專利名稱：對(duì)超厚金屬溝槽邊緣的過刻蝕深度進(jìn)行監(jiān)測的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測試技術(shù)，尤其涉及對(duì)超厚金屬溝槽邊緣的過刻蝕深度進(jìn)行監(jiān) 測的方法。
背景技術(shù)：
刻蝕工藝的最后一步是進(jìn)行刻蝕檢查以確?？涛g質(zhì)量。這種檢查是在有圖形的硅 片上刻蝕和去膠全部完成之后進(jìn)行的，傳統(tǒng)上是用白光或紫外光手動(dòng)顯微鏡來檢查缺陷， 如檢查污點(diǎn)和大的顆粒沾污。手動(dòng)顯微鏡已大量被自動(dòng)檢測系統(tǒng)所取代，特別是對(duì)有深亞 微米圖形的關(guān)鍵層的檢查?？涛g工藝的質(zhì)量也是通過對(duì)刻蝕問題的檢測來進(jìn)行校驗(yàn)的，例 如，包括是否存在過刻蝕、欠刻蝕或鉆蝕。在實(shí)際工藝制作中發(fā)現(xiàn)，對(duì)超厚金屬進(jìn)行刻蝕時(shí)常常出現(xiàn)對(duì)超厚金屬邊緣的過刻 蝕。參見圖la，為對(duì)超厚金屬進(jìn)行刻蝕后的剖面圖，圖中11表示刻蝕后的超厚金屬溝槽， 圖Ia中用圓圈圈住的部分便是超厚金屬溝槽邊緣過刻蝕的突出部分；這里為了便于說明， 將超厚金屬所在層稱為第三層，將超厚金屬層之前形成的層稱為第二層，將第二層之前形 成的層稱為第一層；超厚金屬層與第一層之間，形成的是超厚金屬溝槽的中心與第一層之 間的開爾文中心通孔12。理想狀態(tài)下，刻蝕后的超厚金屬溝槽為圖Ib所示，超厚金屬溝槽 邊緣沒有過刻蝕的部分。需要說明的是，所述第一層可以是超厚金屬層以不是超厚金屬層。采用自動(dòng)檢測系統(tǒng)進(jìn)行刻蝕檢查的方法中，包括開爾文通孔測試方法?，F(xiàn)有的開 爾文通孔測試方法為圖2所示的流程，其包括以下步驟步驟201，形成第一層之后，在第二層上形成中心通孔，在中心通孔中填入金屬構(gòu) 成中心連線。中心連線用于連接第一層與第三層超厚金屬。本步驟形成的中心連線的高度為 第一層與第三層超厚金屬之間的距離，表示為L，該中心連線的橫截面一般選擇為邊長為 0.36um (微米)的正方形。步驟202，形成關(guān)于第一層與中心通孔之間接觸處的兩個(gè)中心測試連線通孔，在兩 個(gè)中心測試連接通孔中填入金屬構(gòu)成中心測試連線。通過中心測試連線實(shí)現(xiàn)本步驟所述接觸處與置于超厚金屬層外的兩個(gè)襯墊(pad) 的連接，將這兩個(gè)pad分別表示為pad5和pad6，如圖3所示。圖3示出了第一層與第三層 超厚金屬之間的中心連線30，帶網(wǎng)格部分示出了從第一層與中心通孔之間的接觸處引出 pad5和pad6的情況。中心測試連線用于測試中心連線的電阻，關(guān)于測試中心連線的電阻的 具體方法參見關(guān)于步驟205的詳細(xì)描述。步驟203，刻蝕超厚金屬溝槽。本步驟具體包括填第三層介質(zhì)，在第三層介質(zhì)上涂上光刻膠，通過曝光顯影在光 刻膠上進(jìn)行光刻，在光刻膠上定義超厚金屬溝槽的位置，以該曝光顯影后的光刻膠為掩膜 刻蝕出超厚金屬溝槽。
