專利名稱：無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種應(yīng)用 于消除光暈，使發(fā)光二極管所產(chǎn)生光形外圍不會產(chǎn)生光暈，并可提高發(fā)光 二極管發(fā)光均勻性的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在的發(fā)光二極管已經(jīng)發(fā)展出紅光發(fā)光二極管、綠光發(fā)光二極管以及 藍光發(fā)光二極管，其是根據(jù)選用不同的材料而發(fā)出不同的顏色。然而如果 可以制造出直接發(fā)出白光的發(fā)光二極管，就可以直接利用濾光片，以使得 發(fā)光二極管可依各種不同的需求發(fā)出不同的顏色，并且無須另外制造各種 不同顏色的發(fā)光二極管，因此研發(fā)白光發(fā)光二極管則是業(yè)界努力研究的方 向。
如美國專利第6， 351， 069號中所揭露的，其是利用藍光發(fā)光二極管搭 配可吸收一部分藍光并可被激發(fā)而發(fā)出黃光的熒光物質(zhì)，例如YAG: Ge焚光 體等，進而使發(fā)光二極管發(fā)出白光，并且為了提高發(fā)光二極管的演色性，又 增加可被藍光激發(fā)而發(fā)出紅光的焚光物質(zhì)，以使得發(fā)光二極管發(fā)出的顏色 更接近真實的色彩。
但是，上述的白光發(fā)光二極管是直接將含有焚光體的光學膠體覆蓋于 發(fā)光二極管晶片上，并需使發(fā)光二極管晶片發(fā)出的光線通過光學膠體，再激 發(fā)熒光體并藉此發(fā)出白光。然而，含有熒光體的光學膠體直接覆蓋住發(fā)光 二極管晶片時，由于熒光體可能沉降于發(fā)光二極管晶片，并且可能使覆蓋 于發(fā)光二極管晶片的熒光體的厚度不一，因而可能導致光線通過熒光體時 激發(fā)不等量的熒光體，進而使得發(fā)光二極管產(chǎn)生發(fā)光不均勻的現(xiàn)象。
請參閱圖1、圖2所示，圖l是現(xiàn)有習知的發(fā)光二極管的示意圖，圖2是 發(fā)光二極管的光形分布圖。為了解決上述問題，近來已經(jīng)發(fā)展出隔離式涂 布(Remote Coating)技術(shù)，藉由先涂布不含有熒光體的光學膠體21覆蓋發(fā) 光二極管晶片10,再將包含有熒光體的光學膠體22涂布覆蓋于不含有熒光 體的光學膠體21上，以避免焚光體直接沉降于發(fā)光二極管晶片10上，而激 發(fā)不等量的熒光體，并且可以改善發(fā)光二極管發(fā)光不均勻的缺點。
如圖1所示，但是實際上利用隔離式涂布(Remote Coating)技術(shù)將不 含有熒光體的光學膠體21涂布于發(fā)光二極管座體的晶粒槽中時，由于不含 有熒光體的光學膠體21的內(nèi)聚力小于光學膠體21與晶粒槽側(cè)壁間的附著力，因此會產(chǎn)生毛細現(xiàn)象。而不含有焚光體的光學膠體21則會順著晶粒槽
壁向上攀爬，而使得光學膠體21在邊緣形成凸起，并且光學膠體21的表
面也會形成如圖1所示的凹面。
然而，如圖1中所示，由于不含有熒光體的光學膠體21會沿著晶粒槽 壁向上攀爬，所以設(shè)置于晶粒槽中的發(fā)光二極管晶片IO發(fā)出的部分光線30 可能直接通過不含有焚光體的光學膠體21，而未通過包含有熒光體的光學 膠體22。因此未通過光學膠體22的光線30無法激發(fā)焚光體，進而使得在 發(fā)光二極管光形的外圍產(chǎn)生如圖2所示的光暈31，并使得發(fā)光二極管產(chǎn)生 發(fā)光不均勻的現(xiàn)象。
由此可見，上述現(xiàn)有的發(fā)光二極管在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不 便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商 莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完 成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急 欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，實 屬當前重要研發(fā)課題之一，亦成為當前業(yè)界極需改進的目標。
有鑒于上述現(xiàn)有的發(fā)光二極管存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn) 品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學理的運用，積極加 以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，能夠改 進一般現(xiàn)有的發(fā)光二極管，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并 經(jīng)過反復試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的發(fā)光二極管存在的缺陷，而提供一種 無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其藉由在晶粒槽 的第二表面上設(shè)置隔離部，用以隔離阻擋未包含有熒光體的光學膠體沿著 第二表面向上攀爬而在邊緣形成突起，因此可以避免發(fā)光二極管發(fā)出的光 形的外圍出現(xiàn)光暈，非常適于實用。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，所要 解決的技術(shù)問題是使其藉由在晶粒槽的第二表面上設(shè)置奈米材料層，可以 降低光學膠體與第二表面間的附著力，并使得光學膠體不會因毛細現(xiàn)象而 沿著第二表面向上攀爬，更加適于實用。
