專利名稱:一種用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域,尤其涉及一種用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓。
背景技術(shù):
光刻膠主要應(yīng)用于電子工業(yè)中集成電路和半導(dǎo)體分立器件的細(xì)微加工過(guò)程中,它 利用光化學(xué)反應(yīng)原理,經(jīng)曝光、顯影將所需要的微細(xì)圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移至待加工的晶圓上, 然后進(jìn)行刻蝕、擴(kuò)散、離子注入、金屬化等工藝。涂膠工藝的目的就是在晶圓表面建立薄的、 均勻的、并且沒(méi)有缺陷的光刻膠膜。但是,在晶圓的涂膠過(guò)程中,由于旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力的 作用,使得晶圓上的光刻膠逐漸向晶圓邊緣散布,導(dǎo)致光刻膠累積在晶圓的邊緣形成突起 殘留,進(jìn)而導(dǎo)致后續(xù)工藝的污染狀況。為了去除累積于晶圓邊緣的光刻膠殘留,通常在涂膠 工藝后加入洗邊(Edge Bean Removal,EBR)工藝,也稱作邊緣球狀物去除工藝、邊膠去除工 藝,以去除晶圓邊緣的光刻膠殘留。業(yè)界通常利用涂膠設(shè)備完成涂膠工藝和洗邊工藝,在涂膠工藝中,滴膠噴嘴將光 刻膠滴在晶圓表面,承載晶圓的卡盤高速旋轉(zhuǎn)獲得要求厚度的光刻膠膜,之后進(jìn)行邊膠去 除工藝,邊膠去除噴嘴將洗邊液噴灑在晶圓邊緣的洗邊區(qū)域內(nèi),以溶解殘留的光刻膠。其中,在涂膠工藝中,滴膠噴嘴滴膠的位置是至關(guān)重要的,為了獲得均勻的光刻膠 膜,一般需要滴膠噴嘴在晶圓表面的中心位置滴膠。因此,在涂膠設(shè)備的維護(hù)過(guò)程中,設(shè)備 維護(hù)人員需要檢測(cè)滴膠噴嘴滴膠的位置是否正確。設(shè)備維護(hù)人員通常利用一不具有任何圖 形的晶圓,將其放在涂膠設(shè)備上,運(yùn)行涂膠工藝,并觀察在光刻膠涂布過(guò)程中,滴膠噴嘴是 否正對(duì)著晶圓的中心滴膠。但是,由于晶圓上沒(méi)有任何位置標(biāo)識(shí),往往通過(guò)目測(cè)無(wú)法準(zhǔn)確的 判斷出滴膠噴嘴是否在所述晶圓的中心位置滴膠。另外,在洗邊工藝中,洗邊的寬度通??筛鶕?jù)不同的工藝要求預(yù)先在涂膠設(shè)備上 設(shè)定。然而,由于機(jī)臺(tái)可能存在誤差,使得洗邊液的噴灑無(wú)法確保在晶圓邊緣的各個(gè)方向上 都保持均勻,導(dǎo)致洗邊的寬度與設(shè)定值不一致,或者洗邊區(qū)域在晶圓上產(chǎn)生不對(duì)稱的偏移。 以目前而言,設(shè)備維護(hù)人員在維護(hù)涂膠設(shè)備時(shí),所采用的檢測(cè)方法主要是目測(cè)或利用標(biāo)尺 來(lái)測(cè)量洗邊的寬度,以判斷設(shè)備是否運(yùn)行正常,洗邊步驟是否符合工藝要求。然而,當(dāng)通過(guò) 目測(cè)來(lái)估算洗邊的寬度時(shí),常因?yàn)槿藶檎`差,使得不同的測(cè)量人員對(duì)同一晶圓進(jìn)行判斷時(shí), 常常會(huì)得到不同的結(jié)果。此外,當(dāng)使用標(biāo)尺來(lái)測(cè)量洗邊的寬度時(shí),易造成晶圓的污染,且操 作的過(guò)程復(fù)雜,往往需要花費(fèi)幾分鐘才能完成一個(gè)晶圓的測(cè)量,降低了生產(chǎn)效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,通過(guò)該測(cè)試晶圓可解 決現(xiàn)有涂膠工藝中,無(wú)法快速準(zhǔn)確的判斷出滴膠位置是否正確的問(wèn)題。本發(fā)明的另一目的是提供一種用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,以方便、快速的 判斷出洗邊寬度是否符合洗邊工藝要求。