專利名稱：系統(tǒng)級封裝的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及系統(tǒng)級封裝的方法。
背景技術(shù)：
隨著便攜式電子元件變得越來越小，必須縮小電子元件的半導(dǎo)體封裝的 尺寸。為了達到上述目的，廣泛的使用系統(tǒng)級封裝技術(shù)，其理由是因為系統(tǒng) 級封裝技術(shù)可增加半導(dǎo)體封裝的容量。
系統(tǒng)級封裝(system in package, SIP)在一個半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)不僅 可以組裝多個芯片，還可以將不同類型的器件和電路芯片疊在一起，構(gòu)建成 更為復(fù)雜的、完整的系統(tǒng)，如申請?zhí)枮?007:10127363的中國專利申請中所提 供的技術(shù)方案。
系統(tǒng)級封裝技術(shù)的優(yōu)越性包括可提供更多新功能，多種工藝兼容性好， 靈活性和適應(yīng)性強，成本低，易于分塊測試，以及開發(fā)周期較短等。系統(tǒng)級 封裝采用近十年來快速發(fā)展的倒裝焊技術(shù)，與引線鍵合相比，倒裝焊技術(shù)具 有直流壓降低、互連密度高、寄生電感小、熱特性和電學性能好等優(yōu)點，但 費用較高。
現(xiàn)有技術(shù)將多塊晶圓封裝在一起的工藝如圖l所示，先在第一晶圓10上形 成通孔12;用化學氣相沉積法在第一晶圓10上及通孔12內(nèi)側(cè)形成第一絕緣介 質(zhì)層14,所述第一絕緣介質(zhì)層14的材料為氧化硅。
如圖2所示，在通孔12內(nèi)填充滿導(dǎo)電材料16,所述導(dǎo)電材料16為銅或金， 具體工藝為，先用電鍍法在第一絕緣介質(zhì)層14形成導(dǎo)電材料16,且導(dǎo)電材料 16填充滿通孔12,接著，對導(dǎo)電材料16進行平坦化至露出第一絕緣介質(zhì)層14。在導(dǎo)電材料16上形成凸點18，其工藝步驟為先在導(dǎo)電材料16上形成焊料 層，然后對焊料層進行回流，形成凸點18。
如圖3所示，將第一晶圓10進行減薄至使通孔12內(nèi)的導(dǎo)電材料16曝露，即 通孔12穿透第一晶圓10,所述減薄的方法為化學機械拋光法，其中減薄的作 用使第一晶圓10兩面都能與其它晶圓鍵合連接；然后，將第一晶圓10上的對 準標記與第二晶圓20上的對準標記對準，用陽極鍵合法將第一晶圓IO上的第 一絕緣介質(zhì)層14和第二晶圓20上的第二絕緣介質(zhì)層24進行鍵合，并通過點焊 法將第 一晶圓10上的凸點18與第二晶圓20上的焊盤22進行連接，其中第 一晶 圓10上的凸點18與第二晶圓20上的焊盤22——對應(yīng)；切割第 一 晶圓10和第二 晶圓20，形成半導(dǎo)體芯片。
然而用上述工藝進行封裝時，由于第一晶圓上的凸點與第二晶圓上的焊盤 通過焊接的方式進行連接，這樣就會產(chǎn)生熱量及壓應(yīng)力，從而影響封裝體的 可靠性。
為解決上述問題，對工藝進行了改進，如圖4所示，將第一晶圓30上的對 準標記與第二晶圓40上的對準標記，用陽極鍵合法將第一晶圓30上的第一絕 緣介質(zhì)層32和第二晶圓40上的第二絕緣介質(zhì)層44進行鍵合，其中焊盤42貫穿 第二絕緣介質(zhì)層44,所述第一絕緣介質(zhì)層32與第二絕緣介質(zhì)層44的材料為氧 化硅等。如圖5所示，對第一晶圓30進行減薄，所述減薄的方法為化學機械拋 光法；然后，在第一晶圓30上形成光刻膠層(未圖示)，定義與焊盤42—一 對應(yīng)的通孔圖形；以光刻膠層為掩膜，刻蝕第一晶圓30和第一絕緣介質(zhì)層32 至露出焊盤42,形成通孔36;在第一晶圓30上及通孔36內(nèi)側(cè)形成第三絕緣介 質(zhì)層34,所述第三絕緣介質(zhì)層34的材料為氧化硅等。如圖6所示，在通孔36內(nèi) 填充滿導(dǎo)電材料38,所述導(dǎo)電材料38為銅或金，具體工藝為，先用電鍍法在 第三絕緣介質(zhì)層34形成導(dǎo)電材料38,且導(dǎo)電材料38填充滿通孔36,接著，對 導(dǎo)電材料38進行平坦化至露出第三絕緣介質(zhì)層34。然而，上述方法形成與焊盤一一對應(yīng)的通孔過程中，由于先鍵合晶圓后形
