專利名稱：靜電吸附裝置的除電處理方法、基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)被處理基板進(jìn)行靜電吸附的靜電吸附裝置，特別涉 及靜電吸附后實(shí)施的除電處理。
背景技術(shù)：
在作為被處理基板的半導(dǎo)體晶片、平板顯示器基板(以下稱FPD 基板)的蝕刻中， 一般采用在高真空下進(jìn)行的干蝕刻。干蝕刻能夠是， 例如，在腔室內(nèi)配置被處理基板，并在腔室內(nèi)形成等離子體，利用該 等離子體進(jìn)行蝕刻。
在干蝕刻中，被處理基板需要被固定在基板載置臺(tái)上，例如，專 利文獻(xiàn)1所述的利用靜電吸附力將被處理基板吸附并支承在載置臺(tái)上 的靜電吸附裝置被廣泛應(yīng)用。
此外，在專利文獻(xiàn)1中記載有下述內(nèi)容在干蝕刻結(jié)束后，為了
將被處理基板順利地從靜電吸附裝置的靜電吸盤電極(以下稱為ESC 電極)卸下，在靜電吸附后實(shí)施除電處理(例如，參考段落0033至 0034)。
專利文獻(xiàn)l:日本特開(kāi)平11 — 111830號(hào)公報(bào)
然而，即使實(shí)施了除電處理，在將被處理基板從ESC電極卸下時(shí)， 偶而還是存在下述情況在基板一ESC電極間發(fā)生吸附，卸下變得困 難。推測(cè)其原因與殘留在載置基板的ESC電極表面上的電荷有關(guān)。
在這樣的情況下，如果使用升降銷等使被處理基板從ESC電極強(qiáng) 制脫離，則會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)位、或?qū)е卤惶幚砘宓臄嗔?，成為成品率低?的原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供能夠?qū)⒈惶幚砘鍙腅SC電極順利地卸下的 靜電吸附裝置的除電處理方法，搭載有實(shí)施這樣的除電處理方法的靜 電吸附裝置的基板處理裝置，以及存儲(chǔ)有控制這樣的基板處理處置的
4程序的存儲(chǔ)介質(zhì)。
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的第一方面的靜電吸附裝置的除電處 理方法，在將被靜電吸附在靜電吸盤電極上的被處理基板卸下時(shí)實(shí)施， 其包括對(duì)靜電吸附裝置的靜電吸盤電極施加吸盤電壓，使被處理基 板被靜電吸附在上述靜電吸盤電極上的工序；在上述被處理基板被靜 電吸附在上述靜電吸盤電極上的狀態(tài)下，對(duì)上述被處理基板實(shí)施處理 的工序；在對(duì)上述被處理基板的處理完成后，對(duì)腔室內(nèi)進(jìn)行真空排氣 的真空處理工序；在上述真空處理工序的期間，使上述靜電吸盤電極 的電壓穩(wěn)定為與上述吸盤電壓極性相同的電壓的工序；在上述靜電吸 盤電極的電壓穩(wěn)定后，將除電用氣體供給至上述腔室內(nèi)的工序；使已 供給至上述腔室內(nèi)的上述除電用氣體等離子體化的工序；使上述被處 理基板從上述靜電吸盤電極脫離的工序；和在上述被處理基板從上述 靜電吸盤電極脫離后，使上述靜電吸盤電極為基準(zhǔn)電位的工序。
此外，本發(fā)明的第二方面的基板處理裝置對(duì)被處理基板實(shí)施處理， 其中，在載置上述被處理基板的載置部，使用上述第一方面的除電處 理方法被實(shí)施的靜電吸附裝置。
此外，本發(fā)明的第三方面的存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行、并 對(duì)搭載有靜電吸附裝置的基板處理裝置進(jìn)行控制的程序，上述程序在 執(zhí)行時(shí)，使計(jì)算機(jī)對(duì)搭載有上述靜電吸附裝置的基板處理裝置進(jìn)行控 制，以進(jìn)行上述第一方面的除電處理方法。
