被稱為波 紋彎曲連接器或者波紋彎曲端子。因此，在小部件中裝配/設(shè)置復(fù)雜彎曲的端子和連接器 的要求高。另一方面，隨著小型化，所使用的連接器和端子的材料變得越來越薄。這從輕量 化、節(jié)約資源的角度出發(fā)也在在不斷變薄。薄的材料與厚的材料相比，為確保相同的接觸壓 力，被要求高的強(qiáng)度。作為提高銅合金材料強(qiáng)度的方法，有固溶強(qiáng)化、加工強(qiáng)化、析出強(qiáng)化等各種方法。 在銅合金材料中，導(dǎo)電性和強(qiáng)度通常成相反關(guān)系，并且已知析出強(qiáng)化作為在不降低銅合金 材料的導(dǎo)電性的情況下提高其強(qiáng)度的方法而被期待。析出強(qiáng)化是以下方法對添加有引起 析出的元素的合金進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，以使這些元素固溶到銅基體(銅母相)中，之后用比所 述固溶時(shí)的溫度低的溫度進(jìn)行熱處理以使固溶元素析出。例如，鈹銅、鎳硅銅等采用了這種 強(qiáng)化方法。但是，銅合金材料中，除了導(dǎo)電性和強(qiáng)度的關(guān)系，彎曲加工性和強(qiáng)度的關(guān)系也相 反。雖然認(rèn)為提高最后的冷軋率是提高強(qiáng)度的有效做法，但若提高冷軋率則彎曲加工性即 有顯著劣化的傾向。迄今，一直認(rèn)為作為析出型銅合金的鈹銅、鎳硅銅、鈦銅等的彎曲加工 性和強(qiáng)度平衡性良好。然而，鈹銅的添加元素鈹為環(huán)境負(fù)荷物質(zhì)，因此要求替代材料。另外， 鎳硅銅和鈦銅通常不具有50% IACS以上的導(dǎo)電性。作為要求50% IACS以上的高導(dǎo)電性 的用途，例如有施加高電流的電池端子和繼電器接點(diǎn)等。另外，由于通常具有高導(dǎo)電率的材料其熱傳導(dǎo)性也優(yōu)異，因此對于要求散熱性的CPU(集成運(yùn)算器件)的插座或散熱片等的材 料也要求高導(dǎo)電性。特別地，近年來混合動力汽車和進(jìn)行高速處理的CPU要求具有高導(dǎo)電 性和高強(qiáng)度的材料。由如上背景來看，考慮強(qiáng)度、彎曲加工性、導(dǎo)電性(熱傳導(dǎo)性)，利用了由Co和Si 合成的金屬間化合物的銅合金越來越受矚目。作為必須包含Co和Si的銅合金如下已被公 知。在專利文獻(xiàn)1中公開了一種銅合金，其除了 Co和Si外，還必須包含Si(鋅)、 Mg(鎂)、S(硫磺)以改善熱軋加工性能。在專利文獻(xiàn)2中公開了在專利文獻(xiàn)3中公開了在專利文獻(xiàn)4中公開了在專利文獻(xiàn)5中公開了在專利文獻(xiàn)6中公開了專利文獻(xiàn)1專利文獻(xiàn)2專利文獻(xiàn)3專利文獻(xiàn)4專利文獻(xiàn)5專利文獻(xiàn)6
種合金，其除了 Co和Si外，還包含Mg、Zn、Sn (錫)。
種合金，其除了 Co和Si外，還必須包含Sn、Zn。 種用于引線框架的析出強(qiáng)化型合金的Cu-Co-Si系合金t 種析出夾雜物的大小為2 μ m以下的Cu-Co-Si系合金。
種析出Co2Si化合物的Cu-Co-Si系合金。 日本專利文獻(xiàn)特開昭61-87838號公報(bào) 日本專利文獻(xiàn)特開昭63-307232號公報(bào) 日本專利文獻(xiàn)特開平02-U9326號公報(bào) 日本專利文獻(xiàn)特開平02-277735號公報(bào) 日本專利文獻(xiàn)特開平2008-88512號公報(bào) 日本專利文獻(xiàn)特開平2008-56977號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題但是，上述專利文獻(xiàn)1 6所公開的技術(shù)中存在如下的問題。例如，上述文獻(xiàn)中的銅合金材料并未以諸如電氣電子部件用途那樣同時(shí)滿足強(qiáng) 度、導(dǎo)電性、焊料潤濕性、焊料附著強(qiáng)度為目的，并且也沒有詳細(xì)提及其合金的狀態(tài)。而且，各專利文獻(xiàn)中記載的技術(shù)均沒有高水平地滿足強(qiáng)度、彎曲加工性、導(dǎo)電性等 全部。專利文獻(xiàn)1公開的技術(shù)是與本發(fā)明不同，將S作為必要組成元素的銅合金，其目的 也與本發(fā)明不同，在于提高熱加工性。因此，例如在專利文獻(xiàn)1中對析出物(特別是C0和 Si的析出物)沒有任何記載，也不清楚析出物為何種物質(zhì)，并且他們的控制方法也不清楚。 此外，也沒有記載作為電氣電子部件被要求的強(qiáng)度和導(dǎo)電性等諸多特性的評價(jià)結(jié)果。專利文獻(xiàn)2中盡管記載了 Co和Si的析出物為Co2Si化合物，但該析出物的詳細(xì) 情況(粒徑)和控制方法不清楚。作為制造方法，雖然記載了在500°C下進(jìn)行1小時(shí)或者 在450°C下進(jìn)行1小時(shí)的燒燉處理，但沒有記載再結(jié)晶處理，即便有記載，母材的結(jié)晶粒徑 也不清楚。換句話說，根據(jù)專利文獻(xiàn)2公開的技術(shù)的銅合金作為要求高導(dǎo)電率以及高強(qiáng)度 的電氣電子部件用途的銅合金其特性不足。專利文獻(xiàn)3中也記載了 Co和Si的析出物為Co2Si,但不清楚該析出物的詳細(xì)情況 (粒徑等)和控制方法，并且其導(dǎo)電率在30 % IACS以下，較低。而且，作為制造方法，雖然記 載了在400 500°C范圍內(nèi)進(jìn)行一小時(shí)的燒燉之前，在950°C下進(jìn)行固溶處理和冷軋?zhí)幚恚珜?dǎo)電率在30% IACS以下，較低，作為要求高導(dǎo)電率以及高強(qiáng)度的電氣電子部件用途的銅 合金其特性不足。專利文件4中記載的Cu-Co-Si系合金是用于引線框用途的，并且記載了是析出強(qiáng) 化型合金，但不清楚形成析出物的具體化合物以及其詳細(xì)情況(粒徑等)。并且，作為制造 方法，雖記載了在500°C下進(jìn)行1小時(shí)的熱處理之后，進(jìn)行熱軋和在300°C下進(jìn)行1個(gè)小時(shí) 的低溫?zé)裏?。但關(guān)于再結(jié)晶處理沒有任何記載，即便有記載也不清楚母材的結(jié)晶粒徑。也 就是說，根據(jù)專利文獻(xiàn)4中公開的技術(shù)的銅合金作為要求高導(dǎo)電率以及高強(qiáng)度的電氣電子 部件用途的銅合金其特性不足。專利文獻(xiàn)5中記載的Cu-Co-Si系合金記載了在該合金中析出的夾雜物的大小為 2μπι以下，但不清楚夾雜物的規(guī)定方法等詳細(xì)信息。并且只示出了將鑄塊直接在室溫下經(jīng) 過軋制處理而制造的例子。這里，如果考慮為了得到期望的合金特性通常需要嚴(yán)格地控制 粒徑，則根據(jù)專利文獻(xiàn)5中公開的技術(shù)的銅合金作為要求高導(dǎo)電率以及高強(qiáng)度的電氣電子 部件用途的銅合金其特性不足。專利文獻(xiàn)6也記載了 Co和Si的析出物為Co2Si,但不清楚該析出物的詳細(xì)情況 (粒徑等)、控制方法以及密度。作為制造方法，雖然記載了在最終軋制之前在700 1050°C 下進(jìn)行熱處理，但又記載了析出的化合物在該溫度下再固溶(固溶化處理溫度)，因此最后 是否存在Co和Si的析出物是不清楚的。其結(jié)果，可以認(rèn)為作為要求高導(dǎo)電率以及高強(qiáng)度 的電氣電子部件用途的銅合金其特性不足。而且，在專利文獻(xiàn)5和專利文獻(xiàn)6中記載了當(dāng)將材料的內(nèi)側(cè)彎曲半徑設(shè)為R、板厚 設(shè)為t時(shí)，在特定的強(qiáng)度水平上以R/t = 1的條件評價(jià)彎曲加工性的例子，但該程度的水平 有時(shí)并非能夠滿足今后所要求的彎曲加工性。如上所述，專利文獻(xiàn)1 6中公開的技術(shù)內(nèi)存在不清楚的溫度和矛盾的問題，因此 僅通過專利文獻(xiàn)1 6中所公開的技術(shù)未能得到高導(dǎo)電率、高強(qiáng)度的材料，而且未能得到包 括抗應(yīng)力松弛特性(抗蠕變)在內(nèi)都滿足的材料。另外，為了得到足以作為要求高導(dǎo)電率以及高強(qiáng)度的電氣電子部件用途的銅合金 的合金特性，需要嚴(yán)格控制母材的結(jié)晶粒徑和析出物的粒徑，但各專利文獻(xiàn)中對此沒有任 何記載。即，根據(jù)各專利文獻(xiàn)中公開的發(fā)明的銅合金作為要求高導(dǎo)電率以及高強(qiáng)度的電氣 電子部件用途的銅合金其特性不足。因此，鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明的第一個(gè)要解決的問題在于，提供一種 導(dǎo)電性、強(qiáng)度優(yōu)異、并且抗應(yīng)力松弛特性優(yōu)異的適用于連接器、端子材料、繼電器等的銅合 金材料。另外，本發(fā)明的第二個(gè)要解決的問題在于，提供一種導(dǎo)電性、強(qiáng)度、焊料潤濕性、焊 料附著強(qiáng)度、彎曲加工性優(yōu)異的適用于連接器、端子材料、繼電器等的銅合金材料。而且，本發(fā)明的第三個(gè)要解決的問題在于，提供一種為滿足高導(dǎo)電性、高強(qiáng)度、優(yōu) 異的彎曲加工性所有條件而將Cu-Co-Si系銅合金的結(jié)晶粒徑的值控制在預(yù)定范圍內(nèi)的銅 合金材料。解決問題的手段本申請發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了在得到導(dǎo)電性、強(qiáng)度優(yōu)異、并且抗應(yīng)力松弛特性優(yōu)異的銅合 金材料時(shí)控制析出物大小和密度的最佳關(guān)系，并且經(jīng)反復(fù)研究最終完成了本發(fā)明。