步驟204，在步驟203刻蝕的超厚金屬溝槽中填入金屬。步驟205，測試出中心連線的電阻。本步驟具體包括首先，從超厚金屬溝槽引出兩條測試連線，與兩個(gè)pad相連。將這兩個(gè)pad表示為 padl和pad7，如圖3所示，帶黑點(diǎn)部分示出了從超厚金屬溝槽引出padl和pad7的情況。上 述從超厚金屬溝槽引出兩條測試連線的具體實(shí)現(xiàn)可以包括從超厚金屬的溝槽兩側(cè)邊分別 引出一條測試連線。然后，對(duì)pad5和pad6，以及padl和pad7進(jìn)行通電，測試出中心連線的電阻。圖4為圖3的等價(jià)電路圖，圖中，40表示中心連線的等價(jià)電阻。測試時(shí)，依據(jù)開爾文通孔測試原理將探針分別扎在padl和pad6上，扎在padl上的探針相當(dāng)于直接接在中心連線與 第三層之間的接觸處，也就是圖Ia中的E接觸處，扎在pad6上的探針相當(dāng)于直接接在中心 連線與第一層之間的接觸處，也就是圖Ia的F接觸處，然后，用測試儀器通過探針對(duì)padl 和pad6通電，測出R3兩端的電流If3 ；將探針分別扎在pad5和pad7上，扎在pad7上的探 針相當(dāng)于直接接在中心連線與第三層之間的接觸處，也就是圖Ia中的E接觸處，扎在pad5 上的探針相當(dāng)于直接接在中心連線與第一層之間的接觸處，也就是圖Ia中的F接觸處 ’然 后，用測試儀器通過探針對(duì)pad5和pad7通電，測出R3兩端的電壓Vm3 ；然后，便可計(jì)算出 R3 R3 = Vm3/If30步驟206，根據(jù)測試出的中心連線的電阻計(jì)算出中心連線的高度。計(jì)算出中心連線的電阻，且已知中心連線的電阻率和橫截面積，根據(jù)計(jì)算電阻的 公式電阻=電阻率χ (長度/橫截面積)，便可計(jì)算出中心連線的高度L3。如果步驟203超厚金屬刻蝕正常，沒有出現(xiàn)刻蝕變差，則中心連線的高度為L?，F(xiàn) 有技術(shù)中，在測試出中心連線高度后，將得到的L3與L進(jìn)行比較，如果L3與L相等或近似 相等，則表明該刻蝕符合要求；如果L3與L偏差較大，則表明過刻蝕或欠刻蝕。然而，在實(shí)際工藝中，通常情況下，L3與L相等或近似相等，很少出現(xiàn)L3與L偏差 較大的情況，也就是，一般不會(huì)出現(xiàn)刻蝕的超厚金屬溝槽中心部分過刻蝕或欠刻蝕的情況。 在實(shí)際工藝中，還發(fā)現(xiàn)超厚金屬溝槽邊緣部分常出現(xiàn)過刻蝕的情況，但根據(jù)現(xiàn)有的測試方 法，只能測試出超厚金屬溝槽中心部分的刻蝕情況，卻不能測試出超厚金屬溝槽邊緣部分 的過刻蝕情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種對(duì)超厚金屬溝槽邊緣的過刻蝕深度進(jìn)行監(jiān)測的方法，該方法能夠 測試出超厚金屬溝槽邊緣的過刻蝕深度。一種對(duì)超厚金屬溝槽邊緣的過刻蝕深度進(jìn)行監(jiān)測的方法，該方法包括在形成第一層之后，在第二層中形成第一層與第三層的超厚金屬溝槽之間的中心 通孔，在中心通孔中填入金屬構(gòu)成中心連線，并形成第一層與第三層的超厚金屬溝槽邊緣 的過刻蝕處之間的邊緣通孔，在邊緣通孔中填入金屬構(gòu)成邊緣連線，所述中心連線和所述 邊緣連線具有相同的橫截面積和相同的高度；