本發(fā)明的又一目的是提供一種用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,解決洗邊寬度檢測(cè)過(guò)程中對(duì)晶圓的污染的問(wèn)題。為了實(shí)現(xiàn)上述的目的,本發(fā)明提供一種用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,包括晶 圓本體;第一標(biāo)記,設(shè)置于所述晶圓本體表面的邊緣,用于檢測(cè)洗邊工藝的洗邊寬度;第二 標(biāo)記,設(shè)置于所述晶圓本體表面的中心,用于檢測(cè)涂膠工藝中滴膠的位置??蛇x的,所述洗邊工藝具有一標(biāo)準(zhǔn)洗邊寬度,所述第一標(biāo)記的寬度與所述標(biāo)準(zhǔn)洗 邊寬度相匹配??蛇x的,所述第一標(biāo)記包括多個(gè)測(cè)試標(biāo)記,所述多個(gè)測(cè)試標(biāo)記均勻分布在所述晶 圓本體表面的邊緣??蛇x的,所述測(cè)試標(biāo)記為圓形??蛇x的,所述測(cè)試標(biāo)記的直徑等于所述標(biāo)準(zhǔn)洗邊寬度。可選的,所述測(cè)試標(biāo)記為正方形??蛇x的,所述第二標(biāo)記為“十”字形,其包括多個(gè)均勻分布的檢測(cè)標(biāo)記??蛇x的,所述檢測(cè)標(biāo)記為圓形??蛇x的,所述檢測(cè)標(biāo)記為正方形??蛇x的,所述第一標(biāo)記通過(guò)刻蝕所述晶圓本體形成??蛇x的,所述第二標(biāo)記通過(guò)刻蝕所述晶圓本體形成。本發(fā)明所提供的用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓具有以下有益效果1、由于所述測(cè)試晶圓包括設(shè)置于晶圓本體表面邊緣的第一標(biāo)記,因此,在洗邊工 藝完成后,可通過(guò)所述第一標(biāo)記方便、快速的判斷出洗邊寬度是否符合洗邊工藝要求,且可 避免洗邊寬度檢測(cè)過(guò)程中對(duì)晶圓的污染,提高了晶圓的生產(chǎn)良率。2、所述測(cè)試晶圓還包括第二標(biāo)記,其設(shè)置于晶圓本體表面的中心位置,在涂膠工 藝過(guò)程中,可直觀地比較出滴膠噴嘴滴膠的位置是否正確,還可判斷出滴膠噴嘴偏移的方 向,提高了生產(chǎn)效率。
圖1為涂膠設(shè)備的實(shí)例;圖2為本發(fā)明一實(shí)施例提供的用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓的示意圖;圖3A至圖3C為圖2所示測(cè)試晶圓的工作原理圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提出的用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓作 進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū),本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的 是,附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率,僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā) 明實(shí)施例的目的。請(qǐng)參考圖1,業(yè)界通常利用涂膠設(shè)備完成涂膠工藝和洗邊工藝,涂膠設(shè)備 (track) 10包括光刻膠供應(yīng)裝置11、滴膠噴嘴12、洗邊液供應(yīng)裝置13和邊膠去除噴嘴14, 在涂膠工藝中,滴膠噴嘴12將光刻膠供應(yīng)裝置11提供的光刻膠滴在不具有任何圖形的晶 圓15表面,承載晶圓15的卡盤(未圖示)高速旋轉(zhuǎn)獲得要求厚度的光刻膠膜,之后進(jìn)行邊 膠去除工藝,邊膠去除噴嘴14將洗邊液供應(yīng)裝置13提供的洗邊液噴灑在晶圓邊緣的洗邊區(qū)域內(nèi),以溶解殘留的光刻膠。