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另外，本申請發(fā)明人尤其為了得到適用于要求高導(dǎo)電率以及高強(qiáng)度的電氣電子部 件用途的銅合金材料，還對銅合金材料的導(dǎo)電性與強(qiáng)度、彎曲加工性、焊料潤濕性、焊料附 著強(qiáng)度之間的關(guān)系進(jìn)行了反復(fù)研究并完成了本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明，可提供以下手段(1) 一種用于電氣電子部件的銅合金材料，其具有以下組成分別含有0. 5 2. 0 質(zhì)量％ (mass % )的Co (鈷)、0· 1 0.5質(zhì)量％ (mass % )的Si (硅元素)，剩余部分由 Cu (銅)和不可避免的雜質(zhì)組成；其中，母材的銅合金的結(jié)晶粒徑為3 35 μ m，由Co和Si 組成的析出物的粒子直徑為5 50nm，所述析出物的密度為1 X IO8 1 X 101°個(gè)/mm2，并且 作為銅合金材料的抗拉強(qiáng)度為550MPa以上，導(dǎo)電率為50% IACS以上。(2)如⑴所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，包含Sn(錫)、Mg(鎂) 中的至少一種，且總含量為0. 1 0. 5質(zhì)量％ (mass% )。(3)如⑴或⑵所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，包含Si(鋅)、 Mn(錳)中的至少一種，且總含量為0. 1 0.5質(zhì)量％ (mass% )0(4)如⑴至(3)任一項(xiàng)所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，包含總含 量為0. 1 1.0質(zhì)量％ (mass% )的選自Fe (鐵)、Cr (鉻)、Ni (鎳)的組中的至少一種。(5)如⑴至(4)任一項(xiàng)所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，所述銅合 金材料在溫度為150°C的大氣氣氛中經(jīng)過1000小時(shí)之后的應(yīng)力松弛率不足40%。(6) 一種用于電氣電子部件的銅合金材料的制造方法，其特征在于，包括工序a， 將銅合金材料在500 600°C下進(jìn)行1 4小時(shí)的時(shí)效熱處理，其中所述銅合金材料具有以 下組成分別含有0. 5 2. 0質(zhì)量％ (mass% )的Co、0. 1 0. 5質(zhì)量％ (mass% )的Si， 剩余部分由Cu和不可避免的雜質(zhì)組成；以及工序b，在工序a之后，將使該銅合金材料從所 述時(shí)效熱處理時(shí)的溫度冷卻到300°C的冷卻速度設(shè)為20 100K/小時(shí)(K為絕對溫度)的 范圍，從而得到下述的銅合金材料母材的銅合金的結(jié)晶粒徑為3 35 μ m，由Co和Si組 成的析出物的粒子直徑為5 50nm，所述析出物的密度為1 X IO8 1 X 101°個(gè)/mm2，并且作 為銅合金材料的抗拉強(qiáng)度為550MPa以上，導(dǎo)電率為50% IACS以上。(7)如⑴所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，作為銅合金材料的表面粗糙 度以Ra表示為0. 2 μ m以下，并且以Rt表示為2 μ m以下。(8)如(7)所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，包含總含量為0.1 1.0質(zhì)量％ (mass% )的選自Si、Sn、Mg的組的至少一種。(9)如(7)或⑶所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，包含總含量為 0. 1 1.0質(zhì)量％ (mass% )的選自Fe、Cr、Ni的組的至少一種。(10) 一種用于電氣電子部件的銅合金材料的制造方法，其特征在于，包括下述工 序在對銅合金材料進(jìn)行時(shí)效熱處理之后，對該材料表面進(jìn)行酸溶解后進(jìn)行研磨，其中所 述銅合金材料具有以下組成含有0.5 2.0質(zhì)量％ (mass% )的Co、0. 1 0. 5質(zhì)量％ (mass% )的Si，剩余部分由Cu和不可避免的雜質(zhì)組成；從而得到下述銅合金材料母材的 銅合金的結(jié)晶粒徑為3 35 μ m，由Co和Si組成的析出物的粒子直徑為5 50nm，所述 析出物的密度為1 X IO8 1 X 101°個(gè)/mm2，并且作為銅合金材料的表面粗糙度以Ra表示為 0. 2 μ m以下且以Rt表示為2 μ m以下，抗拉強(qiáng)度為550MPa以上，導(dǎo)電率為50% IACS以上。(11)如⑴所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，Co的含量為0.7 2.0質(zhì)量％ (maSS% )，Co相對于Si的質(zhì)量比(Co/Si)為3以上且5以下，并且，母材的銅合金 的結(jié)晶粒徑的算術(shù)平均為3 20 μ m，標(biāo)準(zhǔn)偏差為8 μ m以下，所述標(biāo)準(zhǔn)偏差小于所述算術(shù)平 均。(12)如(11)所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，還包含總含量為 0. 01 1. 0質(zhì)量％ (mass% )的選自Cr、NiJe的組的至少一種，并且剩余部分為銅和不可 避免的雜質(zhì)。(13)如(11)或(12)所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，還包含總含量 為0. 01 1. 0質(zhì)量％ (mass% )的選自Sn、Mg、Zn、Mn的組的至少一種，并且剩余部分為銅 和不可避免的雜質(zhì)。(14)如(11) (13)任一項(xiàng)所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，還包含 總含量為0.01 1.0質(zhì)量％ (mass% )的選自Zr (鋯)、Ti (鈦)的組的至少一種，并且剩 余部分為銅和不可避免的雜質(zhì)。以下，將⑴至(5)項(xiàng)所述的用于電氣電子部件的銅合金材料以及(6)項(xiàng)所述的 用于電氣電子部件的銅合金材料的制造方法合稱為本發(fā)明的第一實(shí)施方式。并且，將(7)至(9)項(xiàng)所述的用于電氣電子部件的銅合金材料以及(10)項(xiàng)所述的 用于電氣電子部件的銅合金材料的制造方法合稱為本發(fā)明的第二實(shí)施方式。另外，將(11)至(14)項(xiàng)所述的用于電氣電子部件的銅合金材料合稱為本發(fā)明的 第三實(shí)施方式。這里，在不特別指出的情況下，本發(fā)明是指包括所述第一、第二、第三實(shí)施方式全 部之思ο這里，應(yīng)力松弛率通過基于日本展銅協(xié)會技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)“JCBA T309 :2001(暫時(shí))”的 懸臂法來測定。