專利名稱：封裝結構的制造方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種封裝結構的制造方法，且特別是有關于一種半導體組件的封
裝結構的制造方法。
背景技術：
半導體的封裝結構的工藝中，芯片在與基板電性連接后，以一封膠密封芯片與基 板，以成為一封裝體。然后再對該封裝體進行切割動作，以將封裝體切割成為多顆封裝結 構。 習知的切割方法中，是將封裝體固定(mount)于膠帶(t即e)，例如是紫外光型的
膠帶上后，再切割封裝體成為多顆封裝結構。切割完成后，貼附于膠帶上的封裝結構須再照
射紫外光，才能對封裝結構進行抓取(Pick)及收料(place)動作，以利后續(xù)的出貨流程。 然而，上述習知的切割方法，具有多項缺點，以下舉部分缺點進行說明。 第一、在將封裝體貼附至膠帶前，須以人工方式，手動地將膠帶黏貼至一框架上，
此相當耗時且衍生人力成本。 第二、由于需以人工方式手動地黏貼膠帶至框架上，故此種切割方法會受到人為 緩慢動作的限制而降低產能或限制產能的提升空間。 第三、封裝結構在切割完成后，須再以紫外光照射封裝體，因此衍生了紫外光設備 的新購成本及維護成本，并且紫外光設備亦需額外占用場地空間。 第四、從黏貼膠帶至框架、切割、照射紫外光到收料至少需要三臺機臺。分別是用 以切割機臺、紫外光照射機臺及用以對封裝結構進行抓取并收料的機臺。諸多的機臺相當 占用場地空間且相當消耗成本。

發(fā)明內容
根據(jù)本發(fā)明的封裝結構的制造方法，可快速地將封裝體切割成多個封裝結構。由 于不需要習知技術中的膠帶，所以省去人工手動貼附膠帶的成本及工時，并且連同紫外光 設備的成本也可省去，大幅降低了總體成本。 根據(jù)本發(fā)明的一方面，提出一種封裝結構的制造方法。制造方法包括以下步驟。提 供一基板。提供數(shù)個芯片。電性連接芯片與基板。以一封膠密封芯片，以使芯片與基板形 成一封裝體。設置封裝體至一真空吸力平臺，以使封裝體受真空吸力平臺的一真空吸力的 吸附而固定于真空吸力平臺上。其中真空吸力平臺的內部具有數(shù)個吸氣道，該些吸氣道的 位置對應至該些芯片的位置。以及，沿著一切割路徑切割封裝體，切割路徑經過該些吸氣道 中相鄰二者之間。 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出一種封裝結構的制造方法。制造方法包括以下步驟。 提供一封裝體。設置封裝體至一真空吸力平臺，以使封裝體受真空吸力平臺的一真空吸力 的吸附而固定于真空吸力平臺上。其中真空吸力平臺的內部具有數(shù)個吸氣道，該些吸氣道 的位置對應至該些芯片的位置。以及，沿著一切割路徑切割封裝體，切割路徑經過該些吸氣道中相鄰二者之間。 為讓本發(fā)明的上述內容能更明顯易懂，下文特舉-細說明如下
^較佳實施例，并配合附圖，作詳


圖1繪示依照本發(fā)明較佳實施例的封裝結構的制造方法流程圖,
圖2繪示圖1的步驟S102中所提供的基板示意圖。
圖3繪示圖2的基板及芯片的示意圖。
圖4繪示圖3的芯片與基板電性連接的示意圖。
圖5繪示圖4的芯片與第二導電部被密封的示意圖。
圖6繪示圖5的基板上設置有第一導電部的示意圖。
圖7繪示固定圖6的封裝體的示意圖。
圖8繪示本發(fā)明的另一實施例的真空吸力平臺示意圖。
圖9繪示本發(fā)明的再一實施例的真空吸力平臺示意圖。
圖10繪示切割本發(fā)明的封裝體的示意圖。
圖11繪示沿著圖10的方向VI觀看到的封裝體示意圖。
主要組件符號說明200封裝結構202基板204心片206第一表面208第二導電部210封膠212封裝體214第一導電部216第二表面
218、224、230 :真空吸力平臺 220、232 :吸氣道 222、236 :開口 226 :凹槽 228、234 :機臺表面 F1、F2 :真空吸力
Pl :第一切割路徑 P2 :第二切割路徑 VI :方向 S :切割刀具
