專利名稱：主波長分布收斂的發(fā)光元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶片級發(fā)光元件及其制造方法，特別是涉及一種其上包含主波長 (dominant wavelength)呈收斂分布的發(fā)光二極管晶片以及一種使發(fā)光二極管晶片的發(fā)射 光主波長呈收斂分布的方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(light-emitting diode, LED)的發(fā)光原理是利用電子在n型半導(dǎo)體 與P型半導(dǎo)體間移動的能量差，以光的形式將能量釋放，這樣的發(fā)光原理有別于白熾燈發(fā) 熱的發(fā)光原理，因此發(fā)光二極管被稱為冷光源。此外，發(fā)光二極管具有高耐久性、壽命長、輕 巧、耗電量低等優(yōu)點，因此現(xiàn)今的照明市場對于發(fā)光二極管寄予厚望，將其視為新一代的照 明工具。圖1A至圖1E為已知的發(fā)光元件的制造流程示意圖。首先，如圖1A所示，提供基板10 ；再如圖1B所示，形成多個外延層12于基板10 上；接著，如圖1C所示，利用光刻蝕刻技術(shù)針對多個外延層12進(jìn)行蝕刻，以于基板10上制 作多個發(fā)光疊層14 ；隨后，如圖1D所示，在發(fā)光疊層14上形成電極16，以形成發(fā)光二極管 晶片(waferUOO ；最后，如圖1E所示，對發(fā)光二極管晶片100進(jìn)行切割，以形成發(fā)光二極管 管芯18。然而，實際上發(fā)光二極管晶片100上眾多發(fā)光疊層16所發(fā)出光線主波長分布并 不均勻，其差距可達(dá)15nm至20nm或者更大，因此上述發(fā)光疊層16形成發(fā)光二極管管芯18 后所發(fā)出光線主波長差異亦大。此發(fā)光二極管管芯18發(fā)射光主波長不均勻的問題進(jìn)一步 地影響了使用發(fā)光二極管管芯的產(chǎn)品其產(chǎn)品特性的一致性。以已知的主波長460nm藍(lán)光發(fā) 光二極管芯片搭配黃色熒光粉體混合成白光為例，若同一發(fā)光二極管晶片上的藍(lán)色發(fā)光二 極管管芯的主波長分布達(dá)20nm，即其主波長分布由450nm至470nm，其搭配激發(fā)光波長為 570nm的黃色波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)所激發(fā)的光線所混合成的白光色溫分布亦受到影響。如圖2所示，由于發(fā)光二極管晶片上各個發(fā)光疊層的主波長分布差異，其所形成 的管芯搭配轉(zhuǎn)換物質(zhì)后所混合成的白光其色溫(color temperature)分布于6500K至 9500K之間，具有約3000K左右的色溫變異，對產(chǎn)品品質(zhì)的一致性造成很大的影響。為解決上述同一發(fā)光二極管晶片上發(fā)光疊層16主波長分布不均勻的問題，已知 的發(fā)光二極管管芯18制造過程中，往往如圖3所示，加入點測、分類(Sorting)與篩選 (Binning)的程序，針對眾多發(fā)光二極管管芯18進(jìn)行篩選，以挑選出主波長分布相近的發(fā) 光二極管管芯18，以因應(yīng)不同波長特性需求的應(yīng)用。雖然點測、分類與篩選的程序可減少主波長分布不均勻?qū)?yīng)用產(chǎn)品品質(zhì)表現(xiàn)一致 性的影響，但是當(dāng)發(fā)光二極管管芯18應(yīng)用于對主波長分布均勻要求嚴(yán)苛的產(chǎn)品時，例如大 尺寸顯示器的發(fā)光二極管背光源元件，發(fā)光二極管晶片100上可使用的發(fā)光二極管管芯18 比率偏低。此外，分類與篩選的工序費時費力，亦增加了生產(chǎn)發(fā)光二極管管芯的成本及所需 時間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在提供一種主波長分布收斂的發(fā)光二極管晶片，包含基板、多個發(fā) 光疊層位于基板上，以及波長轉(zhuǎn)換收斂層，位于多個發(fā)光疊層上，用以收斂并轉(zhuǎn)換發(fā)光疊層 所發(fā)出的主波長。本發(fā)明的另一目的在于披露一種收斂發(fā)光二極管晶片主波長分布的方法，其步驟 包含提供基板、形成多個發(fā)光疊層于基板上，以及形成波長轉(zhuǎn)換收斂層于多個發(fā)光疊層上， 使發(fā)光二極管晶片上每一發(fā)光疊層發(fā)出光線的主波長呈現(xiàn)收斂分布。