在本次的評價(jià)中，應(yīng)力松弛率越低，將銅合金材料用作連接器時(shí)的接觸壓力 就越不下降，可以說是好材料。另外，“析出物的粒子直徑(大小)”是指通過后面所述的方法而求出的析出物的 平均粒子直徑，“結(jié)晶粒徑”是指基于后面所述的JIS-H0501 (切斷法)來測定的值。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式，能夠提供強(qiáng)度、導(dǎo)電性、抗應(yīng)力松弛特性優(yōu)異的適于電 氣電子設(shè)備用途的銅合金材料。此外，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式，能夠提供強(qiáng)度以及導(dǎo)電率高并且焊料潤濕性、 焊料附著強(qiáng)度、彎曲加工性優(yōu)異的適于電氣電子設(shè)備用途的銅合金材料。而且，根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式，能夠提供強(qiáng)度、導(dǎo)電率、彎曲加工性優(yōu)異的適 于電氣電子設(shè)備用途的銅合金材料。本發(fā)明的上述以及其他的特征以及優(yōu)點(diǎn)通過適當(dāng)參考后附的附圖閱讀下述記載 的內(nèi)容將會更加清楚。


圖1是說明焊料附著強(qiáng)度的試驗(yàn)方法的模式圖。附圖標(biāo)記說明IEF線(銅覆鋼絲線)
2 焊料3試驗(yàn)用材料(銅合金材料)
具體實(shí)施例方式對本發(fā)明的銅合金材料的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。這里，“銅合金材料”是指 銅合金原材料(指沒有形狀概念的銅合金的各組分元素的混合物)，被加工成預(yù)定形狀(例 如，板、條、箔、棒、線等)之后的材料。另外，“母材的銅合金”是指不包含形狀概念的銅合
^^ ο另外，作為銅合金材料的具體例，對板材、條材進(jìn)行說明，但銅合金材料的形狀不 限于板材和條材。以下，對本發(fā)明的第一實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。首先，對構(gòu)成銅合金材料的銅合金原材料的組成和構(gòu)成元素進(jìn)行說明。本發(fā)明第 一實(shí)施方式的銅合金原材料組成中，必須的添加元素為Co(鈷)和Si (硅)。關(guān)于它們的添 加量，將Co設(shè)為0. 5 2. 0質(zhì)量％、將Si設(shè)為0. 1 0. 5質(zhì)量％的理由在于，如上所述，它 們形成Co2Si的金屬間化合物，有助于析出強(qiáng)化。如果Co量不足0.5質(zhì)量％，析出強(qiáng)化量 就會小，因此無法得到目標(biāo)強(qiáng)度550MPa，如果Co量超過2. 0質(zhì)量％，固溶化溫度就會變高， 會導(dǎo)致其效果飽和。另外，從該化合物的化學(xué)計(jì)量比來說，最佳的添加比為Co/SiN4.2，并且 以使該值不過度偏離(具體地落入3. 5 ^ Co/Si ^ 4. 8的范圍內(nèi))的方式確定了 Si的添 加量。此外，Co的優(yōu)選添加量根據(jù)進(jìn)行再結(jié)晶處理的溫度而不同。例如，如果進(jìn)行再結(jié) 晶處理的溫度為800 900°C，則Co添加量優(yōu)選為0. 5 1. 2質(zhì)量％的范圍，如果進(jìn)行再 結(jié)晶處理的溫度為900 小于950°C，則Co添加量優(yōu)選為1. 0 2. 0質(zhì)量％的范圍。這由 下面規(guī)定的作為銅合金材料的原材料的銅合金的結(jié)晶粒徑?jīng)Q定。進(jìn)行再結(jié)晶處理的溫度可 以為800 1025°C，當(dāng)Co添加量為1. 0 2. 0質(zhì)量％時(shí)，可將再結(jié)晶處理時(shí)的溫度設(shè)定為 900 1025°C范圍。在本發(fā)明的第一實(shí)施方式中，作為銅合金材料的母材的銅合金的結(jié)晶粒徑設(shè)為 3 35 μ m范圍內(nèi)。這是因?yàn)槿绻Y(jié)晶粒徑為3 μ m以上，就不存在造成包含具有再結(jié)晶不 充分的部分的未再結(jié)晶的混粒的危險(xiǎn)，并可提高彎曲加工性。此外，如果結(jié)晶粒徑為35μπι 以下，晶界密度就會變高，能夠充分吸收彎曲應(yīng)力(負(fù)載造成的變形)，加工性變高。結(jié)晶粒 徑優(yōu)選為3 20 μ m，更優(yōu)選為10 20 μ m。而且，在本發(fā)明的第一實(shí)施方式中，將銅合金材料的導(dǎo)電率設(shè)為50% IACS以上。 其中，“％ IACS”是表示材料的導(dǎo)電性的單位，“IACS”是“international annealed copper standard"(國際退火銅標(biāo)準(zhǔn))的簡稱。該特性優(yōu)選為例如可通過將Co或Si的添加量設(shè) 為上述范圍內(nèi)、并使Co2Si的金屬間化合物析出來獲得。導(dǎo)電率更優(yōu)選為55% IACS以上， 進(jìn)一步優(yōu)選為60% IACS以上，導(dǎo)電率越高越好，但其上限通常為75% IACS左右。為了提 高導(dǎo)電率，優(yōu)選如下從使析出物析出的時(shí)效熱處理溫度以將冷卻速度保持在20 100K/ 小時(shí)(K是表示絕對溫度的“Kelvin (開爾文)”，下同)的范圍內(nèi)的情況下進(jìn)行冷卻，并且維 持所述冷卻速度直到溫度達(dá)到300°C為止。這里，當(dāng)將時(shí)效熱處理后的銅合金在維持上述冷 卻速度的情況下冷卻至室溫、100°C、200°C時(shí)，與維持到300°C的情況相比，可知其導(dǎo)電率幾乎不變。當(dāng)將從時(shí)效熱處理后的溫度冷卻至300°C的銅合金進(jìn)一步冷卻至室溫時(shí)，諸如空冷 (自然冷卻)那樣，冷卻速度超過100K/小時(shí)也可以。此外，在本發(fā)明的第一實(shí)施方式中，銅 合金材料的抗拉強(qiáng)度為^OMPa以上。該抗拉強(qiáng)度優(yōu)選為600MPa以上，更優(yōu)選為750MPa以 上，抗拉強(qiáng)度越高越好，但其上限通常為900MPa左右。在本發(fā)明第一實(shí)施方式的銅合金材料中，將由Co和Si組成的析出物的粒子直徑 (平均粒子直徑)設(shè)為5 50nm。如果析出物的粒子直徑為5nm以上，則能夠得到充分的 析出強(qiáng)化量。另外，由于該析出物與銅基體一致地析出而強(qiáng)化材料，因此如果析出物的粒子 直徑為50nm以下，則可確保材料的強(qiáng)度。析出物的大小優(yōu)選為10 30nm，更優(yōu)選為20 30nmo關(guān)于析出密度，將由Co和Si組成的析出物的分布密度設(shè)為1 X IO8 1 X 101°個(gè)/ mm2。通過使析出物的分布密度落入該范圍內(nèi)，得到充分的強(qiáng)度和抗應(yīng)力松弛特性。在本發(fā) 明的第一實(shí)施方式中，在溫度150°C的大氣氣氛中經(jīng)過1000小時(shí)后的應(yīng)力松弛率優(yōu)選為不 足40%。所述析出密度與Co的添加量有關(guān)。如果Co的添加量為0.5質(zhì)量％以上，即使所 述析出物的粒子直徑在可容許的程度內(nèi)微細(xì)(5nm左右)，所述析出物的分布密度也會在上 述范圍內(nèi)。另外，如果Co的添加量為2. 0質(zhì)量％以下，則即使所述析出物的粒子直徑在可 容許的程度內(nèi)粗大(50nm左右)，所述分布密度也會在上述范圍內(nèi)。在Co的添加量為0. 5 1. 0質(zhì)量％時(shí)，所述析出密度優(yōu)選為1 X IO8 8 X IO8個(gè)/ mm2 ；在Co的添加量為1.0 1.5質(zhì)量％時(shí)，所述析出密度優(yōu)選為5X IO8 7X IO9個(gè)/mm2 ； 在Co的添加量為1.5 2.0質(zhì)量％時(shí)，所述析出密度優(yōu)選為IX IO9 IOltl個(gè)/mm2。以下，對優(yōu)選的添加元素進(jìn)行說明。SruMg的添加有改善抗應(yīng)力松弛特性的效果。 SruMg是即使單獨(dú)添加SruMg也可見效果、但通過同時(shí)添加可產(chǎn)生相輔相成效果的元素。關(guān) 于SruMg的添加量，如果這兩種元素中的至少一種的總和為0. 1質(zhì)量％以上，則可顯著地發(fā) 揮其效果，如果總和為0. 