專(zhuān)利名稱(chēng)：：層疊結(jié)構(gòu)及使用其的電路用電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及層疊透明導(dǎo)電薄膜和鉬金屬薄膜的層疊結(jié)構(gòu)及使用其的電路用電極，特別是涉及含有氧化銦的各種透明薄膜，還有氧化銦-氧化錫(ITO)薄膜和鉬金屬薄膜的層疊結(jié)構(gòu)及使用其的電路用電極。
背景技術(shù)：
：層疊ITO薄膜和鉬薄膜的薄膜是作為液晶顯示器等的電路的一部分而使用的。但是，公知有在ITO薄膜上形成鉬薄膜時(shí)，在各個(gè)成膜的薄膜發(fā)生內(nèi)部應(yīng)力，而引起薄膜的剝落和斷線(xiàn)。該內(nèi)部應(yīng)力被分為2種，分別為拉伸應(yīng)力和壓縮應(yīng)力。在此，所謂拉伸應(yīng)力是成膜面凹陷時(shí)薄膜上發(fā)生的應(yīng)力，所謂壓縮應(yīng)力是成膜面凸起時(shí)薄膜上發(fā)生的應(yīng)力。ITO通常受到壓縮應(yīng)力，金屬薄膜、特別是鉬金屬薄膜受拉伸應(yīng)力。在該狀態(tài)下層疊時(shí)，由于各應(yīng)力的種類(lèi)(壓縮和拉伸)不同其差變大，因此在界面上發(fā)生更大的應(yīng)變，最終引起薄膜的剝落和斷線(xiàn)。如此，ITO薄膜和鉬薄膜間的密著性弱，龜裂、斷線(xiàn)發(fā)生。另外，由于ITO膜厚，因此蝕刻后反錐度發(fā)生。還有，形成無(wú)定形ITO(a-ITO)膜時(shí)，蝕刻后，通過(guò)后烘熱(postbake)工序或CVD法進(jìn)行的SiNx制膜工序中的加熱，a-ITO多晶化(多晶化)，成為多晶ITO(p-ITO)，與鉬膜的緊貼性惡化，因此龜裂、斷線(xiàn)發(fā)生。由于這樣的龜裂、斷線(xiàn)，增加了制品的缺陷，有生產(chǎn)的成品率低下的問(wèn)題(專(zhuān)利文獻(xiàn)O。對(duì)于該課題，為了防止龜裂、斷線(xiàn)，公開(kāi)了組合復(fù)雜工序而形成多層膜的方法，由于工序數(shù)增加有成品率降低這樣的難點(diǎn)(專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。例如，在多晶ITO(p-ITO)法中，用真空濺射裝置將p-ITO成膜后，蝕刻該ITO膜，進(jìn)一步在其上用真空濺射裝置將鉬成膜后，蝕刻該鉬膜而制造層疊體。該方法由于要反復(fù)進(jìn)行2次成膜工序和濺射工序，因此變得復(fù)雜而生產(chǎn)性降低。為此，要求一種能夠防止由于ITO薄膜和鉬薄膜間的應(yīng)力而產(chǎn)生的龜裂、斷線(xiàn)，同時(shí)，能夠簡(jiǎn)化成膜工序和濺射工序的層疊膜的形成技術(shù)。專(zhuān)利文獻(xiàn)1:特開(kāi)平10-253992號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2:特開(kāi)2005-62889號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述課題，其目的在于提供一種有助于減少布線(xiàn)材料間的龜裂、斷線(xiàn)帶來(lái)的制品缺陷、使生產(chǎn)的成品率提高的層疊結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還有的其他的目的是提供一種具備所述層疊結(jié)構(gòu)的電路用電本發(fā)明還有的其他的目的是提供一種具備所述層疊結(jié)構(gòu)或所述電路用電極的電子設(shè)備。