專利名稱：表面貼裝高分子ptc熱敏電阻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種導(dǎo)電高分子聚合物復(fù)合材料為主要原料的 電子元器件，尤其是涉及一種表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器。
背景技術(shù)：
在填充導(dǎo)電粒子的結(jié)晶或半結(jié)晶高分子復(fù)合材料中可表現(xiàn)出正 溫度系數(shù)PTC (positive temperature coefficient)現(xiàn)象。也就是說(shuō)， 在一定的溫度范圍內(nèi)，自身的電阻率會(huì)隨溫度的升高而增大。這些結(jié) 晶或半結(jié)晶聚合物包括聚乙烯、聚丙烯、聚偏氟乙烯、聚三氟氯乙烯， 以及它們的共聚物。導(dǎo)電粒子包括碳黑、石墨、碳纖維、金屬粉末(如 銀粉、銅粉、鋁粉、鎳粉、不銹鋼粉)。在較低的溫度時(shí)，這類高分 子導(dǎo)體呈現(xiàn)較低的電阻率，而當(dāng)溫度升高到其高分子聚合物熔點(diǎn)附 近，也就是達(dá)到所謂的"關(guān)斷"溫度時(shí)，電阻率急驟升高。具有PTC 特性的這類導(dǎo)電體已制成熱敏電阻器，應(yīng)用于電路的過(guò)流保護(hù)設(shè)置。 在通常狀態(tài)下，電路中的電流相對(duì)較小，熱敏電阻器溫度較低，而當(dāng) 由電路故障引起的大電流通過(guò)此自復(fù)性保險(xiǎn)絲時(shí)，其溫度會(huì)突然升高 到"關(guān)斷"溫度，導(dǎo)致其電阻值變得很大，這樣就使電路處于一種近 似"開(kāi)路"狀態(tài)，從而保護(hù)了電路中其他元件。而當(dāng)故障排除后，熱 敏電阻器的溫度下降，其電阻值又可恢復(fù)到低阻值狀態(tài)。
表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器已廣泛地應(yīng)用到通信、計(jì)算機(jī)、 家用電器等眾多領(lǐng)域中。通常表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器的芯材 結(jié)構(gòu)中兩層電極片會(huì)延伸到非焊接端，焊接端尺寸可以大于、小于或等于非焊接端尺寸。
中國(guó)實(shí)用新型專利號(hào)ZL00257994.4公開(kāi)了一種表面粘著電氣裝 置，包括薄板型電阻元件，其表面設(shè)置有分別延伸至電阻元件兩個(gè)端 面(即焊接端)的第一導(dǎo)電構(gòu)件和第二導(dǎo)電構(gòu)件，導(dǎo)電構(gòu)件表面設(shè)置 有絕緣膜，端部設(shè)有二電極，包括主體部和連接部，主體部包括一對(duì) 金屬箔片。
本實(shí)用新型的申請(qǐng)人在實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)， 一般的表面貼裝元件的上、 下電極片不僅延伸至焊接端，還延伸到兩個(gè)非焊接端，如圖7所示， 若出現(xiàn)錫珠13搭接的情況，元件就會(huì)被短路。由于表面貼裝高分子 PTC熱敏電阻器是一種需要重復(fù)動(dòng)作的元件，對(duì)其熱沖擊和長(zhǎng)期電老 化特性要求較高，故這種搭接現(xiàn)象會(huì)直接影響產(chǎn)品質(zhì)量。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)已有技術(shù)存在的缺陷，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于 提供一種可以避免側(cè)面短路、安全可靠，且熱沖擊性能和長(zhǎng)期電老化 性能有較大提高的表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器。