5質(zhì)量％以下，則還不會有導(dǎo)電性下降等的影響。另外，關(guān)于其添 加比，當(dāng)Sn/Mg ^ 1時(shí)，具有進(jìn)一步改善抗應(yīng)力松弛特性的趨勢。接著，對除Sn、Mg以外的其他優(yōu)選添加元素進(jìn)行說明。Zn、Mn通過固溶強(qiáng)化來改 善特性。因此，使至少一種的總和為0.1 0.5質(zhì)量％。如果其總量為0.1質(zhì)量％以上，則 可顯著地發(fā)揮其效果，如果總和為0.5質(zhì)量％以下，則還不會有導(dǎo)電性下降等的影響。關(guān)于 Zn,Mn的添加量，優(yōu)選這些元素中的至少一種的總和為0. 2 0. 4質(zhì)量％。此外，F(xiàn)e、Cr、Ni是通過取代Co而與Si形成化合物從而提高強(qiáng)度的元素。i^、Ni、 Cr取代Co的一部分形成(Co、x)2Si化合物(χ =狗、Ni、Cr)，起到提高強(qiáng)度的作用。另 外，這些元素具有使結(jié)晶粒徑微細(xì)化的效果。因此，這些元素的至少一種(各個(gè)元素、或任 意兩種元素的組合、或3種所有元素)的總和設(shè)為0.1 1.0質(zhì)量％范圍。若總和為0.1 質(zhì)量％以上，則可顯著地發(fā)揮其效果，如果總和為1. 0質(zhì)量％以下，則不會在鑄造時(shí)引起晶 體析出或形成對強(qiáng)度無貢獻(xiàn)的金屬間化合物，也不會有導(dǎo)電性下降等的影響。這些元素不 管復(fù)合添加還是單獨(dú)添加都顯示出幾乎相同的效果，但如果添加M則會顯示出顯著提高 強(qiáng)度的效果。關(guān)于i^、Ni、Cr的添加量，優(yōu)選這些元素中的至少一種的總和為0. 5 0. 8質(zhì) 量％。作為本發(fā)明第一實(shí)施方式的銅合金材料中的不可避免的雜質(zhì)，可舉出H、C、0、S等。
以下，對本發(fā)明第一實(shí)施方式的銅合金材料的制造方法進(jìn)行說明。如果考慮材料 的局部熔融和變形的影響，最后軋制前的再結(jié)晶熱處理溫度優(yōu)選為800 1000°C。更優(yōu)選 上限小于950°C。其理由如下為了使上述Co等元素充分固溶并再結(jié)晶，優(yōu)選為800°C以 上，并且若溫度為1000°C以下，則材料的局部熔融和形狀變形的可能性減少。如果Co的添 加量為0. 5 1. 2質(zhì)量％，則所述再結(jié)晶熱處理的溫度優(yōu)選為800 900°C;如果Co的添加 量為1. 0 1. 5質(zhì)量％，則所述再結(jié)晶熱處理的溫度優(yōu)選為900 950°C (不包括950°C )。 當(dāng)Co的添加量為1.5質(zhì)量％以上O. 0質(zhì)量％以下)時(shí)，優(yōu)選在950°C以上(如果考慮材料 的局部熔融和形狀變形的影響，則在1025°C以下，優(yōu)選在1000°C以下)的溫度進(jìn)行再結(jié)晶 熱處理。接著，如果從進(jìn)行了上述再結(jié)晶熱處理的溫度起以50K/秒以上的冷卻速度進(jìn)行 冷卻，則含有Co的析出物會整齊地析出，提高材料的強(qiáng)度。該冷卻速度是指從高溫?zé)崽幚?溫度到300 V的區(qū)間內(nèi)的平均冷卻速度。在上述再結(jié)晶熱處理之后，實(shí)施用于形成Co和Si的化合物的時(shí)效熱處理。上述 時(shí)效熱處理既可以在再結(jié)晶熱處理之后進(jìn)行，也可以在預(yù)定的冷軋?zhí)幚碇筮M(jìn)行。在本發(fā) 明的第一實(shí)施方式中，該時(shí)效處理的條件如下當(dāng)在再結(jié)晶熱處理后且最后的冷軋前進(jìn)行 時(shí)，優(yōu)選在500 600°C的溫度下進(jìn)行1 4小時(shí)；當(dāng)在最后的冷軋?zhí)幚砗笄以俳Y(jié)晶熱處理 前進(jìn)行時(shí)，優(yōu)選在450 550°C的溫度下進(jìn)行1 4小時(shí)。另外，將該時(shí)效熱處理之后的冷 卻速度設(shè)為20 100K/小時(shí)，使得冷卻速度有助于改善導(dǎo)電性。以上述冷卻速度冷卻的溫 度優(yōu)選為從再結(jié)晶熱處理溫度到300°C的冷卻范圍。材料溫度變得比300°C低后，也可以將 材料驟冷。所述時(shí)效熱處理后的冷卻速度可通過用熱處理爐管理溫度來調(diào)節(jié)。并且，想要急 速冷卻時(shí)，可從熱處理爐的加熱區(qū)取出試樣，通過強(qiáng)制空冷或水淬火進(jìn)行。下面，舉出制造本發(fā)明第一實(shí)施方式的銅合金材料的工序的一個(gè)例子進(jìn)行詳細(xì)說 明。<溶解鑄造>將作為銅合金原料的銅、鈷、硅元素等溶解后流入鑄模中，并在以10 30K/秒的 冷卻速度進(jìn)行冷卻的情況下進(jìn)行鑄造，得到預(yù)定大小的銅合金鑄塊。鑄塊的大小例如為厚 度 30mm、寬度 100mm、長度 150mm?！礋彳?、端銑、冷軋〉之后，將該鑄塊在930 1050°C (優(yōu)選950 1050°C )溫度下保持30 60分鐘， 之后通過熱軋制加工，然后迅速通過水冷卻(急速冷卻)進(jìn)行淬火，并且為了除去表面上的 氧化皮膜而對軋制后的表面進(jìn)行端銑，然后進(jìn)行冷軋制。<再結(jié)晶熱處理>之后，以固溶、再結(jié)晶為目的，在保持800 1025°C溫度的鹽浴爐中進(jìn)行固定時(shí)間 的再結(jié)晶熱處理，并通過水冷卻進(jìn)行淬火。當(dāng)進(jìn)行再結(jié)晶熱處理時(shí)，通過將樣品夾在板厚不 同的不銹鋼板中來調(diào)節(jié)升溫速度，由此進(jìn)行熱處理。此時(shí)的升溫速度在300°C以上的溫度下 優(yōu)選為10 300K/秒。此外，優(yōu)選的冷卻速度為50 200K/秒。<時(shí)效熱處理>接著，以時(shí)效析出為目的，在500 600°C下進(jìn)行1 4小時(shí)的時(shí)效熱處理。此時(shí)從室溫達(dá)到最高溫度的升溫速度在5 50K/分鐘的范圍內(nèi)，當(dāng)降溫時(shí)，直到下降至比認(rèn)為 會影響析出的溫度區(qū)足夠低的300°C為止，在爐內(nèi)以20 100K/分鐘的冷卻速度進(jìn)行冷卻?！淳堉?根據(jù)需要)>對已完成時(shí)效熱處理的銅合金材料再以0 40 %的加工率實(shí)施最后的冷軋制(精 軋制)，得到精軋制材料。精軋制可以實(shí)施也可以不實(shí)施。加工率0%是指不進(jìn)行精軋制。<去應(yīng)力退火>在完成時(shí)效熱處理后(實(shí)施精軋制時(shí)即精軋制完成后)，根據(jù)需要實(shí)施去應(yīng)力退 火?！垂ば虻闹貜?fù)〉再結(jié)晶處理、時(shí)效熱處理以及冷軋制均可以在上述條件下重復(fù)兩次以上，實(shí)施順 序也可以前后調(diào)整。接著，對本發(fā)明第二實(shí)施方式的銅合金材料的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。首先，對構(gòu)成銅合金材料的銅合金原材料的組成和構(gòu)成元素進(jìn)行說明。在本發(fā)明 的第二實(shí)施方式的銅合金原材料組成中，必須的添加元素為Co(鈷)和Si (硅)。關(guān)于它們 的添加量，將Co設(shè)為0. 5 2. 0質(zhì)量％、將Si設(shè)為0. 1 0. 5質(zhì)量％的理由在于，它們形 成Co2Si,有助于析出強(qiáng)化，如果Co的添加量設(shè)為0. 5質(zhì)量％以上，則析出強(qiáng)化量變大，因此 銅合金材料的強(qiáng)度能夠達(dá)到^OMPa以上。此外，Co的添加量為2. 0質(zhì)量％以下，則可將固 溶化溫度設(shè)定在合適的溫度范圍內(nèi)。另外，從該化合物的化學(xué)計(jì)量比來說，最佳的添加比為 Co/SiN4.2，并且以使該值不過度偏離(具體地落入3. 5 < Co/Si < 4. 8的范圍內(nèi))的方式 確定了 Si的添加量。此外，Co的優(yōu)選添加量根據(jù)進(jìn)行再結(jié)晶處理的溫度而不同。例如，如果進(jìn)行再結(jié) 晶處理的溫度為800 900°C，則Co的添加量優(yōu)選為0. 5 1. 2質(zhì)量％的范圍，如果進(jìn)行再 結(jié)晶處理的溫度為900 小于980°C，則Co的添加量優(yōu)選為1. 0 2. 0質(zhì)量％的范圍。這 由下面規(guī)定的銅合金的結(jié)晶粒徑?jīng)Q定。