專利名稱：Lcd驅(qū)動ic及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種LCD驅(qū)動IC及其制造方法。
背景技術(shù)：
LDI是一種液晶顯示器(LCD)驅(qū)動器集成電路(IC)。所述LDI控制 被分割為多個區(qū)域的LCD屏幕的每個區(qū)域。 一般，數(shù)個LDI用于一個面板。
在高電壓下運(yùn)行的功率IC需要高階(high level)電流高電壓。LDI通常 包括功率IC。
然而，作為需要高階電流的功率IC的高電壓IC高電壓具有大尺寸和 高泄露電平。
減小高電壓IC的尺寸和降低高電壓IC的高泄露電平可能會降低電流性能。
由于漂移區(qū)的電流密度變低，高電壓IC的電流性能也可能降低，其中 由于漂移區(qū)劑量率低，因此形成漂移區(qū)以減小表面電場(Resurf)。 因此，本領(lǐng)域存在改進(jìn)功率IC的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)高電流性能的小尺寸的LCD驅(qū)動IC及 其制造方法。
依據(jù)實(shí)施例的LCD驅(qū)動IC包括第一導(dǎo)電類型阱，形成在襯底中；第 二導(dǎo)電類型漂移區(qū)，形成在該第一導(dǎo)電類型阱中；第一隔離層，形成在該第 二導(dǎo)電類型漂移區(qū)中；柵極，形成在該第一隔離層的第一側(cè)的襯底上；第二 導(dǎo)電類型第一離子注入?yún)^(qū)，形成在該第一隔離層和該柵極之間的該第二導(dǎo)電 類型漂移區(qū)中。
依據(jù)實(shí)施例的LCD驅(qū)動IC的制造方法可以包括在襯底中形成第一導(dǎo) 電類型阱，在該第一導(dǎo)電類型阱中形成第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)，在該第二導(dǎo)電
類型漂移區(qū)中形成第一隔離層，在該第一隔離層的第一邊的該襯底上形成柵 極，在該第一隔離層和該柵極之間的該第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)中形成第二導(dǎo)電 類型第一離子注入?yún)^(qū)。
本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)高電流性能的高電壓ic。


圖1是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD驅(qū)動IC的剖視圖。 圖2和圖3是示出依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于制造LCD驅(qū)動IC的步驟的 剖視圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將要參考附圖描述LCD驅(qū)動IC的制造方法的實(shí)施例。 在實(shí)施例的描述中，應(yīng)當(dāng)可以理解，當(dāng)層(或者膜)被指為位于另一層 或襯底"上"時，其可以直接位于另一層或襯底上，也可以存在中間層。另 外，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)層被指為位于另一層"下"時，其可以是直接位于另一層 下，也可以存在一個或者多個中間層。此外，也應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)層被指為位于 兩層"之間"時，其可以是兩層之間唯一的一層，或者也可以存在一個或者 多個中間層。
在以下的描述中，第一導(dǎo)電類型指的是P型，第二導(dǎo)電類型是指N型。 然而本發(fā)明的范圍不限于此。
參見圖l，依照實(shí)施例的LCD驅(qū)動IC包括第一導(dǎo)電類型阱120，形 成在襯底110中；第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)130，形成在第一導(dǎo)電類型阱120中； 第一隔離層140a，形成在第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)130中；柵極150，形成在第 一隔離層140a的一側(cè)；第二導(dǎo)電類型第一離子注入?yún)^(qū)170a，形成在位于第 一隔離層140a和柵極150之間的第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)130中。
在更進(jìn)一步的實(shí)施例中，LCD驅(qū)動IC可以包括第二導(dǎo)電類型第二離 子注入?yún)^(qū)170b，形成在位于第一隔離層140a的另一側(cè)的第二導(dǎo)電類型漂移 區(qū)130中。因此，可以提供包括第二導(dǎo)電類型第一離子注入?yún)^(qū)170a和第二 導(dǎo)電類型第二離子注入?yún)^(qū)170b的第二導(dǎo)電類型離子注入?yún)^(qū)170。
可以在柵極150的橫側(cè)(lateral side)形成間隔件160。
另夕卜，可以與第一導(dǎo)電類型阱120和第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)130相鄰地形 成第二隔離層140b。可以在第一導(dǎo)電類型阱120邊緣處的第二導(dǎo)電類型漂移 區(qū)150周圍形成第二隔離層140b。因此，可以提供包括第一隔離層140a和 第二隔離層140b的隔離層140。