本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問(wèn)題所采取的技術(shù)方案是 一種表面貼
裝高分子PTC熱敏電阻器，包括芯片、內(nèi)電極片、絕緣層和二端電極， 所述的芯片包括相對(duì)的第一表面與第二表面，相對(duì)的第一焊接端面與 第二焊接端面和相對(duì)的二非焊接端面，所述的二端電極均由外電極和 一對(duì)金屬箔片構(gòu)成，其中，所述內(nèi)電極片的兩側(cè)均與芯片的二非焊接 端面之間留有間距，形成絕緣槽，且內(nèi)電極片與絕緣層間設(shè)有緩沖層， 其中，所述的緩沖層材料為酚醛樹(shù)脂、硅膠、三聚氰胺樹(shù)脂中的一種。 本實(shí)用新型由于絕緣槽的存在可以使產(chǎn)品的側(cè)面不露出內(nèi)電極 片故在錫珠產(chǎn)生時(shí)無(wú)法短路其電極，而該緩沖層的設(shè)計(jì)可以有效提高
6熱緩沖功能以及長(zhǎng)期電老化特性，使器件動(dòng)作快速且長(zhǎng)期工作的耐久 性能提高。
在上述方案的基礎(chǔ)上，提供一種具體的表面貼裝高分子PTC熱敏 電阻器，由內(nèi)向外依序包括 一心片；
第一內(nèi)電極片，設(shè)在芯片的第一表面，其一端延伸至第一焊接端 面，相對(duì)的另一端與第二焊接端面之間留有間距，兩側(cè)均與二非焊接 端面留有間距，形成絕緣槽；
第二內(nèi)電極片，設(shè)在芯片的第二表面，其一端延伸至第二焊接端 面，相對(duì)的另一端與第一焊接端面之間留有間距，兩側(cè)均與二非焊接 端面留有間距，形成絕緣槽；
第一緩沖層，設(shè)在第一內(nèi)電極片的上，覆蓋整個(gè)第一內(nèi)電極片及 露出的芯片第一表面；
第二緩沖層，設(shè)在第二內(nèi)電極片的上，覆蓋整個(gè)第二內(nèi)電極片及 露出的芯片第二表面；
第一絕緣層，設(shè)在第一緩沖層上，覆蓋整個(gè)第一緩沖層；
第二絕緣層，設(shè)在第二緩沖層上，覆蓋整個(gè)第二緩沖層；
第一對(duì)金屬箔片，分別設(shè)在第一絕緣層和第二絕緣層上；
第二對(duì)金屬箔片，分別設(shè)在第一絕緣層和第二絕緣層上，兩對(duì)金 屬箔片之間留有空間；
第一外電極，沿芯片的第一焊接端面設(shè)置，第一外電極連接第一 對(duì)金屬箔片和第二內(nèi)電極片；
第二外電極，沿芯片的第二焊接端面設(shè)置，第二外電極連接第二 對(duì)金屬箔片和第一內(nèi)電極片。
在上述方案基礎(chǔ)上，所述的絕緣槽的寬度為0.02 1.5mm，優(yōu)選在0. 3 1. 0mm。在上述方案基礎(chǔ)上，所述的絕緣槽為直線型、曲線型或其組合。在上述方案基礎(chǔ)上，所述的芯片設(shè)有兩片或兩片以上，其中，相 互疊置的二芯片之間共用同一絕緣層，第一對(duì)金屬箔片和第二對(duì)金屬 箔片分別設(shè)在最上層芯片的絕緣層和最下層芯片的絕緣層上，構(gòu)成多 層PTC熱敏電阻器。在上述方案基礎(chǔ)上，沿所述芯片的第一焊接端面和第二焊接端面 均形成有導(dǎo)通孔，內(nèi)電極片的一端蝕刻有與導(dǎo)通孔相應(yīng)的缺口 (延伸 至芯片第一焊接端面或第二焊接端面的一端蝕刻有缺口，另一端與導(dǎo) 通孔之間留有間距)。在上述方案基礎(chǔ)上，所述的第一外電極和第二外電極至少覆蓋整 個(gè)導(dǎo)通孔的表面。在上述方案基礎(chǔ)上，在絕緣層上，第一對(duì)金屬箔片和第二對(duì)金屬 箔片之間的空間處分別涂覆有阻焊油墨。