本發(fā)明的還一目的在于，提供一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，所要 解決的技術(shù)問題是使其藉由改變晶粒槽的形狀，使晶粒槽的第 一表面的面 積大于開口面的面積，進而使得光學膠體受到重力的影響而不容易向上攀 爬。藉此，可以達到消除發(fā)光二極管光形外圍光暈的功效，并可提高發(fā)光 二極管的發(fā)光均勻性，從而更加適于實用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)
本發(fā)明提出的一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其包括 一本體，其具有
一晶粒槽，該晶粒槽具有一第一表面、 一第二表面及一開口面；以及一隔離
部，設(shè)置于該第二表面上。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。 前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的隔離部為一凸出部。 前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的隔離部是為一凸出
部，且該隔離部環(huán)繞設(shè)置于該第二表面上。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的隔離部為一凹陷部。 前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述隔離部為一凹陷部，且
該隔離部環(huán)繞設(shè)置于該第二表面上。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的隔離部為一凹凸相
間結(jié)構(gòu)。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面的一第一 區(qū)域設(shè)置有一第一奈米材料層，其中該第一區(qū)域的面積是小于或等于該第 二表面的面積。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面具有至少 一第一區(qū)域及至少一第二區(qū)域，其中該第一區(qū)域是設(shè)置有一第一奈米材料 層，而該第二區(qū)域設(shè)置有一第二奈米材料層。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第一表面的面積大 于該開口面的面積、。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其包括 一本體，其具有一 晶粒槽，該晶粒槽具有一第一表面、 一第二表面及一開口面，其中該第二表 面具有至少一第一區(qū)域；以及一第一奈米材料層，設(shè)置于該第一區(qū)域上。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第一區(qū)域的面積小 于或等于該第二表面的面積。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面又進一步 具有至少一第二區(qū)域，其中該第二區(qū)域設(shè)置有一第二奈米材料層。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面上設(shè)置有 一隔離部。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面上設(shè)置有 一隔離部，且該隔離部為一凸出部。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面上設(shè)置有 一隔離部，且該隔離部為一凸出部，又該隔離部是環(huán)繞設(shè)置于該第二表面 上。前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面上設(shè)置有 一隔離部，且該隔離部為一凹陷部。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面上設(shè)置有 一隔離部，且該隔離部為一凹陷部，又該隔離部是環(huán)繞設(shè)置于該第二表面 上。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面上設(shè)置有 一隔離部，且該隔離部為 一 凹凸相間結(jié)構(gòu)。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第一表面的面積大 于該開口面的面積。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題再采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本
發(fā)明提出的一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其包括 一本體，其具有
一晶粒槽，該晶粒槽具有一第一表面、 一第二表面及一開口面，其中，該第
一表面的面積是大于該開口面的面積。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。 前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的本體的結(jié)構(gòu)為一陶