在本發(fā)明的第二實(shí)施方式中，將母材的銅合金的結(jié)晶粒徑設(shè)為3 35 μ m的理由 和該結(jié)晶粒徑的優(yōu)選范圍與本發(fā)明的第一實(shí)施方式中的理由和優(yōu)選范圍相同。而且，本發(fā)明的第二實(shí)施方式中，將銅合金材料的導(dǎo)電率設(shè)為50% IACS以上。為 了得到該特性，可將Co或Si的添加量設(shè)為上述的范圍，并使Co2Si的金屬間化合物析出。 為了在該合金系中獲得最大導(dǎo)電率，優(yōu)選在500 600°C溫度下進(jìn)行1 4小時(shí)的使析出物 析出的時(shí)效熱處理。導(dǎo)電率更優(yōu)選為IACS以上，進(jìn)一步優(yōu)選為60% IACS以上，導(dǎo)電 率越高越好，但其上限通常在75% IACS左右。此外，在本發(fā)明的二實(shí)施方式中，銅合金材 料的抗拉強(qiáng)度為550MPa以上。該抗拉強(qiáng)度更優(yōu)選為600MPa以上，進(jìn)一步優(yōu)選為750MPa以 上，抗拉強(qiáng)度越高越好，但其上值通常在900MPa左右?？赏ㄟ^控制從上述時(shí)效處理溫度進(jìn)行冷卻的冷卻速度來提高導(dǎo)電率。其優(yōu)選的條 件是在銅合金材料的溫度從時(shí)效熱處理后下降到300°C的期間以10 80K/小時(shí)(K為表 示絕對溫度的“Kelvin(開爾文)”。下同)的速度進(jìn)行冷卻。如果在該條件下進(jìn)行冷卻，導(dǎo) 電率會變高。之后，從300°C到室溫的冷卻速度可以為空氣冷卻(自然冷卻)。在本發(fā)明第二實(shí)施方式的銅合金材料中，以與本發(fā)明的第一實(shí)施方式相同的理 由，將由Co和Si組成的析出物的粒子直徑(平均粒子直徑)設(shè)為5 50nm。此外，如果析出物的粒子直徑大，焊料附著性可能會劣化，當(dāng)粒子直徑在5 50nm的范圍內(nèi)時(shí)焊料附著 性優(yōu)異。析出物的大小優(yōu)選為10 35nm，更優(yōu)選為15 30nm。以下，對優(yōu)選的添加元素進(jìn)行說明。在本發(fā)明的第二實(shí)施方式中，如果添加Sn、 Mg、Zn，則通過固溶強(qiáng)化能夠改善特性。因此，在本發(fā)明的第二實(shí)施方式中，添加了總量為 0. 1 1. 0質(zhì)量％的選自Sn、Mg、Zn的至少一種(各個(gè)元素、或任意兩種元素的組合、或3 種所有元素)。其理由如下如果這些元素的至少一種的總添加量為0. 1質(zhì)量％以上，則可 顯著地發(fā)揮其效果，如果為1.0質(zhì)量％以下，則還不會有導(dǎo)電性下降等的影響。此外，這些 元素的至少一種的總添加量優(yōu)選為0.2 0.4質(zhì)量％。此外，Sn、Mg具有改善抗應(yīng)力松弛 特性(抗蠕變特性)的效果，若同時(shí)添加兩者則改善的效果更好。Mg具有改善熱加工性的 效果，Si具有抑制焊料附著性的經(jīng)時(shí)變化(劣化特性)的顯著效果。與第一實(shí)施方式的銅合金材料一樣，作為本發(fā)明第二實(shí)施方式的銅合金材料中的 不可避免的雜質(zhì)，可舉出H、C、0、S等。與本發(fā)明的第一實(shí)施方式一樣，在本發(fā)明的第二實(shí)施方式中，F(xiàn)e、Cr、Ni是通過取 代Co而與Si形成化合物從而有助于提高強(qiáng)度的元素。它們的優(yōu)選含量也與本發(fā)明的第一 實(shí)施方式一樣。另外，在本發(fā)明第二實(shí)施方式的銅合金材料中，將其表面粗糙度規(guī)定為Ra為 0. 2 μ m以下，且Rt為2 μ m以下。由此，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的銅合金材料的焊料潤 濕性優(yōu)異，從而焊料附著強(qiáng)度優(yōu)異。上述Ra、Rt的值越小越好，優(yōu)選Ra為0. 15 μ m以下，且 Rt為1. 5 μ m以下，更優(yōu)選Ra為0. 1 μ m以下，且Rt為1. 0 μ m以下。Ra以及Rt分別是基 于 JIS B 0601-2001 測定的。下面，對制造本發(fā)明第二實(shí)施方式的銅合金材料的工序的一個(gè)例子進(jìn)行說明?！慈芙忤T造〉將作為銅合金原料的銅、鈷、硅元素等溶解后流入鑄模中，并在以10 30K/秒的 冷卻速度進(jìn)行冷卻的情況下進(jìn)行鑄造，得到銅合金鑄塊。鑄塊的大小例如為厚度30mm、寬度 100mm、長度 150mmo〈熱軋、端銑、冷軋〉之后，將該鑄塊在930 1050°C (優(yōu)選950 1050°C )溫度下保持30 60分鐘， 之后通過熱軋制加工，然后迅速通過水冷卻(急速冷卻)進(jìn)行淬火，并且為了除去表面上的 氧化皮膜而對軋制后的表面進(jìn)行端銑，然后進(jìn)行冷軋制?！丛俳Y(jié)晶熱處理〉之后，以固溶化、再結(jié)晶為目的，在保持800 1025°C溫度的鹽浴爐中進(jìn)行一定時(shí) 間的再結(jié)晶熱處理，并通過水冷卻進(jìn)行淬火。當(dāng)進(jìn)行再結(jié)晶熱處理時(shí)，通過將樣品夾在板厚 不同的不銹鋼板中來調(diào)節(jié)升溫速度，由此進(jìn)行熱處理。此時(shí)優(yōu)選的升溫速度在300°C以上的 溫度下為10 300K/秒。此外，優(yōu)選的冷卻速度為30 200K/秒?！磿r(shí)效熱處理〉接著，以時(shí)效析出為目的，實(shí)施時(shí)效熱處理。此時(shí)從室溫達(dá)到最高溫度的升溫速 度在5 50K/分鐘的范圍內(nèi)，當(dāng)降溫時(shí)，直到下降至比認(rèn)為會影響析出的溫度區(qū)足夠低的 300°C為止，在爐內(nèi)以1 IOK/分鐘的冷卻速度進(jìn)行冷卻?！此崛芙狻⒀心ァ?br> 在本發(fā)明第二實(shí)施方式的銅合金材料的制造方法中，在進(jìn)行最后的冷軋之前對材 料表面進(jìn)行酸洗，利用酸等來溶解去除殘留在材料表面上的氧化銅等，之后對該酸洗后的 材料表面進(jìn)行研磨。用于酸溶解的酸例如優(yōu)選使用鹽酸、硝酸、磷酸、氟酸等的稀釋混合液。 酸洗后的表面研磨方法不特別限制，可通過通常的方法進(jìn)行。優(yōu)選例如通過機(jī)械手段來將 材料兩個(gè)表面研磨掉0. 2 2mm?！淳堉?根據(jù)需要)>對經(jīng)過上述酸溶解并研磨之后的銅合金材料再以0 40%的加工率實(shí)施最后的 冷軋制，得到軋制材料。精軋制可以實(shí)施也可以不實(shí)施。加工率0%是指不進(jìn)行精軋制?！慈?yīng)力退火〉在完成時(shí)效熱處理后(實(shí)施精軋制時(shí)即精軋制完成后)，根據(jù)需要實(shí)施去應(yīng)力退 火?！垂ば虻闹貜?fù)〉再結(jié)晶處理、時(shí)效熱處理以及冷軋制均可以在上述條件下重復(fù)兩次以上，實(shí)施順 序也可以前后調(diào)整。接著，對本發(fā)明第三實(shí)施方式的銅合金材料的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。本發(fā)明的第三實(shí)施方式是如下的銅合金材料作為必須的添加元素，含有0. 7 2.0質(zhì)量％的Co (鈷)、以及Co相對于Si的質(zhì)量比(Co/Si)在3以上且5以下的范圍(優(yōu) 選為0. 1 0.5質(zhì)量％的范圍)內(nèi)的Si(硅)。由此，導(dǎo)電率為60% IACS以上，抗拉強(qiáng)度 為570MPa以上，能夠滿足特別高水平的高導(dǎo)電率以及高強(qiáng)度的要求。本發(fā)明的第三實(shí)施方 式中，銅合金材料的導(dǎo)電率為50% IACS以上。導(dǎo)電率更優(yōu)選為55% IACS以上，進(jìn)一步優(yōu) 選為60% IACS以上，越高越好，但其上限通常在75% IACS左右。此外，在本發(fā)明的第三實(shí) 施方式中，銅合金材料的抗拉強(qiáng)度為^OMPa以上。該抗拉強(qiáng)度更優(yōu)選為600MPa以上，進(jìn)一 步優(yōu)選為750MPa以上，越高越好，但其上限通常在900MPa左右。另外，母材的銅合金的結(jié)晶粒徑的算術(shù)平均為3 25 μ m，且標(biāo)準(zhǔn)偏差為8 μ m以 下，這有利于進(jìn)一步提高彎曲加工性。標(biāo)準(zhǔn)偏差越小越好，更優(yōu)選為結(jié)晶粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差值 小于結(jié)晶粒徑的算術(shù)平均值。