專(zhuān)利名稱(chēng)：Led形成期間的襯底移除的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管的制造。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)是當(dāng)前可用的最有效的光源之一。當(dāng)前在能夠跨越可見(jiàn)光譜工作的高亮度發(fā)光裝置的制作中感興趣的材料體系包括III-V族半導(dǎo)體；例如鎵、鋁、銦、氮、磷和砷的二元、三元和四元合金。III-V族裝置發(fā)射跨越可見(jiàn)光譜的光。GaAs和GaP基裝置經(jīng)常用于以諸如黃色至紅色的較長(zhǎng)波長(zhǎng)發(fā)射光，而III族氮化物裝置經(jīng)常用于以諸如近紫外至綠色的較短波長(zhǎng)發(fā)射光。 由于藍(lán)寶石的晶體結(jié)構(gòu)類(lèi)似于氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)，氮化鎵LED典型地使用透明藍(lán)寶石生長(zhǎng)襯底。 —些GaN LED形成為倒裝芯片，兩個(gè)電極位于同一表面上，其中LED電極不使用引線結(jié)合而結(jié)合到次載具(submount)上的電極。次載具提供LED和外部電源之間的接口。結(jié)合到LED電極的次載具上的電極可以延伸出LED或延伸到次載具的相反側(cè)以用于引線結(jié)合或表面貼裝到電路板。 圖1A-1D是安裝GaN LED 10到次載具12且移除藍(lán)寶石生長(zhǎng)襯底24的處理的簡(jiǎn)化剖面圖。次載具12可以由硅形成或可以是陶瓷絕緣體。如果次載具12是硅，則氧化層可以將次載具表面上的金屬圖案與硅絕緣，或者可以實(shí)現(xiàn)不同方案的離子注入以用于諸如靜電放電保護(hù)的附加功能。 在圖1A中可以看出，很多LED管芯10形成有薄GaN LED層18，該薄GaN LED層18形成在藍(lán)寶石生長(zhǎng)襯底24上。在GaN層18中形成與n型和p型層電接觸的電極16。金釘頭凸點(diǎn)(stud bumps) 20布置在LED 10上的電極16之上或備選地布置在次載具12上的金屬焊盤(pán)14之上。金釘頭凸點(diǎn)20 —般是布置在LED電極16和次載具金屬焊盤(pán)14之間的各個(gè)點(diǎn)處的球狀金球。LED層18和電極16均形成在同一藍(lán)寶石襯底24上，該藍(lán)寶石襯底24然后被劃片以形成單獨(dú)LED管芯10。 如圖1B所示，將LED IO結(jié)合到襯底12，其中次載具12上的金屬焊盤(pán)14電結(jié)合到GaN層18上的金屬電極16。向LED結(jié)構(gòu)施加壓力，同時(shí)超聲波換能器相對(duì)于次載具快速振動(dòng)LED結(jié)構(gòu)以在界面處產(chǎn)生熱。這導(dǎo)致金釘頭凸點(diǎn)的表面以原子級(jí)互擴(kuò)散到LED電極和次載具電極內(nèi)，以產(chǎn)生永久電連接。其他類(lèi)型的結(jié)合方法包括錫焊、應(yīng)用導(dǎo)電膠以及其他方法。 在LED層18和次載具12的表面之間存在很大的空隙，該空隙填充有環(huán)氧樹(shù)脂以提供機(jī)械支撐且密封該區(qū)域，如圖1C所示。所得的環(huán)氧樹(shù)脂被稱(chēng)為底填料22。底填充是十分耗時(shí)的，因?yàn)槊總€(gè)LED管芯10必須被單獨(dú)底填充，且需要注入精確數(shù)量的底填充材料。底填充材料必須是足夠低的粘度，使得它可以在LED管芯10下流動(dòng)而不捕獲任何將導(dǎo)致不良支撐區(qū)域的氣泡，其中該LED管芯10可包括電極的復(fù)雜幾何圖形，如區(qū)域22a所示。然而，底填充材料不應(yīng)以不受控方式擴(kuò)散到不希望的表面，諸如在22b處所示的LED裝置的頂面或者隨后必須應(yīng)用引線結(jié)合的次載具上的焊盤(pán)。 藍(lán)寶石襯底24在LED管芯10結(jié)合到次載具12之后移除，且次載具12被分離成單獨(dú)元件以形成如圖1D所示的LED結(jié)構(gòu)。因?yàn)長(zhǎng)ED層18極薄且易碎，底填料起到提供必要機(jī)械支撐以防止移除支撐襯底24時(shí)脆弱的LED層破碎的附加目的。