S102-S116 :步驟
具體實施例方式
本發(fā)明的封裝結構的制造方法，利用真空吸力吸附住封裝體后，再對封裝體進行 切割，以使封裝體成為多個封裝結構。相較于習知技術，由于本方法不需要膠帶，所以省去 人工手動貼附膠帶的成本及工時，并且連同紫外光設備的成本也可省去，大幅降低了總體 成本。 以下舉出較佳實施例做詳細說明，然此實施例僅為本發(fā)明的發(fā)明精神下的幾種實 施方式，其說明的文字與圖標并不會對本發(fā)明的欲保護范圍進行限縮。 請參照圖1 ，其繪示依照本發(fā)明較佳實施例的封裝結構的制造方法流程圖。封裝結 構的制造方法包括以下流程。 首先，于步驟S102中，提供一基板202。請同時參照圖2，其繪示圖1的步驟S102 中所提供的基板示意圖。 接著，于步驟S104中，提供數(shù)個芯片204。請同時參照圖3，其繪示圖2的基板及芯 片的示意圖。芯片204為一覆晶式芯片，其上具有數(shù)個第二導電部208，例如是錫球(Solder ball)，用以電性連接芯片204與基板202。 再來，于步驟S106中，設置芯片204至基板202的一第一表面206上，并于步驟 S108中，以芯片204上的第二導電部208來電性連接芯片204與基板202。如圖4所示，其 繪示圖3的芯片與基板電性連接的示意圖。 然后，于步驟S110中，以一封膠210密封芯片204與第二導電部208，以使基板 202、芯片204及第二導電部208成為一封裝體212。如圖5所示，其繪示圖4的芯片與第二 導電部受密封的示意圖。 然后，于步驟S112中，形成數(shù)個第一導電部214于基板202的一第二表面216上。 如圖6所示，其繪示圖5的基板上設置有第一導電部的示意圖。第一導電部214例如是錫 球(Solder ball)。 然后，請同時參照圖7，其繪示固定住圖6的封裝體的示意圖。于步驟S114中，以 一真空吸力Fl吸附住封裝體212，以固定住封裝體212。在本步驟中，將封裝體212設置于 一真空吸力平臺218，以使封裝體212受真空吸力平臺218的真空吸力Fl的吸附而固定于 真空吸力平臺218上。如此，在后續(xù)的切割步驟中，被切割完成的封裝體212才不會脫離真 空吸力平臺218。其中，真空吸力Fl的負壓值可為-70kpa或其它數(shù)值。然只要是能夠穩(wěn)固 地吸附住封裝體212的真空吸力Fl，其負壓值可為任意數(shù)值，并不受本實施例的限制。
較佳但非限定地，真空吸力平臺218包括一軟質組件(未繪示)，其材質例如是橡 膠材料。軟質組件用以當封裝體212固定于真空吸力平臺218上時，與封裝體212接觸。如 此，可降低或避免真空吸力平臺218上的封裝體212因為封膠210與真空吸力平臺218的 接觸所可能造成的磨損。 此外，在將封裝體212設置于真空吸力平臺218之前，可倒置(reverse)封裝體 212，使封裝體212的封膠210面對真空吸力平臺218。如此，真空吸力平臺218吸附到的是 封裝體212的封膠210。封膠210的外表面并無其它功能性結構，故以吸附住封膠210的方 式來固定位封裝體212的方式并不會破壞封裝體212上具有電子電路功能的結構，例如是 第一導電部214。 此外，雖然本實施例以倒置封裝體212為例作說明，然亦可在不用倒置封裝體212
5的情況下將封裝體212固定于真空吸力平臺。舉例來說，請參照圖8，其繪示本發(fā)明的另一 實施例的真空吸力平臺示意圖。該另一實施例的真空吸力平臺224可在封裝體212不倒置 的情況下吸附住圖6的封裝體212的封膠210。更進一步地說，只要適當?shù)馗男拚婵瘴ζ?臺218 (真空吸力平臺218繪示于圖7)，即可使其成為可將封裝體212往真空吸力F2的方 向吸附的真空吸力平臺224。只需對封裝體212進行簡單的平移動作，就能將封裝體212移 動至真空吸力平臺224，真空吸力平臺224可直接從封裝體212的上方吸附住封裝體212。