本發(fā)明的又一目的在于提供發(fā)光元件制造方法，通過形成波長轉(zhuǎn)換收斂層，以收 斂發(fā)光疊層所發(fā)出光線的波長變異，由此提高發(fā)光二極管管芯的使用率。本發(fā)明的再一目的在于提供發(fā)光元件制造方法，通過形成波長轉(zhuǎn)換收斂層，以收 斂發(fā)光疊層所發(fā)出光線的主波長變異，由此減少發(fā)光二極管管芯制作程序中分類與篩選的 工序。底下通過具體實施例配合所附的附圖詳加說明，當(dāng)更容易了解本發(fā)明的目的、技 術(shù)內(nèi)容、特點及其所達(dá)成的功效。


圖1A至圖1E為已知的發(fā)光二極管管芯制造流程示意圖。圖2為已知藍(lán)色發(fā)光二極管管芯搭配黃色熒光粉體的CIE 1931色彩坐標(biāo)圖。圖3為已知的發(fā)光二極管管芯點測示意圖。圖4A至圖4F為本發(fā)明實施例的制造流程示意圖。圖5為本發(fā)明另一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為本發(fā)明實施例的CIE 1931色彩坐標(biāo)圖。圖7為本發(fā)明又一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖8A和圖8B為本發(fā)明再一實施例結(jié)構(gòu)示意圖。圖9為本發(fā)明切割步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說明10 -基板12 -外延層
14 -發(fā)光疊層16 -電極
18 -發(fā)光二極管管芯100 發(fā)光二極管晶片
20 -基板22 -外延層
220 第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層222 有源層
224第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層24 〃發(fā)光疊層
26 -電極200 發(fā)光二極管晶片
210 第一光束28 〃波長轉(zhuǎn)換收斂層
220 第二光束30 -發(fā)光二極管管芯
32 -波長轉(zhuǎn)換層230 第三光束
240 第四光束500 發(fā)光二極管晶片
50 -基板52,52' 發(fā)光疊層
520 第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層524 第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層56 第二電極60 電性連接結(jié)構(gòu)64 金屬層
58 波長轉(zhuǎn)換收斂層 62 絕緣層
70 發(fā)光二極管陣列芯片
522 發(fā)光層 54 第一電極
具體實施例方式以下配合

本發(fā)明的實施例。圖4A至圖4F為本發(fā)明實施例的制造流程示意圖，如圖4A所示，提供基板20，其 中基板20可以是導(dǎo)電基板，并且如圖4B所示，在基板20上形成多個外延層22，其中多個 外延層22由上而下至少包含第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層220、有源層222以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體 層224，且多個外延層22的材料可以選自包含鋁(A1)、鎵(Ga)、銦(In)、氮(N)、磷(P)或 砷(As)的半導(dǎo)體物質(zhì)，例如氮化鎵(GaN)系列材料或磷化鋁鎵銦(AlGalnP)系列材料，以 下本實施例以氮化鎵系列材料為例進(jìn)行說明。隨后，再如圖4C所示，利用光刻蝕刻技術(shù)蝕刻多個外延層22以形成多個發(fā)光疊層 24于基板20上；如圖4D所示，利用蒸鍍技術(shù)分別于多個發(fā)光疊層24上形成電極26，以獲 得發(fā)光二極管晶片(wafer) 200。此發(fā)光疊層24會發(fā)出第一光束210，且第一光束的主波長可介于390nm至430nm 之間，其中任選二第一光束210之間具有第一主波長差異，在此發(fā)光二極管晶片200中，第 一主波長差異的最大值為第一主波長變異值義。