通過母材的銅合金的結(jié)晶粒徑的算術(shù)平均以及標(biāo)準(zhǔn)偏差在上 述范圍內(nèi)，能夠充分分散彎曲應(yīng)力(負(fù)載造成的變形)。若想進(jìn)一步提高彎曲加工性，則優(yōu) 選母材的銅合金的結(jié)晶粒徑的算術(shù)平均減去標(biāo)準(zhǔn)偏差而得的值大于0 μ m,更優(yōu)選標(biāo)準(zhǔn)偏差 除以算術(shù)平均而得的值為0. 65以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0. 4以下。標(biāo)準(zhǔn)偏差除以算術(shù)平均而得 的值的下限為0. 2以上較為現(xiàn)實(shí)，若小于該數(shù)值雖提高特性，但存在實(shí)際制造較難的傾向。 這里，求取母材的銅合金的結(jié)晶粒徑的算術(shù)平均和標(biāo)準(zhǔn)偏差時(shí)的測定參數(shù)優(yōu)選設(shè)定為100 以上，更優(yōu)選算術(shù)平均和標(biāo)準(zhǔn)偏差的測定參數(shù)為相同的值。關(guān)于彎曲加工性，在抗拉強(qiáng)度為570MPa以上且650MPa以下的情況下，R/t的值優(yōu) 選為0. 5以下，在抗拉強(qiáng)度大于650Mpa且700MPa以下的情況下，R/t的值優(yōu)選為1. 0以下， 在抗拉強(qiáng)度大于700MPa的情況下，R/t的值優(yōu)選為1. 5以下。這里，R/t是指基于日本展 銅協(xié)會技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)“銅以及銅合金薄板條的彎曲加工性評價(jià)方法(JBMAT307) ”進(jìn)行彎曲角度 90°的W彎曲試驗(yàn)而得到的結(jié)果。該R/t是通過將在軋制垂直方向上切出的板材在預(yù)定彎 曲半徑(R)的條件下進(jìn)行彎曲試驗(yàn)、求出其頂點(diǎn)不發(fā)生裂紋的界限R并將其用此時(shí)的板厚 (t)歸一化而得的值。通常認(rèn)為R/t越小，彎曲加工性就越好。在本發(fā)明的用于電氣電子部件的銅合金材料中，抗拉強(qiáng)度和彎曲加工性(R/t)優(yōu)選具有上述的關(guān)系。此外，彎曲加工性 (R/t)的下限為0。以下，對除Co和Si以外的其他添加元素進(jìn)行說明。Fe、Cr、Ni是通過取代Co而與Si形成化合物從而有助于提高強(qiáng)度的元素。Fe、 Ni、Cr取代Co的一部分形成(Co、x)2Si化合物(χ為狗、Ni、Cr)，起到提高強(qiáng)度的作用。 這些元素的至少一種(各個(gè)元素、和任意兩種元素的組合、或3種所有元素)的總和設(shè)為 0. 01 1. 0質(zhì)量％的范圍。如果總和為0. 01質(zhì)量％以上，則可顯著地發(fā)揮其效果，如果 總和為1.0質(zhì)量％以下，則不會在鑄造時(shí)引起晶體析出或形成對強(qiáng)度無貢獻(xiàn)的金屬間化合 物，也不會有導(dǎo)電性下降等的影響。這些元素不管復(fù)合添加還是單獨(dú)添加都顯示出幾乎相 同的效果，但如果添加M則會顯示出顯著提高強(qiáng)度的效果。關(guān)于i^、Ni、Cr的添加量，優(yōu)選 這些元素中的至少一種的總和為0. 05 0. 9質(zhì)量％。Zr和Ti也起到與Fe、Ni、Cr幾乎一樣的效果，但由于&和Ti容易氧化，大量添 加時(shí)在制造過程中材料容易產(chǎn)生裂紋，因此關(guān)于^ 和Ti的添加量，優(yōu)選將這些元素中的至 少一種的總和設(shè)為ο. οι ο. ι質(zhì)量％的范圍。Sn、Zn、Mg、Mn具有固溶于銅基體以使其強(qiáng)化的特點(diǎn)。關(guān)于它們的添加量，如果這 些元素中的至少一種的總和為0. 01質(zhì)量％以上，就會顯現(xiàn)效果，如果為1. 0質(zhì)量％以下，則 還不會損害導(dǎo)電性。優(yōu)選的添加量如下這些元素中的至少一種的總和為0. 05 0. 2質(zhì)量％。與第一或第二實(shí)施方式一樣，作為本發(fā)明第三實(shí)施方式的銅合金材料中的不可避 免的雜質(zhì)，可舉出H、C、0、S等。Zn具有提高焊料附著性的效果，Mn具有改善熱加工性的效果。此外，添加Sn、Mg 具有改善抗應(yīng)力松弛特性的效果。即使單獨(dú)添加Sn、Mg，也可見其效果，但通過同時(shí)添加可 產(chǎn)生相輔相成的效果。關(guān)于SruMg的添加量，如果將這些元素中的至少一種的總和設(shè)為0. 1 質(zhì)量％以上，就會起效，如果為1.0質(zhì)量％以下，則還不會損害導(dǎo)電性，可確保50% IACS以 上的導(dǎo)電性。另一方面，關(guān)于Sn和Mg的添加比，在Sn/Mg彡1的情況下，可進(jìn)一步改善抗 應(yīng)力松弛特性。下面，舉出制造本發(fā)明第三實(shí)施方式的銅合金材料的工序的一個(gè)例子進(jìn)行詳細(xì)說 明?！慈芙忤T造〉將作為銅合金原料的銅、鈷、硅元素等溶解后流入鑄模中，并在以10 30K/秒(K 是表示絕對溫度的“Kelvin (開爾文)”，下同)的冷卻速度進(jìn)行冷卻的情況下進(jìn)行鑄造，得 到銅合金鑄塊。鑄塊的大小例如為寬度160mm、厚度30mm、長度180mm。〈熱軋、切削、冷軋〉之后，將該鑄塊在900 1000°C溫度下保持30 60分鐘，之后通過熱軋制來加工 至厚度變?yōu)?2mm，然后迅速通過水冷卻(急速冷卻)進(jìn)行淬火，并且為了除去氧化皮膜而將 軋制后的單側(cè)表面端銑掉Imm左右，使厚度達(dá)到約10mm，之后通過冷軋制來使厚度變?yōu)榧s 0. 1 0. 3mm?！丛俳Y(jié)晶熱處理〉之后，以固溶化、再結(jié)晶為目的，在保持800 1025°C溫度的鹽浴爐中進(jìn)行一定時(shí)
15間(在此為30秒)的再結(jié)晶熱處理，并通過水冷卻進(jìn)行淬火。當(dāng)進(jìn)行再結(jié)晶熱處理時(shí)，通 過將樣品夾在板厚不同的不銹鋼板中來調(diào)節(jié)升溫速度，由此進(jìn)行熱處理。此時(shí)優(yōu)選的升溫 速度在300°C以上的溫度下為10 300K/秒。此外，優(yōu)選的冷卻速度為30 200K/秒?！磿r(shí)效熱處理〉接著，以時(shí)效析出為目的，在525°C的溫度下實(shí)施120分鐘的時(shí)效熱處理。此時(shí)從 室溫達(dá)到最高溫度的升溫速度在3 25K/分鐘的范圍內(nèi)，當(dāng)降溫時(shí)，直到下降至比認(rèn)為會 影響析出的溫度區(qū)足夠低的300°C為止，在爐內(nèi)以1 2K/分鐘的冷卻速度進(jìn)行冷卻?！淳堉?根據(jù)需要)>對已完成時(shí)效熱處理的銅合金材料再以0 40%的加工率(上限優(yōu)選為20% ) 進(jìn)行最后的冷軋制，從而得到精軋制材料。精軋制可以實(shí)施也可以不實(shí)施。加工率0%是指 不進(jìn)行精軋制。〈去應(yīng)力退火〉在完成時(shí)效熱處理后(實(shí)施精軋制時(shí)即精軋制完成后)，根據(jù)需要實(shí)施去應(yīng)力退 火?！垂ば虻闹貜?fù)〉再結(jié)晶處理和時(shí)效熱處理均可以在上述條件下重復(fù)兩次以上?；旧希Y(jié)晶粒的粒徑和其分布(標(biāo)準(zhǔn)偏差)由再結(jié)晶熱處理和時(shí)效熱處理決定。 改變結(jié)晶粒的粒徑和其分布的有效的做法是控制再結(jié)晶熱處理和時(shí)效熱處理中的升溫速 度、熱處理時(shí)的保持溫度、冷卻速度。此外，由于升溫速度、熱處理時(shí)的保持溫度、冷卻速度還與在本發(fā)明第三實(shí)施方式 的銅合金材料中作為必須的添加元素的Co、Si的添加量有關(guān)，因此通過調(diào)節(jié)Co、Si的添加 量，也能夠改變結(jié)晶粒的粒徑和其分布。而且，通過添加Cu、Co、Si以外的元素，還能夠使結(jié) 晶粒以外的析出物分散在銅合金中，并通過該作用能夠改變結(jié)晶粒的粒徑和其分布。為滿足高導(dǎo)電率、高強(qiáng)度以及優(yōu)異的彎曲加工性等所有條件，在本發(fā)明第三實(shí)施 方式的銅合金材料中，要求結(jié)晶粒徑的算術(shù)平均為3 μ m以上且20 μ m以下，標(biāo)準(zhǔn)偏差為 8μπι以下。