瓷多層堆疊結(jié)構(gòu)。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面的一第一 區(qū)域設(shè)置有一第一奈米材料層，其中該第一區(qū)域的面積是小于或等于該第 二表面的面積。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面具有至少 一第一區(qū)域及至少一第二區(qū)域，其中該第一區(qū)域是設(shè)置有一第一奈米材料 層，而該第二區(qū)域設(shè)置有一第二奈米材料層。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面上設(shè)置有 一隔離部。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面上設(shè)置有 一隔離部，且該隔離部為一凸出部。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面上設(shè)置有 一隔離部，且該隔離部為 一 凸出部，又該隔離部是環(huán)繞設(shè)置于該第二表面 上。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面上設(shè)置有 一隔離部，且該隔離部為一凹陷部。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述第二表面上設(shè)置有一 隔離部，且該隔離部為一凹陷部，又該隔離部是環(huán)繞設(shè)置于該第二表面上。
前述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其中所述的第二表面上設(shè)置有 一隔離部，且該隔離部為一凹凸相間結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點及有益效果
1、 本發(fā)明藉由在晶粒槽的第二表面上設(shè)置隔離部，用以隔離阻擋未包 含有熒光體的光學膠體沿著第二表面向上攀爬而在邊緣形成突起，藉由隔 離部的設(shè)置，可以阻擋光學膠體沿著第二表面向上攀爬，因此可以避免發(fā) 光二極管發(fā)出的光形的外圍出現(xiàn)光暈，非常適于實用。
2、 本發(fā)明藉由在晶粒槽的第二表面上設(shè)置奈米材料層，可以降低光學 膠體與第二表面之間的附著力，并進而使得光學膠體不會因毛細現(xiàn)象而沿
著第二表面向上攀爬，更加適于實用。
3、 本發(fā)明藉由改變晶粒槽的形狀，使晶粒槽的第一表面的面積大于開 口面的面積，進而使得光學膠體受到重力的影響而不容易向上攀爬。藉此 可以達到消除發(fā)光二極管光形外圍光暈的功效，并可提高發(fā)光二極管的發(fā) 光均勻性，更加適于實用。
綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其包括 本體以及隔離部。該本體具有晶粒槽，且晶粒槽具有第一表面、第二表面 及開口面，而隔離部則設(shè)置于第二表面上。藉由隔離部的設(shè)置，可以隔離光 學膠體而避免光學膠體因毛細現(xiàn)象而沿著第二表面向上攀爬，另外亦可在 第二表面上設(shè)置奈米材料層，或者使第 一表面的面積大于開口面的面積，也 可以避免光學膠體沿著第二表面向上攀爬，進而使得發(fā)光二極管所產(chǎn)生光 形的外圍不會產(chǎn)生光暈，并提高發(fā)光二極管的發(fā)光均勻性。本發(fā)明具有上 述諸多優(yōu)點及實用價值，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大改進，在技 術(shù)上有顯著的進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的發(fā)光二極管 具有增進的突出功效，誠為一新穎、進步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附 圖，詳細"i兌明如下。
圖l是現(xiàn)有習知的發(fā)光二極管的示意圖。
圖2是現(xiàn)有習知的發(fā)光二極管的光形分布圖。
圖3A是本發(fā)明的一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)較佳實施例的立體 圖一。
圖3B是本發(fā)明的一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)較佳實施例的立體 圖二。
圖3C是本發(fā)明的一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)較佳實施例的立體 圖三。圖4A是本發(fā)明的一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)較佳實施例的剖視 圖一。
圖4B是本發(fā)明的一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)較佳實施例的剖視圖二。
圖4C是本發(fā)明的一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)較佳實施例的剖視 圖三。
圖5 A是本發(fā)明的又一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)較佳實施例的的 剖視圖一。
圖5B是本發(fā)明的又一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)較佳實施例的剖 視圖二。
圖5C是本發(fā)明的又一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)較佳實施例的剖 視圖三。