成通孔，使其中一晶圓上的焊盤與另一晶圓上的通孔不能很好的對準，進而 影響半導(dǎo)體器件的制作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種系統(tǒng)級封裝的方法，防止一個晶圓上的通 孔與另一個晶圓上的焊盤不能對準。
為解決上述問題，本發(fā)明提供一種系統(tǒng)級封裝的方法，包括在第一晶 圓上形成通孔；在第一晶圓上及通孔內(nèi)側(cè)形成第一絕緣介質(zhì)層；在第二晶圓 上形成第二絕緣介質(zhì)層，所述第二絕緣介質(zhì)層中包括貫穿第二絕緣介質(zhì)層的 焊盤；將第一絕緣介質(zhì)層與第二絕緣介質(zhì)層進行鍵合，使第一晶圓中的通孔 與第二晶圓上的焊盤一一對應(yīng)；減薄第一晶圓至通孔穿透第一晶圓；在第一 晶圓中的通孔內(nèi)填充滿導(dǎo)電材料，與第二晶圓上的焊盤電連接。
可選的，所述第一絕緣介質(zhì)層與第二絕緣介質(zhì)層的材料為氧化硅。所述 第一絕緣介質(zhì)層的厚度為500埃 10000埃。所述第二絕緣介質(zhì)層的厚度為500 埃-10000埃。所述將第.一絕緣介質(zhì)層與第二絕緣介質(zhì)層進行4走合的方法為陽 極鍵合法。
可選的，減薄第 一晶圓的方法為化學機械拋光法。
可選的，所述焊盤的材料為銅錫合金、銀錫合金、錫鉑合金、鎳銀合金 或鎳錫合金。
可選的，所述導(dǎo)電材料為銅或金。
本發(fā)明提供一種系統(tǒng)級封裝的方法，包括在第一晶圓上形成通孔；在 第 一晶圓上及通孔內(nèi)側(cè)形成第 一絕緣介質(zhì)層；在第二晶圓上形成第二絕緣介 質(zhì)層，所述第二絕緣介質(zhì)層中包括貫穿第二絕緣介質(zhì)層的焊盤；減薄第一晶 圓至通孔穿透第一晶圓；將第一絕緣介質(zhì)層與第二絕緣介質(zhì)層進行鍵合，使 第一晶圓中的通孔與第二晶圓上的焊盤一一對應(yīng)；在第一晶圓中的通孔內(nèi)填
6充滿導(dǎo)電材料，與第二晶圓上的焊盤電連接。
可選的，所述第一絕緣介質(zhì)層與第二絕緣介質(zhì)層的材料為氧化硅。所述
第一絕緣介質(zhì)層的厚度為500埃 10000埃。所述第二絕緣介質(zhì)層的厚度為500 埃 10000埃。所述將第一絕緣介質(zhì)層與第二絕緣介質(zhì)層進行鍵合的方法為陽 極鍵合法。
可選的，減薄第 一晶圓的方法為化學機械拋光法。
可選的，所述焊盤的材料為銅錫合金、銀錫合金、錫鉑合金、鎳銀合金 或鎳錫合金。
可選的，所述導(dǎo)電材料為銅或金。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點在第一晶圓中形成通孔后，將 第一晶圓與第二晶圓鍵合，便于將通孔與焊盤對準；同時，由于不需要通過 凸點與焊盤焊接使第 一 晶圓與第二晶圓間電導(dǎo)通，而是直接通過通孔內(nèi)的導(dǎo) 電材料與焊盤電連接，因此減少了熱量的產(chǎn)生，同時壓應(yīng)力也減小，提高了
半導(dǎo)體器件的可靠性。


圖1至圖3是現(xiàn)有工藝形成系統(tǒng)級封裝的一個實施方式示意圖； 圖4至圖6是現(xiàn)有工藝形成系統(tǒng)級封裝的另一個實施方式示意圖； 圖7是本發(fā)明形成系統(tǒng)級封裝的第 一具體實施方式