在上述方案基礎(chǔ)上，所述的緩沖層與絕緣層預(yù)先粘合構(gòu)成的預(yù)制 片分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)的內(nèi)電極片上。在上述方案基礎(chǔ)上，所述的絕緣層材料為摻有玻璃纖維的環(huán)氧樹(shù) 脂、紙基、復(fù)合材料膠膜中的一種。所述的芯材由高分子聚合物、導(dǎo)電填料、其他填料和加工助劑混 合而成。本實(shí)用新型的表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器，由高分子PTC芯 材和貼覆于上述芯材兩面的金屬箔片內(nèi)電極片構(gòu)成復(fù)合片材，通過(guò)圖 形轉(zhuǎn)移蝕刻技術(shù)使金屬箔片電極蝕刻出特殊設(shè)計(jì)的絕緣槽，將緩沖層 與絕緣層進(jìn)行預(yù)先粘合構(gòu)成預(yù)制片，然后預(yù)制片、 一對(duì)金屬箔片，依 次疊放于復(fù)合片材上并進(jìn)行高溫壓合。壓合后的基板經(jīng)過(guò)后續(xù)的鉆孔，沉銅、鍍銅、鍍錫(構(gòu)成外電極)，蝕刻外層圖形，印阻焊油墨，固化阻焊油墨等步驟制成表面貼裝型式的高分子PTC熱敏電阻器。本實(shí)用新型的有益效果本實(shí)用新型表面貼裝型高分子PTC熱敏電阻器產(chǎn)品與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于采用了對(duì)非焊接端側(cè)面進(jìn)行處理的特殊設(shè)計(jì)，其優(yōu)點(diǎn)為避免產(chǎn)品在SMT領(lǐng)域應(yīng)用時(shí)易產(chǎn)生的短路現(xiàn)象，另外，該緩沖層的設(shè)計(jì) 可以有效提高熱緩沖功能以及長(zhǎng)期電老化特性，使器件動(dòng)作快速且長(zhǎng) 期工作的耐久性能提高。


圖1為表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型焊接端的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本實(shí)用新型的A-A剖視結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本實(shí)用新型非焊接端的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本實(shí)用新型的第一內(nèi)電極片蝕刻圖。圖6為本實(shí)用新型的第二內(nèi)電極片蝕刻圖。圖7為傳統(tǒng)PTC熱敏電阻器側(cè)面被錫珠短路的示意圖圖8為本實(shí)用新型的多層PTC熱敏電阻器的A-A剖視結(jié)構(gòu)示意圖,附圖中標(biāo)號(hào)說(shuō)明實(shí)施例1中l(wèi)一芯片 101 —第一表面 102—第二表面103—第一焊接端面 104—第二焊接端面 105， 106 —非焊接端面 2a—第一內(nèi)電極片 21a—缺口 2b—第二內(nèi)電極片 21b —缺口3a—第一緩沖層 4a—第一絕緣層 5—第一對(duì)金屬箔片 9a， 9b —阻焊油墨 IO—第一外電極 13 —焊珠 實(shí)施例2中 電阻元件A中， 1 —芯片2a—第一內(nèi)電極片 3a—第一緩沖層 4a—第一絕緣層； 電阻元件B中， r 一芯片2a' —第一內(nèi)電極片 3a， 一第一緩沖層 4b， 一第二絕緣層； 4c一絕緣層 5—第一對(duì)金屬箔片 9a， 9b—阻焊油墨3b—第二緩沖層 4b —第二絕緣層 6， 7 —導(dǎo)通孔112b —第二內(nèi)電極片 3b—第二緩沖層2b， 一第二內(nèi)電極片 3b， 一第二緩沖層6， 7 —導(dǎo)通孔 IO —第一外電極8—第二對(duì)金屬箔片8—第二對(duì)金屬箔片 ll一第二外電極—第二外電極12 —絕緣槽具體實(shí)施方式