接著，在形成電極26的步驟后，如圖4E所示，進(jìn)一步地于發(fā)光疊層24的表面覆蓋 波長轉(zhuǎn)換收斂層28，其材料可以是熒光物質(zhì)或磷光物質(zhì)，在本實施例中波長轉(zhuǎn)換收斂層28 由熒光粉體所構(gòu)成，其材料可以選自 Si3MgSi208 Eu、BaMgAl1Q017 Eu、(SrBaCa) 5 (P04) 3C1: Eu、 Sr3 (A1205) Cl2: Eu2+以及Sr4Al14025: Eu等藍(lán)色熒光粉體所構(gòu)成群組的任意一種或一種以上的 材料，且上述熒光粉體均勻地或部分地涂布于發(fā)光疊層24的表面；其中，此波長轉(zhuǎn)換收斂 層28大致上完全吸收發(fā)光疊層24所發(fā)出的第一光束210并轉(zhuǎn)換為第二光束220。于本實施例中，此第二光束220主波長介于450nm至470nm的長波長藍(lán)光，其中任 選二第二光束220之間具有第二主波長差異，在此發(fā)光二極管晶片200中，第二主波長差異 的最大值為第二主波長變異值V2。最后，如圖4F所示將發(fā)光二極管晶片200上的多個發(fā)光 疊層24進(jìn)行切割，以形成多個發(fā)光二極管管芯30。于上述實施例中，第一主波長變異值V1介于15nm至20nm之間，而第二主波長變 異值V1則小于lOnm，優(yōu)選者為小于5nm ；通過于發(fā)光疊層24上形成波長轉(zhuǎn)換收斂層28，以 減少發(fā)光二極管晶片200中任選二發(fā)光疊層24發(fā)出光線的主波長差異，使同一發(fā)光二極管 晶片200所形成的發(fā)光二極管管芯30的主波長分布呈收斂分布，提高發(fā)光二極管晶片200 上發(fā)光疊層24的可使用率；不僅如此，上述實施例更可省略已知發(fā)光二極管管芯制造過程 中分類與篩選的工序，進(jìn)一步地降低生產(chǎn)成本。此外，本發(fā)明亦可如圖5所示，在形成波長轉(zhuǎn)換收斂層28的步驟后，形成波長轉(zhuǎn)換 層32于波長轉(zhuǎn)換收斂層28上，其中，波長轉(zhuǎn)換層32包含一種或一種以上的熒光粉體，其 材料可以選自釔鋁石榴石、堿土鹵鋁酸鹽等黃色熒光粉體、BaMgAl10017:Eu, MnBa2Si04:Eu,(Sr, Ca)Si04:Eu、CaSc204:Eu、Ca8Mg (Si04) 4C12: Eu, Mn、SrSi202N2: Eu、LaP04: Tb, Ce、 Zn2Si04:Mn、ZnS:Cu、YB03: Ce, Tb、(Ca, Sr, Ba)Al204:Eu、Sr2P207:Eu, Mn、SrAl2S4:Eu、 BaAl2S4:Eu、Sr2Ga2S5:Eu、SiA10N:Eu、KSrP04:Tb、Na2Gd2B207:Ce，Tb 等綠色熒光粉體，與 Y203:Eu、YV04:Eu、CaSiAlN3:Eu、(Sr, Ca) SiAlN3:Eu、Sr2Si5N8:Eu、CaSiN2:Eu、(Y, Gd)B03:Eu、 (La, Y)202S:Eu、La2Te06:Eu、SrS:Eu> Gd2Mo06:Eu> Y2W06:Eu, Bi、Lu2W06:Eu, Bi、(Ca, Sr, Ba) MgSi206:Eu, Mn、 Sr3Si05:Eu> SrY2S4:Eu> CaSi03:Eu> Ca8MgLa (P04)7:Eu> Ca8MgGd (P04)7:Eu> Ca8MgY(P04)7:Eu,CaLa2S4:Ce等紅色熒光粉體所構(gòu)成群組中的至少一種材料，其中上述熒光 粉體均勻地或部分地涂布于波長收斂轉(zhuǎn)換層28上。于本實施例中，波長轉(zhuǎn)換層32包含至少一種黃色熒光粉體，此波長轉(zhuǎn)換層32會吸 收部分第二光束220，并且轉(zhuǎn)換為黃色的第三光束230，其中上述第三光束230的主波長為 570nm ；隨后，上述黃色第三光束230與未被波長轉(zhuǎn)換層32吸收的第二光束220混合產(chǎn)生白 色的第四光束240。由于第二光束的主波長為460nm，而第二主波長最大差值小于lOnm，優(yōu)選者為小 于5nm，因此于本實施例中第二光束主波長分布范圍介于455nm至465nm之間；圖6為本發(fā) 明實施例第四光束的CIE 1931色度坐標(biāo)圖，如圖6所示，上述第二光束220與第三光束230 混合所得第四光束240，其色溫大約分布于6500K至8500K之間(圖中黑體曲線與實線的交 點)，其色溫差小于2000K，優(yōu)選者為小于1000K。