流程圖； 圖8至圖ll是本發(fā)明形成系統(tǒng)級封裝的第一實施例示意圖； 圖12是本發(fā)明形成系統(tǒng)級封裝的第二具體實施方式
流程圖； 圖13至圖16是本發(fā)明形成系統(tǒng)級封裝的第二實施例示意圖。
具體實施例方式
本發(fā)明在第一晶圓中形成通孔后，將第一晶圓與第二晶圓鍵合，便于將通孔與焊盤對準；同時，由于不需要通過凸點與焊盤焊接使第一晶圓與第二
晶圓間電導(dǎo)通，而是直接通過通孔內(nèi)的導(dǎo)電材料與焊盤電連接，因此減少了 熱量的產(chǎn)生，同時壓應(yīng)力也減小，提高了半導(dǎo)體器件的可靠性。
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖 對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。
圖7是本發(fā)明形成系統(tǒng)級封裝的第一具體實施方式
流程圖。如圖7所示， 執(zhí)行步驟S101,在第一晶圓上形成通孔；執(zhí)行步驟S102,在第一晶圓上及通 孔內(nèi)側(cè)形成第一絕緣介質(zhì)層；執(zhí)行步驟S103,在第二晶圓上形成第二絕緣介 質(zhì)層，所述第二絕緣介質(zhì)層中包括貫穿第二絕緣介質(zhì)層的焊盤；執(zhí)行步驟 S104，將第一絕緣介質(zhì)層與第二絕緣介質(zhì)層進行鍵合，使第一晶圓中的通孔 與第二晶圓上的焊盤——對應(yīng)；執(zhí)行步驟S105,減薄第一晶圓至通孔穿透第 一晶圓；執(zhí)行步驟S106,在第一晶圓中的通孔內(nèi)填充滿導(dǎo)電材料，與第二晶 圓上的焊盤電連接。
圖8至圖1 l是本發(fā)明形成系統(tǒng)級封裝的第 一實施例示意圖。如圖8所示， 提供第一晶圓IOO,所述第一晶圓100上包含若干芯片，其中，這些芯片上已 形成有完整的半導(dǎo)體器件及電路連接。
然后，在第一晶圓100上形成通孔102，所述形成通孔102的具體工藝為 先在第一晶圓100上用旋涂法形成第一光刻膠層(未圖示)，通過曝光、顯影 工藝，在第一光刻膠層上定義出通孔圖形；以第一光刻膠層為掩膜，沿通孔 圖形刻蝕第一晶圓IOO,形成通孔102，所述刻蝕方法為干法刻蝕或濕法刻蝕， 其中通孔102的深度為30 lam 200jum;灰化法去除第一光刻膠層。
用熱氧化法或化學氣相沉積法在第一晶圓100上及通孔102內(nèi)側(cè)形成第一 絕緣介質(zhì)層104，所述第一絕緣介質(zhì)層104的材料為氧化硅等，第一絕緣介質(zhì) 層104的厚度為500埃 10000埃。
8本實施例中，通孔102的深度可以是30jam、 50um、 80jum、 100 nm、 120|am、 150|am、 180 |a m或200 jla m等，具體深度根據(jù)實際工藝需求決定。
本實施例中，第一絕緣介質(zhì)層104的厚度具體可以是500埃、600埃、700 埃、800埃、IOOO埃、2000埃、3000埃、4000埃、5000埃、6000埃、7000埃、 8000埃、9000?；?0000埃等，如果厚度小于500埃的話則起不到絕緣的作用， 而如果厚度大于10000埃的話則影響半導(dǎo)體器件的性能。
如圖9所示，在第二晶圓200上用熱氧化法或化學氣相沉積法形成第二絕 緣介質(zhì)層204,所述第二絕緣介質(zhì)層204中包含貫穿第二絕緣介質(zhì)層204的焊盤 202，其中形成焊盤202的具體工藝為在第二絕緣介質(zhì)層204上形成第二光刻 膠層(未圖示)，對第二光刻膠層進行曝光顯影，定義焊盤圖形；然后，以 第二光刻膠層為掩膜，刻蝕第二絕緣介質(zhì)層204至露出第二晶圓200,形成開 口；灰化法去除第二光刻膠層后，在開口內(nèi)填充金屬，形成焊盤202。