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在第三層中刻蝕超厚金屬溝槽，在刻蝕的超厚金屬溝槽中填入金屬；分別測出中心連線電阻和邊緣連線未被包裹部分電阻；根據(jù)測出的中心連線電阻和邊緣連線未被包裹部分電阻，計(jì)算得到超厚金屬溝槽 邊緣過刻蝕的深度?？蛇x地，所述計(jì)算超厚金屬溝槽邊緣過刻蝕的深度包括用邊緣連線未被包裹部分電阻與中心連線電阻相除，再用1減去相除得到的值， 得到相減值，最后用所述中心連線的高度乘以所述相減值，得到的乘積為超厚金屬溝槽邊 緣過刻蝕的深度?？蛇x地，在刻蝕超厚金屬溝槽之前，形成關(guān)于中心通孔與第一層之間接觸處的兩 個(gè)中心測試連線通孔，形成關(guān)于邊緣通孔與第一層之間接觸處的兩個(gè)邊緣測試連線通孔， 在所述中心測試連線通孔中填入金屬構(gòu)成中心測試連線，在所述邊緣測試連線通孔中填入 金屬構(gòu)成邊緣測試連線；所述分別測試出中心連線電阻和邊緣連線未被包裹部分電阻包括從超厚金屬溝 槽引出兩條測試連線，與襯墊相連；對(duì)與中心測試連線連接的襯墊、與邊緣測試連線連接的 襯墊，以及與所述測試連線連接的襯墊進(jìn)行通電，分別測試出中心連線電阻和邊緣連線未 被包裹部分電阻?？蛇x地，所述中心通孔和邊緣通孔的橫截面都是邊長為0. 36微米的正方形?？蛇x地，所述形成第一層與第三層的超厚金屬溝槽邊緣的過刻蝕處之間的邊緣通 孔的方法包括形成第一層與第三層的距離超厚金屬溝槽側(cè)邊的指定距離處之間的邊緣通孔?？蛇x地，所述指定距離為0至0. 5微米之間的值。從上述方案可以看出，本發(fā)明形成超厚金屬溝槽的中心與第一層之間的中心通孔 時(shí)，還形成超厚金屬溝槽邊緣的過刻蝕處與第一層之間的邊緣通孔，所述中心通孔和所述 邊緣通孔具有相同的橫截面積和相同的高度；刻蝕超厚金屬溝槽，在刻蝕的超厚金屬溝槽 中填入金屬，在溝槽邊緣部分，由于過刻蝕，將出現(xiàn)邊緣連線端部被過刻蝕的金屬包裹的現(xiàn) 象；然后，分別測出中心連線和邊緣連線未被包裹部分電阻；而后，根據(jù)測得的電阻便可計(jì) 算出超厚金屬溝槽邊緣過刻蝕的深度。這樣，通過得到的超厚金屬邊緣過刻蝕的深度，便可 以確定刻蝕超厚金屬的工藝性能。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中刻蝕后的超厚金屬溝槽示意圖，包括圖Ia和圖Ib ；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中開爾文通孔測試方法的流程圖；圖3為進(jìn)行開爾文通孔測試時(shí)引出pad的示意圖；圖4為圖3的等價(jià)電路圖；圖5為本發(fā)明在第一層與第三層超厚金屬之間形成邊緣通孔的示意圖，包括圖fe 和圖5b ；圖6為本發(fā)明對(duì)超厚金屬溝槽邊緣的過刻蝕深度進(jìn)行監(jiān)測的方法流程圖；圖7為本發(fā)明對(duì)超厚金屬溝槽邊緣的過刻蝕深度進(jìn)行監(jiān)測時(shí)引出pad的示意圖；圖8為圖7的等價(jià)電路圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合實(shí)施例和附圖，對(duì)本 發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。在實(shí)際工藝中，常出現(xiàn)超厚金屬溝槽邊緣部分過刻蝕的情況；而現(xiàn)有的開爾文通 孔測試方法只能對(duì)第一層與第三層超厚金屬溝槽中心處之間形成的中心連線進(jìn)行測試，以 確定超厚金屬溝槽中心部分的刻蝕情況，但實(shí)際工藝中，超厚金屬溝槽中心部分的刻蝕一 般都能達(dá)到刻蝕標(biāo)準(zhǔn)；并且，該方法不能測試出超厚金屬溝槽邊緣部分的過刻蝕情況。