由于金釘頭凸點(diǎn)20給定的有限形狀且它們彼此遠(yuǎn)離，金釘頭凸點(diǎn)20本身不提供足夠的支撐來(lái)防止LED層的破碎。常用的底填充材料典型地由有機(jī)物質(zhì)組成且擁有與金屬和半導(dǎo)體材料極其不同的熱膨脹屬性。這種不合邏輯的膨脹性能在大功率LED應(yīng)用常見(jiàn)的高操作溫度尤其嚴(yán)重，其中底填充材料接近其玻璃轉(zhuǎn)化點(diǎn)且性能開(kāi)始象彈性物質(zhì)。這種熱膨脹性能失配的凈效果是在LED裝置上引入應(yīng)力，這樣限制或減小了 LED裝置在大功率條件下的操作性。最后，底填充
材料具有低熱傳導(dǎo)屬性，這導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置的不必要的高溫操作。 需要在襯底去除處理中用于機(jī)械支撐薄LED層的技術(shù)，其提供更加均勻和無(wú)空隙的支撐；為支撐提供更密切匹配的熱膨脹性能；為支撐提供不受有機(jī)材料的玻璃轉(zhuǎn)化點(diǎn)限制的高溫操作性；以及為支撐提供用于良好熱沉的改善的熱傳導(dǎo)。

發(fā)明內(nèi)容
使用在安裝LED到次載具之前沉積在LED或次載具上的底填料層來(lái)制造發(fā)光二極管(LED)。在安裝LED到次載具之前沉積底填料層提供更均勻和無(wú)空隙的支撐，且增加了允許改善熱特性的底填充材料選擇。在一個(gè)實(shí)施例中，底填料層可以沉積在LED上且用于在移除生長(zhǎng)襯底期間支撐薄且易碎的LED層。生長(zhǎng)襯底然后可以在安裝LED到次載具之前在晶片級(jí)移除。在其他實(shí)施例中，底填料層可以被構(gòu)圖和/或往回拋光，使得僅LED和/或次載具的接觸區(qū)域露出。LED和次載具然后可以使用其間的底填料層來(lái)結(jié)合。經(jīng)構(gòu)圖的底填料層還可以用作引導(dǎo)以幫助裝置的分割(singulating)。


圖1A-1D是安裝LED到次載具且隨后注入底填料和移除藍(lán)寶石生長(zhǎng)襯底的處理的簡(jiǎn)化剖面圖。 圖2A-2E是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例在晶片級(jí)從LED移除生長(zhǎng)襯底且安裝LED到次載具的處理的簡(jiǎn)化剖面圖。 圖3說(shuō)明包括藍(lán)寶石生長(zhǎng)襯底和GaN層的LED結(jié)構(gòu)的一部分。 圖4A和4B說(shuō)明在晶片級(jí)在LED的一部分之上沉積底填充材料。 圖5A-5C是安裝LED到次載具且在LED安裝到次載具之后移除生長(zhǎng)襯底的簡(jiǎn)化剖面圖。 圖6A-6E是安裝LED到具有底填料涂層的次載具的處理的簡(jiǎn)化剖面圖。 圖7A-7D說(shuō)明另一實(shí)施例，其中具有被構(gòu)圖的底±真料層的晶片級(jí)LED被安裝到次載具。 圖8A-8G說(shuō)明另一實(shí)施例，其中單獨(dú)LED管芯被安裝到其上已經(jīng)沉積了底填料層
的次載具。
具體實(shí)施例方式
圖2A-2E是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例安裝GaN LED到次載具且移除生長(zhǎng)襯底的處
5理的簡(jiǎn)化剖面圖。 圖2A說(shuō)明包括生長(zhǎng)襯底102的晶片級(jí)LED結(jié)構(gòu)100的一部分，該生長(zhǎng)襯底102可以是例如藍(lán)寶石，其上已經(jīng)形成有薄GaN LED層104。例如，如通過(guò)引用結(jié)合于此的美國(guó)專(zhuān)利公報(bào)No. 2007/0096130中所述，GaN LED層104常規(guī)地可以生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底上。圖3說(shuō)明包括藍(lán)寶石襯底102的晶片結(jié)構(gòu)100的一部分，該藍(lán)寶石襯底上使用常規(guī)技術(shù)生長(zhǎng)有n型GaN層104n。 GaN層104n可以是包括覆層的多層。GaN層104n可以包括Al、In和n型摻雜劑。有源層104a然后生長(zhǎng)在GaN層104n上。