專利名稱：薄膜晶體管、薄膜晶體管基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管， 一種薄膜晶體管基板和制造其的一種簡化 的方法，該方法提供了 一種具有高分辨率的液晶顯示器件。
背景技術(shù)：
液晶顯示("LCD")器件通過使用電場調(diào)節(jié)介電各向異性的液晶的光透 射率來顯示圖像。LCD器件包括LCD面板和用于驅(qū)動LCD面板的驅(qū)動電路， LCD面板具有以有源矩陣的形式取向的液晶。LCD面板包括濾光器基板和通過密封膠與濾光器基板粘合的薄膜晶體 管基板，濾光器基板和薄膜晶體管基板之間安置有液晶。濾光器基板通常包括堆疊在絕緣基板上的黑矩陣、濾光器和公共電極。薄膜晶體管基板包括設(shè)置為在下部絕緣基板上相互交叉的柵極線和數(shù) 據(jù)線以及將像素電極與柵極線和數(shù)據(jù)線連接的薄膜晶體管("TFT")。響應(yīng)于 來自柵極線的掃描信號，TFT將數(shù)據(jù)信號從數(shù)據(jù)線供應(yīng)到像素電極。TFT通 常使用非晶硅、多晶硅或者氧化鋅基物質(zhì)作為有源層。使用非晶硅的TFT 可以在低溫下制造，其具有低遷移率并且不能符合恒定電流的條件。使用多 晶硅的TFT具有高遷移率并且符合恒定電流的條件。然而，使用多晶硅的 TFT由于其均勻性差而難以實現(xiàn)大尺度并且需要高溫工藝。另一方面，包括 氧化鋅基半導(dǎo)體層的TFT可以通過低溫工藝生產(chǎn)并且具有適當?shù)倪w移率，滿 足恒定電流的條件。然而，包括氧化物半導(dǎo)體層的TFT使用ITO (銦錫氧化物)、金等的透 明電極作為源/漏電極。當源/漏電極由該透明電極形成并且覆蓋大片區(qū)域時， 電阻的上升帶來了相當大的信號延遲。此外，當源/漏電極用金形成時，提高了材料的成本。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管、 一種薄膜晶體管基板及其制造方法，其可以提供高分辨率和大尺寸并且可以簡化生產(chǎn)工藝。在一個典型實施例中，制造薄膜晶體管基板的方法包括在基板上形成包 括柵極線、柵電極和下部柵極墊片電極的第一導(dǎo)電圖形組，在其上形成有該 第 一導(dǎo)電圖形組的該基板上形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層上形成與該柵 電極重疊的氧化物半導(dǎo)體圖形，以及在其上形成有該氧化物半導(dǎo)體圖形的基 板上形成第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層并且使得該第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層圖 形化以形成第二導(dǎo)電圖形組，其包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)墊片。在另 一個典型實施例中，薄膜晶體管基板包括形成在基板上的柵極線和 柵電極，形成在該柵極線和該姍電極上的柵極絕緣層，在柵極絕緣層上與該 柵電極重疊的氧化物半導(dǎo)體層，在該氧化物半導(dǎo)體層和該柵極絕緣層上由第 一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層形成的數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極，以及連接到該漏電 極并且由該第一導(dǎo)電層形成的像素電極。在另一個典型實施例中，薄膜晶體管包括柵電極，形成在該柵電極上的 柵極絕緣層，在柵極絕緣層上與該柵電極重疊的氧化物半導(dǎo)體層，以及在該 氧化物半導(dǎo)體層上由第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層形成的源電極和漏電極。