圖6是本發(fā)明的另 一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)較佳實施例的剖10:發(fā)光二極管晶片 21:光學膠體
22:光學膠體30:光線
31:光暈
40、40， 、 40":無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)
41:本體411:第一表面
412第二表面413:開口面
414第一區(qū)域415:第二區(qū)域
42:隔離部
50、50， 、 50":無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)
51:第一奈米材料層 52:第二奈米材料層60:無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu) A: 開口面的面積A，第一表面的面積
具體實施例方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的無光暈的發(fā)光二極管 座體結(jié)構(gòu)其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。
有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點及功效，在以下配合參考圖 式的較佳實施例的詳細說明中將可清楚呈現(xiàn)。通過具體實施方式
的說明，當
;了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明之用，并非用來對本發(fā)明加;乂限 制。請參閱圖3A、圖3B及圖3C所示，圖3A是本發(fā)明的一種無光暈的發(fā)光 二極管座體結(jié)構(gòu)40較佳實施例的立體圖一，圖3B是本發(fā)明的一種無光暈 的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)40'較佳實施例的立體圖二，圖3C是本發(fā)明的一種 無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)40"較佳實施例的立體圖三。本發(fā)明較佳實 施例的一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)40、 40' 、 40"，其包括 一本體 41以及一隔離部42。
上述的本體41，其具有一晶粒槽，而晶粒槽具有一第一表面411、 一第 二表面412及一開口面413(結(jié)合參閱圖4'A及圖4B所示)，并且晶粒槽是由 第一表面411、第二表面412及開口面413所形成的空間；其中
該第 一表面411 ，是晶粒槽的底面，其是用以放置發(fā)光二極管晶片10，并 且發(fā)光二極管晶片IO可以藉由銀膠固著于第一表面411上。
該第二表面412,是晶粒槽的側(cè)表面，且第二表面412通常為一斜面。
該開口面413，如圖4A及圖4B所示，是位于晶粒槽的開口處， 一般來 說開口面413所形成的面積是大于第一表面411所形成的面積，藉此使得發(fā) 光二極管晶片IO發(fā)出的大部分光線可向外射出。
請參閱圖4A及圖4B所示，圖4A是本發(fā)明的一種無光暈的發(fā)光二極管 座體結(jié)構(gòu)40較佳實施例的剖視圖一，圖4B是本發(fā)明的一種無光暈的發(fā)光 二極管座體結(jié)構(gòu)40，較佳實施例的剖視圖二，圖4C是本發(fā)明的一種無光暈 的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)40"較佳實施例的剖視圖三。上述的隔離部42,是 設(shè)置于晶粒槽的第二表面412上，其中隔離部42是可環(huán)繞設(shè)置于第二表面 412上，并且隔離部42的位置即定義了未包含有焚光體的光學膠體21與包 含有熒光體的光學膠體22間的界線，所以未包含有熒光體的光學膠體21 僅能涂布至隔離部42的高度，并且藉由隔離部42可阻擋未包含有熒光體 的光學膠體21沿著第二表面412向上攀爬。因此，涂布于晶粒槽中包含有 熒光體的光學膠體22可大略具有一致的厚度。
如圖3A及圖4A所示，隔離部42可以為一凸出部，并且可環(huán)繞設(shè)置于 第二表面412上，用以直接阻擋隔絕未包含有熒光體的光學膠體21沿著第 二表面412向上攀爬。
如圖3B及圖4B所示，隔離部42也可以為一凹陷部，可環(huán)繞設(shè)置于第 二表面412上。當將未包含有焚光體的光學膠體21涂布至晶粒槽中時，多 余的光學膠體21可流入凹陷部中，藉此亦可避免光學膠體21沿著第二表 面412向上攀爬而在邊緣形成突起。
如圖3C所示，隔離部42亦可以為一凹凸相間結(jié)構(gòu)，可同時藉由凸出 部直接阻擋隔絕光學膠體21沿著第二表面412向上攀爬，并且可讓多余的 光學膠體21流入凹陷部中。
又如圖4C所示，隔離部42可以為一凹凸相間結(jié)構(gòu)，并且凹凸相間結(jié)構(gòu)是可以垂直方向間隔排列于第二表面412上，凸出部可以阻擋光學膠體21
沿著第二表面412向上攀爬。若是有部分光學膠體21向上攀爬超過于凸出 部，也可讓多余的光學膠體22流入凹陷部中。因此可藉由將隔離部42設(shè)計 成凹凸相間的結(jié)構(gòu)，更能夠確保光學膠體21無法沿著第二表面412向上攀 爬而在邊緣形成突起。