本實施例中，第二絕緣介質(zhì)層204的材料為氧化硅等；其厚度為500埃 ~10000埃，具體可以是500埃、600埃、700埃、800埃、IOOO埃、2000埃、3000 埃、4000埃、5000埃、6000埃、7000埃、8000埃、9000?；?0000埃等，如果 厚度小于500埃的話則起不到絕緣的作用，而如果厚度大于10000埃的話則影 響半導(dǎo)體器件的性能。
本實施例中，所述焊盤202的材料為銅錫合金、銀錫合金、錫鉑合金、 鎳銀合金或鎳錫合金等。
將第 一 晶圓100的第 一對準標記與第二晶圓200的第二對準標記對準；用 陽極鍵合法將第一晶圓100的第一絕緣介質(zhì)層104和第二晶圓200的第二絕緣 介質(zhì)層204進行鍵合，第 一 晶圓1 OO上的通孔102陣列與第二晶圓200上的焊盤 202陣列——對應(yīng)。
如圖IO所示，將第一晶圓IOO進行減薄至使通孔102穿透第一晶圓100,
9所述減薄的方法為化學機械拋光法，其中減薄的作用使第一晶圓100通過通
孔102與第二晶圓200連接，同時在第二晶圓200相對面與其它晶圓進行連 接。
如圖ll所示，在通孔102內(nèi)填充滿導(dǎo)電材料106,所述導(dǎo)電材料106為銅或 金等，具體工藝為，先用電鍍法在第一晶圓100上形成導(dǎo)電材料106,且導(dǎo)電 材料106填充滿通孔102,接著，對導(dǎo)電材料106進行平坦化至露出第一晶圓 100。
切割第一晶圓100和第二晶圓200,形成半導(dǎo)體芯片。 本實施例中，在第一晶圓100中形成通孔102后，將第一晶圓100與第二晶 圓200鍵合，便于將通孔102與焊盤202對準。
同時，由于不需要通過凸點與焊盤202焊接使第 一晶圓1 OO與第二晶圓200 間電導(dǎo)通，而是直接通過通孔102內(nèi)的導(dǎo)電材料106與焊盤202電連接，因此減 少了熱量的產(chǎn)生，同時壓應(yīng)力也減小，提高了半導(dǎo)體器件的可靠性。
圖12是本發(fā)明形成系統(tǒng)級封裝的第二具體實施方式
流程圖。如圖12所 示，執(zhí)行步驟S201，在第一晶圓上形成通孔；執(zhí)行步驟S202,在第一晶圓上 及通孔內(nèi)側(cè)形成第一絕緣介質(zhì)層；執(zhí)行步驟S203,在第二晶圓上形成第二絕 緣介質(zhì)層，所述第二絕緣介質(zhì)層中包括貫穿第二絕緣介質(zhì)層的焊盤；執(zhí)行步 驟S204,減薄第一晶圓至通孔穿透第一晶圓；執(zhí)行步驟S205，將第一絕緣介 質(zhì)層與第二絕緣介質(zhì)層進行鍵合，使第一晶圓中的通孔與第二晶圓上的焊盤
一一對應(yīng)；執(zhí)行步驟S206,在第一晶圓中的通孔內(nèi)填充滿導(dǎo)電材料，與第二 晶圓上的焊盤電連接。
圖13至圖16是本發(fā)明形成系統(tǒng)級封裝的第二實施例示意圖。如圖13所示， 提供第一晶圓300，所述第一晶圓300上包含若干芯片，其中，這些芯片上已 形成有完整的半導(dǎo)體器件及電路連接。然后，在第一晶圓300上用旋涂法形成第一光刻膠層(未圖示)，通過曝
光、顯影工藝，在第一光刻膠層上定義出通孔圖形；以第一光刻膠層為掩膜， 沿通孔圖形刻蝕第一晶圓300,形成通孔302,所述刻蝕方法為干法刻蝕或濕 法刻蝕，其中通孔302的深度為30jam 200iam;接著，灰化法去除第一光刻 膠層。
用熱氧化法或化學氣相沉積法在第 一晶圓300上及通孔302內(nèi)側(cè)形成厚度 為500埃 10000埃的第一絕緣介質(zhì)層304，所述第一絕緣介質(zhì)層304的材料為氧 化硅等。