實(shí)施例1如圖1為表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為 本實(shí)用新型焊接端的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為本實(shí)用新型的A-A剖視結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為本實(shí)用新型非焊接端的結(jié)構(gòu)示意圖，圖5為本實(shí)用新 型的第一內(nèi)電極片蝕刻圖和圖6為本實(shí)用新型的第二內(nèi)電極片蝕刻 圖所示， 一種表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器，包括一芯片l、 二內(nèi) 電極片、二緩沖層、二絕緣層和二端電極，所述的芯片1包括相對(duì)的 第一表面101與第二表面102，相對(duì)的第一焊接端面103與第二焊接 端面104和相對(duì)的二非焊接端面105， 106，所述的二端電極均由外 電極和一對(duì)金屬箔片構(gòu)成，所述內(nèi)電極片的兩側(cè)均與芯片的二非焊接 端面105， 106之間留有間距，形成絕緣槽12，且內(nèi)電極片與絕緣層 間設(shè)有緩沖層，其中，所述的緩沖層材料為酚醛樹(shù)脂、硅膠、三聚氰 胺樹(shù)脂中的一種。所述的表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器由內(nèi)向外依序包括一芯片l;第一內(nèi)電極片2a，設(shè)在芯片1的第一表面101，其一端延伸至第 一焊接端面103，相對(duì)的另一端與第二焊接端面104之間留有間距， 兩側(cè)均與二非焊接端面105， 106留有間距，形成直線型的絕緣槽12 (如圖2所示)，絕緣槽的寬度K為0.02 1.5mm;第二內(nèi)電極片2b,設(shè)在芯片1的第二表面102，其一端延伸至第 二焊接端面104，相對(duì)的另一端與第一焊接端面103之間留有間距， 兩側(cè)均與二非焊接端面105， 106留有間距，形成直線型的絕緣槽12 (如圖2所示)，絕緣槽的寬度K為0.02 1.5mm;第一緩沖層3a，設(shè)在第一內(nèi)電極片2a的上，覆蓋整個(gè)第一內(nèi)電 極片2a及露出的芯片第一表面101;第二緩沖層3b，設(shè)在第二內(nèi)電極片2b的上，覆蓋整個(gè)第二內(nèi)電 極片2b及露出的芯片第二表面102;第一絕緣層4a，設(shè)在第一緩沖層3a上，覆蓋整個(gè)第一緩沖層3a;第二絕緣層4b，設(shè)在第二緩沖層3b上，覆蓋整個(gè)第二緩沖層3b;第一對(duì)金屬箔片5，分別設(shè)在第一絕緣層4a和第二絕緣層4b上;第二對(duì)金屬箔片8，分別設(shè)在第一絕緣層4a和第二絕緣層4b上， 第一對(duì)金屬箔片5與第二對(duì)金屬箔片8之間留有空間，該空間處分別 涂覆有阻焊油墨9a、 9b;第一外電極10，沿芯片1的第一焊接端面103設(shè)置，第一外電 極10連接第一對(duì)金屬箔片5和第二內(nèi)電極片2b;第二外電極11，沿芯片1的第二焊接端面104設(shè)置，第二外電 極11連接第二對(duì)金屬箔片8和第一內(nèi)電極片2a。沿所述芯片1的第一焊接端面103和第二焊接端面104均形成有 垂直的導(dǎo)通孔6， 7，所述的第一外電極10和第二外電極11至少覆 蓋整個(gè)導(dǎo)通孔6， 7的表面。第一內(nèi)電極片2a和第二內(nèi)電極片2b均由一平面金屬箔片經(jīng)過(guò)蝕 刻方式形成與導(dǎo)通孔6、 7相應(yīng)的一左一右各一不對(duì)稱的缺口 21a， 21b，以及靠近非焊接端面105, 106的絕緣槽12。