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種能夠?qū)⒈惶幚砘鍙腅SC電極順利地 卸下的靜電吸附裝置的除電處理方法，搭載有實(shí)施這樣的除電處理方 法的靜電吸附裝置的基板處理裝置，以及存儲(chǔ)有對(duì)這樣的基板處理裝 置進(jìn)行控制的程序的存儲(chǔ)介質(zhì)。


圖1是概略表示干蝕刻裝置的一個(gè)例子的截面圖。 圖2是表示編入有一實(shí)施方式的除電處理方法的處理順序的一個(gè) 例子的圖。
圖3是表示一實(shí)施方式的除電處理方法的試驗(yàn)結(jié)果的圖。 圖4是示意性地表示吸附工藝的截面圖。圖5是示意性地表示FPD基板的吸附原理的截面圖。
圖6是表示通過(guò)一實(shí)施方式的除電處理方法，F(xiàn)PD基板不會(huì)被吸
附的原理的一個(gè)例子的截面圖。
圖7是表示編入有一實(shí)施方式的除電處理方法的處理順序的另一
個(gè)例子的圖。
圖8是表示編入有一實(shí)施方式的除電處理方法的處理順序的又一 個(gè)例子的圖。
符號(hào)說(shuō)明1腔室
2載置臺(tái)
4噴淋頭
9處理氣體供給系統(tǒng)
10靜電吸附裝置
11ESC電極
12絕緣層
13內(nèi)部電極
16排氣系統(tǒng)
21DC電源
24高頻電源
30升降銷
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在進(jìn)行此說(shuō)明 時(shí)，在全部附圖中，對(duì)共用的部分標(biāo)注共用的參照符號(hào)。
圖1是概略表示應(yīng)用本發(fā)明的一實(shí)施方式的靜電吸附裝置的除電 處理方法的干蝕刻裝置的一個(gè)例子的截面圖。在本例中，作為被處理
基板的絕緣性基板，例如舉出FPD基板為例。作為FPD基板的一個(gè)例 子，有在液晶顯示裝置(LCD)中使用的玻璃基板。但是，被處理基 板并不限于玻璃基板。
如圖1所示，干蝕刻裝置具有構(gòu)成為氣密的腔室1。在腔室1的底 部的大致中央，隔著絕緣部件7設(shè)置有用于水平支承作為被處理基板
6的FPD基板S的載置臺(tái)2。
在載置臺(tái)2的上表面，設(shè)置有用于吸附FPD基板S的靜電吸附裝 置10。靜電吸附裝置10的結(jié)構(gòu)包括ESC電極11、和DC電源21 。 ESC 電極ll具有被固定在載置臺(tái)2的上表面、由絕緣物例如聚酰亞胺、 陶瓷等構(gòu)成的絕緣層12;和埋設(shè)在該絕緣層12中、由導(dǎo)電物例如銅等 構(gòu)成的內(nèi)部電極13。 DC電源21向內(nèi)部電極13施加DC電壓。DC電 源21被設(shè)置在腔室1之外，通過(guò)線纜22與內(nèi)部電極13連接。在線纜 22的接地側(cè)設(shè)置有開(kāi)關(guān)23。當(dāng)將開(kāi)關(guān)23與DC電源21側(cè)的端子a連 接時(shí)，對(duì)內(nèi)部電極13供電，相反地當(dāng)將開(kāi)關(guān)23與接地側(cè)的端子b連 接時(shí)，內(nèi)部電極13被接地，成為基準(zhǔn)電位(接地電位)。
在載置臺(tái)2和ESC電極11中，形成有插通有升降銷30的插通孔 31。升降銷30在插通孔31中上下運(yùn)動(dòng)，將FPD基板S載置在ESC電 極ll的上表面，并且將FPD基板S從ESC電極11卸下。