附圖被包括為提供該發(fā)明的進一步理解并且被引入和組成該申請的一部分，其圖示了該發(fā)明的實施例并且與描述一起用來解釋該發(fā)明，在圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的TFT基板的平面圖；圖2A、2B和2C是圖1中的分別截自線I-I ，、 n-n，和in-in，的該TFT 基板的截面圖；圖3是包含槺電極102的柵極線104的平面圖，且圖4A、 4B和4C是 解釋用制造圖i中的TFT基板的方法形成第一導(dǎo)電圖形組的截面圖；圖5是表示柵極線104、柵電極102和氧化物半導(dǎo)體層123的平面圖， 且圖6A、 6B和6C是用于解釋以制造圖1中的該TFT基板的方法形成柵極 絕緣層和氧化物半導(dǎo)體圖形的截面圖；圖7A、 7B、 7C、 8A、 8B、 8C、 9A、 9B、 9C、 IOA、 IOB、 IOC、 IIA、 11B和11C是用于詳細地解釋制造圖6A、 6B和6C中示出的TFT基板的方 法的截面圖；圖12是本發(fā)明的一個實施例的平面圖，且圖13A、 13B和13C是用于解釋以制造圖1中的TFT基板的方法形成第二導(dǎo)電圖形組的截面圖；圖14A、 14B、 14C、 15A、 15B、 15C、 16A、 16B、 16C、 17A、 17B和 17C是用于詳細地解釋制造圖13A、 13B和13C所示的TFT基板的方法的截 面圖；并且圖18是本發(fā)明的一個實施例的平面圖且圖19A、 19B和19C是用于解 釋以制造圖1中的TFT基板的方法形成柱狀間隔物的截面圖。
具體實施方式
參考附圖詳細地描述本發(fā)明的典型實施例。在圖中使用的同樣的附圖標 記表示同樣或類似的部分。為了防止使本發(fā)明的主題不明確而省略了對在此 可1入的公知的功能和結(jié)構(gòu)的詳細描述。本發(fā)明可以以多種不同的形式實施。在圖中示出了該發(fā)明的特定實施例 并且在此詳細地描述，且應(yīng)該認為當前公開不將本發(fā)明限制在圖示的特定實 施例中。圖1是根據(jù)本發(fā)明一個實施例的TFT基板的平面圖，且圖2A、 2B和2C是圖i中的分別截自線i -1 ，、 n-n，和m-in，的TFT基板的截面圖。參照圖1、 2A、 2B和2C,根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的TFT基板包括柵 極線和數(shù)據(jù)線104和124,其在下部基板101上相互交叉且在其間布置有柵 極絕緣層108。 TFT 130形成在各個柵極線104和數(shù)據(jù)線124的交叉點上。 像素電極122形成在交叉點的子像素區(qū)域中且連接到TFT 130、柵極墊片150 和數(shù)據(jù)墊片160,該柵極墊片150連接到柵極線104，該數(shù)據(jù)墊片160連接 到數(shù)據(jù)線124。TFT 130能夠響應(yīng)于柵極線104的掃描信號由供應(yīng)給數(shù)據(jù)線124的像素 信號對像素電極充電。TFT 130包括連接到柵極線104的柵電極102、連接 到數(shù)據(jù)線124的源電極126、連接到像素電極122并且與源電極126相對的 漏電極128以及與柵電極102重疊的氧化物半導(dǎo)體層123，且在氧化物半導(dǎo) 體層123和柵電極102之間安置有柵極絕緣層108以在各個源電極126和漏 電極128之間形成溝道。氧化物半導(dǎo)體層123包括例如氧化鋅(ZnO)用作 氧化鋅基物質(zhì)。可選擇的，氧化物半導(dǎo)體層123除了 ZnO之外可以進一步 包括諸如In和Ga的材料。例如，氧化物半導(dǎo)體層123可以包括GaZnO、 InZnO 或者GalnZnO。 Ga、 In和Zn的構(gòu)成比例可以設(shè)置成1:1:1或者2:2:1。柵極線104將經(jīng)由柵極墊片150提供的掃描信號供應(yīng)到TFT 130的柵電極102。 柵極線104和柵電極102都可以由非透光金屬層形成在下部基板101上。因 此，非透光金屬層可以包括Cu、 Mo、 Al、 Cu合金、Mo合金或者Al合金。