專(zhuān)利名稱(chēng)：一種可改善信號(hào)完整度的創(chuàng)新穿孔結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是一種有關(guān)可降低串音干擾與EMC輻射問(wèn)題并提高信號(hào)質(zhì)量的 穿孔(via)結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)電路板、封裝電路或是IC積體電路結(jié)構(gòu)，該 電路板、封裝電路或是IC積體電路信號(hào)線(xiàn)的穿孔結(jié)構(gòu)經(jīng)過(guò)電源平面或接地平 面時(shí)，在電源平面或接地平面之間一定距離的周?chē)O(shè)置與信號(hào)穿孔相同形狀或 任意形狀的金屬面，用以提供信號(hào)經(jīng)過(guò)穿孔結(jié)構(gòu)時(shí)有一個(gè)電壓參考平面或電 流回流路徑，如此可以減少信號(hào)在經(jīng)過(guò)穿孔結(jié)構(gòu)時(shí)的阻抗不連續(xù)效應(yīng),并減少 信號(hào)的回波損庫(kù)毛(return loss),進(jìn)而降低穿孔間的串音干擾與電路的EMC問(wèn) 題并提高信號(hào)質(zhì)量。
背景技術(shù)：
隨著電子科技的突飛猛進(jìn)，各種電子產(chǎn)品已日益普及地應(yīng)用于我們的工 作及生活當(dāng)中，尤其是目前最為常見(jiàn)的資訊及家電等電子產(chǎn)品。為了讓這些 電子產(chǎn)品產(chǎn)生特殊的功能，電子產(chǎn)品幾乎都具有一主積^反，IC封裝電路，與 IC電路，其主要是由許多電子元件及與傳輸線(xiàn)所構(gòu)成，其中這些電子元件組 裝至電路板，并經(jīng)由印刷電路板的線(xiàn)路來(lái)做彼此電性的連接。
隨著電子產(chǎn)品功能特性增強(qiáng)的同時(shí)，對(duì)電子元件的體積微型化要求也不 斷提升并且信號(hào)的工作頻率也不斷地提高，因而導(dǎo)致信號(hào)之間的干擾日益嚴(yán) 重，而信號(hào)之間的干擾雜信通常來(lái)自于線(xiàn)路元件之間的連接， 一般干擾雜信 的種類(lèi)有串音干擾、阻抗不連續(xù)所產(chǎn)生的反射、熱干擾、互調(diào)式干擾等，串 音干擾的出現(xiàn)是非常普遍的，串音干擾會(huì)出現(xiàn)在晶片，PCB板，連接器，封 裝，與連接器的電纜。此外，當(dāng)技術(shù)和客戶(hù)需求推動(dòng)越來(lái)越小且越來(lái)越快的 產(chǎn)品的時(shí)候，數(shù)位系統(tǒng)中串音干擾的量會(huì)大大地增加，串音干擾是指當(dāng)給定 頻率的電信號(hào)施于一對(duì)導(dǎo)體時(shí)，各導(dǎo)體會(huì)將信號(hào)能的不等部分傳送給鄰近導(dǎo) 體對(duì)的各導(dǎo)體， 一對(duì)導(dǎo)體中的第一導(dǎo)體與其相鄰導(dǎo)體間的電容與電感耦合，
如果與該對(duì)導(dǎo)體的第二導(dǎo)體與其相鄰導(dǎo)體間的電容與電感耦合不同時(shí)，即會(huì) 產(chǎn)生串音現(xiàn)象，同時(shí)如果傳輸距離增加、導(dǎo)體對(duì)過(guò)于接近或信號(hào)強(qiáng)度增加時(shí)， 串音干擾發(fā)生的可能性也相對(duì)增加，從而會(huì)令信號(hào)變形而影響信息傳輸?shù)木?確度。阻抗不連續(xù)是指?jìng)鬏斁€(xiàn)在電路連接處的阻抗不連續(xù)。阻抗不連續(xù)可能 是一段具有不同特征阻抗的傳輸線(xiàn)，或是一個(gè)終端電阻，或是輸入阻抗與晶 片內(nèi)的緩沖器之間的阻抗不連續(xù)。
請(qǐng)參閱圖1所示，是目前一般多層電路基板1上的穿孔結(jié)構(gòu)的立體示意
圖，電源平面(或接地平面)7和8之間缺乏電源穿孔(或接地穿孔)做連接， 因此，當(dāng)信號(hào)穿孔3貫穿電源平面(或接地平面)7和8的時(shí)候，信號(hào)在電源 平面(或接地平面)7和8之間會(huì)產(chǎn)生電磁輻射，并且以此信號(hào)穿孔3為中心 向外擴(kuò)散，此電磁輻射會(huì)在電源平面和接地平面上造成電壓擾動(dòng)而降低信號(hào) 完整度，而且信號(hào)線(xiàn)2和9與信號(hào)穿孔3之間的阻抗是不連續(xù)的，所以信號(hào) 在流經(jīng)信號(hào)穿孔3時(shí)，會(huì)造成反射現(xiàn)象而影響信號(hào)質(zhì)量。圖5和圖7的虛線(xiàn) 為圖1的信號(hào)線(xiàn)分別在PCB尺寸與IC封裝尺寸的穿孔結(jié)構(gòu)所測(cè)試的插入損耗 (insertion loss),較小的插入損耗(insertion loss)代表有較多的能量損耗在 信號(hào)路徑上，而這些能量損耗可能來(lái)自于電磁輻射、阻抗不連續(xù)或是介電損 失等。
再來(lái)請(qǐng)參閱圖3所示，為目前另外一種一般電路基板22上的穿孔結(jié)構(gòu)的 立體示意圖，電源平面(或接地平面)28和29之間缺乏電源穿孔(或接地穿 孔)做連接，因此，當(dāng)信號(hào)穿孔24連接第三層與第五層的信號(hào)線(xiàn)的時(shí)候，信 號(hào)很容易在電源平面(或接地平面)28和29之間會(huì)產(chǎn)生電磁輻射，并且以此 信號(hào)穿孔24為中心向外擴(kuò)散，此電磁輻射會(huì)在電源平面和接地平面上造成電 壓擾動(dòng)而降低信號(hào)完整度，而且信號(hào)線(xiàn)23和30與信號(hào)穿孔24之間的阻抗是 不連續(xù)的，所以信號(hào)在流經(jīng)信號(hào)穿孔24時(shí)，會(huì)造成反射現(xiàn)象而影響信號(hào)質(zhì)量。 