相較于已知技術(shù)中直接運用主波長分布15nm至20nm的藍(lán)光發(fā)光二極管芯片搭配 黃色熒光粉體混合成具有3000K色溫差(圖中黑體曲線與虛線的交點)的白光，本發(fā)明實 施例中明顯地提升了發(fā)光二極管晶片上各發(fā)光疊層所發(fā)出光線的均勻性。再者，在上述實施例中，雖然以垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管管芯作說明，但不意味著本發(fā) 明的范圍局限于垂直結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管；圖7為本發(fā)明的另一實施例結(jié)構(gòu)示意圖，如圖7所 示，發(fā)光二極管晶片500包含基板50、多個置于基板50上的發(fā)光疊層52、第一電極54與第 二電極56，以及波長轉(zhuǎn)換收斂層58，其中發(fā)光疊層52由上而下至少包含第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體 層520、有源層522，以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層524，每一個發(fā)光疊層52上皆具有裸露第二導(dǎo) 電型半導(dǎo)體層524的平面，而第一電極54與第二電極56則分別位于第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層 520與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層524上，波長轉(zhuǎn)換收斂層58則覆蓋于多個發(fā)光疊層52上。除此之外，圖8A與圖8B為本發(fā)明又一實施例結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示本發(fā)明還可包 含電性連接結(jié)構(gòu)60，用以串聯(lián)相鄰的發(fā)光疊層52/52’ ；如圖8A所示，本實施例的電性連接 結(jié)構(gòu)60為金屬線，利用引線(wire bonding)技術(shù)使得發(fā)光疊層52上的第二電極56與相 鄰的另一發(fā)光疊層52’的第一電極54產(chǎn)生電性連接，讓相異的發(fā)光疊層52/52’間形成串 聯(lián)電路；亦可如圖8B所示，其電性連結(jié)結(jié)構(gòu)60包含絕緣層62與金屬層64，先形成絕緣層 62于發(fā)光疊層52與相鄰的發(fā)光疊層52’之間，接著再形成金屬層64，使得發(fā)光疊層52上 的第二電極56與相鄰的另一發(fā)光疊層52’的第一電極54產(chǎn)生電性連接，使相異的發(fā)光疊 層52/52’間形成串聯(lián)電路。不僅如此，在切割發(fā)光二極管晶片的步驟中，如圖9所示，除了可以如切割線A進(jìn) 行裁切，將各個發(fā)光疊層52切割成為發(fā)光二極管管芯外，亦可按照切割線B進(jìn)行切割，將多 個利用電性連接結(jié)構(gòu)60形成串聯(lián)的發(fā)光疊層52/52’切割為芯片級發(fā)光二極管陣列70。一 般狀況下，單一個發(fā)光疊層52/52’的壓降約為3. 5V，因此將十四個串聯(lián)的發(fā)光疊層52/52’切割為發(fā)光二極管陣列芯片(chip)70，便可直接應(yīng)用于48V的車用交流電供電；亦可將 三十個串聯(lián)的發(fā)光疊層52/52，切割為發(fā)光二極管陣列芯片70，使之可直接應(yīng)用于100V家 用交流電中；其中，上述的發(fā)光二極管陣列芯片70中，由于各個發(fā)光疊層52/52’上皆具有 波長轉(zhuǎn)換收斂層，因此各個發(fā)光疊層52/52’所發(fā)出光線的主波長較為一致，由此省略已知 發(fā)光二極管陣列管芯制造過程中先依照主波長分布分類與篩選再排列的工序，以降低生產(chǎn) 成本。 