數(shù)據(jù)線124與柵極線104交叉以確定像素區(qū)域并且通過數(shù)據(jù)墊片160將 像素信號供應(yīng)到TFT 130的源電極126。TFT 130的數(shù)據(jù)線124以及源電極126和漏電極128中的每一個都可以 形成為具有包括透光導(dǎo)電層的至少兩層的多層結(jié)構(gòu)。例如，數(shù)據(jù)線124、源 電極126和漏電極128中的每一個都可以包括由透光導(dǎo)電層形成的第一導(dǎo)電 層105和由低電阻金屬形成的第二導(dǎo)電層107從而形成多層結(jié)構(gòu)。第一導(dǎo)電 層105可以由例如p-ITO (多晶銦錫氧化物)、銦錫氧化物(ITO )或者銦鋅 氧化物(IZO)形成且第二導(dǎo)電層107可以由Cu、 Mo、 Al、 Ti、 Al-Ni合金、 Cu合金、Mo合金或者Al合金形成。包含在源電極126和漏電極128中的第一導(dǎo)電層105易于與氧化物半導(dǎo) 體層123接觸。源電極126和漏電極128可以包括由透光導(dǎo)電層形成的第一 導(dǎo)電層105和由低電阻金屬形成的第二導(dǎo)電層107以形成該多層結(jié)構(gòu)，因此 在大尺度TFT基板的情況下防止電阻升高。包含在源電極126和漏電極128 中的第二導(dǎo)電層107可以由例如上面描述的低電阻金屬形成以防止視頻信號 的延遲。漏電極128的第一導(dǎo)電層105在柵極絕緣層108上延伸以形成像素電極 122。這樣，像素電極122與漏電極128成為一體。當視頻信號通過TFT 130 供應(yīng)到像素電極122時，像素電極122與供應(yīng)有公共電壓的公共電極一起產(chǎn) 生電場并且根據(jù)介電各向異性使得在TFT和濾光器基板之間取向的液晶分 子旋轉(zhuǎn)。穿過像素區(qū)域的光的透射率根據(jù)液晶分子的旋轉(zhuǎn)度而變化，因此產(chǎn) 生灰度。柵極墊片150連接到柵極驅(qū)動器(未示出)以把來自柵極驅(qū)動器的掃描 信號供應(yīng)到柵極線104。如圖2B所示，柵極墊片150包括從柵極線104延 伸的下部柵極墊片電極152和通過穿透柵極絕緣層108的柵極墊片接觸孔 154連接到下部柵極墊片電極152的上部柵極墊片電極156。數(shù)據(jù)墊片160連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動器(未示出)以把來自數(shù)據(jù)驅(qū)動器的像素 信號供應(yīng)到數(shù)據(jù)線124。如圖2C所示，數(shù)據(jù)墊片160包括下部數(shù)據(jù)墊片電 極166和上部數(shù)據(jù)墊片電極168，該下部數(shù)據(jù)墊片電極166由在柵極絕緣層108上從數(shù)據(jù)線124延伸的第一導(dǎo)電層105形成，該上部數(shù)據(jù)墊片電極168 由第二導(dǎo)電層107形成。如圖2A所示，當通過熱壓合將濾光器和TFT基板粘合時，柱狀間隔物 138通過壓力轉(zhuǎn)換提供足夠的液晶下降邊緣(dropping margin )。并且柱狀間 隔物138防止黑矩陣壁直接接觸TFT基板。通過在具有TFT 130的下部基板 101上執(zhí)行有機層工藝來形成柱狀間隔物138。因此，形成柱狀間隔物138 不需要沉積和蝕刻工藝，因而簡化了制造工藝。圖3至19C是解釋根據(jù)本發(fā)明的TFT基板的平面圖和截面圖。圖3是平面圖且圖4A、 4B和4C是截面圖，其用于解釋以制造圖l中 的TFT基板的方法形成第一導(dǎo)電圖形組。參照圖3、 4A、 4B和4C,第一導(dǎo)電圖形組形成在下部基板101上，第 一導(dǎo)電圖形組包括柵極線104、柵電極102和下部4冊極墊片電極152。更特別的，通過例如濺射的沉積法將柵極金屬層沉積在下部基板01上。 通過光刻和蝕刻使柵極金屬層圖形化以形成包括柵極線104、柵電極102和 下部柵極墊片電極152的第一導(dǎo)電圖形組。