圖6和圖8的虛線(xiàn)為圖3的信號(hào)線(xiàn)分別在PCB尺寸與IC封裝尺寸的穿孔結(jié)構(gòu) 所測(cè)試的插入損庫(kù)毛(insertion loss),專(zhuān)交小的插入損井毛(insertion loss)代J^有 較多的能量損耗在信號(hào)路徑上，而這些能量損耗可能來(lái)自于電磁輻射、阻抗 不連續(xù)或是介電損失等。 鑒于此，確實(shí)有必要提供一種可降低串音干擾與EMC輻射問(wèn)題并提高 信號(hào)質(zhì)量的穿孔(via)結(jié)構(gòu)，以降低電子器件所傳輸信號(hào)經(jīng)過(guò)穿孔時(shí)，在穿 孔之間產(chǎn)生串音干擾，或是提供信號(hào)經(jīng)過(guò)穿孔時(shí)有一個(gè)電壓參考平面或電流 回流路徑，并降低阻抗的不連續(xù)所造成的信號(hào)反射雜信，進(jìn)而保持信號(hào)傳輸 的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是提供一種可改善信號(hào)完整度的創(chuàng)新穿孔結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有技術(shù) 中傳輸信號(hào)之間的串音干擾，阻抗的不連續(xù)效應(yīng)等問(wèn)題。
因此，本發(fā)明的目的就是在于提供一種可降低串音干擾與EMC輻射問(wèn)題 并提高信號(hào)質(zhì)量的穿孔(via)，以降低穿孔(via)所傳輸信號(hào)之間的串音干 擾，與減少阻抗的不連續(xù)效應(yīng)，從而提高信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量。
為達(dá)成上述目的，本發(fā)明為一個(gè)可P條低串音干擾與EMC輻射問(wèn)題并提高 信號(hào)質(zhì)量的穿孔(via)結(jié)構(gòu)，在此以單一穿孔結(jié)構(gòu)來(lái)做說(shuō)明。有一電子電路 基板，而該電子電路基板具有一個(gè)穿孔(via)，該電路結(jié)樹(shù)包括一IF反，內(nèi) 設(shè)有信號(hào)線(xiàn)路層、介電層、電源層(或接地層)與一個(gè)穿孔(vias)。信號(hào)穿 孔(via)貫穿于該基板的兩個(gè)信號(hào)層，遂使該信號(hào)穿孔將該信號(hào)線(xiàn)路層做電 性連接；及另一電源穿孔(power vias)或接地穿孔(ground via),形成在信 號(hào)穿孔的外圍(參考圖2)或內(nèi)圍(參考圖4)，若是形成于信號(hào)穿孔的外圍 可使信號(hào)穿孔彼此隔開(kāi)獨(dú)立并提供信號(hào)完整的電壓參考面或電流回流路徑, 若是形成于信號(hào)穿孔的內(nèi)圍也可提供信號(hào)穿孔一個(gè)完整的電壓參考面或電流 回流路徑。
與現(xiàn)有技術(shù)比較，本發(fā)明通過(guò)在電路板的信號(hào)穿孔外圍或內(nèi)圍設(shè)有電源 穿孑L (power via)或接地穿孔(ground via )，該電源穿孑L (power via)或接地 穿孔(ground via)的厚度大于對(duì)應(yīng)信號(hào)穿孔所傳輸信號(hào)的集膚效應(yīng)的厚度， 如此每一信號(hào)穿孔所輻射的電^f茲波無(wú)法穿透外圍的電源穿孔(power via)或 接地穿孔(ground via),進(jìn)而避免信號(hào)傳遞時(shí)信號(hào)穿孔之間的相互干擾，并且 提供最近的電流回流路徑與減少阻抗的不連續(xù)效應(yīng)，從而減小每一信號(hào)穿孔
的回波損耗(returnloss)以提高信號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明可以減少信號(hào)在經(jīng)過(guò) 穿孔結(jié)構(gòu)時(shí)的阻抗不連續(xù)效應(yīng)，并減少信號(hào)的回波損耗，進(jìn)而降低穿 孔間的串音干擾與電路的EMC問(wèn)題并提高信號(hào)質(zhì)量。


圖l是一般類(lèi)似微帶線(xiàn)電路與信號(hào)穿孔的立體示意圖2是實(shí)施本發(fā)明的類(lèi)似微帶線(xiàn)電路與信號(hào)穿孔和電源穿孔(或接地穿 孔)的立體示意圖3是一般類(lèi)似帶線(xiàn)電路與信號(hào)穿孔的立體示意圖4是實(shí)施本發(fā)明的類(lèi)似帶線(xiàn)電路與信號(hào)穿孔和電源穿孔(或接地穿孑U 的立體示意圖5是插入損耗對(duì)頻率的響應(yīng)此圖是針對(duì)圖1 (未設(shè)置電源穿孔或接地穿孔)和圖2 (有設(shè)置電源穿孔 或接地穿孔)對(duì)于主機(jī)板尺寸的類(lèi)似微帶線(xiàn)穿孔所做的測(cè)試結(jié)果比較圖； 圖6是插入損松葉頻率的響應(yīng)此圖是針對(duì)圖3 (未設(shè)置電源穿孔或接地穿孔)和圖4(有設(shè)置電源穿孔 或接地穿孔)對(duì)于主機(jī)板尺寸的類(lèi)似帶線(xiàn)穿孔所做的的測(cè)試結(jié)果比較圖； 圖7是插入損耗對(duì)頻率的響應(yīng)此圖是針對(duì)圖1 (未設(shè)置電源穿孔或接地穿孔)和圖2 (有設(shè)置電源穿孔 或接地穿孔)對(duì)于IC封裝尺寸的類(lèi)似微帶線(xiàn)穿孔所做的測(cè)試結(jié)果比較圖； 圖8是插入損耗對(duì)頻率的響應(yīng)此圖是針對(duì)圖3 (未設(shè)置電源穿孔或接地穿孔)和圖4 (有設(shè)置電源穿孔 或接地穿孔)對(duì)于IC封裝尺寸的類(lèi)似帶線(xiàn)穿孔所做的測(cè)試結(jié)果比較圖； 圖9a到圖9k用來(lái)說(shuō)明制造圖2所示的穿孔結(jié)構(gòu)的步驟； 圖10a到圖10k用來(lái)說(shuō)明制造圖4所示的穿孔結(jié)構(gòu)的步驟。 主要元件符號(hào)說(shuō)明如下