本發(fā)明在第一層與超厚金屬溝槽邊緣之間形成邊緣通孔，在邊緣通孔中填入金屬 構(gòu)成邊緣連線51，如圖fe所示。邊緣連線51與中心連線53具有相同的橫截面積和相同的 高度，將該高度用L3表示，由于超厚金屬溝槽邊緣處的過刻蝕，導(dǎo)致邊緣連線51的頂部有 部分被過刻蝕的金屬包裹，這部分長度表示為L4，L4 = L3-L2，L2為邊緣連線未被包裹部分 的長度，這里，將邊緣連線未被包裹部分L2的電阻表示為R1，將L3部分的電阻表示為R3。 根據(jù)開爾文通孔測試方法，可以測試出Rl和R3 ；而中心通孔與邊緣通孔具有相同的高度， 也就是中心連線與邊緣連線具有相同的高度；且L3已知；則根據(jù)Rl、R3和L3，便可計(jì)算出 L4，具體計(jì)算的方法參見后面的描述。圖fe中示出了超厚金屬溝槽一側(cè)邊緣對(duì)應(yīng)的邊緣通孔，根據(jù)需要，也可以同時(shí)在 超厚金屬溝槽兩側(cè)邊緣處分別形成邊緣通孔，在邊緣通孔中填入金屬構(gòu)成邊緣連線，以對(duì) 超厚金屬溝槽兩側(cè)邊緣的過刻蝕深度都進(jìn)行監(jiān)測，如圖恥所示，圖中超厚金屬溝槽另一側(cè) 邊緣過刻蝕的深度為L3-L1，Ll為另一邊緣連線未被包裹部分的長度，另一邊緣連線未被 包裹部分Ll的電阻表示為R2。得到超厚金屬邊緣過刻蝕的深度L4之后，便可確定刻蝕超厚金屬的工藝性能，如 果過刻蝕的深度超過一定范圍值，便可認(rèn)為該工藝不合格。下面通過圖6的流程對(duì)本發(fā)明對(duì)超厚金屬溝槽邊緣的過刻蝕深度進(jìn)行監(jiān)測的方 法進(jìn)行詳細(xì)說明，該方法包括以下步驟步驟601，形成第一層之后，在第二層形成中心通孔，并形成超厚金屬溝槽邊緣的 過刻蝕處與第一層之間的邊緣通孔，在中心通孔和邊緣通孔中填入金屬。中心通孔用于連接第一層與第三層超厚金屬。本步驟形成的中心通孔的高度為 第一層與第三層超厚金屬之間的距離，表示為L3，該中心通孔的橫截面一般選擇為邊長為 0. 36um的正方形，當(dāng)然，也可選擇其它形狀和尺寸。本實(shí)施例中，假設(shè)需要對(duì)超厚金屬溝槽邊緣兩側(cè)的過刻蝕情況進(jìn)行監(jiān)測，在第一 層與第三層超厚金屬層之間形成兩個(gè)邊緣通孔，如圖恥所示。邊緣連線與中心連線的電阻 率、高度和橫截面積都相同。本步驟中，形成邊緣通孔的方法具體包括形成第一層與第三層的距離超厚金屬 溝槽側(cè)邊的指定距離處之間的邊緣通孔。通過設(shè)計(jì)規(guī)范中，可以獲知超厚金屬溝槽邊緣過 刻蝕處一般位于距離溝槽側(cè)邊0. 3um的距離，0. 3um為實(shí)驗(yàn)經(jīng)驗(yàn)值。因此，可以將所述指定 距離設(shè)置為0. 3um。所述指定距離并不僅限于0. 3um，例如，可以為0至0. 5um之前的其它值。步驟602，形成關(guān)于第一層與中心通孔之間接觸處的兩個(gè)中心測試連線通孔；分別形成關(guān)于第一層與兩個(gè)邊緣通孔之間接觸處的兩個(gè)邊緣測試連線通孔；在中心測試連線 通孔中填入金屬構(gòu)成中心測試連線，在邊緣測試連線通孔中填入金屬構(gòu)成邊緣測試連線。形成邊緣測試連線的方法與形成中心測試連線的方法類似。通過中心測試連線實(shí)現(xiàn)本步驟所述接觸處與置于超厚金屬層外的兩個(gè)pad的連 接，將這兩個(gè)pad分別表示為pad5和pad6，如圖7所示。