在腔室1的頂壁附近，以與載置臺(tái)2相對(duì)的方式設(shè)置有噴淋頭4。 噴淋頭4在其下表面設(shè)置有多個(gè)氣體噴出孔5，且在其上部具有氣體導(dǎo) 入部6。而且，氣體導(dǎo)入部6被安裝在腔室1的頂壁。
氣體供給配管8與氣體導(dǎo)入部6連接，在該氣體供給配管8的另 一端，連接有供給由蝕刻用的反應(yīng)氣體和稀釋氣體組成的處理氣體的 處理氣體供給系統(tǒng)9。作為反應(yīng)氣體，例如使用CHF3、 CF4等含鹵氣 體，作為稀釋氣體，使用Ar氣體等惰性氣體。
此外，在腔室1的底壁形成有排氣口 (port) 15,排氣系統(tǒng)16與 該排氣口 15連接。于是，通過(guò)使排氣系統(tǒng)16的真空泵工作，能夠通 過(guò)排氣口 15對(duì)腔室1內(nèi)進(jìn)行排氣，使腔室1內(nèi)減壓至規(guī)定的真空度。
高頻電源24通過(guò)未圖示的匹配盒與載置臺(tái)2連接。高頻電力從高 頻電源24被供給至載置臺(tái)2，在噴淋頭4與載置臺(tái)2之間的空間形成 高頻電場(chǎng)。利用所形成的高頻電場(chǎng)，在上述空間中形成處理氣體的等 離子體，形成在FPD基板S上的膜例如氧化膜等被蝕刻。
控制部40具有工藝控制器(process controller) 41、用戶接口 42、和存儲(chǔ)部43。
工藝控制器41由微型處理器(計(jì)算機(jī))構(gòu)成。
用戶接口 42包括操作員為了管理干蝕刻裝置而進(jìn)行命令的輸入
7操作等的鍵盤、對(duì)基板處理系統(tǒng)的運(yùn)行狀況進(jìn)行可視化顯示的顯示器 等。
存儲(chǔ)部43存儲(chǔ)有用于通過(guò)工藝控制器41的控制實(shí)現(xiàn)在干蝕刻裝 置中實(shí)施的各種處理的控制程序，和用于根據(jù)各種數(shù)據(jù)和處理?xiàng)l件在 干蝕刻裝置中實(shí)施處理的程序(方案)。方案被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部43中的 存儲(chǔ)介質(zhì)中。存儲(chǔ)介質(zhì)可以是硬盤，也可以是CD—ROM、 DVD、閃 存器等可移動(dòng)性存儲(chǔ)介質(zhì)。此外，也可以從其他裝置，例如通過(guò)專用 線路適當(dāng)?shù)貍魉头桨?。任意的方案根?jù)來(lái)自用戶接口 42的指示等從存 儲(chǔ)部43被調(diào)出，并在工藝控制器41中被執(zhí)行，從而基于工藝控制器 41的控制，在干蝕刻裝置中實(shí)施對(duì)FPD基板S的規(guī)定的處理。進(jìn)一步， 在本例中，在上述方案中編入下面說(shuō)明的除電處理方法。
圖2是表示編入有本發(fā)明的一實(shí)施方式的除電處理方法的處理順 序(sequence)的一個(gè)例子的圖。
首先，使用未圖示的搬送臂將FPD基板S搬入腔室1內(nèi)，并載置 在從ESC電極11的上表面突出的升降銷30上。在FPD基板S從搬送 臂被交接至升降銷30上之后，使升降銷30下降，將FPD基板S載置 在ESC電極11的基板載置面上。
接著，在保持腔室1內(nèi)氣密的狀態(tài)下，使設(shè)置在排氣系統(tǒng)16中的 真空泵工作，使腔室l內(nèi)的壓力成為例如0.5Pa以下的高真空狀態(tài)。
