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一種多晶硅氫化爐用變流變壓器的制作方法

文檔序號:7198120閱讀:180來源:國知局
專利名稱:一種多晶硅氫化爐用變流變壓器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型屬于變壓器技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種多晶硅氫化爐用變流變壓器。
背景技術(shù)
在工業(yè)生產(chǎn)中,多晶硅氫化爐加熱電源要求加熱功率大、電壓電流變化范圍寬且 能精確控制,同時(shí)還要求具有負(fù)載阻抗變化大、諧波干擾低且生產(chǎn)場所防火等級要求高等 特點(diǎn)。而工業(yè)生產(chǎn)中這種加熱電源通常由多臺調(diào)壓變壓器共同組成,其存在的問題是 1.諧波含量高且靠近城市負(fù)荷中心,嚴(yán)重影響了電網(wǎng)的供電質(zhì)量;2.絕大多數(shù)調(diào)壓變壓器 為油浸式結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)易產(chǎn)生滲漏油污染環(huán)境的問題,且發(fā)生爆炸時(shí)容易引起火災(zāi)安全 隱患;3.由于加熱電源由多臺調(diào)壓變壓器共同組成,故其造價(jià)高而可靠性低;4.在多晶硅 氫化爐的加熱過程中,還需另外提供溫控、冷卻及照明等系統(tǒng)的控制電源,增加了用戶的采 購成本,并且由于需要另外安裝控制電源,擴(kuò)大了整個(gè)裝置的安裝空間。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題就是針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足,提供一種可消 除諧波干擾、且不會(huì)污染環(huán)境,并且可消除火災(zāi)隱患的多晶硅氫化爐用變流變壓器。解決上述技術(shù)問題所采取的技術(shù)方案是該多晶硅氫化爐用變流變壓器采用三相 干式變壓器,該干式變壓器包括鐵心、從內(nèi)到外依次設(shè)置在鐵心上的副邊繞組和原邊繞組, 所述原邊繞組采用三角形聯(lián)接,原邊繞組中每相繞組都帶有三個(gè)或三個(gè)以上的分接抽頭。由于原邊繞組采用三角形聯(lián)接,三次諧波電流可以循環(huán)流過,從而可以消除三次 諧波電壓,以減小三次諧波在金屬結(jié)構(gòu)件中引起的渦流損耗。在原邊繞組上根據(jù)需要按要 求抽分接頭,調(diào)壓范圍的具體數(shù)值可分為1 士5% ;1±2X2. 5% ;1±4X2. 5%等,其調(diào)壓范圍 可達(dá)到士 10%。所述副邊繞組為多抽頭繞組,三相繞組尾頭短接并引出。這種接法實(shí)際上是采用 星形接法,其中性點(diǎn)引出。優(yōu)選的是,所述副邊繞組和原邊繞組之間還有靜電屏蔽層,所述靜電屏蔽層短接 并接地。靜電屏蔽層可使原、副邊繞組互相隔離,從而形成兩個(gè)相互獨(dú)立的靜電系統(tǒng),以消 除靜電耦合作用,防止原邊繞組中的過電壓波及副邊繞組,增強(qiáng)產(chǎn)品的運(yùn)行可靠性。優(yōu)選所 述靜電屏蔽層采用銅箔或鋁箔制成,其包裹在副邊繞組的外層,并與副邊繞組之間絕緣。進(jìn)一步優(yōu)選的是,所述鐵心上還可設(shè)有輔助繞組,輔助繞組套在鐵心心柱上。所述 輔助繞組可采用星形聯(lián)接。輔助繞組的作用是可以為用戶提供電壓為220V 400V的溫控、 冷卻及照明等系統(tǒng)的控制電源。在保證絕緣距離(即安全距離,是確保輔助繞組與原、副邊 間的絕緣距離)的情況下,輔助繞組可設(shè)置在變壓器器身的任何位置。本實(shí)用新型多晶硅氫化爐用變流干式變壓器的優(yōu)點(diǎn)是1.由于本實(shí)用新型變壓器采用的是三相干式變壓器,因而不會(huì)產(chǎn)生滲漏油污染環(huán) 境的問題,或者發(fā)生爆炸從而引起火災(zāi)安全隱患,這種結(jié)構(gòu)的變壓器可減少工程占地面積,而且安裝更加方便,運(yùn)行更加可靠,造價(jià)更加低廉。2.由于原邊繞組采用三角形聯(lián)接,可消除和抑制三次諧波電壓,減小三次諧波在 金屬結(jié)構(gòu)件中引起的渦流損耗,使其不流入公共高壓電網(wǎng)形成諧波污染,原邊繞組中每相 繞組帶有三個(gè)及三個(gè)以上的分接抽頭,其調(diào)壓范圍可達(dá)到士 10%。3.輔助繞組可以為用戶提供電壓為220V 400V的溫控、冷卻及照明等系統(tǒng)的控 制電源。用戶無需另外配置提供溫控、冷卻及照明等系統(tǒng)的控制電源,從而使用戶減少了采 購成本。

圖1是本實(shí)用新型多晶硅氫化爐用變流變壓器的結(jié)構(gòu)示意圖圖2是本實(shí)用新型多晶硅氫化爐用變流變壓器原邊繞組4的接法示意圖圖3是本實(shí)用新型多晶硅氫化爐用變流變壓器副邊繞組2的接法示意圖圖4是本實(shí)用新型多晶硅氫化爐用變流變壓器輔助繞組5的接法示意圖圖中1_鐵心2-副邊繞組3-靜電屏蔽層4-原邊繞組5-輔助繞組