圖7示出了第一層與第三層超厚金 屬之間的中心連線，帶網(wǎng)格部分示出了從第一層與中心通孔之間接觸處引出pad5和pad6 的情況；圖中還示出了第一層與第三層超厚金屬之間的一個(gè)邊緣連線，帶網(wǎng)格部分示出了 從第一層與邊緣連線52之間接觸處引出pad2和pad8的情況；圖中還示出了第一層與第三 層超厚金屬之間的另一個(gè)邊緣連線51，帶網(wǎng)格部分示出了從第一層與邊緣連線51之間接 觸處引出pad3和pad4的情況。并且，按照規(guī)范，pad與pad之間應(yīng)保持一定的距離，例如， 將pad與pad之間的距離設(shè)置為大于2um。步驟603，刻蝕超厚金屬溝槽。本步驟具體包括填第三層介質(zhì)，在第三層介質(zhì)上涂上光刻膠，通過曝光顯影在光 刻膠上進(jìn)行光刻，在光刻膠上定義超厚金屬溝槽的位置，以該曝光顯影后的光刻膠為掩膜 刻蝕出超厚金屬溝槽。步驟604，在步驟603刻蝕的超厚金屬溝槽中填入金屬。步驟605，測試出中心連線電阻和邊緣連線未被包裹部分電阻。1)測試中心連線53的電阻R3的方法具體包括從超厚金屬溝槽引出兩條測試連 線，與padl和pad7相連，如圖7所示，帶黑點(diǎn)部分示出了從超厚金屬溝槽引出padl和pad7 的情況；對(duì)pad5和pad6，以及padl和pad7進(jìn)行通電，測試出中心連線電阻R3。上述從超 厚金屬溝槽引出兩條測試連線的具體實(shí)現(xiàn)可以包括從超厚金屬的溝槽兩側(cè)邊分別引出一 條測試連線。圖8為圖7的等價(jià)電路圖，圖中所示的電阻83表示中心連線的等價(jià)電阻。測試時(shí)，依據(jù)開爾文通孔測試原理將探針分別扎在padl和pad6上，扎在padl上 的探針相當(dāng)于直接接在中心連線與第三層之間的接觸處，扎在pad6上的探針相當(dāng)于直接 接在中心連線與第一層之間的接觸處，然后，用測試儀器通過探針對(duì)padl和pad6通電，測 出R3兩端的電流If3 ；將探針分別扎在pad5和pad7上，扎在pad7上的探針相當(dāng)于直接接 在中心連線與第三層之間的接觸處，扎在pad5上的探針相當(dāng)于直接接在中心連線與第一 層之間的接觸處；然后，用測試儀器通過探針對(duì)pad5和pad7通電，測出R3兩端的電壓Vm3 ； 然后，便可計(jì)算出R3:R3 = Vm3/If302)測試邊緣連線52未被包裹部分電阻R2的方法具體包括從超厚金屬溝槽引出 兩條測試連線，與padl和pad7相連，如圖7所示，帶黑點(diǎn)部分示出了從超厚金屬溝槽引出 padl和pad7的情況；對(duì)padl和pad2，以及pad8和pad7進(jìn)行通電，測試出邊緣連線52未 被包裹部分電阻R2。圖8為圖7的等價(jià)電路圖，圖中所示的電阻82表示邊緣連線52未被包裹部分的 等價(jià)電阻。測試時(shí)，依據(jù)開爾文通孔測試原理將探針分別扎在padl和pad2上，扎在pad2上的探針相當(dāng)于直接接在邊緣連線52與第一層之間的接觸處，也就是圖恥中所示的C接觸處，扎在padl上的探針相當(dāng)于直接接 在邊緣連線52與第三層之間的接觸處，也就是圖恥中第二層與第三層之間的B接觸處，對(duì) 于邊緣連線52，在B接觸處以上，為邊緣連線52被包裹部分，在B接觸處以下，為邊緣連線 52未被包裹部分，長度為Ll ；然后，用測試儀器對(duì)padl和pad2通電，便可測出R2兩端的電 流If2。