如圖14所示，將第一晶圓300進行減薄至使通孔302穿透第一晶圓300, 所述減薄的方法為化學機械拋光法，其中減薄的作用使第一晶圓300通過通 孔302與其它晶圓進行電連接。
如圖15所示，在第二晶圓400上用熱氧化法或化學氣相沉積法形成厚度為 500埃 10000埃的第二絕緣介質(zhì)層404,所述第二絕緣介質(zhì)層404中包含貫穿第 二絕緣介質(zhì)層404的焊盤402。
本實施例中，所述焊盤402的材料為銅錫合金、銀錫合金、錫鉑合金、 鎳銀合金或鎳錫合金等。
將第 一 晶圓300的第 一對準標記與第二晶圓400的第二對準標記對準；用 陽極鍵合法將第 一晶圓300的第 一絕緣介質(zhì)層304和第二晶圓400的第二絕緣 介質(zhì)層404進行鍵合，第 一 晶圓300上的通孔302陣列與第二晶圓400上的焊盤 402陣列——對應(yīng)。
如圖16所示，先用電鍍法在第一晶圓300上形成導(dǎo)電材料306，且導(dǎo)電材料 306填充滿通孔302，接著，對導(dǎo)電材料306進行平坦化至露出第一晶圓300。
切割第一晶圓300和第二晶圓400,形成半導(dǎo)體芯片。
本實施例中，在第一晶圓300中形成通孔302后，將第一晶圓300與第二晶圓400鍵合，便于將通孔302與焊盤402對準。
同時，由于不需要通過凸點與焊盤402焊接使第一晶圓300與第二晶圓 400間電導(dǎo)通，而是直接通過通孔302內(nèi)的導(dǎo)電材料306與焊盤402電連接， 因此減少了熱量的產(chǎn)生，同時壓應(yīng)力也減小，提高了半導(dǎo)體器件的可靠性。
本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和 修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種系統(tǒng)級封裝的方法，其特征在于，包括在第一晶圓上形成通孔；在第一晶圓上及通孔內(nèi)側(cè)形成第一絕緣介質(zhì)層；在第二晶圓上形成第二絕緣介質(zhì)層，所述第二絕緣介質(zhì)層中包括貫穿第二絕緣介質(zhì)層的焊盤；將第一絕緣介質(zhì)層與第二絕緣介質(zhì)層進行鍵合，使第一晶圓中的通孔與第二晶圓上的焊盤一一對應(yīng)；減薄第一晶圓至通孔穿透第一晶圓；在第一晶圓中的通孔內(nèi)填充滿導(dǎo)電材料，與第二晶圓上的焊盤電連接。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述系統(tǒng)級封裝的方法，其特征在于，所述第一絕緣介質(zhì) 層與第二絕緣介質(zhì)層的材料為氧化硅。
3. 才艮據(jù)權(quán)利要求2所述系統(tǒng)級封裝的方法，其特征在于，所述第一絕緣介質(zhì) 層的厚度為500埃 10000埃。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述系統(tǒng)級封裝的方法，其特征在于，所述第二絕緣介質(zhì) 層的厚度為500埃~ 10000埃。
5. 才艮據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述系統(tǒng)級封裝的方法，其特征在于，所述將 第一絕緣介質(zhì)層與第二絕緣介質(zhì)層進行鍵合的方法為陽極鍵合法。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述系統(tǒng)級封裝的方法，其特征在于，減薄第一晶圓的方 法為化學機械拋光法。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述系統(tǒng)級封裝的方法，其特征在于，所述焊盤的材料為 銅錫合金、銀錫合金、錫4自合金、鎳銀合金或鎳錫合金。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述系統(tǒng)級封裝的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料為銅 或金。