本發(fā)明者們?yōu)榱私鉀Q這樣的課題進(jìn)行銳意研究的結(jié)果是發(fā)現(xiàn)透明導(dǎo)電膜的膜厚在35nm以下時(shí)，透明導(dǎo)電薄膜及鉬金屬薄膜的緊貼性提高。因此，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)防止龜裂、斷線(xiàn)和通過(guò)工序簡(jiǎn)化而使成品率提高，從而完成本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明，提供了以下的層疊結(jié)構(gòu)。1、一種層疊結(jié)構(gòu)，其由透明導(dǎo)電薄膜及鉬金屬薄膜構(gòu)成，其中，所述透明導(dǎo)電薄膜的膜厚為35nm以下。2、根據(jù)l所述的層疊結(jié)構(gòu)，其中，所述透明導(dǎo)電薄膜為含有氧化銦和氧化錫的薄膜。3、根據(jù)l所述的層疊結(jié)構(gòu)，其中，所述透明導(dǎo)電薄膜為含有氧化銦、氧化錫和氧化鋅的薄膜。4、根據(jù)l所述的層疊結(jié)構(gòu)，其中，所述透明導(dǎo)電薄膜為含有氧化銦和稀土類(lèi)元素的氧化物的薄膜。5、根據(jù)14中任一項(xiàng)所述的層疊結(jié)構(gòu)，其中，所述透明導(dǎo)電薄膜的錐形角低于90。。6、一種電路用電極，其含有15中任一項(xiàng)所述的層疊結(jié)構(gòu)。7、一種電子設(shè)備，作為其至少一部分具備包括15任一項(xiàng)所述的層疊結(jié)構(gòu)或6所述的電路用電極的電路。根據(jù)本發(fā)明能夠提供一種有助于減少布線(xiàn)材料間的龜裂、斷線(xiàn)帶來(lái)的制品缺陷、使生產(chǎn)的成品率提高的層疊結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種具備所述層疊結(jié)構(gòu)的電路用電極。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種具備所述層疊結(jié)構(gòu)或所述電路用電極的電子設(shè)備。圖1(a)是表示ITO膜的錐形角e在90°以上的情況的成膜狀態(tài)，(b)是表示ITO膜的錐形角e低于90。的情況的成膜狀態(tài)的模式圖。圖2(a)是表示ITO膜的膜厚厚的部分的電子射線(xiàn)衍射圖，(b)是表示ITO膜的膜厚薄的部分的電子射線(xiàn)衍射圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明的層疊結(jié)構(gòu)為使透明導(dǎo)電薄膜及鉬金屬薄膜層疊的薄膜，可以稱(chēng)為薄膜層疊體。該層疊結(jié)構(gòu)通常是在基板上使透明導(dǎo)電薄膜、鉬金屬薄膜順序?qū)盈B而成。另外，也可以在基板上使鉬金屬薄膜、透明導(dǎo)電薄膜順序?qū)盈B而成。還有，本發(fā)明的層疊結(jié)構(gòu)也可以使各層圖案形成希望的形狀。即，如果圖案形成透明導(dǎo)電薄膜及鉬金屬薄膜各自需要的形狀，各自形成的圖案的至少一部分重疊，則形成本發(fā)明的層疊結(jié)構(gòu)。透明導(dǎo)電薄膜的膜厚為35nm以下，優(yōu)選為30nm以下，更優(yōu)選為25nmlnm。由于透明導(dǎo)電薄膜為35nm以下很薄，因此與鉬金屬薄膜的緊貼性提高?？紤]到這是因?yàn)橛捎谕该鲗?dǎo)電薄膜薄，基于透明導(dǎo)電薄膜的壓縮應(yīng)力與金屬薄膜的界面的應(yīng)變小，壓縮應(yīng)力自身小。鉬金屬薄膜的膜厚通常為10500nm，優(yōu)選為20200nm,膜厚不作特殊限定可以根據(jù)用途適當(dāng)?shù)剡x擇。