將探針分別扎在pad7和pad8上，扎在pad8上的探針相當(dāng)于直接接在邊緣連線52 與第一層之間的C接觸處，扎在pad7上的探針相當(dāng)于直接接在圖恥所示第二層與第三層 之間的B接觸處，對(duì)于邊緣連線52 ；然后，用測試儀器對(duì)pad7和pad8通電，便可測出R2兩 端的電壓Vm2。這樣，便可計(jì)算出R2:R2 = Vm2/If203)測試邊緣連線51未被包裹部分電阻Rl的方法具體包括從超厚金屬溝槽引出 兩條測試連線，與padl和pad7相連，如圖7所示，帶黑點(diǎn)部分示出了從超厚金屬溝槽引出 padl和pad7的情況；對(duì)padl和pad3，以及pad4和pad7進(jìn)行通電，測試出邊緣連線51未 被包裹部分電阻Rl。圖8為圖7的等價(jià)電路圖，圖中所示的電阻81表示邊緣連線51未被包裹部分的 等價(jià)電阻。測試時(shí)，依據(jù)開爾文通孔測試原理將探針分別扎在padl和pad3上，扎在pad3上的探針相當(dāng)于直接接在邊緣連線51 與第一層之間的接觸處，即圖恥中的D接觸處，扎在padl上的探針相當(dāng)于直接接在邊緣連 線51與第三層的接觸處，也就是圖恥中第二層與第三層之間的A接觸處，對(duì)于邊緣連線 51，在A接觸處以上，為邊緣連線51被包裹部分，在B接觸處以下，為邊緣連線51未被包裹 部分，長度為L2 ；然后，用測試儀器對(duì)padl和pad3通電，便可測出Rl兩端的電流Ifl。將 探針分別扎在pad4和pad7上，扎在pad4上的探針相當(dāng)于直接接在邊緣連線51與第一層 之間的D接觸處，扎在pad7上的探針相當(dāng)于直接接在圖恥中第二層與第三層之間的A接 觸處；然后，用測試儀器對(duì)pad4和pad7通電，便可測出Rl兩端的電壓Vml。這樣，便可計(jì) 算出Rl Rl = Vml/Iflo步驟606，根據(jù)測試出的中心連線電阻和邊緣連線未被包裹部分電阻計(jì)算出超厚 金屬溝槽邊緣過刻蝕的深度。中心連線與兩個(gè)邊緣連線互相平行，因此，電阻和高度之間存在下述關(guān)系L2 = L3X (R2/R3)；或者，Ll = L3X (R1/R3)。這樣，便可得到過刻蝕深度L4 L4 = L3-L2 = L3X (1-R2/R3)；或者:L4= L3-L1 = L3X (1-R1/R3)。步驟605計(jì)算出了中心連線電阻R3、邊緣連線未被包裹部分電阻R1、另一邊緣連 線未被包裹部分電阻R2 ；并且，在刻蝕過程中超厚金屬溝槽中心部分通常都能達(dá)到刻蝕標(biāo) 準(zhǔn)，不會(huì)出現(xiàn)過刻蝕或欠刻蝕現(xiàn)象，因此進(jìn)行超厚金屬溝槽刻蝕后的中心連線高度為步驟 601形成的中心連線高度，表示為L3。然后，將R3、R1、R2和L3代入上式，便可計(jì)算出L4。采用本方法方案，可以很敏感地獲知超厚金屬溝槽邊緣的過刻蝕情況。以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限定本發(fā)明的保 護(hù)范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本 發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種對(duì)超厚金屬溝槽邊緣的過刻蝕深度進(jìn)行監(jiān)測的方法，包括在形成第一層之后，在第二層中形成第一層與第三層的超厚金屬溝槽之間的中心通 孔，在中心通孔中填入金屬構(gòu)成中心連線，并形成第一層與第三層的超厚金屬溝槽邊緣的 過刻蝕處之間的邊緣通孔，在邊緣通孔中填入金屬構(gòu)成邊緣連線，所述中心連線和所述邊 緣連線具有相同的橫截面積和相同的高度；在第三層中刻蝕超厚金屬溝槽，在刻蝕的超厚金屬溝槽中填入金屬；分別測出中心連線電阻和邊緣連線未被包裹部分電阻；根據(jù)測出的中心連線電阻和邊緣連線未被包裹部分電阻，計(jì)算得到超厚金屬溝槽邊緣 過刻蝕的深度。