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多晶粒反罩吸風(fēng)模的制作方法

文檔序號:6916368閱讀:227來源:國知局
專利名稱:多晶粒反罩吸風(fēng)模的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型屬于電子元器件加工過程中使用的工具裝備,更確切地iXA
涉及二f及管制造中晶粒排列用的專用才莫具。
背景技術(shù)
^f及管制造過程數(shù)多工序中,第一道工序是將硅片裂片后的、極其細微
的晶粒,需按正、負極朝向排列在上千個孔位的多晶粒級貝模中; 上pAK罩,搖動多晶粒^LK^莫,使p脫罩上正、負極朝向一致的晶粒^L7v到 晶粒槽中;排列后多余的晶粒隨著吸風(fēng)罩打開,a落在多晶粒吸M^外, 此時晶粒的正、負極朝向被打亂,為了讓這些晶粒被再利用,需要由人工將 其由逸并翻轉(zhuǎn)成相同的朝向,這將耗費大量人力。
晶粒價格昂貴,散落的晶粒需要再利用;目前勞動力的價格也不斷上漲, 為了降j^i^L管的制it^本,必須尋找到改進多晶粒pAM^莫方案,使多余的 晶并^p^X罩打開后,不^t落在多晶粒pXRUf莫外,同時晶粒的正、負極朝 向也不會打亂,在下一次晶粒排列時,晶粒能方便地被利用。 發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種在4管制造即排列多晶粒時,多余的 晶粒不^t落在多晶粒^J^莫外,其正、負極朝向也不會打亂,在下一次多 晶粒排列時再利用。
為了達到上述目的,本實用新型的技術(shù)方案是 一種多晶粒反罩pA^^莫, 包括pAK罩和pAK^莫座,吸風(fēng)革罩在吸K^M上;吸^U莫座包括料斗蓋、吸 盤和pAJKUM^;料斗蓋安M^t的尾端上,^Jt安^tPiWt^上, 吸盤與吸jR^M座之間有一空腔,吸盤的一端置有一吸風(fēng)孔,級乂孔與空腔 相通;吸盤上布有晶粒槽,晶粒槽槽皿過通孔與空樹目通,料斗蓋與吸盤 之間有一料腔;pAX罩與^Jt之間留有pAX腔,級jyt與料腔連通。
上述料斗蓋的尾端和兩側(cè)均有凸沿。
pAK罩與p及盤均設(shè)有止口,級乂罩為陽止口,級直為陰止口,級Ji罩的陽止口與吸盤的陰止口相配合。
吸風(fēng)罩兩端設(shè)有定位銷,所述吸盤上設(shè)有與定位銷相配合的定位孔。
料斗蓋與吸盤采用螺釘連接;吸風(fēng)模底座與吸盤采用螺釘連接。
本實用新型由于采用了料斗式多晶粒反罩pak^莫,由于料腔和piuyt的
空間高度小于晶粒邊長,即晶粒翻轉(zhuǎn)高度;晶粒排列^作時,晶粒的正、負 極朝向不會因才錄翻轉(zhuǎn)而打亂;而且在排列操作完成后,多余的晶粒以相同 的正負極朝向落入料腔中,不*落在多晶粒^>^莫外,方便地供給多晶粒 pAK才莫下一次排列用。以下結(jié)合附圖
給出的實施例對本實用新型作進一步詳細地說明。 圖l是本實用新型的立體示意圖; 圖2是本實用新型的俯^L示意圖; 圖3是圖2的A—A剖面放大示意圖; 圖4是圖3中B孔;^文大示意圖。
具體實施方式

如圖l是本實施例的立體示意圖。
一種多晶粒反罩^J^模,包括p^X罩1和吸K^莫座2,吸風(fēng)罩l罩在吸 ^L^M2上;2包4沐斗蓋2-1 、 p城2誦2和pXK^級座2-3;料斗 蓋2-1安#吸盤2-2的尾端上,吸盤2-2安#吸風(fēng)模底座2-3上。
如圖2是本實用新型的俯視示意圖;圖3是圖2的A—A剖面放大示意 圖;圖4是圖3中B孑L放大示意圖。
吸盤2-2與吸J^級座2-3之間有一空腔5,吸盤2-2的一端置有一吸風(fēng) 孔4, pAK孔4與空腔5才目通;p膽2-2上布有晶粒槽6,晶粒槽6槽底通過 通孔7與空腔5相通,料斗蓋2-1與吸盤2-2之間有一料腔9,吸風(fēng)罩1與吸 盤2-2之間留有吸XMl0, M腔10與料腔9連通;級J5ytlO與料腔9的 高度小于晶粒邊長,即晶粒翻轉(zhuǎn)高度。
料斗蓋2-1的尾端和兩側(cè)均有凸沿8。