柵極金屬層可以由A1、 Mo、 Cr 或Cu形成。圖5是平面圖且圖6A、 6B和6C是截面圖，其用于解釋以制造圖l中 的TFT基板的方法形成柵極絕緣層和氧化物半導(dǎo)體圖形。圖7A、 7B、 7C、 8A、 8B、 8C、 9A、 9B、 9C、 IOA、 IOB、 IOC、 IIA、 11B和11C是用于詳 細地解釋制造圖6A、 6B和6C中所示的TFT基板的方法的截面圖。參照圖5、 6A、 6B和6C，柵極絕緣層108形成在具有第一導(dǎo)電圖形組 的下部基板101上。然后在柵極絕緣層108上形成氧化物半導(dǎo)體圖形123。 通過使用衍射曝光掩?；蛘甙肷{(diào)掩模的掩模工藝形成氧化物半導(dǎo)體圖形 123。在下面的描述中，將解釋使用第一衍射曝光掩模200的實例。參照圖7A、 7B和7C，柵極絕緣層108和氧化物半導(dǎo)體層153形成在 具有第一導(dǎo)電圖形組的下部基板101上。無機絕緣層和氧化物半導(dǎo)體層順序 地沉積在下部基板101的表面上以形成柵極絕緣層108和氧化物半導(dǎo)體層 153。用無機絕緣物通過沉積例如PECVD (等離子體增強化學(xué)氣相沉積)形 成柵極絕緣層108。無機絕緣物包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)等。通 過沉積例如MOCVD (金屬有機物化學(xué)氣相沉積)或賊射形成氧化物半導(dǎo)體 層153。上面詳細描述的氧化鋅基物質(zhì)可以用作氧化物半導(dǎo)體層153。參照圖8A、 8B和8C，光刻膠層143通過旋涂或者非旋轉(zhuǎn)式涂布完全 沉積在氧化物半導(dǎo)體層153上。接著，通過使用圖9A中所示的第一衍射曝 光掩模200的光刻法對光刻膠層143曝光并且顯影以形成具有不同的厚度的 第 一光刻膠圖形202a和第二光刻膠圖形202b,如圖9A、 9B和9C所示。第一衍射曝光掩模200包括具有形成在石英基板208上的防護層204的 防護區(qū)Sll、具有形成在石英基板208上的多個縫隙206的縫隙區(qū)S12以及 僅設(shè)置有石英基板208的透射區(qū)S13。防護區(qū)Sll阻擋了形成氧化物半導(dǎo)體 層153的區(qū)域中的紫外線以使得在顯影工藝后留下第一光刻膠圖形202a，如 圖9A、 9B和9C所示?？p隙區(qū)S12在除了形成氧化物半導(dǎo)體圖形153的區(qū) 域之外的 一 區(qū)域中和除了在柵極墊片150上用于形成柵極墊片接觸孔154的 部分之外的一區(qū)域中衍射紫外線以使得在顯影工藝后保留第二光刻膠圖形 202b，其比第一光刻膠圖形202a薄。為了去除在柵極墊片150上的光刻膠， 透射區(qū)S13透過紫外線。使用第一衍射曝光掩模200形成包括第一光刻膠圖形202a和第二光刻 膠圖形202b的第一光刻膠圖形組。使用第一光刻膠圖形組作為掩模蝕刻在 柵極墊片150上的氧化物半導(dǎo)體層153和柵極絕》彖層108以形成在柵極墊片 150上的4妻觸孔154。參照圖IOA、 10B和IOC，通過02-等離子體灰化將第一光刻膠圖形組 蝕刻到預(yù)定厚度以形成第二光刻膠圖形組。第二光刻膠圖形組包括減小厚度 的第一光刻膠圖形組。并且去除第二光刻膠圖形202b。參照圖IIA、 11B和11C,使用灰化的第一光刻膠圖形202a作為掩模蝕 刻氧化物半導(dǎo)體層153。因此，氧化物半導(dǎo)體圖形123形成在下部基板101 上并且形成了暴露出下部柵極墊片152的接觸孔。圖12是平面圖且圖13A、 13B和13C是截面圖，其用于解釋以制造圖 1中的TFT基板的方法形成第二導(dǎo)電圖形組。圖14A、 14B、 14C、 15A、 15B、 15C、 16A、 16B、 16C、 17A、 17B和17C是用于詳細地解釋制造圖13A、 13B和13C中所示的TFT基板的方法的截面圖。