有源層104n將典型地是多個(gè)GaN基層，且其組分(例如InxAlyGai—x—yN)依賴(lài)于所需的光發(fā)射波長(zhǎng)和其他因素。有源層104a可以是常規(guī)的。P型GaN層104p然后生長(zhǎng)在有源層104a上。GaN層104p可以是包括覆層的多層且也可以是常規(guī)的。GaN層104p可以包括Al、 In和p型摻雜劑。圖3的LED結(jié)構(gòu)被稱(chēng)為雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)。 在一個(gè)實(shí)施例中，生長(zhǎng)襯底約90微米厚，且GaN層104具有約4微米的組合厚度。
盡管在實(shí)例中使用了具有藍(lán)寶石生長(zhǎng)襯底的GaN基LED,使用諸如SiC(用于形成InAlGaN LED)和GaAs(用于形成AlInGaP LED)的其他襯底的其他類(lèi)型LED也可以從本發(fā)明獲益。 金屬結(jié)合層形成在晶片上以形成此處稱(chēng)為接觸108的n接觸108n和p接觸108p。接觸108可以通過(guò)下述被構(gòu)圖在不希望金屬接觸的位置處形成掩膜層，然后在整個(gè)晶片上沉積金屬接觸層，以及然后剝?nèi)パ谀右詣冸x沉積在其上的金屬。金屬層也可以通過(guò)下述被負(fù)構(gòu)圖沉積類(lèi)似堆疊的毯狀金屬層，且然后使用掩膜方法選擇性地回蝕刻這些金屬層。接觸可以由諸如TiAu、Au、Cu、Al、Ni的一種或多種金屬或其他易延展材料或這些層的組合形成。例如可以是金的釘頭凸點(diǎn)110然后可以形成在接觸108之上。釘頭凸點(diǎn)110 —般是布置于接觸108上的各個(gè)點(diǎn)處的球狀金球。釘頭凸點(diǎn)110用作LED的接觸的一部分且用于結(jié)合LED到次載具。如有需要，其他類(lèi)型的結(jié)合材料或結(jié)構(gòu)諸如板材可以代替釘頭凸
點(diǎn)iio而被使用。 如圖2所示，底填料120然后沉積在GaN層104、接觸108和凸點(diǎn)110之上。因?yàn)樵诮Y(jié)合LED到次載具之前應(yīng)用底填料120，因此任何合適的材料可用于底填料120，而不依賴(lài)于流動(dòng)特性，該流動(dòng)特性在常規(guī)底填料的情況下是需要的。例如，具有高玻璃轉(zhuǎn)化溫度的聚合物聚酰亞胺基材料可用作底填料層120。使用聚酰亞胺材料，溶劑可用于調(diào)節(jié)粘度到400-1000Pa * s以幫助材料的沉積。諸如小顆粒Si02的填料粉末例如可以以50%到90%的數(shù)量添加到聚酰亞胺材料以匹配CTE(熱膨脹系數(shù))。在沉積過(guò)程中，LED和聚酰亞胺材料可以在玻璃轉(zhuǎn)化溫度之下被加熱，然后允許冷卻以固化。這種材料將幫助裝置承受高溫/高電流條件，而沒(méi)有薄LED的變形。底填充材料可以是雙階段固化材料，使用低溫固化以用于負(fù)責(zé)第一階段固化的底填充材料中添加劑例如環(huán)氧樹(shù)脂添加劑的交聯(lián)。底填充材料應(yīng)具有B階段固化屬性以粘合到LED和支撐晶片表面。 圖4A和4B說(shuō)明了在晶片100的一部分上沉積底填料120材料。如圖4A所示，底填料120可以毯狀沉積在GaN層104的表面之上。在一個(gè)實(shí)施例中，底填料120例如使用絲網(wǎng)印刷或網(wǎng)孔印刷構(gòu)圖，使得區(qū)域122諸如LED管芯將被分離處的區(qū)域沒(méi)有底填料120。例如，所述材料可以例如使用絲網(wǎng)印刷技術(shù)以粘膠的形式沉積。不希望底填料的區(qū)域，例如LED周?chē)嬖谝€結(jié)合的區(qū)域，被掩膜保護(hù)。掩膜中的開(kāi)孔允許底填料沉積在所需區(qū)域中。在例如通過(guò)絲網(wǎng)印刷沉積之后，底填料層在例如120°C -130°C的低溫固化，直到它足夠硬能夠被拋光為止。如圖4B所示，底填料120然后被往回拋光，直到金屬連接即凸點(diǎn)110露出。在一個(gè)實(shí)施例中，底填料120具有30 ii m的最終厚度。 底填料120優(yōu)選地用作GaN層104的支撐層，且相應(yīng)地，生長(zhǎng)襯底102可以移除，如圖2C所示。