1電路板(PCB)或基板(Substrate)或晶圓(wafer)
2 第一層信號(hào)線(xiàn) 3 信號(hào)穿孔結(jié)構(gòu)
4 第二層介電層 5 第四層介電層
6 第六層介電層
7 第三層金屬平面層(銅)電源層(或接地層)
8 第五層金屬平面層(銅)電源層(或接地層)
9 第七層信號(hào)線(xiàn) 10抗墊片結(jié)構(gòu)(Antipad) 11 電路板(PCB )或基板(Substrate )或晶圓(wafer)
12第一層信號(hào)線(xiàn) 13信號(hào)穿孔結(jié)構(gòu)
14電源穿孔或接地穿孔結(jié)構(gòu) 15第二層介電層
16 第四層介電層 17 第六層介電層
18第三層金屬平面層(銅)電源層(或接地層)
19第五層金屬平面層(銅)電源層(或接地層)
20第七層信號(hào)線(xiàn) 21 抗墊片結(jié)構(gòu)(Antipad)
22 電路板(PCB )或基板(Substrate)或晶圓(wafer)
23第一層信號(hào)線(xiàn) 24信號(hào)穿孔結(jié)構(gòu)
25 第二層介電層 26 第四層介電層
27 第六層介電層
28第三層金屬平面層(銅)電源層(或接地層) 29第五層金屬平面層(銅)電源層(或接地層) 30第七層信號(hào)線(xiàn)
31 電路板(PCB )或基板(Substrate)或晶圓(wafer)
32第一層金屬平面層(銅)電源層(或接地層)
33信號(hào)穿孔結(jié)構(gòu) 34 電源穿孔或接地穿孔結(jié)構(gòu)
35 第二層介電層 36 第四層介電層
37第六層介電層 38第三層信號(hào)線(xiàn)
39第五層信號(hào)線(xiàn)
40第七層金屬平面層(銅)電源層(或接地層)
41 抗墊片結(jié)構(gòu)(Antipad)
具體實(shí)施例方式
以下以四個(gè)電路板的結(jié)構(gòu)(參閱圖1到圖4)為例說(shuō)明本發(fā)明的構(gòu)思，每 一個(gè)電路板都具有信號(hào)層、介電層、電源層(或接地層)與穿孔結(jié)構(gòu)，熟悉 該項(xiàng)技術(shù)的人可知本發(fā)明的構(gòu)思也可應(yīng)用在IC封裝電路與IC內(nèi)部積體電3各 的穿孔結(jié)構(gòu)上或其他積體電路的穿孔結(jié)構(gòu)上。
首先，請(qǐng)參閱圖1所示，為目前一般多層電路基板1上的穿孔結(jié)構(gòu)的立 體示意圖，電源平面(或接地平面)7和8之間缺乏電源穿孔(或接地穿孔) 做連接，因此，當(dāng)信號(hào)穿孔3貫穿電源平面(或接地平面)7和8的時(shí)候，信 號(hào)在電源平面(或接地平面)7和8之間會(huì)產(chǎn)生電磁輻射，并且以此信號(hào)穿孔 3為中心向外擴(kuò)散，此電磁輻射會(huì)在電源平面和接地平面上造成電壓擾動(dòng)而降 低信號(hào)完整度，而且信號(hào)線(xiàn)2和9與信號(hào)穿孔3之間的阻抗是不連續(xù)的，所 以信號(hào)在流經(jīng)信號(hào)穿孔3時(shí)，會(huì)造成反射現(xiàn)象而影響信號(hào)質(zhì)量。
接著，請(qǐng)參閱圖2所示，為實(shí)施本發(fā)明的型態(tài)A的電路板與穿孔結(jié)構(gòu)的 立體示意圖，此穿孔結(jié)構(gòu)可以降低一些影響信號(hào)完整度的因素，例如穿孔 與穿孔間的耦合、阻抗不連續(xù)或是電磁輻射等。實(shí)施本發(fā)明的電路板包括一 基板ll，該基板ll內(nèi)設(shè)有兩層信號(hào)線(xiàn)路層12和20與兩層電源平面層(或兩 層接地層)18和19,而該基板11上設(shè)有一個(gè)信號(hào)穿孔結(jié)構(gòu)13和一個(gè)電源穿 孔(或接地穿孔)結(jié)構(gòu)14,該等電路基板11內(nèi)的信號(hào)線(xiàn)路層12和20通過(guò)信 號(hào)穿孔結(jié)構(gòu)13做電性連接，如此達(dá)成各信號(hào)層的電性連接，而該信號(hào)穿孔13 的外圍則用電源穿孔(或接地穿孔)結(jié)構(gòu)14將電源平面(或接地平面)連接 起來(lái)，以達(dá)成該電源穿孔(或接地穿孔)14成為信號(hào)穿孔13上信號(hào)完整的電 壓參考面或最短的電流回流路徑，通過(guò)適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)信號(hào)穿孔與電源穿孔之間 的距離(抗墊片antipad)，可以控制信號(hào)穿孔阻抗來(lái)減少信號(hào)線(xiàn)與信號(hào)穿孔的 阻抗不連續(xù)效應(yīng)，并且可以將信號(hào)穿孔13所產(chǎn)生的電磁波隔離起來(lái)而不影響 基板上其它穿孔(未圖示)的信號(hào)。
該電路基板11上以鐳射或機(jī)械的方式進(jìn)行鉆孔(Drilling),鉆孔所形成 的開(kāi)孔可以是盲孔(Blind hole)或貫孔(Through hole),在本實(shí)施例中以貫孔形式13和盲孔形式14進(jìn)行介紹，在鉆孔之前便在該貫孔13外圍做成一電 源盲孔(或接地盲孔)14將電源平面(或接地平面)連接，該電源盲孔(或 接地盲孔)14材質(zhì)有，例如錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)或其 他合金導(dǎo)電材質(zhì)。最后，第一層信號(hào)層12通過(guò)信號(hào)穿孔13與第七層信號(hào)層 20做電性連接，而所有穿孔的形成方式可采用例如鑄模、電鍍、無(wú)電鍍等方 式。