參照圖12、 13A、 13B和13C，第二導(dǎo)電圖形組形成在具有氧化物半導(dǎo) 體層123的下部基板101上，該第二導(dǎo)電圖形組包括源電極126和漏電極 128、像素電極122、上部柵極墊片電極156以及上部數(shù)據(jù)電極166和下部數(shù) 據(jù)電極168。通過使用衍射曝光或半色調(diào)掩模的掩模工藝形成第二導(dǎo)電圖形組。在接下來的描述中，將解釋使用第二衍射曝光掩模的情況。參照圖14A、 14B和14C，通過沉積例如賊射，在形成了氧化物半導(dǎo)體 層123的下部基板101上形成第一導(dǎo)電層133和第二導(dǎo)電層135。第一導(dǎo)電 層133可以由ITO (銦錫氧化物)或者IZO (銦鋅氧化物)形成。第二導(dǎo)電 層135可以由Cu、 Mo、 Al、 Ti、 Al-Ni合金、Cu合金、Mo合金或者Al合金形成。參照圖15A、 15B和15C，光刻膠145通過非旋轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)涂布完全沉積 在第一導(dǎo)電層133和第二導(dǎo)電層135之上。接著通過使用圖16A和圖16B 所示的第二衍射曝光掩模210的光刻法在光刻膠145上執(zhí)行曝光和顯影以形 成具有不同厚度的第三光刻膠圖形212a和第四光刻膠圖形212b，如圖16A、 16B和16C所示。第二衍射曝光掩模210包括具有形成在石英基板218上的防護層214的 防護區(qū)S21、具有形成在石英基板218上的多個縫隙216的縫隙區(qū)S22和僅 設(shè)置有石英基板218的透射區(qū)域S23 。防護區(qū)S21在將形成源電極126和 漏電極128的區(qū)域中阻擋紫外線以使得在顯影工藝后留下第三光刻膠圖形 212a，如圖16A、 16B和16C所示。縫隙區(qū)S22在形成像素電極122和上部 柵極墊片電極156的區(qū)域中衍射紫外線以使得在顯影工藝后保留第四光刻膠 圖形212b,其比第三光刻膠圖形212a薄。并且為了在顯影工藝之后去除光 刻膠，透射區(qū)S23透過紫外線。如圖16A、 16B和16C所示，通過使用第三光刻膠圖形212a和第四光 刻膠圖形212b作為掩模的蝕刻工藝使得第一導(dǎo)電層105和第二導(dǎo)電層107 圖形化以暴露氧化物半導(dǎo)體層123。參照圖17A、 17B和17C，通過02-等離子體灰化減小第三光剖膠圖形 212a的厚度并且去除第四光刻膠圖形212b。隨后通過使用灰化的第三光刻 膠圖形212a作為掩模的蝕刻工藝去除第二導(dǎo)電層107。提供了由第一導(dǎo)電層 105和第二導(dǎo)電層107形成的源電極126和漏電極128,并且形成了由第一 導(dǎo)電層105形成的像素電極122和上部柵極墊片電極156。將由非晶透明電 極133形成的像素電極放入加熱爐中在高溫中處理以聚合透明電極133。最 后，第三光刻膠圖形212a從源電極126和漏電極128以及上部數(shù)據(jù)電極166 和下部數(shù)據(jù)電極168上剝離。圖18是平面圖且圖19A、 19B和19C是截面圖，其用于解釋以制造圖1中的TFT基板的方法形成柱狀間隔物。參照圖18、 19A、 19B和19C,通過旋轉(zhuǎn)或非旋轉(zhuǎn)涂布在具有第二導(dǎo)電 圖案組的下部基板101上形成有機鈍化層。有機鈍化層由例如丙烯的有機絕 緣物形成。然后通過光刻和蝕刻工藝使得有機鈍化層圖形化以形成柱狀間隔 物138。如上面所述，源電極和漏電極包括易于與氧化物半導(dǎo)體層接觸的第一導(dǎo) 電層和具有低電阻的第二導(dǎo)電層，因此防止了由大尺度區(qū)域增大的電阻所造 成的信號延遲。進一步，延伸源/漏電極之一以形成像素電極，因此簡化了生 產(chǎn)工藝。另外，第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層分別包括透明電極和低電阻金屬層， 因此降低了材料成本。本領(lǐng)域的 一般技術(shù)人員可以理解在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況 下可以對本發(fā)明進行多種變形和修正。這樣，意味著本發(fā)明覆蓋了在權(quán)利要求和其等價物范圍內(nèi)提供的此發(fā)明的變形和修正。該申請根據(jù)美國法典第35篇119條要求了在2006年12月14日向韓國 知識產(chǎn)權(quán)局提交的申請?zhí)枮?0-2006-0127671的韓國專利為優(yōu)先權(quán)，其公開 的全部內(nèi)容作為參考列入此處。