對(duì)于基板沒(méi)有特別限定，通常能夠使用玻璃、石英、塑料等。透明導(dǎo)電薄膜，如果是透明且具有導(dǎo)電性就沒(méi)有特殊的限制，是含有從氧化銦、氧化錫、氧化鋅、稀土類(lèi)元素的氧化物中選出的至少一種或兩種以上的薄膜，優(yōu)選為含有從氧化銦、氧化錫、氧化鋅、稀土類(lèi)元素的氧化物中選出的至少一種或兩種以上的薄膜，是含有氧化銦和氧化錫的薄膜，是含有氧化銦、氧化錫和氧化鋅的薄膜，或含有氧化銦和稀土類(lèi)元素的氧化物的薄膜。作為本發(fā)明的透明電極薄膜的具體例，能夠舉出例如氧化銦-氧化鋅薄膜(ITO)、氧化銦-氧化錫-氧化鋅薄膜(ITZO)、氧化銦-氧化鈰薄膜(ICO)、氧化銦-氧化釤薄膜(ISmO)。透明電極薄膜含有多種氧化物時(shí)，通常以復(fù)合氧化物的形成而使用，但只要能夠保持作為透明電極使用的透明性和導(dǎo)電性，也可以是化合物、混合物。透明電極薄膜，在含有氧化銦和氧化錫時(shí)，通常優(yōu)選形成由氧化銦和氧化錫構(gòu)成的復(fù)合氧化物，另外各自的氧化物的重量比沒(méi)有特別限定，通常優(yōu)選為80:2099:1、希望為85:1595:5。在該范圍之外時(shí)透明性或?qū)щ娦詴?huì)降低。另外會(huì)發(fā)生蝕刻不良和連接不良。透明電極薄膜為含有氧化銦、氧化錫和氧化鋅的薄膜時(shí)，優(yōu)選形成由氧化銦、氧化錫和氧化錫構(gòu)成的復(fù)合氧化物，另外氧化銦(氧化錫和氧化鋅)的重量比通常優(yōu)選為50:5099:1、希望為60:4090:5。在該范圍之外時(shí)透明性或?qū)щ娦詴?huì)降低。另外會(huì)發(fā)生蝕刻不良和連接不良。透明電極薄膜為含有氧化銦和稀土類(lèi)元素的氧化物時(shí)，通常優(yōu)選形成由氧化銦和氧化錫構(gòu)成的復(fù)合氧化物，另外各自的氧化物的重量比沒(méi)有特別限定，通常優(yōu)選為80:2099:1、希望為90:1098:2。在該范圍之外時(shí)透明性或?qū)щ娦詴?huì)降低。另外會(huì)發(fā)生蝕刻不良和連接不良。透明電極薄膜的錐形角優(yōu)選為低于90°，優(yōu)選為4589°，更優(yōu)選為6085°。錐形角為通過(guò)蝕刻等在透明導(dǎo)電膜上形成圖案時(shí)，形成的角度。透明電極薄膜的錐形角在9(T以上時(shí)，有如下缺點(diǎn)。例如，如圖l(a)所示，在形成圖案的IT0膜1及Mo膜2上通過(guò)CVD法形成SiNx薄膜3時(shí)，IT0膜1的錐形角在90°以上，因此形成SiNx薄膜3時(shí)的覆蓋(coverage)性惡化。即在IT0膜1的一部分(由于錐形角e為90°以上而形成的伸出部而成為陰影的部分)上形成沒(méi)有SiNx薄膜3附著的部分，成為由于絕緣不良和空氣、水份等而形成ITO腐蝕的原因。但是，如圖l(b)所示，IT0膜1的錐形角低于90°時(shí)，則形成SiNx薄膜3時(shí)的覆蓋性不受損。但是，錐形角e變得過(guò)小時(shí)，由ITO構(gòu)成的布線(xiàn)的線(xiàn)寬實(shí)質(zhì)上變大，因此以L(fǎng)/S(線(xiàn)/空間)評(píng)價(jià)的圖案的精細(xì)度下降，有不能供應(yīng)實(shí)際應(yīng)用的擔(dān)憂(yōu)。在玻璃基板上形成無(wú)定形ITO薄膜時(shí)，伴隨成膜，帶有結(jié)晶性。膜厚超過(guò)35咖，結(jié)晶類(lèi)似的構(gòu)造開(kāi)始發(fā)生，無(wú)定形IT0膜被發(fā)現(xiàn)部分有類(lèi)似結(jié)晶的構(gòu)造。