在本實(shí)施例中，該電源穿孔或接地穿孔為銅金屬或銅鍍層，呈圓環(huán)狀(或 多邊形狀)，并與該信號(hào)穿孔13同心設(shè)置。然而，這些穿孔不必非要圓環(huán)狀 或同心設(shè)置，例如信號(hào)穿孔可為圓柱狀且不與電源穿孔或接地穿孔同心設(shè)置。 并且該信號(hào)穿孔13與電源穿孔(或接地穿孔)14相隔一段距離，即二者之間 不連接，并且該電源穿孔(或接地穿孔)14的厚度最好必須大于對(duì)應(yīng)信號(hào)穿 孔13上所傳輸信號(hào)在工作頻率下的集膚深度(Skin depth),其中所謂的集膚 深度(Skind印th),是指導(dǎo)體在傳輸信號(hào)時(shí)，當(dāng)信號(hào)頻率提高時(shí)，流動(dòng)電荷會(huì) 漸漸向傳輸線(xiàn)的邊緣靠近，令導(dǎo)體表面的電流強(qiáng)度增加，甚至導(dǎo)體中間沒(méi)有 電流通過(guò)，而集膚深度Ss-(2/a)jacj) A (1/2),其中co為信號(hào)的頻率，p為鍍 層金屬的導(dǎo)磁系數(shù)，o為鍍層金屬的導(dǎo)電系數(shù)，如此該信號(hào)穿孔13所傳輸信 號(hào)輻射的電磁波無(wú)法穿透該電源穿孔(或接地穿孔)14,從而降低該信號(hào)穿 孔13所造成的插入損耗(insertion loss)，即增加信號(hào)的透射率，進(jìn)而降低各 信號(hào)穿孔(未圖示)之間傳輸信號(hào)的相互干擾，從而保證信號(hào)質(zhì)量的完整性 與有效性。
再來(lái)請(qǐng)參閱圖3所示，為目前另外一種一般電路基板22上的穿孔結(jié)構(gòu)的 立體示意圖，電源平面(或接地平面)28和29之間缺乏電源穿孔(或接地穿 孔)做連接，因此，當(dāng)信號(hào)穿孔24連接第三層與第五層的信號(hào)線(xiàn)的時(shí)候，信 號(hào)很容易在電源平面(或接地平面)28和29之間會(huì)產(chǎn)生電磁輻射，并且以此 信號(hào)穿孔24為中心向外擴(kuò)散，此電磁輻射會(huì)在電源平面和接地平面上造成電 壓擾動(dòng)而降低信號(hào)完整度，而且信號(hào)線(xiàn)23和30與信號(hào)穿孔24之間的阻抗是 不連續(xù)的，所以信號(hào)在流經(jīng)信號(hào)穿孔24時(shí)，會(huì)造成反射現(xiàn)象而影響信號(hào)質(zhì)量。
最后，請(qǐng)參閱圖4所示，為實(shí)施本發(fā)明的型態(tài)B的另外一種電路板與穿孔結(jié)構(gòu)的立體示意圖，此穿孔結(jié)構(gòu)可以降低一些影響信號(hào)完整度的因素，例
如穿孔與穿孔間的耦合、阻抗不連續(xù)或是電磁輻射等。實(shí)施本發(fā)明的電路 板包括一基板31,該基板31內(nèi)設(shè)有兩層信號(hào)線(xiàn)路層38和39與電源平面層(或 接地層)32和40,而該基板31上設(shè)有一個(gè)信號(hào)穿孔結(jié)構(gòu)33和一個(gè)電源穿孔
(或接地穿孔)結(jié)構(gòu)34，該電路基板31內(nèi)的信號(hào)線(xiàn)路層38和39通過(guò)信號(hào)穿 孔結(jié)構(gòu)33做電性連接，如此達(dá)成各信號(hào)層的電性連接，本發(fā)明主要是利用信 號(hào)穿孔方式將基板31內(nèi)的信號(hào)線(xiàn)路層38和39做電性連接的電子電路，如本 實(shí)施例中的信號(hào)穿孔結(jié)構(gòu)33,而該信號(hào)穿孔33的內(nèi)圍則用電源穿孔(或接地 穿孔)結(jié)構(gòu)34將電源平面(或接地平面)連接起來(lái)，以達(dá)成該電源穿孔(或 接地穿孔)34成為信號(hào)穿孔33的電壓參考面或電流回流路徑，如此可減少阻 抗的不連續(xù)效應(yīng)，而且，由于電磁場(chǎng)會(huì)集中在信號(hào)穿孔33與電源穿孔(或接 地穿孔)34之間，所以信號(hào)穿孔33所產(chǎn)生的電磁波比較不會(huì)藕合到基板上其 它穿孔(未圖示)的信號(hào)。
該電路基板31上以鐳射或機(jī)械的方式進(jìn)行鉆孔(Drilling),鉆孔所形成 的開(kāi)孔可以是盲孔(Blind hole)或貫孔(Through hole),在本實(shí)施例中以盲 孔形式33和貫孔形式34進(jìn)行介紹，在鉆盲孔之后，第三層信號(hào)層38通過(guò)信 號(hào)穿孔33與第五層信號(hào)層39做電性連接，而信號(hào)穿孔33的形成方式例如是 采用鑄模、電鍍、無(wú)電鍍等方式。之后，在該信號(hào)盲孔33內(nèi)圍做成一電源貫 孔(或接地盲孔)34將電源平面(或接地平面)32, 40做連接，該電源貫孔
(或接地貫孔)34材質(zhì)例如為錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)或其 他合金導(dǎo)電材質(zhì)。電源貫孔(或接地貫孔)34可以是電鍍成圓環(huán)狀或澆鑄為 實(shí)心圓柱狀。
在本實(shí)施例中，該電源穿孔(或接地穿孔)為銅金屬或銅鍍層，呈圓環(huán) 狀(或多邊形狀)，并與該信號(hào)穿孔33同心設(shè)置。然而，這些穿孔不必非要 圓環(huán)狀或同心設(shè)置，例如電源穿孔(或接地穿孔)34可為圓環(huán)狀、實(shí)心圓柱 狀、多邊形環(huán)狀或不與信號(hào)穿孔33同心設(shè)置。并且該信號(hào)穿孔33與電源穿 孔(或接地穿孔)34相隔一段距離(抗墊片anti-pad),即二者之間不連接， 并且該電源穿孔(或接地穿孔)34的厚度最好必須大于對(duì)應(yīng)信號(hào)穿孔33上所