接著，從處理氣體供給系統(tǒng)9，將處理氣體通過(guò)噴淋頭4的氣體噴 出孔5供給至腔室1內(nèi)。此時(shí)，根據(jù)被供給的處理氣體的流量，腔室l 內(nèi)的壓力被調(diào)整至例如13.3Pa (步驟l:實(shí)處理調(diào)壓)。進(jìn)一步，在此 實(shí)處理調(diào)壓時(shí)，將開(kāi)關(guān)23置于端子a側(cè)，從DC電源21通過(guò)線纜22 向內(nèi)部電極13施加吸盤電壓。吸盤電壓的一個(gè)例子是正的DC電壓， 電壓值的一個(gè)例子是3000V。
接著，從高頻電源24向載置臺(tái)2供給規(guī)定的頻率例如13.56MHz 的高頻電力，在噴淋頭4與載置臺(tái)2之間的空間中形成高頻電場(chǎng)。利 用該高頻電場(chǎng)，在上述空間中處理氣體的等離子體被形成(步驟2:實(shí) 處理放電)。在腔室l內(nèi)的壓力例如是13.3Pa、且存在等離子體的狀態(tài) 下，當(dāng)向內(nèi)部電極13施加吸盤電壓時(shí)，在FPD基板S的表面生成與 吸盤電壓極性相反的電荷。由于在本例中向內(nèi)部電極13施加正的DC
8電壓，因此在FPD基板S上累積來(lái)自等離子體的負(fù)電荷。由此，在FPD 基板S上的負(fù)電荷與內(nèi)部電極13間產(chǎn)生庫(kù)侖力，F(xiàn)PD基板S被靜電吸 附在ESC電極11上。在FPD基板S被靜電吸附在ESC電極11上的 狀態(tài)下，將處理氣體的流量和高頻電力的條件設(shè)定為規(guī)定的值，利用 被形成的處理氣體的等離子體，對(duì)FPD基板S的規(guī)定的層實(shí)施處理， 在本例中為蝕刻處理。
接著，停止處理氣體的供給，使設(shè)置在排氣系統(tǒng)16中的真空泵工 作，進(jìn)行真空排氣，使腔室l內(nèi)的壓力為例如0.5 3以下的高真空狀態(tài) (步驟3:真空處理)。進(jìn)一步，在該真空處理時(shí)，將開(kāi)關(guān)23切換至端 子b側(cè)，使內(nèi)部電極13接地。由此，來(lái)自DC電源21的電壓施加被 停止，且內(nèi)部電極13為基準(zhǔn)電位(在本例中為接地電位)。進(jìn)一步， 在本例中，在真空處理時(shí)，再次將開(kāi)關(guān)23切換回端子a側(cè)，將與在步 驟1、2中已施加的吸盤電壓極性相同的電壓，再次施加于內(nèi)部電極13。 再次施加的電壓的值的一個(gè)例子是與吸盤電壓相同的值，例如3000V。 但是，再次施加的電壓，根據(jù)在后面敘述的試驗(yàn)結(jié)果可知，只要與吸 盤電壓極性相同即可，電壓的值是任意的。
接著，在向內(nèi)部電極13再次施加的電壓穩(wěn)定后(電壓穩(wěn)定)，從 處理氣體供給系統(tǒng)9，例如通過(guò)噴淋頭4的氣體噴出孔5將除電用氣體 供給至腔室1內(nèi)。此時(shí)，根據(jù)被供給的除電用氣體的流量，腔室1內(nèi) 的壓力被調(diào)整為例如6.7 26.7Pa，在本例中被調(diào)整為13.3Pa (步驟4: 除電調(diào)壓)。作為除電用氣體的例子，能夠舉出Ar氣體、或02氣體、 或He氣體等。
接著，從高頻電源24將規(guī)定的頻率例如13.56MHz的高頻電力供 給至載置臺(tái)2。由此，在噴淋頭4與載置臺(tái)2之間的空間中形成除電用 氣體的等離子體(步驟5:除電放電)。通過(guò)等離子體的形成，在FPD 基板S上累積的電荷，在本例中為負(fù)電荷，與等離子體中的正離子結(jié) 合而被中和。由此，F(xiàn)PD基板S被除電。
接著，在載置臺(tái)2被供給有高頻電力的狀態(tài)下，即在進(jìn)行除電放 電的狀態(tài)下，使升降銷30上升，使FPD基板S脫離ESC電極ll。在 FPD電極S從ESC電極11完全脫離后(頂升完畢)，將開(kāi)關(guān)23切換 至端子b側(cè)，使內(nèi)部電極13再次接地，使其為基準(zhǔn)電位(接地電位)。進(jìn)一步，在內(nèi)部電極13已再次接地的狀態(tài)下，向噴淋頭4供給數(shù)秒期 間的高頻電力(步驟6:頂升+除電放電)。