此外，請參照圖9，其繪示本發(fā)明的再一實施例的真空吸力平臺示意圖。真空吸力 平臺230的設計使僅需平移封裝體212至真空吸力平臺230，在不需要倒置封裝體212的情 況下，真空吸力平臺230仍可吸附住封裝體212。真空吸力平臺230的內部可具有數(shù)個吸氣 道232。吸氣道232與一真空源(未繪示)相通并于真空吸力平臺230的機臺表面234露 出數(shù)個開口 236。開口 236的位置對應至芯片204的位置且開口 236的面積大于對應的該 些第一導電部214的排列范圍，以將對應的該些第一導電部214容納至吸氣道232內。由 于每個芯片204都對應至一個開口 236，故確保切割后的封裝體212，能穩(wěn)固地被吸附在真 空吸力平臺230上，以待后續(xù)工藝的處理。 請同時參照圖10，其繪示切割本發(fā)明的封裝體的示意圖。然后，于步驟S116中，對 圖7的封裝體212，以一切割刀具S，例如是圓鋸(saw)從相鄰的二吸氣道220之間切割封 裝體212為數(shù)個封裝結構200。至此，完成本實施例的封裝結構200。其中，封裝結構200 例如是半導體結構。 由于封裝體212受到真空吸力平臺218的真空吸力Fl吸附的關系，在切割過程 中，被切割完成的封裝結構200并不會脫離真空吸力平臺218或飛濺出去，而是緊緊地被吸 附在真空吸力平臺218上，以待后續(xù)工藝的處理。 此外，真空吸力平臺218的內部可具有數(shù)個吸氣道220。吸氣道220與一真空源相
通并于真空吸力平臺218的機臺表面228露出數(shù)個開口 222。開口 222的位置對應至芯片
204的位置。也就是說，每個芯片204都對應至一個開口 222，以確保每個封裝結構200在
被切割完成后，穩(wěn)固地被吸附在真空吸力平臺218上，以待后續(xù)工藝的處理。 如圖10所示，真空吸力平臺218更具有凹槽226。凹槽226設置于該些吸氣道220
中相鄰二者之間，用以讓切割刀具S通過，以讓切割刀具S徹底地將兩個封裝結構200切割分離。 請參照圖ll，其繪示沿著圖10的方向Vl觀看到的封裝體示意圖。在切割過程中， 沿著第一切割路徑Pl及第二切割路徑P2切割封裝體212，第一切割路徑Pl及第二切割路 徑P2皆經過該些芯片204中相鄰二者之間的位置。在切割步驟S116中，可只使用一把切 割刀具，沿著第一切割路徑Pl及第二切割路徑P2切割封裝體212?；蛘?，亦可使用多把切 割刀具，分別沿著第一切割路徑Pl及第二切割路徑P2切割封裝體212?；蛘?，亦可使用多 把切割刀具，先一起沿著第一切割路徑P1切割封裝體212完成后，再一起沿著第二切割路 徑P2繼續(xù)切割封裝體212。本實施例并無限制用于切割封裝體212的切割刀具S的數(shù)量、 對封裝體212的切割順序及切割方式。可視對產能、工藝設備或其它要求，來決定切割刀具 S的數(shù)量、對封裝體212的切割順序及切割方式。 本實施例的封裝結構的制造方法，在切割步驟中并不需要如習知技術的膠帶，因 此省去人工手動貼附膠帶工時。此外，由于采用真空吸力固定封裝結構的設計，故除了省去習知技術中以膠帶固定封裝體的動作及以紫外光照射封裝結構的動作外，還可把對封裝體 的切割動作、對封裝結構200的抓取及收料動作整合至同一機臺，該同一機臺例如是一包 含有真空吸力平臺218或224的機臺。如此，可便節(jié)省不少設備的新購及維護成本。此外， 在切割封裝體212的過程中并不需要人工的介入，此對于建置全自動化生產線具有相當大 的幫助。因此，本實施例的封裝結構200的制造方法可縮短作業(yè)工時及降低對人力的需求， 相當適合量產且可使產能大幅地提高。 此外，雖然本實施例的芯片204以覆晶式芯片為例作說明，然于其它實施態(tài)樣中， 芯片204也可以是非覆晶式芯片。舉例來說，芯片204可以具有數(shù)個焊墊(未繪示)，以數(shù) 條焊線(未繪示)電性連接芯片204上的焊墊與基板202。