因此如果是35nm以下的薄膜，則僅由無(wú)定形構(gòu)成，錐形角低于90°。圖2(a)是表示距基板遠(yuǎn)的部分(膜厚厚的部分)類(lèi)似結(jié)晶的電子射線(xiàn)衍射圖像，圖2(b)是表示距基板近的部分(膜厚薄的部分)無(wú)定形的電子射線(xiàn)衍射圖像。在圖2(a)中，測(cè)定前為無(wú)定形，基于結(jié)晶衍射圖案被確認(rèn)，但在測(cè)定中，由于電子射線(xiàn)no—部分結(jié)晶化，基于結(jié)晶衍射圖案被確認(rèn)。因此可知，在膜厚厚的部分得到類(lèi)似結(jié)晶的構(gòu)造。另一方面，圖2(b)沒(méi)有確認(rèn)到在用電子射線(xiàn)測(cè)定前后不使電子射線(xiàn)衍射圖像變化基于結(jié)晶的衍射圖的變化。因此可知，膜厚薄的部分僅由無(wú)定形構(gòu)成。根據(jù)同樣的理由，由于退火而沒(méi)有結(jié)晶化的膜厚為35nm以下的ITZO薄膜的錐形角也低于90。。另外，ITO的情況，圖案形成有ITO的基板在后烘熱工序或SiNx工序被加熱，即使是無(wú)定形(a-ITO)也變化為多晶(p-ITO)。另一方面，ITZO的情況，由于后烘熱工序或SiNx工序的加熱沒(méi)有結(jié)晶化。即本發(fā)明的層疊結(jié)構(gòu)即可以是結(jié)晶質(zhì)，也可以是非結(jié)晶質(zhì)。鉬金屬薄膜即可以是鉬金屬單層，也可以是鉬/鋁/鉬等的多層本發(fā)明的層疊結(jié)構(gòu)能夠制造例如，通過(guò)濺射法形成透明導(dǎo)電薄膜、鉬金屬薄膜而制造。作為成膜條件，放電氣體壓力通常為0.11Pa，基板溫度通常為室溫40(TC，成膜氣體通常優(yōu)選使用氬、氬及氧。作為本發(fā)明的層疊結(jié)構(gòu)制造方法的具體例，例如由以下的方法(無(wú)定形ITO(a-ITO)法)。1、使用真空濺射裝置a-ITO及鉬的成膜。2、抗蝕劑涂敷、曝光、顯影3、通過(guò)PAN(磷酸/乙酸/硝酸)系蝕刻劑蝕刻鉬4、通過(guò)草酸系蝕刻劑蝕刻a-ITO5、抗蝕劑涂敷、曝光、顯影、加熱6、通過(guò)PAN(磷酸/乙酸/硝酸)系蝕刻劑蝕刻鉬7、通過(guò)CVD法進(jìn)行的SiNx膜的層疊(300°C)歷來(lái)，如上所述，層疊ITO膜和鉬膜時(shí)，兩膜的緊貼性弱，因此龜裂、斷線(xiàn)發(fā)生。另外，由于IT0膜厚，因此蝕刻后反錐度發(fā)生。還有，形成a-IT0時(shí)蝕刻后，由于后烘熱工序或CVD法進(jìn)行的SiNx制膜工序的加熱，a-IT0為多晶化(多晶化)，成為P-IT0時(shí)，與鉬膜的緊貼性差，因此龜裂、斷線(xiàn)發(fā)生。因此歷來(lái)需要分多段進(jìn)行1的成膜工序。但是，根據(jù)本發(fā)明的制造方法，由于ITO膜和鉬膜的緊貼力高，因此界面不產(chǎn)生壓力，龜裂、斷線(xiàn)不會(huì)發(fā)生，因此，將該成膜工序簡(jiǎn)化為l次，而成品率提高。使用本發(fā)明的層疊結(jié)構(gòu)能夠制造電路用電極，還能夠制造電路，能夠使用于電子設(shè)備。例如能夠作為液晶、有機(jī)電致發(fā)光器件、等離子體顯示器等的電子設(shè)備的電路而使用。[實(shí)施例]以下表示本發(fā)明的具體例，本發(fā)明不限定于該例，根據(jù)用途可以作適宜的變更而使用。實(shí)施例1在電磁濺射裝置上安裝4英寸OIT0(氧化銦氧化錫=90:10wt%)的靶，及4英寸OMo(純度99.99%)的靶，在10cm見(jiàn)方的玻璃基板上，形成厚度10nm的IT0薄膜并且在其之上形成厚度150nm的Mo膜。