請參閱圖5A、圖5B及圖5C所示，圖5A是本發(fā)明的又一種無光暈的發(fā) 光二極管座體結(jié)構(gòu)50較佳實施例的的剖視圖一，圖5B是本發(fā)明的又一種 無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)50，較佳實施例的剖視圖二，圖5C是本發(fā)明 的又一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)50"較佳實施例的剖視圖三。此外 亦可藉由改變第二表面412的表面特性，用以避免未包含有焚光體的光學 膠體21沿著第二表面412向上攀爬。如圖5A及圖5B所示，可在第二表面 412的一第一區(qū)域414設(shè)置一第一奈米材料層51。例如圖5A所示，第一區(qū) 域414的面積可以等于第二表面412的面積；或者如圖5B所示，第一區(qū)域 414的面積是可以小于第二表面412的面積，以使得只有第二表面412上的 某一部分區(qū)域設(shè)置有第一奈米材料層51。
第一區(qū)域414，是為在第二表面412上的一個環(huán)形區(qū)域，并且可選擇設(shè) 置在第二表面412上的任何一個位置。如圖5B所示，第一區(qū)域414可以選 擇設(shè)置接近于開口面413的位置，并且因為設(shè)置于第一區(qū)域414的第一奈 米材料層51具有特殊的表面特性，所以會使得未包含有突光體的光學膠體 21無法附著于第二表面412上并且向上攀爬，因此可以避免光學膠體21在 邊緣形成突起，藉此能夠消除發(fā)光二極管產(chǎn)生光暈31的可能性。
如圖5C所示，第二表面412可具有至少一第一區(qū)域414及至少一第二 區(qū)域415,其中第一區(qū)域414上設(shè)置有第一奈米材料層51,而第二區(qū)域415 則設(shè)置有一第二奈米材料層52,其中第一區(qū)域414及第二區(qū)域415皆為在 第二表面412上的一個環(huán)形區(qū)域。當欲在晶粒槽中涂布多層包含有熒光體 的光學膠體22時，可分別將包含有熒光體的光學膠體22涂布至第一區(qū)域 414及第二區(qū)域415對應(yīng)的位置，并藉由第一奈米材料層51及第二奈米材 料層52間不同的表面特性，使得包含有熒光體的光學膠體22和未含有熒 光體的光學膠體21都不會在邊緣形成突起，并可提高發(fā)光二極管的發(fā)光均 勻性。
同樣的，當在晶粒槽中涂布多層未包含有熒光體的光學膠體21及包含 有熒光體的光學膠體22，并分別將光學膠體21、 22涂布至每一第一區(qū)域 414及每一第二區(qū)域415對應(yīng)的位置，并使得第一區(qū)域414及第二區(qū)域415 以間隔排列的方式設(shè)置，進而讓每一層光學膠體21、 22都不會沿著第二表 面412向上攀爬。
另外，如圖6所示，是本發(fā)明的另一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)60較佳實施例的剖一見圖。亦可藉由改變晶粒槽的形狀，使得晶粒槽的第 一表面
411所形成的面積A'大于開口面413所形成的面積A,進而使涂布于晶粒 槽底部的未包含有熒光體的光學膠體21受到重力的影響而不容易向上攀
爬，并且本體的結(jié)構(gòu)可以為 一 陶瓷多層堆疊結(jié)構(gòu)。
本實施例的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，是藉由改變晶粒槽的第二表面412的 表面結(jié)構(gòu)，以達到消除發(fā)光二極管光形外圍光暈31的目的。更佳的是，可 在晶粒槽的第二表面412上設(shè)置隔離部42，并且同時在第二表面412上的 至少一第一區(qū)域414設(shè)置有第一奈米材料層51,或是再同時改變晶粒槽的 形狀，使晶粒槽的第一表面411所形成的面積A，大于開口面413所形成的 面積A，可以達到完全消除發(fā)光二極管光暈31的目的及功效。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當可利 用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所 作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括一本體，其具有一晶粒槽，該晶粒槽具有一第一表面、一第二表面及一開口面；以及一隔離部，設(shè)置于該第二表面上。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于 其中所述的隔離部為一凸出部。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于 其中所述的隔離部為 一凸出部，且該隔離部環(huán)繞設(shè)置于該第二表面上。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于 其中所述的隔離部為一凹陷部。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于 其中所述的隔離部為 一凹陷部，且該隔離部環(huán)繞設(shè)置于該第二表面上。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于 其中所述的隔離部為 一 凹凸相間結(jié)構(gòu)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于 其中所述的第二表面的一第一區(qū)域設(shè)置有一第一奈米材料層，其中該第一 區(qū)域的面積是小于或等于該第二表面的面積。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于 其中所述的第二表面具有至少一第一區(qū)域及至少一第二區(qū)域，其中該第一 區(qū)域設(shè)置有一第一奈米材料層，而該第二區(qū)域設(shè)置有一第二奈米材料層。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于 其中所述的第一表面的面積大于該開口面的面積。