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。以下實(shí)施例為本實(shí)用新型的非限定性實(shí)施例。如圖1所示,本實(shí)用新型多晶硅氫化爐變流變壓器采用三相干式變壓器,其包括 鐵心1、副邊繞組2、靜電屏蔽層3、原邊繞組4和輔助繞組5,按照從內(nèi)到外的排列順序?yàn)?鐵心1、副邊繞組2、靜電屏蔽層3、原邊繞組4。輔助繞組5套在鐵心心柱上,本實(shí)施例中, 輔助繞組5設(shè)在原邊繞組4和副邊繞組2的下方。 如圖2所示,所述原邊繞組4為三角形聯(lián)接。本實(shí)施例中,每相繞組都帶六個(gè)分接 抽頭,從而進(jìn)一步增大調(diào)壓范圍,調(diào)壓范圍可達(dá)到士 10%。如圖3所示,所述副邊繞組2為多抽頭繞組。本實(shí)施例中,副邊繞組2的每相繞組 采用三個(gè)抽頭,三相繞組尾頭短接并引出,也就是采用星形接法,其中性點(diǎn)引出。靜電屏蔽層3設(shè)置在副邊繞組2和原邊繞組4之間,所述靜電屏蔽層3短接(即 將靜電屏蔽層3用引線聯(lián)結(jié)在一起)并接地。本實(shí)施例中,靜電屏蔽層3采用銅箔或鋁箔 制成,其裹附在副邊繞組2的外層,并與副邊繞組2之間絕緣。靜電屏蔽層3的搭結(jié)處需進(jìn) 行絕緣處理以避免形成短路環(huán)(如果形成短路環(huán)將在靜電屏蔽層3上形成匝電勢)。靜電 屏蔽層3可使原邊繞組4和副邊繞組2互相隔離,形成兩個(gè)相互獨(dú)立的靜電系統(tǒng),以消除靜 電耦合作用,可防止原邊繞組過電壓波及副邊繞組2,使變壓器產(chǎn)品運(yùn)行可靠。當(dāng)然,本實(shí)用 新型變壓器也可根據(jù)用戶需求不設(shè)置靜電屏蔽層3。本實(shí)施例中,輔助繞組5設(shè)在原邊繞組4和副邊繞組2的下方。當(dāng)然,在保證絕緣 距離的情況下輔助繞組5也可設(shè)置在變壓器器身上的任何位置。輔助繞組5為星形聯(lián)接, 它可以為用戶提供電壓為220V 400V的溫控、冷卻及照明等系統(tǒng)的控制電源。可以理解的是,以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性 實(shí)施方式,然而本實(shí)用新型并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言,在不脫離本 實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下,可以做出各種變型和改進(jìn),這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型 的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求一種多晶硅氫化爐用變流變壓器,其特征在于該變壓器采用三相干式變壓器,該干式變壓器包括鐵心(1)、從內(nèi)到外依次設(shè)于鐵心(1)上的副邊繞組(2)和原邊繞組(4),所述原邊繞組(4)采用三角形聯(lián)接,原邊繞組(4)的每相繞組都帶有三個(gè)或三個(gè)以上的分接抽頭。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅氫化爐用變流變壓器,其特征在于所述副邊繞組(2) 為多抽頭繞組,三相繞組尾頭短接并引出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅氫化爐用變流變壓器,其特征在于副邊繞組(2)和原 邊繞組⑷之間有靜電屏蔽層(3),所述靜電屏蔽層(3)短接并接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅氫化爐用變流變壓器,其特征在于所述靜電屏蔽層 (3)采用銅箔或鋁箔制成,其包裹在副邊繞組(2)的外層,并與副邊繞組絕緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4之一所述的多晶硅氫化爐用變流變壓器,其特征在于所述鐵心 (1)上還設(shè)有輔助繞組(5)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多晶硅氫化爐用變流變壓器,其特征在于所述輔助繞組采用 星形聯(lián)接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多晶硅氫化爐用變流變壓器,其特征在于所述輔助繞組(5) 設(shè)置在副邊繞組(2)的下方。
專利摘要一種多晶硅氫化爐用變流變壓器,其采用三相干式變壓器,包括鐵心(1)、從內(nèi)到外依次設(shè)于鐵心(1)上的副邊繞組(2)和原邊繞組(4),所述原邊繞組(4)采用三角形聯(lián)接,原邊繞組(4)的每相繞組帶有三個(gè)或三個(gè)以上的分接抽頭。該變流變壓器可消除諧波干擾、且不會(huì)污染環(huán)境,并且可消除火災(zāi)隱患。
文檔編號H01F27/36GK201590317SQ20092021879
公開日2010年9月22日 申請日期2009年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月16日
發(fā)明者孟杰, 魏月剛 申請人:特變電工股份有限公司
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