傳輸信號(hào)在工作頻率下的集膚深度(Skin depth )。因此，大部分的回路電流(由 信號(hào)穿孔33所感應(yīng)出來(lái))會(huì)走在電源穿孔(或接地穿孔)34上，而不致于一 部分走在電源穿孔(或接地穿孔)34, —部分走在介電質(zhì)材料中(未圖示)。 如此該電源穿孔(或接地穿孔)34所產(chǎn)生金屬損失會(huì)減少而降低該信號(hào)穿孔 33的插入損耗(insertion loss),即增加信號(hào)的透射率，進(jìn)而降低各信號(hào)穿孔 (未圖示)之間傳輸信號(hào)的相互干擾，從而保證信號(hào)質(zhì)量的完整性與有效性。
使用一般的PCB制程技術(shù)就可以做出圖2和圖4所示的創(chuàng)新穿孔結(jié)構(gòu)， 圖9a到圖9k用來(lái)說(shuō)明制造圖2所示的穿孔結(jié)構(gòu)的步驟，而圖10a到圖10j用 來(lái)說(shuō)明制造圖4所示的穿孔結(jié)構(gòu)的步驟。
圖9a顯示一個(gè)兩面都鍍有導(dǎo)電金屬平面51， 53的介電基板52。此兩個(gè) 導(dǎo)電金屬平面51， 53用來(lái)當(dāng)做電源平面或是接地平面。 一般PCB板用FR4 為材料，而任何適合的介質(zhì)材料都可用來(lái)當(dāng)做PCB的基板，例如低溫共燒 陶瓷(LTCC )或是Rogers Duroid等。
圖9b顯示一個(gè)貫孔54。此貫孔54可以用機(jī)械鉆孔或雷射鉆孔來(lái)達(dá)成。 圖9c顯示貫孔58被鍍上導(dǎo)電金屬57來(lái)將金屬平面55和56做電性連接。 圖9d顯示圖9c中的貫孔58被填滿(mǎn)介電材料61?？梢赃m當(dāng)?shù)剡x擇此介電 材料61來(lái)達(dá)到控制信號(hào)穿孔阻抗的目的?；瘜W(xué)氣相沉積可以用來(lái)填充此貫孔 58，許多其它的技術(shù)也可以用來(lái)填充此貫孔58，在此并不詳述。
圖9e顯示兩片介電材料62和63被粘貼到基板的兩面，粘貼的過(guò)程需要 加熱與硬化處理。
圖9f顯示基板的頂層和底層被鍍上導(dǎo)電金屬64和65?；瘜W(xué)氣相沉積或 是其它現(xiàn)有的技術(shù)都可以用來(lái)鍍上此導(dǎo)電金屬64和65。
圖9g說(shuō)明貫孔66是被如何做出來(lái)的，此貫孔66可以用機(jī)械鉆孔或雷射 鉆孔來(lái)達(dá)成。介于貫孔66和鍍上金屬的穿孔68之間之間隙67可以^皮適當(dāng)?shù)?設(shè)計(jì)來(lái)達(dá)到控制信號(hào)穿孔的阻抗的目的。
圖9h顯示圖9g中的貫孔66被鍍上導(dǎo)電金屬71來(lái)連接頂層和底層的導(dǎo) 電金屬69和70。我們也可以用圖9i所示的方式，就是將圖9g中的貫孔66 填滿(mǎn)成為導(dǎo)電金屬74來(lái)連接頂層和底層的導(dǎo)電金屬72和73。
圖9j顯示圖9h中的導(dǎo)電金屬69和70被做成信號(hào)線(xiàn)75和76。信號(hào)線(xiàn)75 和76可以用一般的PCB制程做出來(lái)，最后，信號(hào)線(xiàn)75和76通過(guò)導(dǎo)電金屬 77做電性連接。同樣地，圖9k顯示圖9i中的導(dǎo)電金屬72和73 ^皮做成信號(hào) 線(xiàn)78和79。信號(hào)線(xiàn)78和79也可以用一般的PCB制程做出來(lái)，最后，信號(hào) 線(xiàn)78和79通過(guò)導(dǎo)電金屬80做電性連接。
圖10a到圖10d顯示的制程和圖9a到圖9d的制程一樣。
圖10e顯示圖10d中的導(dǎo)電金屬101和102被做成信號(hào)線(xiàn)105和106。信 號(hào)線(xiàn)105和106可以用一般的PCB制程做出來(lái)，最后，信號(hào)線(xiàn)105和106通 過(guò)導(dǎo)電金屬107做電性連接。
圖10f顯示兩片介電材料108和109被粘貼到基板的兩面，粘貼的過(guò)程需 要加熱與硬化處理。
圖10g顯示基板的頂層和底層被鍍上導(dǎo)電金屬110和111?；瘜W(xué)氣相沉積 或是其它現(xiàn)有的技術(shù)都可以用來(lái)鍍上此導(dǎo)電金屬64和65。
圖10h顯示說(shuō)明貫孔112是被如何做出來(lái)的，此貫孔112可以用機(jī)械鉆 孔或雷射鉆孔來(lái)達(dá)成。介于貫孔112和鍍上金屬的穿孔113之間之間隙114 可以被適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)來(lái)達(dá)到控制信號(hào)穿孔的阻抗的目的。
圖10i顯示圖10h中的貫孔112被鍍上導(dǎo)電金屬118來(lái)連接頂層和底層的 導(dǎo)電金屬115和116。然而，我們也可以用圖10j所示的方式，就是將圖10h 中的貫孔112填滿(mǎn)成為導(dǎo)電金屬123來(lái)連接頂層和底層的導(dǎo)電金屬120和121。
本測(cè)試依照穿孔(via)的幾何大小來(lái)區(qū)分,分別有目前常用的主機(jī)板和IC 封裝電路尺寸的穿孔大??；而穿孔又分為兩種型態(tài)型態(tài)A(參考圖2)類(lèi)似 微帶線(xiàn)穿孔，與型態(tài)B (參考圖4)類(lèi)似帶線(xiàn)穿孔。主機(jī)板的穿孔測(cè)試分析部 份，請(qǐng)一同參閱圖5和圖6,其中圖5為針對(duì)主機(jī)板的類(lèi)似微帶線(xiàn)穿孔傳輸信 號(hào)的插入損耗(insertion loss)測(cè)試結(jié)果圖，其中該類(lèi)似微帶線(xiàn)穿孔在穿越電 源平面或接地平面時(shí)，分別有兩種情況a.未在外圍設(shè)置電源穿孔(或接地穿 孔)(參考圖l),與b.有在外圍設(shè)置電源穿孔(或接地穿孔)(參考圖2)。由 圖5可以看出，當(dāng)類(lèi)似微帶線(xiàn)穿孔傳輸頻率低于大約1.07GHz的信號(hào)時(shí)，有 設(shè)置電源穿孔(或接地穿孔)(參閱圖2)與未設(shè)電源穿孔(或接地穿孔)(參