標(biāo)準(zhǔn)偏差越小越好，而且結(jié)晶粒徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差值優(yōu)選小于結(jié)晶粒徑的算術(shù)平均 值。通過母材的銅合金的結(jié)晶粒徑的算術(shù)平均以及標(biāo)準(zhǔn)偏差在上述范圍內(nèi)，能夠充分分散 彎曲應(yīng)力(負(fù)載造成的變形)。由此，適當(dāng)調(diào)節(jié)上述添加元素和制造條件(特別是再結(jié)晶熱處理和時(shí)效熱處理的 條件)，以便滿足結(jié)晶粒徑的算術(shù)平均以及標(biāo)準(zhǔn)偏差的條件。尤其當(dāng)結(jié)晶粒徑的算術(shù)平均小 于3μπι時(shí)，會直接關(guān)系到?jīng)]有再結(jié)晶區(qū)域的殘留、彎曲特性的劣化，因此優(yōu)選結(jié)晶粒徑的 標(biāo)準(zhǔn)偏差值小于結(jié)晶粒徑的算術(shù)平均值，更優(yōu)選為3 μ m以上。若想進(jìn)一步提高彎曲加工性，則優(yōu)選母材的銅合金的結(jié)晶粒徑的算術(shù)平均減去標(biāo) 準(zhǔn)偏差而得的值大于0 μ m,更優(yōu)選標(biāo)準(zhǔn)偏差除以算術(shù)平均而得的值為0. 65以下，進(jìn)一步優(yōu) 選為0. 4以下。標(biāo)準(zhǔn)偏差除以算術(shù)平均而得的值的下限為0. 2以上在實(shí)際制造上較為現(xiàn)實(shí)。這里，對再結(jié)晶處理中的升溫速度進(jìn)行說明。若升溫速度過慢，則會導(dǎo)致加熱處理過度，可能引起析出物和結(jié)晶物變得粗大，強(qiáng) 度下降。另外，由于過熱也有可能導(dǎo)致結(jié)晶粒粗大。另一方面，如果升溫速度過快，則由于 防止結(jié)晶粒變粗大的析出物的生成量減少，可能導(dǎo)致結(jié)晶粒變粗大。因此，升溫速度優(yōu)選如上所述。另外，再結(jié)晶熱處理溫度通過Co的添加量來調(diào)節(jié)也是有效的。當(dāng)Co的添加量小 于1質(zhì)量％時(shí)，再結(jié)晶熱處理時(shí)的保持溫度優(yōu)選為850°C以上且小于900°C，當(dāng)Co的添加量 大于1質(zhì)量％時(shí)，再結(jié)晶熱處理時(shí)的保持溫度優(yōu)選為900°C以上且小于1000°C。這是因?yàn)?如下原因如果再結(jié)晶熱處理時(shí)的保持溫度低于該范圍，則導(dǎo)致強(qiáng)度不足的可能性變高，如 果再結(jié)晶熱處理時(shí)的保持溫度高于該范圍，則不僅由于結(jié)晶粒粗大而導(dǎo)致彎曲性劣化，而 且還會引起銅合金材料變形。可例舉下述的本發(fā)明其它優(yōu)選的實(shí)施方式。(Bi) 一種用于電氣電子部件的銅合金材料，其具有以下組成含有0. 5 2. 0質(zhì) 量％的Co、0. 1 0. 5質(zhì)量％的Si，剩余部分由Cu和不可避免的雜質(zhì)組成；其中，母材的銅 合金的結(jié)晶粒徑為3 35 μ m，由Co和Si組成的析出物的粒子直徑為5 50nm，并且作為 銅合金材料的表面粗糙度的Ra為0. 2 μ m以下且Rt為2 μ m以下，抗拉強(qiáng)度為550MPa以上， 導(dǎo)電率為50% IACS以上。(B2) 一種用于電氣電子部件的銅合金材料的制造方法，其特征在于，包括下述工 序在對銅合金材料進(jìn)行最后的冷軋制之前對該材料表面進(jìn)行酸溶解后進(jìn)行研磨，其中銅 合金材料具有以下組成含有0. 5 2. 0質(zhì)量％的Co、0. 1 0. 5質(zhì)量％的Si，剩余部分 由Cu和不可避免的雜質(zhì)組成，從而得到下述銅合金材料母材的銅合金的結(jié)晶粒徑為3 35 μ m，由Co和Si組成的析出物的粒子直徑為5 50nm，并且作為銅合金材料的表面粗糙 度的Ra為0. 2 μ m以下且Rt為2 μ m以下，抗拉強(qiáng)度為550MPa以上，導(dǎo)電率為50% IACS以 上。(C3) 一種銅合金材料，其特征在于，Co為0. 7 2. 5質(zhì)量％ (上限優(yōu)選為2. 0質(zhì)量％ )，Co相對于Si的質(zhì)量比(Co/ Si)為3以上且5以下，母材的銅合金的結(jié)晶粒徑的算術(shù)平均為3 20 μ m，標(biāo)準(zhǔn)偏差為8 μ m以下，所述標(biāo) 準(zhǔn)變差小于所述算術(shù)平均。上述(Bi)以及(B2)的實(shí)施方式例如在其合金組成、添加元素、結(jié)晶粒和析出物的 狀態(tài)、表面粗糙度、其制造方法(各制造工序、制造條件等)，以及它們的具體例和優(yōu)選范圍 等方面，除了有關(guān)與上述本發(fā)明的第二實(shí)施方式不同的構(gòu)成要素的部分以外，均與上述本 發(fā)明的第二實(shí)施方式相同。此外，上述(Bi)以及(B》的實(shí)施方式具有與上述本發(fā)明的第 二實(shí)施方式同樣的效果。上述(C3)的實(shí)施方式例如在其合金組成、添加元素、結(jié)晶粒和析出物的狀態(tài)、表 面粗糙度、其制造方法(各制造工序、制造條件等)，以及它們的具體例和優(yōu)選范圍等方面， 除了與上述本發(fā)明的第三實(shí)施方式不同的構(gòu)成要素的部分以外，均與上述本發(fā)明的第三實(shí) 施方式相同。此外，上述(O)的實(shí)施方式具有與上述本發(fā)明的第三實(shí)施方式同樣的效果。實(shí)施例接著，基于實(shí)施例更詳細(xì)地說明本發(fā)明。本發(fā)明并不被限定于以下實(shí)施例。(實(shí)施例1)將含有表1、2所示的組分、剩余部分由Cu和不可避免的雜質(zhì)組成的合金(la 36a、lb Mb)通過高頻熔融爐熔融，將其以10 30K/秒的冷卻速度鑄造，得到了厚度為30mm、寬度為100mm、長度為150mm的鑄塊。在將得到的鑄塊在930 970°C溫度下保持0. 5 1. 0個(gè)小時(shí)之后，進(jìn)行熱軋制來 制得板厚t = 12mm的熱軋板，將其兩面端銑掉1mm，使得板厚t = IOmm,接著通過冷軋制來 精加工至板厚t = 0. 3mm,并在700°C以上且1025°C以下的溫度下進(jìn)行再結(jié)晶熱處理。通過 對所述準(zhǔn)備好的材料實(shí)施下述兩個(gè)工序中的任意處理，制得最終產(chǎn)品。工序A 再結(jié)晶熱處理-時(shí)效熱處理(在500 600°C溫度下進(jìn)行1 4小時(shí))_冷 加工(5 25% )?！?，根據(jù)需要，在300 400°C溫度下進(jìn)行1 2小時(shí)的去應(yīng)力退火。工序B 再結(jié)晶處理-冷軋制(加工率5 25% )_時(shí)效熱處理(在450 550°C 溫度下進(jìn)行1 4小時(shí))。在以下的表中示出了上述工序A和B中所述的加工率。
對于該試驗(yàn)用材料調(diào)查了下述特性。a.抗拉強(qiáng)度依據(jù)JIS Z2241對三個(gè)從試驗(yàn)用材料的軋制平行方向裁切出的JIS Z2201_i;3B號 的試驗(yàn)片進(jìn)行了測定，并求出了其平均值。b.導(dǎo)電率測定在控制為20°C (士 1°C )的恒溫槽中，通過四端子法測定了各試驗(yàn)片中的兩片，將 其平均值(％ IACS)表示在表1 表2中。此時(shí)端子間距離為100mm。c.彎曲加工性從試驗(yàn)用材料中與軋制方向垂直地切出寬度10mm、長度35mm的試驗(yàn)片。將彎曲 的軸與軋制方向平行地并以彎曲半徑R = O 0.5(mm)的6個(gè)水平對該試驗(yàn)片實(shí)施90° W 彎曲(Bad-way彎曲)，利用50倍光學(xué)顯微鏡通過目測或者用掃描電子顯微鏡(SEM)檢查了 彎曲部分上有無裂紋。表1中的R/t的R表示彎曲半徑，t表示板厚度。R/t的值越小，表 示彎曲加工性越優(yōu)異。這里，將R/t的值小于2. 5以下認(rèn)為是具有優(yōu)異彎曲加工性的銅合 金材料。優(yōu)選將R/t的值設(shè)為2以下。d.結(jié)晶粒徑在通過濕式研磨、拋光將試驗(yàn)用材料(試驗(yàn)片)的垂直于軋制方向的截面加工成 鏡面之后，以鉻酸水=1 1的溶液將研磨面腐蝕數(shù)秒，然后再以光學(xué)顯微鏡的200 400倍的倍率、或者利用掃描電子顯微鏡(SEM)的二次電子圖像以500 2000倍的倍率進(jìn) 行拍照，之后基于JIS H0501(展銅品結(jié)晶粒度測定方法)的切斷法測定了該截面的結(jié)晶粒 徑。并且根據(jù)要觀測的結(jié)晶粒的大小來改變了拍照時(shí)的倍率。