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述計(jì)算超厚金屬溝槽邊緣過刻蝕的深度 包括用邊緣連線未被包裹部分電阻與中心連線電阻相除，再用1減去相除得到的值，得到 相減值，最后用所述中心連線的高度乘以所述相減值，得到的乘積為超厚金屬溝槽邊緣過 刻蝕的深度。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蝕超厚金屬溝槽之前，形成關(guān)于中心通 孔與第一層之間接觸處的兩個(gè)中心測試連線通孔，形成關(guān)于邊緣通孔與第一層之間接觸處 的兩個(gè)邊緣測試連線通孔，在所述中心測試連線通孔中填入金屬構(gòu)成中心測試連線，在所 述邊緣測試連線通孔中填入金屬構(gòu)成邊緣測試連線；所述分別測試出中心連線電阻和邊緣連線未被包裹部分電阻包括從超厚金屬溝槽 引出兩條測試連線，與襯墊相連；對(duì)與中心測試連線連接的襯墊、與邊緣測試連線連接的襯 墊，以及與所述測試連線連接的襯墊進(jìn)行通電，分別測試出中心連線電阻和邊緣連線未被 包裹部分電阻。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述中心通孔和邊緣通孔的橫截面都是邊 長為0. 36微米的正方形。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成第一層與第三層的超厚金屬溝槽 邊緣的過刻蝕處之間的邊緣通孔的方法包括形成第一層與第三層的距離超厚金屬溝槽側(cè)邊的指定距離處之間的邊緣通孔。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述指定距離為0至0.5微米之間的值。
全文摘要
本發(fā)明公開了對(duì)超厚金屬溝槽邊緣的過刻蝕深度進(jìn)行監(jiān)測的方法，包括在形成第一層之后，在第二層中形成第一層與第三層的超厚金屬溝槽之間的中心通孔，在中心通孔中填入金屬構(gòu)成中心連線，并形成第一層與第三層的超厚金屬溝槽邊緣的過刻蝕處之間的邊緣通孔，在邊緣通孔中填入金屬構(gòu)成邊緣連線，所述中心連線和所述邊緣連線具有相同的橫截面積和相同的高度；在第三層中刻蝕超厚金屬溝槽，在刻蝕的超厚金屬溝槽中填入金屬；分別測出中心連線電阻和邊緣連線未被包裹部分電阻；根據(jù)測出的中心連線電阻和邊緣連線未被包裹部分電阻，計(jì)算得到超厚金屬溝槽邊緣過刻蝕的深度。本發(fā)明方案能夠監(jiān)測出超厚金屬溝槽邊緣的過刻蝕深度。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102097285SQ20091020149
公開日2011年6月15日 申請日期2009年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月15日
發(fā)明者王貴明 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司