為了判斷涂膠工藝中滴膠的位置是否滿足生產(chǎn)要求,設(shè)備維護(hù)人員一般通過(guò)目測(cè) 來(lái)判斷在光刻膠涂布過(guò)程中,滴膠噴嘴12是否正對(duì)著晶圓15的中心位置滴膠。但是,由于 晶圓15上沒(méi)有任何位置標(biāo)識(shí),通過(guò)目測(cè)方法來(lái)判斷滴膠噴嘴12滴膠的位置是否滿足涂膠 工藝要求時(shí),無(wú)法獲得準(zhǔn)確的結(jié)果。另外,為了判斷洗邊寬度是否滿足生產(chǎn)要求,所采用的檢測(cè)方法通常是目測(cè)或利 用標(biāo)尺來(lái)測(cè)量洗邊的寬度,以判斷涂膠設(shè)備是否運(yùn)行正常,洗邊步驟是否符合工藝要求。然 而,當(dāng)通過(guò)目測(cè)來(lái)估算洗邊的寬度時(shí),常因?yàn)槿藶檎`差,使得不同的測(cè)量人員對(duì)同一晶圓進(jìn) 行判斷時(shí),得到不同的結(jié)果。此外,當(dāng)使用標(biāo)尺來(lái)測(cè)量洗邊寬度時(shí),易造成晶圓的污染,且操 作的過(guò)程復(fù)雜,往往需要花費(fèi)幾分鐘才能完成一個(gè)晶圓的測(cè)量,降低了生產(chǎn)效率。請(qǐng)參考圖2,其為本發(fā)明一實(shí)施例所提供的用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓的示 意圖,所述測(cè)試晶圓100包括晶圓本體110 ;第一標(biāo)記120,設(shè)置于晶圓本體110表面的邊 緣,用于檢測(cè)洗邊工藝的洗邊寬度;第二標(biāo)記130,設(shè)置于晶圓本體110表面的中心,用于檢 測(cè)涂膠工藝中滴膠的位置。其中,所述洗邊工藝具有一標(biāo)準(zhǔn)洗邊寬度,第一標(biāo)記120的寬度與所述標(biāo)準(zhǔn)洗邊 寬度相匹配,第一標(biāo)記120包括多個(gè)測(cè)試標(biāo)記121,所述多個(gè)測(cè)試標(biāo)記121均勻分布在晶圓 本體110表面的邊緣。優(yōu)選的,測(cè)試標(biāo)記121為圓形,可利用現(xiàn)有的掩模板通過(guò)刻蝕步驟形 成,無(wú)需另外制作掩模板。測(cè)試標(biāo)記121的直徑122等于所述標(biāo)準(zhǔn)洗邊寬度,即假設(shè)根據(jù)洗 邊工藝要求,標(biāo)準(zhǔn)洗邊寬度為1mm,則相應(yīng)的測(cè)試標(biāo)記121的直徑為1mm。進(jìn)一步的,第二標(biāo)記130為十字形,設(shè)置在晶圓本體110表面的中心位置,用于檢 測(cè)涂膠工藝中滴膠的位置是否正確。第二標(biāo)記130包括多個(gè)均勻分布的檢測(cè)標(biāo)記131。優(yōu) 選的,檢測(cè)標(biāo)記131為圓形,與所述測(cè)試標(biāo)記121相同的形狀,可方便加工制作。通過(guò)所述測(cè)試晶圓100,可解決在現(xiàn)有涂膠工藝中,無(wú)法快速準(zhǔn)確的判斷出滴膠位 置是否正確的問(wèn)題,還可方便快速的判斷出洗邊寬度是否符合洗邊工藝要求,同時(shí)還可避 免洗邊寬度檢測(cè)過(guò)程中對(duì)晶圓的污染。具體的說(shuō),本發(fā)明一實(shí)施例所提供的測(cè)量晶圓的使用過(guò)程包括首先,將設(shè)置有第 一標(biāo)記120和第二標(biāo)記130的測(cè)試晶圓100放在圖1所示的涂膠設(shè)備10上,運(yùn)行涂膠工藝, 并觀察滴膠噴嘴12是否正對(duì)著第二標(biāo)記130的中心位置滴膠,由于有了參照物,可方便判 斷滴膠噴嘴12滴膠的位置是否正確,不同設(shè)備維護(hù)人員檢測(cè)同一涂膠設(shè)備可得出相同的 檢測(cè)結(jié)論,減少了設(shè)備維護(hù)時(shí)間,提高了生產(chǎn)效率。