上述的芯材1是由高分子聚合物、導(dǎo)電填料、其他填料和加工 助劑混合而成。所述的高分子聚合物為聚乙烯、聚丙烯、聚偏氟乙烯、聚三氟 氯乙烯中的一種或一種以上聚合物的共混物；所述的導(dǎo)電填料為碳黑、石墨、碳纖維、金屬粉末、金屬氧化 物中的一種或一種以上的混合物；所述的其它填料為陶土、氫氧化鎂、氫氧化鋁、滑石粉中的一 種或一種以上的混合物。絕緣層材料為環(huán)氧樹(shù)脂和玻璃纖維布或紙基或復(fù)合材料所制成 的膠膜。制備方法為-將第一緩沖層3a與第一絕緣層4a進(jìn)行預(yù)先粘合后制得的預(yù)制 片，同樣將第二緩沖層3b與第二絕緣層4b進(jìn)行預(yù)先粘合后制得的預(yù) 制片，預(yù)先貼合的方式可以是熱壓式也可以是涂敷式，按圖3的順序 疊放在第一內(nèi)電極片2a和第二內(nèi)電極片2b上，并在外層的第一絕緣 層4a、第二絕緣層4b上下各加銅片(第一對(duì)金屬箔片5、第二對(duì)金 屬箔片8)，經(jīng)熱壓固化密合后，將第一對(duì)金屬箔片5、第二對(duì)金屬箔 片8經(jīng)蝕刻方法產(chǎn)生左右對(duì)稱的電極端。左右兩端電極區(qū)通過(guò)導(dǎo)通孔6， 7或全面性裁切面的電鍍方式將 上下左右的電極選擇性的垂直聯(lián)通在一起，然后在第一對(duì)金屬箔片5、 第二對(duì)金屬箔片8電極端中間的空間通過(guò)涂敷阻焊油墨9a， 9b造成 絕緣效應(yīng)。由圖3可知，導(dǎo)通孔6上的第一外電極10連接第一對(duì)金屬箔片 5和第二內(nèi)電極片2b;而導(dǎo)通孔7上的第二外電極11連接第二對(duì)金 屬箔片8和第一內(nèi)電極片2a。導(dǎo)通孔的形狀可以是任意形狀和任意 個(gè)數(shù)，本實(shí)施例中是以一個(gè)半圓形為例。 實(shí)施例2請(qǐng)參閱圖8為本實(shí)用新型的多層PTC熱敏電阻器的A-A剖視結(jié)構(gòu) 示意圖所示， 一種表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器，芯片設(shè)有兩片， 圖中A， B代表兩個(gè)電阻元件總成，進(jìn)行并聯(lián)連接，達(dá)到多層并聯(lián)的 目的，其中，包括電阻元件A由內(nèi)向外依序包括 一芯片l;第一內(nèi)電極片2a，設(shè)在芯片1的第一表面，其一端延伸至第一 焊接端面，相對(duì)的另一端與第二焊接端面之間留有間距，兩側(cè)均與二非焊接端面留有間距，形成直線型的絕緣槽，絕緣槽的寬度為0.02 1. 5,第二內(nèi)電極片2b，設(shè)在芯片1的第二表面，其一端延伸至第二 焊接端面，相對(duì)的另一端與第一焊接端面之間留有間距，兩側(cè)均與二 非焊接端面留有間距，形成直線型的絕緣槽，絕緣槽的寬度為0. 02 1. 5鵬第一緩沖層3a，設(shè)在第一內(nèi)電極片2a的上，覆蓋整個(gè)第一內(nèi)電 極片2a及露出的芯片1第一表面；第二緩沖層3b，設(shè)在第二內(nèi)電極片2b的上，覆蓋整個(gè)第二內(nèi)電 極片2b及露出的芯片l第二表面；第一絕緣層4a，設(shè)在第一緩沖層3a上，覆蓋整個(gè)第一緩沖層3a;包括電阻元件B由內(nèi)向外依序包括-一芯片r;第一內(nèi)電極片2a，，設(shè)在芯片r的第一表面，其一端延伸至第 一焊接端面，相對(duì)的另一端與第二焊接端面之間留有間距，兩側(cè)均與 二非焊接端面留有間距，形成直線型的絕緣槽，絕緣槽的寬度為 0. 02 1.5mm;第二內(nèi)電極片2b，，設(shè)在芯片l'的第二表面，其一端延伸至第 二焊接端面，相對(duì)的另一端與第一焊接端面之間留有間距，兩側(cè)均與 二非焊接端面留有間距，形成直線型的絕緣槽，絕緣槽的寬度為 0. 