使用透過(guò)透明藍(lán)寶石襯底102發(fā)射且蒸發(fā)n-GaN層104n的頂層的準(zhǔn)分子激光束，襯底102可以通過(guò)例如激光剝離來(lái)移除。襯底102的移除在襯底/n-GaN層104n界面產(chǎn)生巨大壓力。該壓力迫使襯底102從n-GaN層104n脫離，且襯底102被移除。底填料120提供的支撐防止在襯底剝離期間的高壓力使得薄且易碎的LED層104破裂。另外，如果需要，例如使用光電化學(xué)蝕刻或者通過(guò)小規(guī)模壓印或研磨露出的n層104n(如圖3所示)可以被粗糙化以用于增強(qiáng)光提取。備選地，粗糙化可以包括在表面上形成棱鏡或其他光學(xué)元件以用于增強(qiáng)光提取和改善輻射模式的控制。 在移除襯底之后，具有底填料120的GaN層104被劃片且分離成單獨(dú)LED元件。劃片和分離例如可以使用鋸實(shí)現(xiàn)，該鋸使用底填料120中的區(qū)域122作為引導(dǎo)。備選地，可以使用激光劃片處理。在分離之前，LED的晶片粘合到可延展塑料薄片，且在晶片沿著劃片線破裂之后，該薄片延展以在管芯保持粘合到可延展薄片上的同時(shí)分離管芯。自動(dòng)拾放裝置然后從薄片移除每個(gè)管芯125，且安裝管芯125到次載具130上，如圖2D所示。LED管芯125上的結(jié)合金屬即凸點(diǎn)110被直接超聲波或熱超聲焊接到次載具130上的相應(yīng)結(jié)合金屬圖案132，該金屬圖案例如可以是金或其他合適材料。次載具130可以由硅或陶瓷絕緣體形成。如果陶瓷130是硅，則氧化層可以將次載具表面上的金屬圖案與硅絕緣，或者可以實(shí)現(xiàn)不同的離子注入方案以用于附加功能，諸如用于放電保護(hù)的齊納二極管。如果次載具是陶瓷而不是硅，則金屬圖案可以直接形成在陶瓷表面上。 超聲波換能器(熱超聲金屬到金屬互擴(kuò)散處理)可用于應(yīng)用向下的壓力到管芯125且相對(duì)于次載具130快速振動(dòng)管芯125，使得來(lái)自相對(duì)結(jié)合金屬的原子混合以形成管芯125和次載具130之間的電學(xué)和機(jī)械連接。也可以使用LED管芯到次載具互連的其他方法，諸如使用焊接層。在例如使用Au-Au互連的管芯附接工藝中，襯底溫度維持在玻璃轉(zhuǎn)化溫度Tg以上(例如40-50°C )，這導(dǎo)致底填充材料處于彈性階段以軟化和順從LED且防止空隙的產(chǎn)生。隨后，底填料層允許在約玻璃轉(zhuǎn)化溫度例如20(TC固化l-2小時(shí)以變硬。次載具130然后可以被劃片和分割以形成LED 140，如圖2E所示。 在另一實(shí)施例中，直到晶片被分離成單獨(dú)管芯且安裝到次載具130之后，生長(zhǎng)襯底102才被移除，如圖5A、5B和5C所示。如圖5A所示，具有LED GaN層104的藍(lán)寶石襯底102被劃片且分離成單獨(dú)管芯150。劃片和分離可以使用例如鋸?fù)瓿?，該鋸使用底填?20中的區(qū)域122作為引導(dǎo)來(lái)切割藍(lán)寶石襯底102。如上所述，分離的管芯150然后安裝到次載具130。 一旦管芯150安裝到次載具130，藍(lán)寶石襯底102可以如上所述且如圖5B所示剝離。次載具130然后分割以形成LED140，如圖5C所示。 在另一實(shí)施例中，底填料可以沉積在次載具而不是GaN層上。圖6A-6E是安裝GaNLED到具有底填料涂層的次載具的處理的簡(jiǎn)化剖面圖。 圖6A說(shuō)明次載具202的一部分，該次載具202具有含有凸點(diǎn)206的結(jié)合金屬圖案204。舉例而言，可以使用具有Au結(jié)合金屬圖案204和Au凸點(diǎn)206的硅次載具202。備選地，如有需要可以使用其他材料。底填料層210沉積在次載具202、結(jié)合金屬圖案204和凸點(diǎn)206之上。如上所述，底填料層210可以例如使用絲網(wǎng)印刷或網(wǎng)孔印刷來(lái)構(gòu)圖，使得諸如LED管芯將被分離的區(qū)域的這樣區(qū)域沒(méi)有底填料材料。因?yàn)樵诮Y(jié)合LED到次載具之前應(yīng)用底填料210，所以任意合適的材料可用于底填料210而不依賴(lài)于流動(dòng)特性，該流動(dòng)特性在常規(guī)底填料的情況下是需要的。例如，具有高玻璃轉(zhuǎn)化溫度的聚合物聚酰亞胺基材料可用作底填料層120。這種材料將幫助裝置承受高溫/高電流條件，而沒(méi)有薄LED的變形。底填充材料應(yīng)具有B階段固化屬性以粘合到LED和支撐晶片表面。此外，如有需要可以使用無(wú)機(jī)電介質(zhì)材料。如圖6B所示，底填料層210被往回拋光，直到金屬連接即凸點(diǎn)206露出。