優(yōu)選的,第二標(biāo)記130為“十”字形,其 包括多個(gè)均勻分布的檢測(cè)標(biāo)記131,因此,不僅能直觀的判斷出滴膠噴嘴12滴膠的位置是 否正確,還能判斷出其偏移的方向。需要說(shuō)明的是,在本發(fā)明所提供的測(cè)量晶圓中,測(cè)試標(biāo)記的形狀并不局限于圓形, 也可根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置為其它形狀,例如正方形;同樣,檢測(cè)標(biāo)記的形狀也可設(shè)置為其它形 狀,例如正方形。繼續(xù)參考圖3A至圖3B,進(jìn)行涂膠工藝后,運(yùn)行洗邊工藝,待洗邊工藝完成后取下 測(cè)試晶圓100,并判斷洗邊寬度是否滿足洗邊工藝要求。詳細(xì)的,若標(biāo)準(zhǔn)洗邊寬度設(shè)定為 1mm,則相應(yīng)的測(cè)試標(biāo)記121的直徑為1mm,則在理想情況下,如圖3A所示,保留的光刻膠膜 140的邊緣的位置141,恰好與測(cè)試標(biāo)記121的內(nèi)側(cè)邊緣重合,即洗邊寬度142滿足洗邊工藝要求。如圖3B所示,若保留的光刻膠膜140的邊緣的位置141,與測(cè)試標(biāo)記121具有一定 間隙,則判斷洗邊寬度142大于標(biāo)準(zhǔn)洗邊寬度,則需根據(jù)測(cè)量結(jié)果有針對(duì)性地對(duì)涂膠設(shè)備 的設(shè)置參數(shù)進(jìn)行調(diào)整,使得洗邊步驟滿足洗邊工藝要求。因此,通過(guò)目測(cè)來(lái)比較光刻膠膜邊 緣的位置與測(cè)試標(biāo)記的內(nèi)側(cè)邊緣是否重合,即可方便、準(zhǔn)確的判斷出洗邊寬度是否符合洗 邊工藝要求,且不會(huì)對(duì)測(cè)試晶圓造成污染。此外,本發(fā)明一實(shí)施例所提供的測(cè)試晶圓100,還可檢測(cè)洗邊區(qū)域在晶圓上是否產(chǎn) 生了不對(duì)稱的偏移,如圖3C所示,保留的光刻膠膜140的邊緣一部分與測(cè)試標(biāo)記121重合, 另一部分則與測(cè)試標(biāo)記121具有一定間隙,則說(shuō)明洗邊不均勻,需要調(diào)整涂膠設(shè)備的設(shè)置 參數(shù),以滿足洗邊工藝要求。精確的洗邊寬度測(cè)量有助于提高晶圓的生產(chǎn)良率,特別是對(duì)于 0. 18微米以下的制程工藝。在本發(fā)明的一實(shí)施例中,第一標(biāo)記120及第二標(biāo)記130通過(guò)刻蝕晶圓本體110形 成,通過(guò)光阻去除步驟,可重復(fù)使用測(cè)試晶圓,對(duì)檢測(cè)結(jié)果不會(huì)產(chǎn)生任何影響,降低了生產(chǎn) 成本。綜上所述,本發(fā)明提供了一種用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,所述測(cè)試晶圓包 括設(shè)置于晶圓本體表面邊緣的第一標(biāo)記,因此,在洗邊工藝完成后,可通過(guò)所述第一標(biāo)記方 便、快速的判斷出洗邊寬度是否符合洗邊工藝要求,且可避免洗邊寬度檢測(cè)過(guò)程中對(duì)晶圓 的污染,所述測(cè)試晶圓還包括第二標(biāo)記,其設(shè)置于晶圓本體表面的中心位置,在涂膠工藝過(guò) 程中,可直觀地比較出滴膠噴嘴滴膠的位置是否正確,還可判斷出滴膠位置偏移的方向,可 提高生產(chǎn)效率。顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包括這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