吸風(fēng)罩1與吸盤2-2均設(shè)有止口 11,吸風(fēng)罩l的陽止口與吸盤2-2的陰 止口相配合。吸風(fēng)罩l兩端設(shè)有定位銷3,吸盤2-2上設(shè)有與定位銷3相配合的定位孔。 料斗蓋2-1與pA^ 2-2采用螺釘連接;^J^M^ 2-3與p城2-2采用螺 打連接。
本實施例的操作步驟為先將裂片后具有統(tǒng)一朝向的晶粒鋪在pAK罩1 上,將吸X^莫座2以定位銷3為基準合蓋在吸風(fēng)罩1上,翻轉(zhuǎn)多晶粒反罩吸 ^U莫,打開^R嘴4并抽氣,同時搖晃多晶粒反罩PAJ^莫,使晶粒落入各晶 粒槽6,然后將多余的晶粒倒入料斗蓋2-1與吸盤2-2間形成的料腔9中; 停止搖晃多晶粒反罩piU^莫并關(guān)閉pAK嘴4,停止抽氣,取走p感罩l,則晶 粒整齊排列在p^UM2的晶粒槽6中,料腔、中的多晶硅晶粒供給多晶硅吸 J^U莫下一次排列用。
權(quán)利要求1、一種多晶粒反罩吸風(fēng)模,包括吸風(fēng)罩(1)和吸風(fēng)模座(2),吸風(fēng)罩(1)罩在吸風(fēng)模座(2)上,其特征在于吸風(fēng)模座(2)包括料斗蓋(2-1)、吸盤(2-2)和吸風(fēng)模底座(2-3);料斗蓋(2-1)安裝在吸盤(2-2)的尾端上,吸盤(2-2)安裝在吸風(fēng)模底座(2-3)上,吸盤(2-2)與吸風(fēng)模底座(2-3)之間有一空腔(5),吸盤(2-2)的一端置有一吸風(fēng)孔(4),吸風(fēng)孔(4)與空腔(5)相通;吸盤(2-2)上布有晶粒槽(6),晶粒槽(6)槽底通過通孔(7)與空腔(5)相通,料斗蓋(2-1)與吸盤(2-2)之間有一料腔(9);吸風(fēng)罩(1)與吸盤(2-2)之間留有吸風(fēng)腔(10),吸風(fēng)腔(10)與料腔(9)連通。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的多晶粒反罩pAJSU莫,其特絲于所i^M"斗蓋 (2-1)的尾端和兩側(cè)均有凸沿(8)。
3、 才財居權(quán)利要求1或2所述的多晶粒反罩pilX模,其特征在于所述吸 風(fēng)罩(1)與^絲(2-2)均設(shè)有止口 ( 11 ), p脫罩(1)的陽止口與p城(2-2 ) 的陰止口相配合。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶粒反罩pAK^莫,其特征在于所述pAX罩 (1)兩端i殳有定位銷(3),所述p城(2-2)上設(shè)有與定位銷(3)相配合的定位孔。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶粒反罩pAK^莫,其特站于所述料斗蓋 (2-1)與吸盤(2-2)采用螺釘連接;級J^紙虔(2-3)與吸盤(2-2)采用螺釘連接。
專利摘要本實用新型公開了一種多晶粒反罩吸風(fēng)模,包括吸風(fēng)罩和吸風(fēng)模座,吸風(fēng)罩罩在吸風(fēng)模座上;吸風(fēng)模座包括料斗蓋、吸盤和吸風(fēng)模底座;料斗蓋安裝在吸盤的尾端上,吸盤安裝在吸風(fēng)模底座上,吸盤與吸風(fēng)模底座之間有一空腔,吸盤的一端置有一吸風(fēng)孔,吸風(fēng)孔與空腔相通;吸盤上布有晶粒槽,晶粒槽槽底通過通孔與空腔相通,料斗蓋與吸盤之間有一料腔;吸風(fēng)罩與吸盤之間留有吸風(fēng)腔,吸風(fēng)腔與料腔連通。排列多晶粒時,吸風(fēng)嘴抽氣,晶粒被吸入到各晶粒槽中,而多余的晶粒以相同的正負極朝向落入料腔中,致使排列后多余的晶粒不再散落在多晶粒吸風(fēng)模外;由于落入料腔的晶粒的正、負極朝向不會被打亂,可方便地供給多晶粒吸風(fēng)模下一次排列用。
文檔編號H01L21/00GK201307583SQ20082016140
公開日2009年9月9日 申請日期2008年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月28日
發(fā)明者呂全亞, 陳海林 申請人:常州新區(qū)佳訊電子器材有限公司
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