具有LED GaN層232和接觸234的生長(zhǎng)襯底230被分離成單獨(dú)的LED管芯235，該LED管芯235然后安裝到具有底填料層210的次載具202，如圖6C所示。LED管芯234上的接觸被直接超聲波或熱超聲焊接到次載具130上的相應(yīng)結(jié)合凸點(diǎn)206，如上所述。 一旦安裝，例如使用激光剝離工藝移除生長(zhǎng)襯底230，得到如圖6D所示的結(jié)構(gòu)。次載具202然后被分割以形成LED 240，如圖6E所示。 圖7A-7D說(shuō)明根據(jù)另一實(shí)施例被安裝到次載具的具有構(gòu)圖的底填料層的晶片級(jí)LED。 圖7A為具有構(gòu)圖的底填料層310的晶片級(jí)LED 300的部分的簡(jiǎn)化剖面圖，且圖7B是晶片級(jí)LED 300的底面沿著圖7A的線AA的平面圖。晶片級(jí)LED 300包括生長(zhǎng)襯底302以及LED層304和接觸306。底填料層310例如使用絲網(wǎng)印刷或網(wǎng)孔印刷來(lái)沉積，以形成露出LED層304底面上的接觸306的圖案且被固化。在圖7C中可以看出，底填料圖案匹配次載具320上存在的接觸322的圖案，使得僅附接LED的區(qū)域露出。 如圖7C和7D所述，晶片級(jí)LED 300在晶片級(jí)安裝到具有接觸322的次載具320。如上所述，晶片級(jí)LED 300例如超聲波或熱超聲地安裝到次載具320以結(jié)合LED層304上的接觸306與次載具320上的接觸322。生長(zhǎng)襯底302然后可以使用激光剝離工藝剝離，且LED被分割成單獨(dú)管芯。 圖8A-8G說(shuō)明另一實(shí)施例，其中單獨(dú)LED管芯安裝到其上已經(jīng)沉積了底填料層的
次載具。圖8A是具有接觸404的次載具402的部分的簡(jiǎn)化剖面圖。圖8B是次載具402的
頂面沿著圖8A的線BB的平面圖。如圖8C所示，底填料層410沉積在次載具402之上，且
尤其被構(gòu)圖以覆蓋接觸404。 一旦底填料層410固化，底填料層410被往回拋光以露出接觸
404，如圖8D和8E所示，圖8D和8E說(shuō)明了次載具402的另一平面圖。 每一個(gè)均包括生長(zhǎng)襯底422 、 LED層424和LED層424底面上的接觸426的LED管
芯420然后被分別安裝到次載具402，如圖8F所示。 一旦安裝，生長(zhǎng)襯底422可以被剝離，
如圖8G所示，且次載具402可以分割以形成單獨(dú)LED元件，如上文所述。 盡管用于教導(dǎo)目的，結(jié)合特定實(shí)施例說(shuō)明了本發(fā)明，但本發(fā)明不限于此。可以在不
偏離本發(fā)明的范圍的條件下做出各種調(diào)適和修改。因此，所附權(quán)利要求書(shū)的精神和范圍將
不限于上述描述。
權(quán)利要求
一種制造發(fā)光二極管(LED)結(jié)構(gòu)的方法，包括在生長(zhǎng)襯底上形成包括n型層、有源層和p型層的LED層；在該LED層的底面上形成金屬接觸；提供在頂面具有金屬接觸的次載具；在該LED層的底面上沉積底填料層；從該LED層移除該生長(zhǎng)襯底；以及安裝該LED層到該次載具，該LED層的底面上的金屬接觸與該次載具的頂面上的金屬接觸相接觸，且該底填料層位于該LED層的底面和該次載具的頂面之間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在安裝該LED層到該次載具之前，將該LED層分 離成單獨(dú)管芯。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括將安裝到該次載具的該LED層分割以形成多個(gè) 單獨(dú)元件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在該LED層的底面上沉積底填料層包括在該LED 層的底面上的金屬接觸之上沉積該底填料層，且往回拋光該底填料層直到該LED層的底面 上的金屬接觸的至少一部分露出。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中該底填料層包括聚酰亞胺基材料。