上述實施例僅為說明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點，其目的在使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠 了解本發(fā)明內(nèi)容并據(jù)以實施，當(dāng)不能以之限定本發(fā)明范圍，即大凡依本發(fā)明所揭示的精神 所作的等同變化或修飾，仍應(yīng)涵蓋在本發(fā)明范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種主波長分布收斂的發(fā)光元件制造方法，至少包括下列步驟提供基板；形成多個發(fā)光疊層于該基板上，其中該多個發(fā)光疊層發(fā)出第一光束，且該第一光束具有第一主波長變異值；以及形成波長轉(zhuǎn)換收斂層于該多個發(fā)光疊層上，該波長轉(zhuǎn)換收斂層吸收該第一光束并發(fā)出第二光束，且該第二光束具有第二主波長變異值，其中該第一主波長變異值大于該第二光束主波長變異值。
2.如權(quán)利要求1所述的主波長分布收斂的發(fā)光元件制造方法，其中該多個發(fā)光疊層的 材料選自包含鋁、鎵、銦、氮、磷或砷的半導(dǎo)體物質(zhì)。
3.如權(quán)利要求1所述的主波長分布收斂的發(fā)光元件制造方法，其中該第一光束的主波 長介于390nm至430nm之間。
4.如權(quán)利要求1所述的主波長分布收斂的發(fā)光元件制造方法，其中該第一光束完全被 該波長轉(zhuǎn)換收斂層所吸收。
5.如權(quán)利要求1所述的主波長分布收斂的發(fā)光元件制造方法，該波長轉(zhuǎn)換收斂層 至少包含磷光粉體或熒光粉體，其中該波長轉(zhuǎn)換收斂層的熒光粉體選自Si3MgSi208:Eu、 BaMgAllo017:Eu, (SrBaCa) 5 (P04) 3C1 :Eu、Sr3 (A1205) Cl2 :Eu2+ 以及 Sr4Al14025:Eu 所構(gòu)成群組中 至少一種材料。
6.如權(quán)利要求1所述的主波長分布收斂的發(fā)光元件制造方法，還包含形成至少一波長 轉(zhuǎn)換層于該波長轉(zhuǎn)換收斂層上，該波長轉(zhuǎn)換層吸收部分該第二光束且發(fā)出第三光束，且該 第二光束與該第三光束混合產(chǎn)生第四光束，其中該波長轉(zhuǎn)換層的材料選自釔鋁石榴石、堿 土鹵鋁酸鹽等黃色熒光粉體、BaMgAl1Q017:Eu、MnBa2Si04:Eu、(Sr, Ca)Si04:Eu、CaSc204:Eu、 Ca8Mg(Si04)4Cl2:Eu，Mn、SrSi202N2:Eu、LaP04:Tb, Ce、Zn2Si04:Mn、ZnS:Cu、YB03:Ce, Tb、 (Ca, Sr, Ba)Al204:Eu、Sr2P207:Eu, Mn、SrAl2S4:Eu、BaAl2S4:Eu、Sr2Ga2S5:Eu、SiAlON:Eu> KSrP04:Tb、Na2Gd2B207:Ce，Tb 等綠色熒光粉體，與 Y203:Eu、YV04:Eu、CaSiAlN3:Eu、(Sr, Ca) SiAlN3:Eu、Sr2Si5N8:Eu、CaSiN2:Eu、(Y, Gd)B03:Eu、(La, Y) 202S:Eu、La2Te06:Eu、SrS:Eu、 Gd2Mo06: Eu、Y2W06: Eu，Bi、Lu2W06: Eu，Bi、(Ca，S r，Ba) MgSi206: Eu，Mn、Sr3Si05: Eu、SrY2S4: Eu、 CaSi03: Eu、Ca8MgLa (P04) 7: Eu、Ca8MgGd (P04) 7: Eu、Ca8MgY (P04) 7: Eu、CaLa2S4: Ce 等紅色熒光粉 所構(gòu)成群組中的至少一種材料。
7.如權(quán)利要求6所述的主波長分布收斂的發(fā)光元件制造方法，其中該第四光束的色溫 分布小于2000K。
8.如權(quán)利要求1所述的主波長分布收斂的發(fā)光元件制造方法，還包含形成多個電性連 接結(jié)構(gòu)，以串聯(lián)該多個發(fā)光疊層。
9.如權(quán)利要求1所述的主波長分布收斂的發(fā)光元件制造方法，還包含切割該基板的步驟。
10.一種主波長分布收斂的發(fā)光元件，至少包含基板；多個發(fā)光疊層，位于該基板上，其中該發(fā)光疊層發(fā)出第一光束，且該第一光束具有第一 主波長變異值；多個電極，分別位于該多個發(fā)光疊層上，與該發(fā)光疊層形成電性連接；以及多個波長轉(zhuǎn)換收斂層，分別覆蓋于該多個發(fā)光疊層上，吸收該第一光束并轉(zhuǎn)換為第二 光束，且該第二光束具有第二主波長變異值，其中該第一主波長變異值大于該第二主波長 變異值。