閱圖1)的插入損耗的對(duì)比，信號(hào)輸入端與輸出端之間的插入損耗(insertion loss)在設(shè)置電源穿孔(或接地穿孔)之后，插入損耗(insertion loss)均有所 增加，也就是該類(lèi)似微帶線(xiàn)穿孔所傳輸信號(hào)的透射率增加，進(jìn)而降低了類(lèi)似 微帶線(xiàn)穿孔與主機(jī)板上其它穿孔之間的干擾，從而可確保類(lèi)似微帶線(xiàn)穿孔所 傳輸信號(hào)的完整性與有效性。
而圖6為針對(duì)主機(jī)板的類(lèi)似帶線(xiàn)穿孔傳輸信號(hào)的插入損耗(insertion loss ) 測(cè)試結(jié)果圖，其中該類(lèi)似帶線(xiàn)穿孔也分別有兩種情況a.未在內(nèi)圍設(shè)置電源穿 孔(或接地穿孔)(參考圖3 )，與b.有在內(nèi)圍設(shè)置電源穿孔(或接地穿孔)(參 考圖4)。由圖6可以看出，當(dāng)類(lèi)似帶線(xiàn)穿孔傳輸頻率低于大約1.07GHz的信 號(hào)時(shí)，實(shí)線(xiàn)代表有設(shè)置電源穿孔(或接地穿孔)(參考圖4)，而虛線(xiàn)代表未設(shè) 電源穿孔(或接地穿孔)(參考圖3)的插入損耗的對(duì)比，信號(hào)輸入端與輸出 端之間的插入損耗(insertion loss )在設(shè)置電源穿孔(或接地穿孔)之后，插 入損耗(insertion loss )均有所增加，由此該類(lèi)似帶線(xiàn)穿孔所傳輸信號(hào)的透射 率增加，進(jìn)而降低了類(lèi)似帶線(xiàn)穿孔與主機(jī)板上其它穿孔之間的千擾，從而確 保類(lèi)似帶線(xiàn)穿孔所傳輸信號(hào)的完整性與有效性。
同理，IC封裝的穿孔測(cè)試分析部份，請(qǐng)一同參閱圖7和圖8,其中圖7 為針對(duì)IC封裝尺寸的類(lèi)似微帶線(xiàn)穿孔所做的插入損耗測(cè)試結(jié)果圖，而圖8為 針對(duì)IC封裝尺寸的類(lèi)似帶線(xiàn)穿孔所做的插入損耗測(cè)試結(jié)果圖。圖7為針對(duì)IC 封裝尺寸的類(lèi)似微帶線(xiàn)穿孔(參考圖1圖和2 )傳輸信號(hào)的插入損耗(insertion loss)測(cè)試結(jié)果圖。由圖7可以看出，當(dāng)類(lèi)似微帶線(xiàn)穿孔傳輸頻率低于大約 20GHz的信號(hào)時(shí)，實(shí)線(xiàn)代表有設(shè)置電源穿孔(或接地穿孔)(參閱圖2)，而虛 線(xiàn)代表未設(shè)置電源穿孔(或接地穿孔)(參閱圖1)的插入損耗的對(duì)比，信號(hào) 輸入端與輸出端之間的插入損耗(insertion loss)在設(shè)置電源穿孔(或接地穿 孔)之后，插入損耗(insertion loss)均有所增加，也就是該類(lèi)似微帶線(xiàn)穿孔 所傳輸信號(hào)的透射率增加，進(jìn)而降低了類(lèi)似微帶線(xiàn)穿孔與主機(jī)板上其它穿孔 之間的千擾，從而可確保類(lèi)似微帶線(xiàn)穿孔所傳輸信號(hào)的完整性與有效性。
而圖8為針對(duì)IC封裝尺寸的類(lèi)似帶線(xiàn)穿孔傳輸信號(hào)的插入損耗(insertion loss)測(cè)試結(jié)果圖。由圖8可以看出，當(dāng)類(lèi)似帶線(xiàn)穿孔(參考圖3和圖4)傳輸頻率低于大約20GHz的信號(hào)時(shí)，有設(shè)置電源穿孔(或接地穿孔)(參閱圖4) 與未設(shè)電源穿孔(或接地穿孔)(參閱圖3)的插入損耗的對(duì)比，信號(hào)輸入端 與輸出端之間的插入損耗(insertion loss)在設(shè)置電源穿孔(或接地穿孔)之 后，插入損耗(insertion loss)均有所增加，由此該類(lèi)似帶線(xiàn)穿孔所傳輸信號(hào) 的透射率增加，進(jìn)而降低了類(lèi)似帶線(xiàn)穿孔與主機(jī)板上其它穿孔之間的干擾， 從而確保類(lèi)似帶線(xiàn)穿孔所傳輸信號(hào)的完整性與有效性。
相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明通過(guò)在信號(hào)穿孔的外圍或內(nèi)圍設(shè)有電源穿孔(或 接地穿孔)，并且該電源穿孔(或接地穿孔)的厚度大于該信號(hào)穿孔的信號(hào)工 作頻率所產(chǎn)生的集膚效應(yīng)厚度，如此信號(hào)穿孔所輻射的電^f茲波無(wú)法穿透該電 源穿孔(或接地穿孔)，從而增加信號(hào)穿孔的插入損耗，也就是增加信號(hào)穿孔 的透射率；又由于電磁波會(huì)集中在信號(hào)穿孔與電源穿孔(或接地穿孔)之間， 所以可以避免信號(hào)穿孔在傳輸信號(hào)時(shí)干擾其它信號(hào)穿孔上的信號(hào)而影響信號(hào) 的質(zhì)量，并且提供最近的電流回流路徑以及減少阻抗的不連續(xù)效應(yīng)來(lái)提高信 號(hào)傳輸?shù)馁|(zhì)量。
以上公開(kāi)的僅為本發(fā)明的幾個(gè)具體實(shí)施例，但是，本發(fā)明并非局限于此， 任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思的的變化都應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種在多層電路板中的穿孔結(jié)構(gòu)，可用來(lái)降低串音干擾與EMC輻射問(wèn)題并提高信號(hào)質(zhì)量，其特征在于，該穿孔結(jié)構(gòu)包括一基板，內(nèi)設(shè)有信號(hào)線(xiàn)路層、介電層、電源層、接地層和多個(gè)穿孔結(jié)構(gòu)。該多層電路板從上層到下層依序如下第一層的第一信號(hào)層；第二層的第一介電層；第三層的第一電源層或第一接地層；第四層的第二介電層；第五層的第二電源層或第二接地層；第六層的第三介電層；第七層的第二信號(hào)層；第一信號(hào)層通過(guò)信號(hào)穿孔與第二信號(hào)層連接；一個(gè)抗墊片位于信號(hào)穿孔與電源穿孔或接地穿孔之間；第一電源層或第一接地層通過(guò)電源穿孔或接地穿孔與第二電源層或第二接地層連接；此電源穿孔或接地穿孔位于信號(hào)穿孔的外圍。
