專利名稱：提高光吸收率的太陽能電池板的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種太陽能電池板，具體的說是一種提高光吸收率的 太陽能電池板。
背景技術：
在非晶硅太陽能電池生產(chǎn)中，用透明導電玻璃作為基片，在玻璃基片
上運用PECVD (等離子化學氣象沉積)沉積PIN層，下一步運用磁控濺射濺 積A1層作為背電極層(導電層)把每一點上的電收集起來，則形成一個非 晶硅太陽能電池板。太陽光照射到電池板上，在PIN層的作用下進行發(fā)電， PIN層結的兩端分別作為正負極。所以A1層有兩個作用，分別是能增加太陽 光的反射率和導電。
由于A1本身的特性，反射光強不能達到最佳，所以對太陽光的吸收不 能達到最優(yōu)，并且由于分子的擴散作用，A1向PIN層有較大的擴散作用，影 響PIN層的結構，進而影響太陽能電池的發(fā)電。 發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的是要提供一種增大反射光強，使PIN層對太陽光的吸 收達到最優(yōu)，增大非晶硅太陽能電池的轉換效率的太陽能電池板。
本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的該太陽能電池板包括玻璃基片層、
PIN層、背電極層、玻璃層，所述的背電極層是由ZnO層、Ag層和Al層構成 的復合層，其中ZnO層與PIN層相鄰，Ag層在Zn0層5和Al層之間，Al層與玻 璃層相鄰。所述的ZnO層厚度為80nm， Ag層厚度為100nm， Al層的厚度為80nm。 本實用新型由于將背電極層由原來單純的Al層變?yōu)槟壳暗腪nO層、Ag層 和A1層構成的復合層，所以ZnO層和Ag層會對通過PIN層的太陽光進行反射， 則太陽光可再次通過PIN層，進行二次發(fā)電，并且(ZnO層和Ag層)具有隔 透作用，使鋁分子不至于擴撒到PIN結，影響PIN層的發(fā)電。

圖l為提高光吸收率的太陽能電池板結構示意圖 圖2為本實用新型端面A部位局部放大結構示意圖。 圖3為現(xiàn)有技術中太陽能電池板端面局部放大結構示意圖。
具體實施方式

由附圖l、 2所示該太陽能電池板包括玻璃基片層l、 PIN層2、背電極 層3、玻璃層4，其特征在于所述的背電極層3是由ZnO層5、 Ag層6和Al層7 構成的復合層，其中ZnO層5與PIN層2相鄰，Ag層6在ZnO層5和Al層7之間， 鋁層7與玻璃層4相鄰。
在非晶硅太陽能電池生產(chǎn)過程中，PECVD沉積完PIN層2時，進入磁控濺 射設備，此時先濺鍍ZnO層5，厚度為80nm;再濺鍍Ag層6，厚度為100nm; 然后再進行下一步的濺射A1層7， Al層7的厚度為80nm。后續(xù)的過程不發(fā)生 變化。增加濺射ZnO層5和Ag層6后，會對通過PIN層的太陽光進行反射，則 太陽光可再次通過PIN層2。進行二次發(fā)電。并且ZnO層5和Ag層6具有隔 作 用，使鋁分子不至于擴撒到PIN結，影響PIN層2的發(fā)電。
權利要求1、一種提高光吸收率的太陽能電池板，該太陽能電池板包括玻璃基片層(1)、PIN層(2)、背電極層(3)、玻璃層(4)，其特征在于所述的背電極層(3)是由ZnO層(5)、Ag層(6)和Al層(7)構成的復合層，其中ZnO層(5)與PIN層(2)相鄰，Ag層(6)在ZnO層(5)和Al層(7)之間，Al層(7)與玻璃層(4)相鄰。
專利摘要本實用新型涉及一種提高光吸收率的太陽能電池板，該太陽能電池板包括玻璃基片層、PIN層、背電極層、玻璃層，所述的背電極層是由ZnO層、Ag層和Al層構成的復合層，其中ZnO層與PIN層相鄰，Ag層在ZnO層5和Al層之間，Al層與玻璃層相鄰。本實用新型由于將背電極層由原來單純的Al層變?yōu)槟壳暗腪nO層、Ag層和Al層構成的復合層，所以ZnO層和Ag層會對通過PIN層的太陽光進行反射，則太陽光可再次通過PIN層，進行二次發(fā)電，并且(ZnO層和Ag層)具有隔透作用，使鋁分子不至于擴撒到PIN結，影響PIN層的發(fā)電。
文檔編號H01L31/052GK201364902SQ20082007295
公開日2009年12月16日 申請日期2008年12月19日 優(yōu)先權日2008年12月19日
發(fā)明者劉萬學, 騰 左, 兵 張, 巍 王 申請人:吉林慶達新能源電力股份有限公司