當然，封膠210可對焊線加以密 封，以使焊墊受到封膠210保護。 本發(fā)明上述實施例所揭露的封裝結構的制造方法，具有多項優(yōu)點，以下僅列舉部 分優(yōu)點說明如下 第一、封裝結構的制造方法的切割步驟中并不需要如習知技術的膠帶，因此省去 人工手動貼附膠帶的作業(yè)工時、人力成本及膠帶成本。 第二、封裝結構的切割步驟可以一臺機臺，例如是一包含有真空吸力平臺218或 224的機臺來完成。且切割封裝體的過程中不需要人工的介入，故具有建置全自動化生產線 的優(yōu)勢。因此，本發(fā)明的封裝結構的制造方法相當適合量產且可使產能大幅提高。
第三、上述實施例的封裝結構的制造方法除了省去習知技術中以膠帶固定封裝體 的動作及以紫外光照射封裝結構的動作外，還可將對封裝體的切割動作、對封裝結構200 的抓取及收料動作整合至同一機臺，例如是一包含有真空吸力平臺218或224的機臺。如 此，便節(jié)省不少設備的新購及維護成本。 綜上所述，雖然本發(fā)明已以一較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本 發(fā)明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，當可作各種的更 動與潤飾。因此，本發(fā)明的保護范圍當視后附的權利要求書所界定者為準。
權利要求
一種封裝結構的制造方法，包括提供一基板；提供數(shù)個芯片；電性連接該些芯片與該基板；以一封膠密封該些芯片，以使該些芯片與該基板形成一封裝體；設置該封裝體至一真空吸力平臺，以使該封裝體受該真空吸力平臺的一真空吸力的吸附而固定于該真空吸力平臺上，其中該真空吸力平臺的內部具有數(shù)個吸氣道，該些吸氣道的位置對應至該些芯片的位置；以及沿著一切割路徑切割該封裝體，該切割路徑經過該些吸氣道中相鄰二者之間。
2. 如權利要求1所述的制造方法，其中該些吸氣道中相鄰二者之間具有一凹槽，用以 讓一切割刀具通過。
3. 如權利要求1所述的制造方法，其中該真空吸力平臺包括一軟質組件，用以當該封 裝體固定于該真空吸力平臺上時，與該封裝體接觸。
4. 如權利要求1所述的制造方法，其中該真空吸力的負壓值實質上為負 70kpa(-70kpa)。
5. 如權利要求1所述的制造方法，其中該切割步驟以一切割刀具完成。
6. 如權利要求1所述的制造方法，其中該吸附步驟中吸附住該封裝體中的該封膠。
7. 如權利要求6所述的制造方法，其中于該吸附步驟之前，該制造方法更包括 倒置(reverse)該封裝體。
8. 如權利要求1所述的制造方法，其中于該電性連接步驟之前，該制造方法更包括 設置該些芯片至該基板的一第一表面上；以及于該電性連接步驟之后，該制造方法更包括形成數(shù)個第一導電部于該基板的一第二表面，該第一表面相對于該第二表面。
9. 如權利要求8所述的制造方法，其中各該些芯片為一覆晶式芯片，該電性連接步驟 更包括以數(shù)個第二導電部電性連接該覆晶式芯片與該基板；以及該密封步驟更包括 以該封膠密封該些第二導電部。
10. 如權利要求8所述的制造方法，其中各該些吸氣道于該真空吸力平臺的一機臺表 面露出一開口，該開口的面積大于與該開口相對應的該些第一導電部的排列范圍。
全文摘要
一種封裝結構的制造方法。制造方法包括以下步驟。首先，提供一基板。接著，提供數(shù)個芯片。再來，電性連接芯片與基板。然后，以一封膠密封芯片，以使芯片與基板形成一封裝體。然后，以一真空吸力吸附住封裝體，以固定住封裝體。然后，沿著相鄰的二吸氣道之間切割被吸附住的封裝體，使其成為數(shù)個封裝結構。
文檔編號H01L21/683GK101789379SQ200910132828
公開日2010年7月28日 申請日期2009年4月17日 優(yōu)先權日2009年1月22日
發(fā)明者劉千, 莊文源, 張志煌, 易維綺, 歐倉宏, 范振銓, 高崇堯 申請人:日月光半導體制造股份有限公司