02 1.5mm;第一緩沖層3a，，設(shè)在第一內(nèi)電極片2a'的上，覆蓋整個(gè)第一 內(nèi)電極片2a'及露出的芯片r第一表面；第二緩沖層3b，，設(shè)在第二內(nèi)電極片2b，的上，覆蓋整個(gè)第二內(nèi)電極片2b，及露出的芯片r第二表面；14第二絕緣層4b'，設(shè)在第二緩沖層3b'上，覆蓋整個(gè)第二緩沖層3b，；相互疊置的二芯片i， r之間共用同一絕緣層4c，設(shè)置在電阻元件A的第二緩沖層3b和電阻元件B的第一緩沖層3a，之間；第一對(duì)金屬箔片5，分別設(shè)在電阻元件A的第一絕緣層4a和電 阻元件B的第二絕緣層4b，上；第二對(duì)金屬箔片8，分別設(shè)在電阻元件A的第一絕緣層4a和電 阻元件B的第二絕緣層4b'上，第一對(duì)金屬箔片5與第二對(duì)金屬箔 片8之間留有空間，該空間處分別涂覆有阻焊油墨9a、 9b;第一外電極IO，沿芯片l, 1'的第一焊接端面設(shè)置，第一外電 極10連接第一對(duì)金屬箔片5、電阻元件A的第二內(nèi)電極片2b和電阻 元件B的第二內(nèi)電極片2b';第二外電極ll，沿芯片l， r的第二焊接端面設(shè)置，第二外電 極11連接第二對(duì)金屬箔片8、電阻元件A的第一內(nèi)電極片2a和電阻 元件B的第一內(nèi)電極片2a'。第一對(duì)金屬箔片5和第二對(duì)金屬箔片8分別與導(dǎo)電材10， 11達(dá) 成電氣上的連接，經(jīng)由此設(shè)計(jì)制作的表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器 內(nèi)含兩層PTC芯材，呈并聯(lián)連接。
權(quán)利要求1、一種表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器，包括芯片、內(nèi)電極片、絕緣層和二端電極，所述的芯片包括相對(duì)的第一表面與第二表面，相對(duì)的第一焊接端面與第二焊接端面和相對(duì)的二非焊接端面，所述的二端電極均由外電極和一對(duì)金屬箔片構(gòu)成，其特征在于所述內(nèi)電極片的兩側(cè)均與芯片的二非焊接端面之間留有間距，形成絕緣槽，且內(nèi)電極片與絕緣層間設(shè)有緩沖層，其中，所述的緩沖層材料為酚醛樹(shù)脂、硅膠、三聚氰胺樹(shù)脂中的一種。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器，其特征在于所述的表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器由內(nèi)向外依序包括-一心片；第一內(nèi)電極片，設(shè)在芯片的第一表面，其一端延伸至第一焊接端面，相對(duì)的另一端與第二焊接端面之間留有間距，兩側(cè)均與二非焊接端面留有間距，形成絕緣槽；第二內(nèi)電極片，設(shè)在芯片的第二表面，其一端延伸至第二焊接端面，相對(duì)的另一端與第一焊接端面之間留有間距，兩側(cè)均與二非焊接端面留有間距，形成絕緣槽；第一緩沖層，設(shè)在第一內(nèi)電極片的上，覆蓋整個(gè)第一內(nèi)電極片及露出的芯片第一表面；第二緩沖層，設(shè)在第二內(nèi)電極片的上，覆蓋整個(gè)第二內(nèi)電極片及露出的芯片第二表面；第一絕緣層，設(shè)在第一緩沖層上，覆蓋整個(gè)第一緩沖層； 第二絕緣層，設(shè)在第二緩沖層上，覆蓋整個(gè)第二緩沖層； 第一對(duì)金屬箔片，分別設(shè)在第一絕緣層和第二絕緣層上； 第二對(duì)金屬箔片，分別設(shè)在第一絕緣層和第二絕緣層上，兩對(duì)金屬箔片之間留有空間；第一外電極，沿芯片的第一焊接端面設(shè)置，第一外電極連接第一 對(duì)金屬箔片和第二內(nèi)電極片；第二外電極，沿芯片的第二焊接端面設(shè)置，第二外電極連接第二 對(duì)金屬箔片和第一內(nèi)電極片。