10、 一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括 一本體，其具有一晶粒槽，該晶粒槽具有一第一表面、 一第二表面及一開口面，其中該第二表面具有至少一第一區(qū)域；以及 一第一奈米材料層，設(shè)置于該第一區(qū)域上。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的第一區(qū)域的面積小于或等于該第二表面的面積。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的第二表面又進一步具有至少一第二區(qū)域，其中該第二區(qū)域設(shè) 置有一第二奈米材料層。
13、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的第二表面上設(shè)置有 一 隔離部。
14、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第二表面上設(shè)置有一隔離部，且該隔離部為一凸出部。
15、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的第二表面上設(shè)置有一隔離部，且該隔離部為 一 凸出部，又該隔 離部是環(huán)繞設(shè)置于該第二表面上。
16、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第二表面上設(shè)置有一隔離部，且該隔離部為一凹陷部。
17、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的第二表面上設(shè)置有一隔離部，且該隔離部為一凹陷部，又該隔 離部是環(huán)繞設(shè)置于該第二表面上。
18、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的第二表面上設(shè)置有一隔離部，且該隔離部為一凹凸相間結(jié)構(gòu)。
19、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的第一表面的面積大于該開口面的面積。
20、 一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其包括 一本體，其具有一晶 粒槽，該晶粒槽具有一第一表面、 一第二表面及一開口面，其特征在于該 第 一 表面的面積是大于該開口面的面積。
21、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的本體的結(jié)構(gòu)為 一 陶資多層堆疊結(jié)構(gòu)。
22、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的第二表面的一第一區(qū)域設(shè)置有一第一奈米材料層，其中該第 一區(qū)域的面積是小于或等于該第二表面的面積。
23、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的第二表面具有至少一第一區(qū)域及至少一第二區(qū)域，其中該第一區(qū)域設(shè)置有一第一奈米材料層，而該第二區(qū)域設(shè)置有一第二奈米材料層。
24、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的第二表面上設(shè)置有一隔離部。
25、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的第二表面上設(shè)置有一隔離部，且該隔離部為一凸出部。
26、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的第二表面上設(shè)置有一隔離部，且該隔離部為 一凸出部，又該隔 離部是環(huán)繞設(shè)置于該第二表面上。
27、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的第二表面上設(shè)置有一隔離部，且該隔離部為一凹陷部。
28、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的第二表面上設(shè)置有一隔離部，且該隔離部為 一凹陷部，又該隔 離部是環(huán)繞設(shè)置于該第二表面上。
29、根據(jù)權(quán)利要求"所述的無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其特征在 于其中所述的第二表面上設(shè)置有一隔離部，且該隔離部為 一凹凸相間結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)一種無光暈的發(fā)光二極管座體結(jié)構(gòu)，其包括本體以及隔離部。該本體具有晶粒槽，且晶粒槽具有第一表面、第二表面及開口面，而隔離部則設(shè)置于第二表面上。藉由隔離部的設(shè)置，可以隔離光學膠體而避免光學膠體因毛細現(xiàn)象而沿著第二表面向上攀爬，另外亦可在第二表面上設(shè)置奈米材料層，或者使第一表面的面積大于開口面的面積，也可以避免光學膠體沿著第二表面向上攀爬，進而使得發(fā)光二極管所產(chǎn)生光形的外圍不會產(chǎn)生光暈，并提高發(fā)光二極管的發(fā)光均勻性。
文檔編號H01L33/00GK101494259SQ20081000423
公開日2009年7月29日 申請日期2008年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月21日
發(fā)明者林信泰, 溫士逸, 陳明鴻, 陳景宜 申請人:海立爾股份有限公司