依照實(shí)施例，可以沿漂移區(qū)130的溝道方向形成第一隔離層140a，從而 在襯底中形成的電流路徑可以在很大程度上增大。因此，小漂移區(qū)可以用作 大漂移區(qū)。
詳細(xì)來說，可以通過沿漂移區(qū)130的溝道方向形成在高電壓下用作源極 或者漏極的第一隔離層140a，來減小功率IC的尺寸高電壓。
因此，漂移區(qū)130可以用來減小表面電場(Resurf)。此時，小漂移區(qū) 可以用作大漂移區(qū)。詳細(xì)來說，電流流經(jīng)硅襯底的表面且隔離層形成在襯底 上，從而可以增大襯底表面上的電流路徑，使得小漂移區(qū)可以用作大漂移區(qū)。
另外，在形成了電場的區(qū)域中設(shè)置第一隔離層，從而使電場散布。
依照實(shí)施例，高濃度離子注入?yún)^(qū)170a "A"形成在第一隔離層140a和 柵極150之間的漂移區(qū)130中，從而可以增加高電壓IC的電流密度。因此， 可以確保高電壓IC的高電流性能。
詳細(xì)來說，當(dāng)形成高濃度離子注入?yún)^(qū)170a時，也形成了功率IC的器件。 依據(jù)公知技術(shù)的高電壓IC，如高摻雜N型區(qū)域(HN+)或高摻雜P型區(qū)域 (HP+)的高濃度離子注入?yún)^(qū)受限制地形成在預(yù)定區(qū)域中。
然而，依照一個實(shí)施例，高電壓器件的N型區(qū)域或P型區(qū)域是敞開的， 因此可以在其中形成高濃度離子注入?yún)^(qū)。SP，用于注入的被定義為窄的曝露 區(qū)不再是必需的。
例如，可以使用形成在柵極150側(cè)部間隔件160作為緩沖器(buffer)， 在N型區(qū)域或者P型區(qū)域中形成高濃度離子注入?yún)^(qū)(N+或者P+， 170)。
艮口，在如圖1所示的結(jié)的剖面中，可以在區(qū)域"A"中形成高濃度離子 注入?yún)^(qū)，因此可以確保功率IC的高電流密度。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，由于漂流區(qū) 中離子的劑量低，使得電流密度變低。然而，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，在區(qū)域"A" 中形成高濃度離子注入?yún)^(qū)，因此可以增加電流密度。
在下文中，將參照圖2和圖3描述依照實(shí)施例的LCD驅(qū)動IC的制造方法。
參見圖2，可以在襯底110中形成第一導(dǎo)電類型阱120。例如，可以將P 型離子注入到襯底110中，接著驅(qū)動P型離子以形成高電壓P阱120.
接著，可以在第一導(dǎo)電類型阱120中形成第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)130。例 如，可以將N型離子注入到P阱120中，接著驅(qū)動N型離子以形成高電壓N 型漂移區(qū)130。
接著，可以形成隔離層140。隔離層140可以包括形成在第二導(dǎo)電類型
漂移區(qū)130中的第一隔離層140a和形成在第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)130的邊緣
處的第二隔離層140b。
隔離層140可以使用如淺溝槽隔離(STI)工藝來形成。
依照實(shí)施例，可以沿漂移區(qū)130的溝道方向形成第一隔離層140a，從而
可以充分地增大在襯底中形成的電流路徑。因此，小漂移區(qū)可以用作大漂移區(qū)。
接著，參見圖3，可以在第一隔離層140a的一側(cè)形成柵極150。例如， 可以在第一導(dǎo)電類型區(qū)域阱120鄰近第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)130的的區(qū)域上形 成柵極150。
接著，可以在柵極150的橫側(cè)形成間隔件160。
可以使用間隔件160作為緩沖器，通過將離子注入到襯底中來形成第二 導(dǎo)電類型高濃度離子注入?yún)^(qū)170。
例如，通過將第二導(dǎo)電類型離子注入到襯底中，可以在第一隔離層140a 和柵極150之間的第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)130中形成第二導(dǎo)電類型第一離子注 入?yún)^(qū)170a。
另外，可以在位于第一隔離層140a的另一側(cè)的第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)130 中形成第二導(dǎo)電類型第二離子注入?yún)^(qū)170b。
這里，第二導(dǎo)電類型第一離子注入?yún)^(qū)170a和第二導(dǎo)電類型第二離子注 入?yún)^(qū)170b可以同時形成或者依次形成。
依照實(shí)施例，高濃度離子注入?yún)^(qū)170a的"A"形成在位于第一隔離層 140a和柵極150之間的漂移區(qū)130中，從而可以增大高電壓IC的電流密度。 因此，可以確保高電壓IC的高電流性能。
根據(jù)實(shí)施例的LCD驅(qū)動IC及其制造方法，進(jìn)一步沿漂移區(qū)的溝道方向 形成隔離層，從而可以很大程度上增大在襯底中形成的電流路徑。因此使得 小漂移區(qū)可以作為大漂移區(qū)。
另外，依照實(shí)施例，在位于隔離層和柵極之間的漂移區(qū)中形成高濃度離
子注入?yún)^(qū)，從而可以增大高電壓IC的電流密度。因此可以確保高電壓IC的
高電流性能。