接著，停止除電用氣體的供給，使設(shè)置在排氣系統(tǒng)16中的真空泵 工作，使腔室l內(nèi)的壓力為例如0.5Pa以下的高真空狀態(tài)(步驟7:真 空處理)。
此后，將FPD基板S從升降銷30交接至未圖示的搬送臂，向腔 室1外搬出，從而結(jié)束處理(步驟8:處理結(jié)束)。
圖3表示一實(shí)施方式的除電處理方法的試驗(yàn)結(jié)果。
該試驗(yàn)再現(xiàn)了 FPD基板S被吸附在ESC電極上的現(xiàn)象。在本試驗(yàn) 中，F(xiàn)PD基板S如下所述被吸附在ESC電極11上。圖4A和圖4B是 示意性地表示吸附工藝的截面圖。
首先，如圖4A所示，通過(guò)向內(nèi)部電極13暫時(shí)施加正電壓，使負(fù) 電荷累積在ESC電極ll的基板載置面lla上。接著，在圖4B中，在 ESC電極ll的基板載置面lla帶負(fù)電的狀態(tài)下，載置FPD基板S。
如果像這樣將FPD基板S載置在表面已帶電的ESC電極11上， 則在圖2所示的吸盤電壓施加順序(參考例通常的除電處理)中， 在頂升時(shí)，F(xiàn)PD基板S會(huì)保持被吸附在ESC電極11上的狀態(tài)(評(píng)價(jià) No.O)。
與之相對(duì)，在一實(shí)施方式的除電處理中，如評(píng)價(jià)No.l 6所示，在 頂升時(shí)，F(xiàn)PD基板S未被吸附在ESC電極11上。
而且，向內(nèi)部電極13再次施加的電壓，以與吸盤電壓相同的極性，
以+500V為單位嘗試改變?yōu)?500V、 +1000V、 ......、 +3000V,結(jié)果全
部相同，任一個(gè)都未發(fā)生吸附?？墒牵趫D3中未進(jìn)行表示，如果使 再次施加的電壓的極性為與吸盤電壓相反的極性，即"負(fù)(一)"，則 頂升時(shí)，F(xiàn)PD基板S會(huì)保持被吸附在ESC電極11上的狀態(tài)。
根據(jù)這樣的試驗(yàn)結(jié)果可知，在除電時(shí)向內(nèi)部電極13再次施加的電 壓，與吸盤電壓的極性相同即可，電壓的值是任意的。
進(jìn)一步，如評(píng)價(jià)No.7、 8所示，在將FPD基板S載置在表面未帶 電的ESC電極11上的情況下，利用一實(shí)施方式的除電處理方法，在頂 升時(shí)，F(xiàn)PD基板S也未被吸附在ESC電極11上。
在一實(shí)施方式的除電處理方法中，能夠考慮到的即使ESC電極11
10的表面己帶電也不會(huì)發(fā)生F PD基板S的吸附的原理有若干個(gè)。對(duì)考慮 到的一個(gè)原理進(jìn)行簡(jiǎn)單的說(shuō)明。
圖5A 圖5C是示意性地表示FPD基板S的吸附原理的截面圖。
在圖5A中表示了在已帶負(fù)電的ESC電極11表面上載置有FPD基 板S的狀態(tài)。如果在該狀態(tài)下形成等離子體，則會(huì)如圖5B所示，等離 子體中的正電荷被吸引向表面已帶負(fù)電的ESC電極11，并在FPD基 板S的表面上累積。累積的正電荷夾著FPD基板S與ESC電極11表 面上的負(fù)電荷相互吸引(庫(kù)侖力)，因此，如圖5C所示，F(xiàn)PD基板S 保持被吸附在ESC電極11上的狀態(tài)。
圖6A 圖6C是表示利用一實(shí)施方式的除電處理方法，F(xiàn)PD基板 S不發(fā)生吸附的原理的一個(gè)例子的截面圖。