權(quán)利要求
1、一種制造薄膜晶體管基板的方法，包括在基板表面形成包括柵極線、柵電極和柵極墊片電極的第一導(dǎo)電圖形組；在其上形成有該第一導(dǎo)電圖形組的該基板的表面上形成柵極絕緣層；在該柵極絕緣層上形成與該柵電極重疊的氧化物半導(dǎo)體圖形；并且在其上形成有該氧化物半導(dǎo)體圖形的該基板的表面上形成第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，并且圖形化該第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層以形成包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)墊片的第二導(dǎo)電圖形組。
2、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一導(dǎo)電層由透明導(dǎo)電材料形成 并且該第二導(dǎo)電層由金屬材料形成。
3、 如權(quán)利要求2所述的方法，進一步包括形成連接到該漏電極的像素 電極，該像素電極在該柵極線和該數(shù)據(jù)線的交叉點所限定的區(qū)域中由該第一 導(dǎo)電層形成。
4、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一導(dǎo)電層在形成了該源電極和 該漏電極的區(qū)域中與該氧化物半導(dǎo)體圖形接觸。
5、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該第一導(dǎo)電層由多晶銦錫氧化物、 銦錫氧化物或者銦鋅氧化物形成。
6、 如權(quán)利要求l所述的方法，其中該第二導(dǎo)電層由選自于由Cu、 Mo、 Al、 Ti、 A1-Ni合金、Cu合金、Mo合金和Al合金組成的組中的材料形成。
7、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中該氧化物半導(dǎo)體圖形包括包含氧化 鋅基物質(zhì)的氧化物半導(dǎo)體層。
8、 如權(quán)利要求7所述的方法，其中形成該氧化物半導(dǎo)體圖形包括 在該柵極絕緣層上形成氧化物半導(dǎo)體層；在該氧化物半導(dǎo)體層上形成具有不同厚度的第一光刻膠圖形和第二光 刻膠圖形；通過使用該第 一光刻膠圖形和第二光刻膠圖形作掩模蝕刻該氧化物半 導(dǎo)體層和該柵極絕緣層而形成暴露該下部柵極墊片電極的接觸孔；通過灰化該第 一光刻膠圖形和第二光刻膠圖形去除該第 一光刻膠圖形 和第二光刻膠圖形中較薄的一個；以及通過去除經(jīng)由去除的第二光刻膠圖形的一部分暴露的該氧化物半導(dǎo)體 層而形成該氧化物半導(dǎo)體圖形。
9、 如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成該第二導(dǎo)電圖形組進一步包括 通過高溫?zé)崽幚碓摰谝粚?dǎo)電層而聚合非晶透明電極。
10、 如權(quán)利要求l所述的方法，進一步包括在該源電極和該漏電極上形 成由有機絕緣層構(gòu)成的柱狀間隔物。
11、 一種薄膜晶體管基板，包括 形成在基板上的柵極線和柵電極；形成在該柵極線和該柵電極上的柵極絕緣層； 在該柵極絕緣層上與該柵電極重疊的氧化物半導(dǎo)體層； 在該氧化物半導(dǎo)體層和該柵極絕緣層上由第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層形 成的數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極；和連接到該漏電極并且由該第一導(dǎo)電層形成的像素電極。