2、 如權(quán)利要求l所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，第三層的第一電源層或第 一接地層和第五層的第二電源層或第二接地層必須有相同的電位。
3、 如權(quán)利要求1所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，信號(hào)穿孔可以是實(shí)心圓柱 狀或是空心圓環(huán)狀且信號(hào)穿孔與電源穿孔或接地穿孔為同心設(shè)置。
4、 如權(quán)利要求1所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，該穿孔結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于任何 電子電路基板如主機(jī)板、IC封裝基板或是低溫共燒陶瓷基板內(nèi)部的穿孔結(jié)構(gòu)。
5、 如權(quán)利要求1所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，電源平面或接地平面在積 體電路晶片中變?yōu)殡娫淳W(wǎng)格或接地網(wǎng)格。
6、 一種在多層電路板中的穿孔結(jié)構(gòu)，包括一信號(hào)線(xiàn)通過(guò)信號(hào)穿孔切換到另一信號(hào)線(xiàn)，其中信號(hào)穿孔沿著同一軸線(xiàn) 經(jīng)過(guò)多個(gè)電源平面、接地平面和介電層；一個(gè)電源穿孔或接地穿孔連接多個(gè)電源平面或多個(gè)接地平面； 一個(gè)電源穿孔或"J姿地穿孔環(huán)繞在信號(hào)穿孔的外圍。
7、 如權(quán)利要求6所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，信號(hào)穿孔與電源穿孔或接 地穿孔為同心設(shè)置且信號(hào)穿孔和電源穿孔或接地穿孔之間的距離與介電材料 可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)選擇來(lái)控制信號(hào)穿孔的阻抗。
8、 如權(quán)利要求6所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，信號(hào)穿孔和電源穿孔或接 地穿孔垂直于電路板的電源平面或接地平面。
9、 一種在多層電路板中的穿孔結(jié)構(gòu)，可用來(lái)降低串音干擾與EMC輻射 問(wèn)題并提高信號(hào)質(zhì)量，其特征在于，該穿孔結(jié)構(gòu)包括 一基板，內(nèi)設(shè)有信號(hào) 線(xiàn)路層、介電層、電源層、接地層和多個(gè)穿孔結(jié)構(gòu)。該多層電路板從上層到 下層依序如下第一層的第一電源層或第一接地層； 第二層的第一介電層； 第三層的第一信號(hào)層； 第四層的第二介電層； 第五層的第二信號(hào)層； 第六層的第三介電層； 第七層的第二電源層或第一接地層； 第 一信號(hào)層通過(guò)信號(hào)穿孔與第二信號(hào)層連接； 一個(gè)抗墊片位于信號(hào)穿孔與電源穿孔或接地穿孔之間； 第一電源層或第一接地層通過(guò)電源穿孔或接地穿孔與第二電源層或第二 接地層連接；此電源穿孔或接地穿孔位于信號(hào)穿孔的內(nèi)圍。
10、 如權(quán)利要求9所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一層的第一電源層或 第一接地層和第七層的第二電源層或第二接地層必須有相同的電位。
11、 如權(quán)利要求9所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，電源穿孔或接地穿孔可 以是實(shí)心圓柱狀或是空心圓環(huán)狀且信號(hào)穿孔與電源穿孔或接地穿孔為同心設(shè) 置。
12、 如權(quán)利要求9所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，該穿孔結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于任 何電子電路基板如主機(jī)板、IC封裝基板或是低溫共燒陶乾基板內(nèi)部的穿孔結(jié)
13、 如權(quán)利要求9所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，其中電源平面或接地平 面在積體電路晶片中變形為電源網(wǎng)格或接地網(wǎng)格。
14、 一種在多層電路板中的穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一個(gè)電源平面或接地平面通過(guò)電源穿孔或接地穿孔與另一個(gè)電源平面或接地平面連接；其中電源穿孔或接地穿孔沿著同 一軸線(xiàn)經(jīng)過(guò)多個(gè)電源平面、 接地平面和介電層；一個(gè)電源穿孔或接地穿孔可以連接所有具有相同電位的電源平面或接地 平面；一個(gè)電源穿孔或接地穿孔位于信號(hào)穿孔的內(nèi)圍。
15、 如權(quán)利要求14所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，信號(hào)穿孔與電源穿孔或 接地穿孔為同心設(shè)置且信號(hào)穿孔和電源穿孔或接地穿孔之間的距離與介電材 料可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)選擇來(lái)控制信號(hào)穿孔的阻抗。