在一實(shí)施方式的除電處理方法中，在真空處理中向內(nèi)部電極13再 次施加與吸盤電壓極性相同的電壓，在本例中是再次施加正電壓，并 且，使再次施加的電壓穩(wěn)定。在本例中以圖6A表示此狀態(tài)。如圖6A 所示，如果向表面已帶負(fù)電的ESC電極11的內(nèi)部電極13施加正電壓， 則在內(nèi)部電極13累積正電荷。累積的正電荷與ESC電極11表面上的 負(fù)電荷相互吸引(庫(kù)侖力)。在此狀態(tài)下，即使形成等離子體，因?yàn)镋SC 電極11表面上的負(fù)電荷已經(jīng)與內(nèi)部電極13的正電荷相吸引，所以在 FPD基板S的表面上不會(huì)累積正電荷。因此，如圖6C所示，通過(guò)使升 降銷30上升，F(xiàn)PD基板S不被吸附在ESC電極11上，而被頂升。
像這樣，利用一實(shí)施方式的靜電吸附裝置的除電處理方法，即使 ESC電極11的表面已帶電，也能夠?qū)⒈惶幚砘鍙腅SC電極11順利 地卸下。
但是，本發(fā)明并不限于上述一實(shí)施方式，能夠有多種變形。此外， 本發(fā)明的實(shí)施方式中，上述一實(shí)施方式也不是唯一的實(shí)施方式。
例如，作為被處理體的絕緣基板并不限于FPD基板，可以是其他 的絕緣性基板。而且，等離子體的形成并不限于上述一實(shí)施方式，例 如也可以通過(guò)將高頻電力供給噴淋頭4而進(jìn)行，也可以由微波等其他 的手段形成等離子體。進(jìn)一步，作為搭載靜電吸附裝置10的裝置，并 不限于干蝕刻裝置，也能夠應(yīng)用于其他的成膜裝置等其他的等離子體 處理裝置。
ii此外，在上述一實(shí)施方式中，在向內(nèi)部電極13再次施加電壓時(shí)， 以在暫時(shí)將開(kāi)關(guān)21切換至接地側(cè)之后再次施加電壓的方式進(jìn)行，但是 如圖7所示，也可以從吸盤電壓下降至與該吸盤電壓極性相同的規(guī)定 的電壓。在使電壓下降的情況下，也是在內(nèi)部電極13的電壓穩(wěn)定之后， 進(jìn)入如步驟4所示的除電調(diào)壓工序。
但是，在使電壓下降的情況下，內(nèi)部電極13的放電有變慢的傾向， 直至內(nèi)部電極13的電壓穩(wěn)定之前要經(jīng)過(guò)一定的時(shí)間。在希望縮短時(shí)間 的情況下，如上述一實(shí)施方式所示，暫時(shí)使內(nèi)部電極13接地，使內(nèi)部 電極13為基準(zhǔn)電位(接地電位)，之后向內(nèi)部電極13再次施加電壓即 可。
此外，如圖8所示，也可以在維持吸盤電壓的狀態(tài)下進(jìn)入真空處 理工序，在維持吸盤電壓的狀態(tài)下進(jìn)入除電調(diào)壓工序。即使像這樣維 持吸盤電壓，也與上述一實(shí)施方式同樣，在ESC電極11表面已帶電的 情況下，在進(jìn)行頂升時(shí)，也不會(huì)發(fā)生FPD基板S的吸附。
除此之外，本發(fā)明還能夠進(jìn)行多種變形。
1權(quán)利要求
1.一種靜電吸附裝置的除電處理方法，其在將被靜電吸附在靜電吸盤電極上的被處理基板卸下時(shí)實(shí)施，該靜電吸附裝置的除電處理方法的特征在于，包括對(duì)靜電吸附裝置的靜電吸盤電極施加吸盤電壓，使被處理基板被靜電吸附在所述靜電吸盤電極上的工序；在所述被處理基板被靜電吸附在所述靜電吸盤電極上的狀態(tài)下，對(duì)所述被處理基板實(shí)施處理的工序；在對(duì)所述被處理基板的處理結(jié)束后，對(duì)腔室內(nèi)進(jìn)行真空排氣的真空處理工序；在所述真空處理工序的期間，使所述靜電吸盤電極的電壓穩(wěn)定為與所述吸盤電壓極性相同的電壓的工序；在所述靜電吸盤電極的電壓穩(wěn)定后，將除電用氣體供給至所述腔室內(nèi)的工序；使已供給至所述腔室內(nèi)的所述除電用氣體等離子體化的工序；使所述被處理基板從所述靜電吸盤電極脫離的工序；和在所述被處理基板從所述靜電吸盤電極脫離后，使所述靜電吸盤電極為基準(zhǔn)電位的工序。