12、 如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管基板，其中該第一導(dǎo)電層由透明 導(dǎo)電材料形成并且該第二導(dǎo)電層由金屬材料形成。
13、 如權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管基板，該第一導(dǎo)電層由多晶銦錫 氧化物、銦錫氧化物或者銦鋅氧化物形成。
14、 如權(quán)利要求12所述的薄膜晶體管基板，其中該第二導(dǎo)電層由選自 于由Cu、 Mo、 Al、 Ti、 Al-Ni合金、Cu合金、Mo合金和Al合金組成的組 中的材料形成。
15、 如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管基板，進一步包括形成在該柵極 線的一端的柵極墊片，其中該柵極墊片由下部片冊極墊片電極和連接到該下部 柵極墊片電極并且由該第一導(dǎo)電層形成的上部柵極墊片電極組成。
16、 如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管基板，進一步包括在該源電極和 漏電極上由有機絕緣層形成的柱狀間隔物。
17、 如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管基板，其中該氧化物半導(dǎo)體層包 含氧化鋅基物質(zhì)。
18、 如權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管基板，進一步包括形成在該數(shù)據(jù) 線的一端的數(shù)據(jù)墊片。
19、 一種薄膜晶體管，包括 柵電極；形成在該柵電極上的柵極絕緣層；在該柵極絕緣層上與該柵電極重疊的氧化物半導(dǎo)體層；以及在該氧化物半導(dǎo)體層上由第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層形成的源電極和漏 電極。
20、如權(quán)利要求19所述的薄膜晶體管，其中該第一導(dǎo)電層由多晶銦錫氧化物、銦錫氧化物或者銦鋅氧化物的透明導(dǎo)電材料形成，并且該第二導(dǎo)電層是由選自于由Cu、 Mo、 Al、 Ti、 Al-Ni合金、Cu合金、Mo合金和Al合金組成的組中的金屬材料形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管基板及其制造方法。制造薄膜晶體管基板的方法包括在基板上形成包括柵極線、柵電極和下部柵極墊片電極的第一導(dǎo)電圖形組，在其上形成有該第一導(dǎo)電圖形組的基板上形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層上形成與該柵電極重疊的氧化物半導(dǎo)體圖形，以及在其上形成有該氧化物半導(dǎo)體圖形的基板上形成第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，并且圖形化該第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層以形成第二導(dǎo)電圖形組，其包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)墊片。
文檔編號H01L21/84GK101226901SQ20071030077
公開日2008年7月23日 申請日期2007年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月14日
發(fā)明者李制勛, 李殷國, 林淳權(quán), 鄭敞午, 金度賢 申請人:三星電子株式會社