9. 一種系統(tǒng)級封裝的方法，其特征在于，包括在第一晶圓上形成通孔；在第 一晶圓上及通孔內(nèi)側(cè)形成第 一絕緣介質(zhì)層；在第二晶圓上形成第二絕緣介質(zhì)層，所述第二絕緣介質(zhì)層中包括貫穿第二絕緣介質(zhì)層的焊盤；減薄第一晶圓至通孔穿透第一晶圓；將第一絕緣介質(zhì)層與第二絕緣介質(zhì)層進行鍵合，使第一晶圓中的通孔與第 二晶圓上的焊盤——對應(yīng)；在第一晶圓中的通孔內(nèi)填充滿導(dǎo)電材料，與第二晶圓上的焊盤電連接。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述系統(tǒng)級封裝的方法，其特征在于，所述第一絕緣介質(zhì) 層與第二絕緣介質(zhì)層的材料為氧化硅。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述系統(tǒng)級封裝的方法，其特征在于，所述第一絕緣介質(zhì) 層的厚度為500埃~ 10000埃。
12. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述系統(tǒng)級封裝的方法，其特征在于，所述第二絕緣介質(zhì) 層的厚度為500埃~ 10000埃。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9至12任一項所述系統(tǒng)級封裝的方法，其特征在于，所述將 第 一絕緣介質(zhì)層與第二絕緣介質(zhì)層進行鍵合的方法為陽極鍵合法。
14. 根據(jù)權(quán)利要求9所述系統(tǒng)級封裝的方法，其特征在于，減薄第一晶圓的方 法為化學才幾械拋光法。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述系統(tǒng)級封裝的方法，其特征在于，所述焊盤的材料為 銅錫合金、銀錫合金、錫柏合金、鎳銀合金或鎳錫合金。
16. 根據(jù)權(quán)利要求9所述系統(tǒng)級封裝的方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料為銅 或金。
全文摘要
一種系統(tǒng)級封裝方法，包括在第一晶圓上形成通孔；在第一晶圓上及通孔內(nèi)側(cè)形成第一絕緣介質(zhì)層；在第二晶圓上形成第二絕緣介質(zhì)層，所述第二絕緣介質(zhì)層中包括貫穿第二絕緣介質(zhì)層的焊盤；將第一絕緣介質(zhì)層與第二絕緣介質(zhì)層進行鍵合，使第一晶圓中的通孔與第二晶圓上的焊盤一一對應(yīng)；減薄第一晶圓至通孔穿透第一晶圓；在第一晶圓中的通孔內(nèi)填充滿導(dǎo)電材料，與第二晶圓上的焊盤電連接。本發(fā)明便于將通孔與焊盤對準；減少了熱量的產(chǎn)生，同時壓應(yīng)力也減小，提高了半導(dǎo)體器件的可靠性。
文檔編號H01L21/50GK101656217SQ200810041828
公開日2010年2月24日 申請日期2008年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月18日
發(fā)明者偉 劉, 楊廣立, 蒲賢勇, 謝紅梅, 旻 鐘, 陳軼群, 高大為, 河 黃 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司