說明書中所涉及的"一實(shí)施例"、"實(shí)施例"、"示例性實(shí)施例"等， 其含義是結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)、或特性均包括在本發(fā)明的至少 一個實(shí)施例中。說明書中出現(xiàn)于各處的這些短語并不一定都涉及同一個實(shí)施 例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時，都認(rèn)為其落在 本領(lǐng)域技術(shù)人員結(jié)合其它實(shí)施例就可以實(shí)現(xiàn)這些特征、結(jié)構(gòu)或特性的范圍 內(nèi)。
盡管對實(shí)施例的描述中結(jié)合了其中多個示例性實(shí)施例，但可以理解的是 本領(lǐng)域技術(shù)人員完全可以推導(dǎo)出許多其它變化和實(shí)施例，并落入本公開內(nèi)容 的原理的精神和范圍之內(nèi)。尤其是，可以在該公開、附圖和所附權(quán)利要求的 范圍內(nèi)對組件和/或附件組合設(shè)置中的排列進(jìn)行多種變化和改進(jìn)。除組件和/ 或排列的變化和改進(jìn)之外，其他可選擇的應(yīng)用對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也是 顯而易見的。
權(quán)利要求
1. 一種LCD驅(qū)動IC，包括第一導(dǎo)體類型阱，位于襯底中；第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)，位于該第一導(dǎo)體類型阱中；第一隔離層，位于該第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)中；柵極，位于該第一隔離層的第一側(cè)的襯底上；以及第二導(dǎo)電類型第一離子注入?yún)^(qū)，位于該第一隔離層和該柵極之間的該第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)中。
2. 如權(quán)利要求1所述的LCD驅(qū)動IC，還包括第二導(dǎo)電類型第二離子 注入?yún)^(qū)，位于該第一隔離層的第二側(cè)的第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)中。
3. 如權(quán)利要求1所述的LCD驅(qū)動IC，還包括間隔件，位于該柵極的 橫側(cè)。
4. 如權(quán)利要求1所述的LCD驅(qū)動IC，其中，該第二導(dǎo)電類型第一離子 注入?yún)^(qū)包括高濃度的第二導(dǎo)電類型離子。
5. —種LCD驅(qū)動IC的制造方法，包括如下步驟 在襯底中形成第一導(dǎo)電類型阱； 在該第一導(dǎo)電類型阱中形成第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)； 在該第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)中形成第一隔離層； 在位于該第一隔離層的第一側(cè)的襯底上形成柵極；以及 在位于該第一隔離層和該柵極之間的該第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)中形成第二導(dǎo)電類型第一離子注入?yún)^(qū)。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，還包括如下步驟在形成該柵極之后，在 位于該第一隔離層的第二側(cè)的該第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)中形成第二導(dǎo)電類型 第二離子注入?yún)^(qū)。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中，該第二導(dǎo)電類型第一離子注入?yún)^(qū)和 該第二導(dǎo)電類型第二離子注入?yún)^(qū)同時形成。
8. 如權(quán)利要求5所述的方法，還包括如下步驟在該柵極的橫側(cè)形成間 隔件。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其中形成該第二導(dǎo)電類型第一離子注入?yún)^(qū) 的步驟包括使用該間隔件作為緩沖器來執(zhí)行離子注入工藝。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種LCD驅(qū)動IC及其制造方法。該LCD驅(qū)動IC可以包括第一導(dǎo)電類型阱，形成在襯底中；第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)，形成在第一導(dǎo)電類型阱中；第一隔離層，形成在第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)中；柵極，形成在位于第一隔離層的第一側(cè)的襯底上；第二導(dǎo)電類型第一離子注入?yún)^(qū)，形成在位于第一隔離層和柵極之間的第二導(dǎo)電類型漂移區(qū)中。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)高電流性能的高電壓IC。
文檔編號H01L29/78GK101378081SQ20081021530
公開日2009年3月4日 申請日期2008年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月31日
發(fā)明者張德基 申請人:東部高科股份有限公司