2. 如權(quán)利要求1所述的靜電吸附裝置的除電處理方法，其特征在于在所述真空處理的期間，在使所述靜電吸盤電極為基準(zhǔn)電位之后， 使所述靜電吸盤電極的電壓穩(wěn)定為與所述吸盤電壓極性相同的電壓。
3. 如權(quán)利要求1所述的靜電吸附裝置的除電處理方法，其特征在于在使所述靜電吸盤電極的電壓維持在所述吸盤電壓的狀態(tài)下，對(duì) 所述腔室內(nèi)進(jìn)行真空處理，在使所述靜電吸盤電極的電壓維持在所述吸盤電壓的狀態(tài)下，將 所述除電用氣體供給至己進(jìn)行所述真空處理的腔室內(nèi)。
4. 如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的靜電吸附裝置的除電處理方 法，其特征在于所述基準(zhǔn)電位是接地電位。
5. 如權(quán)利要求1 權(quán)利要求3中任一項(xiàng)所述的靜電吸附裝置的除 電處理方法，其特征在于在所述被處理基板已從所述靜電吸盤電極脫離的狀態(tài)下，使所述 被處理基板暴露在所述等離子體化后的所述除電用氣體中。
6. 如權(quán)利要求1 權(quán)利要求3中任一項(xiàng)所述的靜電吸附裝置的除 電處理方法，其特征在于所述真空處理工序是使所述腔室內(nèi)的壓力為0.5Pa以下的工序。
7. 如權(quán)利要求1 權(quán)利要求3中任一項(xiàng)所述的靜電吸附裝置的除電處理方法，其特征在于將除電用氣體供給至所述腔室內(nèi)的工序是在所述除電用氣體的氣氛下，使所述腔室內(nèi)的壓力為6.7 26.7Pa的工序。
8. 如權(quán)利要求1 權(quán)利要求3中任一項(xiàng)所述的靜電吸附裝置的除 電處理方法，其特征在于所述被處理基板是絕緣性基板。
9. 一種基板處理裝置，其對(duì)被處理基板實(shí)施處理，該基板處理裝 置的特征在于在載置所述被處理基板的載置部，使用權(quán)利要求1 權(quán)利要求3中任一項(xiàng)所述的除電處理方法被實(shí)施的靜電吸附裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供靜電吸附裝置的除電處理方法、基板處理裝置，該靜電吸附裝置的除電處理方法能夠?qū)⒈惶幚砘鍙腅SC電極上順利地卸下。在對(duì)被處理基板的處理結(jié)束后，對(duì)腔室內(nèi)進(jìn)行真空處理(步驟3)，在此真空處理的期間，使ESC電極的電壓穩(wěn)定為與吸盤電壓極性相同的電壓，在ESC電極的電壓穩(wěn)定后，將除電用氣體供給至腔室內(nèi)(步驟4)，并使已供給至腔室內(nèi)的除電用氣體等離子體化(步驟5)，使被處理基板從ESC電極脫離，并且在被處理基板從ESC電極脫離后，使ESC電極為基準(zhǔn)電位(步驟6)。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101645395SQ20091016114
公開(kāi)日2010年2月10日 申請(qǐng)日期2009年8月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月6日
發(fā)明者千野悟, 古屋敦城 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社