一種用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,其特征在于,包括晶圓本體;第一標(biāo)記,設(shè)置于所述晶圓本體表面的邊緣,用于檢測(cè)洗邊工藝的洗邊寬度;第二標(biāo)記,設(shè)置于所述晶圓本體表面的中心,用于檢測(cè)涂膠工藝中滴膠的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,其特征在于,所述洗邊工藝 具有一標(biāo)準(zhǔn)洗邊寬度,所述第一標(biāo)記的寬度與所述標(biāo)準(zhǔn)洗邊寬度相匹配。
3.如權(quán)利要求2所述的用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,其特征在于,所述第一標(biāo)記 包括多個(gè)測(cè)試標(biāo)記,所述多個(gè)測(cè)試標(biāo)記均勻分布在所述晶圓本體表面的邊緣。
4.如權(quán)利要求3所述的用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,其特征在于,所述測(cè)試標(biāo)記 為圓形。
5.如權(quán)利要求4所述的用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,其特征在于,所述測(cè)試標(biāo)記 的直徑等于所述標(biāo)準(zhǔn)洗邊寬度。
6.如權(quán)利要求3所述的用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,其特征在于,所述測(cè)試標(biāo)記 為正方形。
7.如權(quán)利要求1所述的用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,其特征在于,所述第二標(biāo)記 為“十”字形,其包括多個(gè)均勻分布的檢測(cè)標(biāo)記。
8.如權(quán)利要求7所述的用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,其特征在于,所述檢測(cè)標(biāo)記 為圓形。
9.如權(quán)利要求7所述的用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,其特征在于,所述檢測(cè)標(biāo)記 為正方形。
10.如權(quán)利要求1所述的用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,其特征在于,所述第一標(biāo)記 通過(guò)刻蝕所述晶圓本體形成。
11.如權(quán)利要求1所述的用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,其特征在于,所述第二標(biāo)記 通過(guò)刻蝕所述晶圓本體形成。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于涂膠及洗邊檢測(cè)的測(cè)試晶圓,包括晶圓本體;第一標(biāo)記,設(shè)置于所述晶圓本體表面的邊緣,用于檢測(cè)洗邊工藝的洗邊寬度;第二標(biāo)記,設(shè)置于所述晶圓本體表面的中心,用于檢測(cè)涂膠工藝中滴膠的位置。通過(guò)該測(cè)試晶圓可解決現(xiàn)有涂膠工藝中,無(wú)法快速準(zhǔn)確的判斷出滴膠的位置是否正確的問(wèn)題,還可方便、快速的判斷出洗邊寬度是否符合洗邊工藝要求,此外,還能避免洗邊寬度檢測(cè)過(guò)程中對(duì)晶圓的污染,提高了晶圓的生產(chǎn)良率。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101894827SQ20091005155
公開(kāi)日2010年11月24日 申請(qǐng)日期2009年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月19日
發(fā)明者張偉, 潘賢俊, 蔣國(guó)偉, 陳楓 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司