表中的“混粒”是指再結(jié)晶 和未再結(jié)晶(軋制加工后殘留)的部分共存的組織，在“混粒”的情況下沒有測定粒徑。若 存在未再結(jié)晶的，彎曲加工性將劣化。因此，混粒是不期望的的組織。e.時(shí)效熱處理后的冷卻速度從時(shí)效熱處理時(shí)的溫度冷卻至300°C的期間內(nèi)的冷卻速度通過在熱處理爐中管理 溫度來進(jìn)行了調(diào)節(jié)。當(dāng)急速冷卻時(shí)，從熱處理爐的加熱區(qū)取出試料，通過強(qiáng)制空冷或淬火進(jìn) 行了冷卻。f.析出物的大小和密度析出物的大小用透射電子顯微鏡(TEM)進(jìn)行了評價(jià)。由于最終產(chǎn)品受加工變形的影響很難進(jìn)行觀察，因此對時(shí)效熱處理之后的材料的組織進(jìn)行了觀察。從熱處理材料的任 意一處切出TEM用試驗(yàn)片，再利用硝酸(20%)的甲醇溶液在-20 -25°C的溫度范圍下對 試驗(yàn)片進(jìn)行電解研磨(雙噴嘴電解研磨裝置)，制得了用于觀察的試驗(yàn)片。之后，用加速電壓300kV進(jìn)行觀察，將電子射線的入射方向?qū)?zhǔn)到(001)附近，用 100000倍的倍率任意拍攝了三張照片。并利用該照片求出了析出物(約100個(gè))的平均大 小和個(gè)數(shù)。g.抗應(yīng)力松弛特性(應(yīng)力松弛率)應(yīng)力松弛率(SRR)是如下求出的利用以日本展銅協(xié)會技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)“JCBAT309 2001 (暫時(shí))”為基準(zhǔn)的懸臂法，以JIS Z2241為標(biāo)準(zhǔn)在150°C的溫度下對試驗(yàn)用材料加載 了 1000個(gè)小時(shí)0. 2%耐力的80%的應(yīng)力，并對三個(gè)試驗(yàn)用材料測定了相對于初始彎曲位移 的經(jīng)時(shí)之后的永久彎曲位移，求出了各個(gè)試驗(yàn)用材料的經(jīng)時(shí)后的永久偏轉(zhuǎn)位移相對于初始 偏轉(zhuǎn)位移的比例(％)的平均值。[表1]
權(quán)利要求
1.一種用于電氣電子部件的銅合金材料，其具有以下組成分別含有0. 5 2. 0質(zhì) 量％的Co (鈷)、0. 1 0. 5質(zhì)量％的Si (硅元素)，剩余部分由Cu (銅)和不可避免的雜質(zhì) 組成；其中，母材的銅合金的結(jié)晶粒徑為3 35 μ m，由Co和Si組成的析出物的粒子直徑為5 50nm，所述析出物的密度為1 X IO8 1 X 101°個(gè)/mm2，并且作為銅合金材料的抗拉強(qiáng)度為550MPa以上，導(dǎo)電率為50% IACS以上。
2.如權(quán)利要求1所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，包含Sn(錫)、Mg (鎂) 中的至少一種，且總含量為0. 1 0. 5質(zhì)量％。
3.如權(quán)利要求1或2所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，包含Zn(鋅)、 Mn (錳)中的至少一種，且總含量為0. 1 0. 5質(zhì)量％。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，包含總含 量為0. 1 1. 0質(zhì)量％的選自Fe (鐵)、Cr (鉻)、Ni (鎳)的組的至少一種。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，所述銅合 金材料在溫度為150°C的大氣氣氛中經(jīng)過1000小時(shí)之后的應(yīng)力松弛率不足40%。
6.一種用于電氣電子部件的銅合金材料的制造方法，其特征在于，包括工序a，將銅合金材料在500 600°C下進(jìn)行1 4小時(shí)的時(shí)效熱處理，其中所述銅合 金材料具有以下組成分別含有0.5 2.0質(zhì)量％的Co、0. 1 0.5質(zhì)量％的Si，剩余部分 由Cu和不可避免的雜質(zhì)組成；以及工序b，在所述工序a之后，將使所述銅合金材料從所述時(shí)效熱處理時(shí)的溫度冷卻到 300°C的冷卻速度設(shè)為20 100K/小時(shí)(K為絕對溫度)的范圍，從而得到下述的銅合金材料母材的銅合金的結(jié)晶粒徑為3 35 μ m，由Co和Si組成 的析出物的粒子直徑為5 50nm，所述析出物的密度為1 X IO8 1 X 101°個(gè)/mm2，并且作為 銅合金材料的抗拉強(qiáng)度為550MPa以上，導(dǎo)電率為50% IACS以上。
7.如權(quán)利要求1所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，作為銅合金材料的表面粗糙 度以Ra表示為0. 2 μ m以下，并且以Rt表示為2 μ m以下。
8.如權(quán)利要求7所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，包含總含量為0.1 1.0質(zhì)量％的選自Si、Sn、Mg的組的至少一種。
9.如權(quán)利要求7或8所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，包含總含量為 0. 1 1.0質(zhì)量％的選自Fe、Cr、Ni的組的至少一種。
10.一種用于電氣電子部件的銅合金材料的制造方法，其特征在于，包括下述工序在對銅合金材料進(jìn)行時(shí)效熱處理之后，對該材料表面進(jìn)行酸溶解后進(jìn) 行研磨，其中所述銅合金材料具有以下組成含有0.5 2.0質(zhì)量％的Co、0. 1 0.5質(zhì)量％ 的Si，剩余部分由Cu和不可避免的雜質(zhì)組成，從而得到下述銅合金材料母材的銅合金的結(jié)晶粒徑為3 35 μ m，由Co和Si組成的 析出物的粒子直徑為5 50nm，所述析出物的密度為1 X IO8 1 X 101°個(gè)/mm2，并且作為 銅合金材料的表面粗糙度以Ra表示為0. 2 μ m以下且以Rt表示為2 μ m以下，抗拉強(qiáng)度為 550MPa以上，導(dǎo)電率為50% IACS以上。
11.如權(quán)利要求1所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，Co的含量為0.7 .2.0質(zhì)量％，Co相對于Si的質(zhì)量比(Co/Si)為3以上且5以下，并且，母材的銅合金的結(jié)晶 粒徑的算術(shù)平均為3 20μπι，標(biāo)準(zhǔn)偏差為8μπι以下，所述標(biāo)準(zhǔn)偏差小于所述算術(shù)平均。
12.如權(quán)利要求11所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，還包含總含量為 0. 01 1. 0質(zhì)量％的選自Cr、Ni、Fe的組的至少一種，并且剩余部分為銅和不可避免的雜質(zhì)。
13.如權(quán)利要求11或12所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，還包含總含量 為0. 01 1. 0質(zhì)量％的選自Sn、Mg、Zn、Mn的組的至少一種，并且剩余部分為銅和不可避 免的雜質(zhì)。
14.如權(quán)利要求11至13中任一項(xiàng)所述的用于電氣電子部件的銅合金材料，其中，還包 含總含量為0. 01 1. 0質(zhì)量％的選自Zr、Ti的組的至少一種，并且剩余部分為銅和不可避 免的雜質(zhì)。
全文摘要
一種用于電氣電子部件的銅合金材料，其具有以下組成含有0.5～2.0質(zhì)量％的Co(鈷)、0.1～0.5質(zhì)量％的Si(硅元素)，剩余部分由Cu(銅)和不可避免的雜質(zhì)組成；其中，母材的銅合金的結(jié)晶粒徑為3～35μm，由Co和Si組成的析出物的粒子直徑為5～50nm，所述析出物的密度為1×108～1×1010個(gè)/mm2，并且作為銅合金材料的抗拉強(qiáng)度為550MPa以上，導(dǎo)電率為50％IACS以上。
文檔編號H01B13/00GK102112639SQ20098013031
公開日2011年6月29日 申請日期2009年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月31日
發(fā)明者三原邦照, 松尾亮佑, 江口立彥 申請人:古河電氣工業(yè)株式會社