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器，其 特征在于所述的絕緣槽的寬度為0.02 1.5mm。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器，其特征 在于所述的絕緣槽為直線型、曲線型或其組合。
5、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器，其特征 在于所述的芯片設(shè)有兩片或兩片以上，其中，相互疊置的二芯片之 間共用同一絕緣層，第一對(duì)金屬箔片和第二對(duì)金屬箔片分別設(shè)在最上 層芯片的絕緣層和最下層芯片的絕緣層上，構(gòu)成多層PTC熱敏電阻 器°
6、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器，其特征 在于所述芯片的第一焊接端面和第二焊接端面上均形成有垂直的導(dǎo) 通孔，內(nèi)電極片的一端蝕刻有與導(dǎo)通孔相應(yīng)的缺口。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器，其特征 在于所述的第一外電極和第二外電極至少覆蓋整個(gè)導(dǎo)通孔的表面。
8、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器，其特征 在于在絕緣層上，第一對(duì)金屬箔片和第二對(duì)金屬箔片之間的空間處 分別涂覆有阻焊油墨。
9、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器，其特征 在于所述的緩沖層與絕緣層預(yù)先粘合構(gòu)成的預(yù)制片分別設(shè)置在對(duì)應(yīng)的內(nèi)電極片上。
10、根據(jù)權(quán)利要求3所述的表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器，其特征 在于所述的絕緣層材料為摻有玻璃纖維的環(huán)氧樹(shù)脂、紙基、復(fù)合材 料膠膜中的一種。
專利摘要本實(shí)用新型涉及導(dǎo)電高分子聚合物復(fù)合材料電子元器件，為一種表面貼裝高分子PTC熱敏電阻器，包括芯片、內(nèi)電極片、絕緣層和二端電極，所述的芯片包括相對(duì)的第一表面與第二表面，相對(duì)的第一焊接端面與第二焊接端面和相對(duì)的二非焊接端面，所述的二端電極均由外電極和一對(duì)金屬箔片構(gòu)成，其中，所述內(nèi)電極片的兩側(cè)均與芯片的二非焊接端面之間留有間距，形成絕緣槽，且內(nèi)電極片與絕緣層間設(shè)有緩沖層，其中，所述的緩沖層材料為酚醛樹(shù)脂、硅膠、三聚氰胺樹(shù)脂中的一種。優(yōu)點(diǎn)是采用了對(duì)非焊接端側(cè)面進(jìn)行處理的特殊設(shè)計(jì)，其優(yōu)點(diǎn)為避免產(chǎn)品在SMT領(lǐng)域應(yīng)用時(shí)易產(chǎn)生的短路現(xiàn)象，緩沖層可有效提高熱緩沖功能以及長(zhǎng)期電老化特性。
文檔編號(hào)H01C7/02GK201345266SQ200920067179
公開(kāi)日2009年11月11日 申請(qǐng)日期2009年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月20日
發(fā)明者劉正平, 吳國(guó)臣, 軍 王 申請(qǐng)人:上海長(zhǎng)園維安電子線路保護(hù)股份有限公司