專利名稱：Amoled器件的基板及其蒸鍍工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種AMOLED器件的制造工藝，特別是涉及一種AMOLED器件的基板及其蒸鍍工藝。
背景技術(shù)：
AMOLED (Active Matrix/Organic Light Emitting Diode主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板)器件的制造工藝大概可分為三步第一步是在基板上形成配線、透明陽極的光刻工藝；第二步是進(jìn)行有機(jī)材料蒸鍍形成發(fā)光層的蒸鍍工藝；最后是為維持AMOLED器件的特性而從外部進(jìn)行遮擋的封裝工藝。在蒸鍍工藝中，目前的方法是采用金屬掩膜板先對(duì)紅色發(fā)光區(qū)域進(jìn)行蒸鍍，接著移動(dòng)金屬掩膜板蒸鍍綠色發(fā)光區(qū)域，最后移動(dòng)金屬掩膜板蒸鍍藍(lán)色發(fā)光區(qū)域。但由于目前的AMOLED器件的基板上的R、 G、 B像素ITO與TFT像素電路采用橫向并列方式排列，因此隨著AMOLED器件的大型化，金屬掩膜板的變形及張緊精密度的問題會(huì)導(dǎo)致開口的形狀變化，從而導(dǎo)致在AMOLED器件的蒸鍍工藝中出現(xiàn)對(duì)位不良的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種能夠克服AMOLED器件蒸鍍工序中發(fā)生對(duì)位不良問題的AMOLED器件的基板。 本發(fā)明還要提供一種對(duì)上述AMOLED器件進(jìn)行蒸鍍的工藝。 本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是AMOLED器件的基板，包括R、 G、 B像素
ITO與TFT像素電路，所述R、G、B像素ITO與TFT像素電路采用縱向方式排列。 本發(fā)明的有益效果是通過改變AMOLED器件的基板上的R、G、B像素ITO與TFT像
素電路的排列方式，使得蒸鍍工序中發(fā)生的對(duì)位不良問題最小化，即使金屬精密掩模板的
精密度有點(diǎn)降低，也可以減少由邊緣尺寸導(dǎo)致的發(fā)光層對(duì)位不良的問題；掩模板的精密度、
張緊技術(shù)、OLED工藝余量等都不用考慮，可以有效減小隨著AMOLED器件的尺寸增大，掩模
板的開口變形及精密度下降導(dǎo)致的發(fā)光層對(duì)位不良問題。


圖1是現(xiàn)有的AMOLED器件的基板及蒸鍍工藝示意圖。
圖2是本發(fā)明的AMOLED器件的基板及蒸鍍工藝示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖1是現(xiàn)有的AMOLED器件的基板2及蒸鍍工藝示意圖，圖中箭頭所示是掩模板1移動(dòng)方向，由于AMOLED器件的基板2上的R、G、B像素ITO與TFT像素電路采用橫向并列方式排列，R和G、 G和B像素ITO之間的距離大約在20-35um，但由于掩模板1的制造技術(shù)問題，大約有7um左右的誤差，因此掩模板l移動(dòng)進(jìn)行蒸鍍時(shí)，會(huì)經(jīng)常發(fā)生蒸鍍對(duì)位不良的問題。
圖2是本發(fā)明的AMOLED器件的基板2及蒸鍍工藝示意圖，圖中箭頭所示是掩模板 1移動(dòng)方向，由于AMOLED器件的基板2上的R、G、B像素ITO與TFT像素電路采用縱向方式 排列，這樣R和G、G和B像素ITO之間的距離大約可以達(dá)到70 85um左右，這樣在蒸鍍的時(shí) 候，掩模板1只需擋住R、G、B像素ITO部分，而不用擋住TFT像素電路，掩模板1的開口可 以更大些，可以減少蒸鍍對(duì)位不良的現(xiàn)象，同時(shí)也避免了分辨率降低的問題。
權(quán)利要求
AMOLED器件的基板，包括R、G、B像素ITO與TFT像素電路，其特征在于，所述R、G、B像素ITO與TFT像素電路采用縱向方式排列。
2. 如權(quán)利要求1所述的AMOLED器件的基板，其特征在于，所述R和G、 G和B像素ITO 之間的距離為70-85um。
3. AMOLED器件的基板的蒸鍍工藝，其特征在于，蒸鍍時(shí)，掩模板(1)只需擋住R、G、B像 素ITO部分，而不用擋住TFT像素電路。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠克服AMOLED器件蒸鍍工序中發(fā)生對(duì)位不良問題的AMOLED器件的基板。AMOLED器件的基板，包括R、G、B像素ITO與TFT像素電路，所述R、G、B像素ITO與TFT像素電路采用縱向方式排列。本發(fā)明通過改變AMOLED器件的基板上的R、G、B像素ITO與TFT像素電路的排列方式，使得蒸鍍工序中發(fā)生的對(duì)位不良問題最小化，即使金屬精密掩模板的精密度有點(diǎn)降低，也可以減少由邊緣尺寸導(dǎo)致的發(fā)光層對(duì)位不良的問題；掩模板的精密度、張緊技術(shù)、OLED工藝余量等都不用考慮，可以有效減小隨著AMOLED器件的尺寸增大，掩模板的開口變形及精密度下降導(dǎo)致的發(fā)光層對(duì)位不良問題。
文檔編號(hào)H01L27/28GK101740611SQ20091031247
公開日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2009年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月29日
發(fā)明者趙大庸 申請(qǐng)人:四川虹視顯示技術(shù)有限公司