還有，膜厚通過(guò)光學(xué)式薄膜測(cè)定系統(tǒng)(SCI社FilmTek4000)及膜厚測(cè)定計(jì)(7A"、7夕社Dektak8)測(cè)定。ITO薄膜的成膜條件如下。基板溫度室溫成膜氣體種氬89%、氫9%、氧2%使成膜壓力0.1Pa另外，Mo膜的成膜條件如下。基板溫度室溫成膜氣體種氬100%成膜壓力0.2Pa在得到的層疊體上，以棋盤(pán)目狀切割，實(shí)施帶剝離試驗(yàn)，確認(rèn)剝離狀況。進(jìn)一步實(shí)施以下的刮擦試驗(yàn)。作為刮擦試驗(yàn)，使用CSME社制Micro-Scratch-Tester。在此，剝離強(qiáng)度的測(cè)定條件如下。刮擦距離20nm刮擦載荷0-10N(牛頓)載荷比率10N/min舌條速度20mm/min金剛石粒形狀前端200iimO)用光學(xué)顯微鏡觀察在上述條件下刮擦試驗(yàn)后的試料，以底層的透明導(dǎo)電薄膜(ITO)的暴露點(diǎn)作為Mo薄膜的剝離點(diǎn)(已確認(rèn)透明導(dǎo)電薄膜沒(méi)有剝離)，測(cè)定距刮擦開(kāi)始點(diǎn)的距離，由此算出剝離載荷。結(jié)果在表1中顯示。實(shí)施例2，3除變更在表1中表示的ITO膜的厚度之外，在與實(shí)施例1同樣的條件下制作、評(píng)價(jià)層疊體。實(shí)施例4除使用4英寸OITZ0(氧化銦氧化錫氧化鋅二60:20:15wt%)的耙，如表1所示變更ITZ0膜的厚度之外，在與實(shí)施例1同樣的條件下制作、評(píng)價(jià)ITZO膜和Mo膜的層疊體。比較例1、2除如表1所示變更ITO膜的厚度之外，在與實(shí)施例1同樣的條件下制作、評(píng)價(jià)層疊體。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>從表1可知，IT0膜的膜厚為35nm以下時(shí)，完全沒(méi)有發(fā)現(xiàn)剝離，可以判明有穩(wěn)固的緊貼性。另外，IT0膜的膜厚超過(guò)35nm時(shí)，IT0膜和鉬膜的緊貼性急劇惡化。評(píng)價(jià)例除變更IT0膜的膜厚為30nm、100nm之外，在與實(shí)施例1同樣的條件下制作層疊體。在得到的層疊體上用下述方法進(jìn)行圖案形成，測(cè)定ITO膜的錐形角。1、純水洗凈通過(guò)純水噴淋洗凈5分鐘后，通過(guò)鼓風(fēng)進(jìn)行干燥。2、UV洗凈通過(guò)紫外線(xiàn)(UV)照射，除去表面的有機(jī)物等3、感光薄膜涂層通過(guò)旋涂法涂敷感光薄膜HPR-204(PhilipA.HuntChemicalCo.制乂水，？夕一*乂>-7、y'卜'系感光性樹(shù)脂，8cps品)。4、前烘熱(prebake):在電烤箱中80°C，烘15分鐘，硬化感光薄膜。5、曝光向可以在中間曝光的中間色調(diào)面罩中照射紫外線(xiàn)(UV)。6、顯影通過(guò)顯影液FHD-5(富士膠片制)除去不要部分的感光薄膜。7、后烘熱在電烤箱中15(TC，烘15分鐘，進(jìn)一步硬化殘留感光薄膜。8、PAN蝕刻在混酸系蝕刻劑(關(guān)東化學(xué)制混酸A1蝕刻劑(磷酸硝酸乙酸水=73:3:7:17(PAN)))中進(jìn)行濕式蝕刻，除去不要部分的鉬，用純水噴淋洗凈，通過(guò)鼓風(fēng)進(jìn)行干燥。9、IT0蝕刻劑在草酸系蝕刻劑(關(guān)東化學(xué)制IT0-06N(草酸水二5%以下95%以上)中進(jìn)行濕式蝕刻，通過(guò)以所述鉬作為模具除去不要部分的ITO，用純水噴淋洗凈，通過(guò)鼓風(fēng)進(jìn)行干燥。