16、 如權(quán)利要求14所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，信號(hào)穿孔和電源穿孔或 接地穿孔垂直于電路板的電源平面或接地平面。
17、 一種建立穿孔的方法，其特征在于，包括 建立一個(gè)穿孔結(jié)構(gòu)；把一個(gè)連接相同電位平面的導(dǎo)電穿孔設(shè)置在 一個(gè)連接信號(hào)線(xiàn)的穿孔的內(nèi)圍；把一個(gè)連接信號(hào)線(xiàn)的穿孔^:置在一個(gè)連接相同電位平面的導(dǎo)電穿孔的內(nèi)圍；分別在一個(gè)連接信號(hào)線(xiàn)的穿孔的內(nèi)圍與外圍設(shè)置兩個(gè)分別連接相同電位 平面的導(dǎo)電穿孔。
18、 如權(quán)利要求17所述建立穿孔的方法，其特征在于，連接信號(hào)線(xiàn)的穿孔與連接相同電位平面的導(dǎo)電穿孔為同心設(shè)置。
19、 如權(quán)利要求17所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，連接信號(hào)線(xiàn)的穿孔和連 接相同電位平面的導(dǎo)電穿孔垂直于電路板的電源平面或接地平面。
20、 一種在多層電路板中的穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，該多層電路板從上 層到下層依序如下第一層的第一電源平面或第一接地平面；第二層的第一介電層；第三層的第一接地平面或第一電源平面；第四層的第二介電層；第五層的第二接地平面或第二電源平面；第六層的第三介電層；第七層的第二電源平面或第二接地平面；第一電源平面或第一接地平面通過(guò)電源穿孔或接地穿孔與第二電源平面 或第二接地平面連接；第 一接地平面或第一電源平面通過(guò)接地穿孔或電源穿孔與第二接地平面 或第二電源平面連接；其中電源穿孔或接地穿孔的外圍設(shè)置一個(gè)接地穿孔或電源穿孔，因此電 路板的堆迭架構(gòu)可以是電源平面 一接地平面一接地平面 一 電源平面或是接 地平面一電源平面一電源平面一接地平面。
21、 如權(quán)利要求20所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一層的第一電源平面 或第一接地平面與第七層的第二電源平面或第二接地平面連接起來(lái)而且具有 相同電位。
22、 如權(quán)利要求20所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，電源穿孔或接地穿孔為 圓環(huán)狀或圓柱狀。
23、 如權(quán)利要求20所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，該穿孔結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于任 何電子電路基板如主機(jī)板、IC封裝基板或是低溫共燒陶資基板內(nèi)部的穿孔結(jié) 構(gòu)。
24、 如權(quán)利要求20所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，電源平面或接地平面在 積體電路晶片中變?yōu)殡娫淳W(wǎng)格或接地網(wǎng)格。
25、 一種在多層電路板中的穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括 一個(gè)電源平面或接地平面通過(guò)一個(gè)電源穿孔或接地穿孔與其它多個(gè)電源平面或多個(gè)接地平面連接，其中電源穿孔或接地穿孔沿著同 一軸線(xiàn)經(jīng)過(guò)多個(gè) 電源平面、接地平面和介電層；一個(gè)電源穿孔和一個(gè)接地穿孔分別連接其它的電源平面和接地平面； 一個(gè)電源穿孔或接地穿孔設(shè)置于接地穿孔或電源穿孔的外圍。
26、 如權(quán)利要求25所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，電源穿孔或接地穿孔與 接地穿孔或電源穿孔為同心設(shè)置且電源穿孔與接地穿孔之間的距離與介電材 料可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)選擇來(lái)控制電容的值。
27、 如權(quán)利要求25所述穿孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，電源穿孔與接地穿孔垂 直于電路板的電源平面和接地平面。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可改善電磁相容問(wèn)題并提高信號(hào)質(zhì)量的穿孔結(jié)構(gòu)，任何電路都會(huì)應(yīng)用到穿孔結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例以四層電路結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)明，而可應(yīng)用到任意多層數(shù)的電路結(jié)構(gòu)中；該四層電路結(jié)構(gòu)包括三種型態(tài)型態(tài)A(參考圖2)在信號(hào)穿孔外圍，做接地穿孔或電源穿孔。型態(tài)B(參考圖4)在信號(hào)穿孔內(nèi)圍，做接地穿孔或電源穿孔。型態(tài)C(參考圖2或圖4)參考型態(tài)A或型態(tài)B。用電源層或接地層取代信號(hào)層，則此接地穿孔與電源穿孔結(jié)構(gòu)變成「電容」。
文檔編號(hào)H01L23/498GK101346039SQ20071019848
公開(kāi)日2009年1月14日 申請(qǐng)日期2007年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月10日
發(fā)明者李察·華德·魯考斯基, 許軒儒 申請(qǐng)人:李察·華德·魯考斯基;許軒儒