11.如權(quán)利要求10所述的主波長分布收斂的發(fā)光元件，其中該第一光束完全被該波長 轉(zhuǎn)換收斂層所吸收。
12.如權(quán)利要求10所述的主波長分布收斂的發(fā)光元件，其中該第一光束的主波長可介 于390nm至430nm之間。
13.如權(quán)利要求10所述的主波長分布收斂的發(fā)光元件，該波長轉(zhuǎn)換收斂層至少包含 磷光粉體或熒光粉體，其中該波長轉(zhuǎn)換收斂層的熒光粉體材料可以選自Si3MgSi2O8 = Eiu BaMgAl10O17:Eu> (SrBaCa) 5 (PO4) 3C1 Eu、Sr3 (Al2O5) Cl2 Eu2+ 以及 Sr4Al14O25 = Eu 所構(gòu)成群組中 至少一種材料。
14.如權(quán)利要求10所述的主波長分布收斂的發(fā)光元件，其中該發(fā)光疊層選自包含鋁、 鎵、銦、氮、磷或砷的半導(dǎo)體物質(zhì)。
15.如權(quán)利要求10所述的主波長分布收斂的發(fā)光元件，還包含波長轉(zhuǎn)換層位于該波長 轉(zhuǎn)換收斂層上，該波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)吸收部分該第二光束，并發(fā)射第三光束，且該第三光束與該 第二光束混合產(chǎn)生第四光束，其中該波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)選自釔鋁石榴石、堿土商鋁酸鹽等黃色 焚光粉體、BaMgAl10O17 Eu、MnBa2SiO4 Eu、(Sr, Ca) SiO4 Eu、CaSc2O4 Eu、Ca8Mg (SiO4) 4C12 Eu, Mn、 SrSi2O2N2:Eu> LaPO4:Tb, Ce、 Zn2SiO4:Mn> ZnS:Cu> YBO3:Ce, Tb、 (Ca, Sr, Ba)Al2O4:Eu> Sr2P2O7Eu，Mn、SrAl2S4Eu、BaAl2S4Eu、Sr2Ga2S5Eu、SiAlON:Eu、KSrPO4 Tb、Na2Gd2B2O7 Ce, Tb 等綠色熒光粉體，與 Y2O3:Eu, YVO4:Eu, CaSiAlN3:Eu, (Sr, Ca) SiAlN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, CaSiN2:Eu、(Y, Gd)BO3:Eu、(La, Y) 202S:Eu、La2TeO6:Eu、SrS:Eu、Gd2MoO6:Eu、Y2WO6:Eu, Bi、Lu2WO6:Eu, Bi、(Ca, Sr, Ba)MgSi2O6Eu, Mn、Sr3SiO5Eu> SrY2S4Eu> CaSiO3Eu> Ca8MgLa(PO4)7IEu, Ca8MgGd (PO4)7:Eu, Ca8MgY (PO4)7:Eu、CaLa2S4: Ce 等紅色熒光粉所構(gòu)成群 組中的至少一種材料。
16.如權(quán)利要求15所述的主波長分布收斂的發(fā)光元件，其中該第四光束的色溫分布小 于 2000K。
17.如權(quán)利要求10所述的主波長分布收斂的發(fā)光元件，還包含多個電性連接結(jié)構(gòu)，電 性連接該多個電極并且使該多個發(fā)光疊層形成串聯(lián)電路。
18.如權(quán)利要求17所述的主波長分布收斂的發(fā)光元件，其中該電性連接結(jié)構(gòu)包含位于 該發(fā)光疊層間的絕緣層，以及與該多個電極相連接的金屬層，位于該絕緣層上。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種主波長分布收斂的發(fā)光元件及其制造方法。上述發(fā)光元件至少包含基板；多個置于基板上的發(fā)光疊層，其中上述多個發(fā)光疊層發(fā)出具有第一主波長變異值的第一光束；以及，位于發(fā)光疊層上的波長轉(zhuǎn)換收斂層，其中此波長轉(zhuǎn)換收斂層吸收第一光束并發(fā)出第二光束，且第二光束具有第二主波長變異值。在上述發(fā)光元件中，第一主波長變異值大于第二光束主波長變異值。
文檔編號H01L21/82GK101872741SQ20091013688
公開日2010年10月27日 申請日期2009年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月24日
發(fā)明者劉如熹, 呂志強, 徐舒婷, 王健源, 謝明勛, 郭政達(dá), 陳彥文 申請人:晶元光電股份有限公司