10、剝離用感光膜剝離液(東京應(yīng)化制薄膜剝離液106)僅剝離中間曝光的感光薄膜部分用純水噴淋洗凈，通過(guò)鼓風(fēng)進(jìn)行干燥。11、PAN蝕刻在浪酸系蝕刻劑(關(guān)東化學(xué)制混酸A1蝕刻劑(磷酸硝酸乙酸水=73:3:7:17(PAN)))中進(jìn)行濕式蝕刻，除去不要部分的鉬，用純水噴淋洗凈，通過(guò)鼓風(fēng)進(jìn)行干燥。12、剝離用感光膜剝離液(東京應(yīng)化制薄膜剝離液106)剝離全部的感光薄膜部分用純水噴淋洗凈，通過(guò)鼓風(fēng)進(jìn)行干燥。用SEM(掃描型電子顯微鏡)測(cè)定在上述方法中進(jìn)行繪圖的ITO薄膜的錐形角。在膜厚30皿的IT0膜中，錐形角是80。，在膜厚100nm的ITO膜中，錐形角是150。。工業(yè)上的實(shí)用性本發(fā)明的層疊結(jié)構(gòu)能夠作為電子設(shè)備的電路用電極使用，另外能夠使用于使用該電極的電子設(shè)備的電路。權(quán)利要求1.一種層疊結(jié)構(gòu)，其由透明導(dǎo)電薄膜及鉬金屬薄膜構(gòu)成，其中，所述透明導(dǎo)電薄膜的膜厚為35nm以下。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的層疊結(jié)構(gòu)，其中，所述透明導(dǎo)電薄膜為含有氧化銦和氧化錫的薄膜。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊結(jié)構(gòu)，其中，所述透明導(dǎo)電薄膜為含有氧化銦、氧化錫和氧化鋅的薄膜。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊結(jié)構(gòu)，其中，所述透明導(dǎo)電薄膜為含有氧化銦和稀土類(lèi)元素的氧化物的薄膜。5、根據(jù)權(quán)利要求14中任一項(xiàng)所述的層疊結(jié)構(gòu)，其中，所述透明導(dǎo)電薄膜的錐形角低于90。。6、一種電路用電極，其包括權(quán)利要求15中任一項(xiàng)所述的層疊結(jié)構(gòu)。7、一種電子設(shè)備，作為其至少一部分具備包括權(quán)利要求15任一項(xiàng)所述的層疊結(jié)構(gòu)或權(quán)利要求6所述的電路用電極的電路。全文摘要層疊ITO薄膜和鉬薄膜的薄膜是作為液晶顯示器等的電路的一部分而使用的。但是，公知有在ITO薄膜上形成鉬薄膜時(shí)，在各個(gè)成膜的薄膜發(fā)生內(nèi)部應(yīng)力，而引起薄膜的剝落和斷線(xiàn)。為此，要求一種能夠防止由于ITO薄膜和鉬薄膜間的應(yīng)力而產(chǎn)生的龜裂、斷線(xiàn)，同時(shí)，能夠簡(jiǎn)化成膜工序和蝕刻工序的層疊膜的形成技術(shù)。本發(fā)明者們?yōu)榱私鉀Q這樣的課題進(jìn)行銳意研究的結(jié)果是發(fā)現(xiàn)透明導(dǎo)電膜的膜厚在35nm以下時(shí)，透明導(dǎo)電膜及鉬金屬薄膜的緊貼性提高。因此，能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)防止裂紋、斷線(xiàn)和通過(guò)工序簡(jiǎn)化而使成品率提高，從而完成本發(fā)明。文檔編號(hào)H01B13/00GK101375204SQ20078000352公開(kāi)日2009年2月25日申請(qǐng)日期2007年1月16日優(yōu)先權(quán)日2006年1月25日發(fā)明者井上一吉,本田克典,松原雅人,梅野聰申請(qǐng)人:出光興產(chǎn)株式會(huì)社