6. —種制造發(fā)光二極管(LED)結(jié)構(gòu)的方法，包括 在生長(zhǎng)襯底上形成包括n型層、有源層和p型層的LED層； 在該LED層的底面上形成金屬接觸； 提供在頂面具有金屬接觸的次載具；在該LED層的底面和該次載具的頂面其中至少之一上沉積構(gòu)圖的底填料層；以及 安裝該LED層到該次載具，該LED層的底面上的金屬接觸與該次載具的頂面上的金屬 接觸相接觸，且該底填料層位于該LED層的底面和該次載具的頂面之間。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中使用絲網(wǎng)印刷和網(wǎng)孔印刷之一沉積該底填料層以 對(duì)該底填料層進(jìn)行構(gòu)圖。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中該底填料層沉積在該LED層的底面上，該方法還包 括在安裝該LED層到該次載具之前從該LED層移除該生長(zhǎng)襯底。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中該底填料層包括聚酰亞胺基材料。
10. —種制造發(fā)光二極管(LED)結(jié)構(gòu)的方法，包括 在生長(zhǎng)襯底上形成包括n型層、有源層和p型層的LED層； 在該LED層的底面上形成金屬接觸； 提供在頂面具有金屬接觸的次載具；在該LED層的底面和該次載具的頂面其中至少之一上沉積底填料層，該底填料層覆蓋 與該LED層的底面和該次載具的頂面其中至少一個(gè)相關(guān)的金屬接觸； 往回拋光該底填料層，直到被覆蓋金屬接觸的至少一部分露出；安裝該LED層到該次載具，該LED層的底面上的金屬接觸與該次載具的頂面上的金屬 接觸相接觸，且該底填料層位于該LED層的底面和該次載具的頂面之間。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，其中該底填料層沉積在該LED層的底面上，該方法還 包括在安裝該LED層到該次載具之前從該LED層移除該生長(zhǎng)襯底。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括在安裝該LED層到該次載具之前將該LED層 分離成單獨(dú)管芯。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括將安裝到該次載具的LED層分割以形成多個(gè) 單獨(dú)元件。
14. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的方法，其中在該LED層的底面上沉積底填料層包括對(duì)該 LED層的底面上的該底填料層進(jìn)行構(gòu)圖。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中使用絲網(wǎng)印刷和網(wǎng)孔印刷之一沉積該底填料層 以對(duì)該底填料層進(jìn)行構(gòu)圖。
全文摘要
使用在安裝發(fā)光二極管(LED)到次載具之前沉積在LED或次載具上的底填料層來(lái)制造LED。在安裝LED到次載具之前沉積底填料層，這提供更均勻和無(wú)空隙的支撐，且增加了底填充材料選擇以允許改善熱特性。底填料層可以在安裝LED到次載具之前在移除生長(zhǎng)襯底期間用作薄且易碎的LED層的支撐。另外，底填料層可以被構(gòu)圖和/或往回拋光，使得僅LED和/或次載具的接觸區(qū)域露出。底填料層中的圖案還可以用作引導(dǎo)以幫助裝置的分割。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101743648SQ200880024137
公開(kāi)日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2008年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月9日
發(fā)明者G·巴辛, P·S·馬丁, R·S·韋斯特 申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司;飛利浦拉米爾德斯照明設(shè)備有限責(zé)任公司