專利名稱：一種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶體管的制造方法的技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種新型的接觸窗層 的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及其形成方法。
背景技術(shù)：
普通的接觸窗層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，是做在切割道的有源區(qū)上，利用接觸窗層的光 刻和蝕刻，在金屬前介質(zhì)層上產(chǎn)生溝槽形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。晶面金屬層光刻對(duì)準(zhǔn)時(shí)， 光刻對(duì)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)通過獲取接觸窗層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的光學(xué)信號(hào)來達(dá)到對(duì)準(zhǔn)的目的。如圖1 所示，公知技術(shù)中接觸窗層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成是在切割道區(qū)域的單晶硅襯底11上
的金屬前介質(zhì)層12上，利用光罩來光刻和蝕刻場(chǎng)金屬前介質(zhì)層形成溝槽，得到 接觸窗層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。平面功率晶體管的制造工藝中，通常金屬前介質(zhì)層的厚度 約為l-l.lpm，所以接觸窗層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記溝槽的深度也在1-1.1 Pm范圍內(nèi)，然而 晶面金屬層的厚度一般在3um以上，這就使得在晶面金屬層沉積上去后，接觸 窗層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記溝槽處趨于平坦，造成光刻對(duì)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)很難獲取接觸窗層對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記 的光學(xué)信號(hào)，產(chǎn)生對(duì)準(zhǔn)精度下降或無法對(duì)準(zhǔn)的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種新的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及其形成方法，解決對(duì)準(zhǔn)困難， 對(duì)準(zhǔn)信號(hào)難以獲取等問題，使對(duì)準(zhǔn)的精度提高。
本發(fā)明提供了一種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，在一襯底上依次形成有場(chǎng)氧化層、柵多晶硅 層和金屬前介質(zhì)層，分別在場(chǎng)氧化層、柵多晶硅層和金屬前介質(zhì)層中依次形成 相通的溝槽，將壘疊的多層溝槽作為該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
本發(fā)明提供了一種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法，至少包括
提供一襯底；
形成場(chǎng)氧化層覆蓋該襯底，在切割道上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域的場(chǎng)氧化層上形成
形成柵多晶硅層覆蓋該場(chǎng)氧化層，在覆蓋上述切割道處的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域的 上述柵多晶硅層上再形成溝槽；
形成金屬前介質(zhì)層覆蓋該柵多晶硅層，在覆蓋上述切割道處的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū) 域的上述金屬前介質(zhì)層上再形成溝槽，以形成一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
作為優(yōu)選，該形成方法中利用光刻和蝕刻形成上述溝槽。
作為優(yōu)選，該形成方法中上述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記呈階梯狀。
本發(fā)明提供的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及其形成方法使得金屬前介質(zhì)層的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的溝槽 深度加深，光刻時(shí)對(duì)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)獲取對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的光學(xué)信號(hào)變得更為容易，解決因?qū)?準(zhǔn)標(biāo)記過淺而產(chǎn)生的對(duì)準(zhǔn)精度下降或無法對(duì)準(zhǔn)的問題。
下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。對(duì)于所屬 技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，從對(duì)本發(fā)明的詳細(xì)說明中，本發(fā)明的上述和其他目 的、特征和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的示意圖。
圖2A表示本發(fā)明一較佳實(shí)施例的有源層光罩。
圖2B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的光刻后的場(chǎng)氧化層的剖面圖。
圖3A表示本發(fā)明一較佳實(shí)施例的疊對(duì)后的柵多晶硅層光罩和有源層光罩。
圖3B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的光刻后的場(chǎng)氧化層和柵多晶硅層的剖面圖。
圖4A表示本發(fā)明一較佳實(shí)施例的疊對(duì)后的柵多晶硅層光罩、有源層光罩和 接觸窗層光罩。
圖4B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的光刻后的場(chǎng)氧化層、柵多晶硅層和金屬前介 質(zhì)層的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明所述的一種新型的接觸窗層的對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 記作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
圖2A和2B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的第一步，利用有源層光罩 31對(duì)單晶硅襯底21上的場(chǎng)氧化層22進(jìn)行光刻或蝕刻處理，在切割道上對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 記區(qū)域開始蝕刻，形成溝槽，形狀如圖2B所示，在本實(shí)施例中，場(chǎng)氧化層22 的厚度為lPm，當(dāng)然，場(chǎng)氧化層的厚度，溝槽個(gè)數(shù)和形狀可以是任意的，不受 本實(shí)施例的限制。
圖3A和3B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的第二步，首先在場(chǎng)氧化層 22上增加一層?xùn)哦嗑Ч鑼?3，利用柵多晶硅層光罩32將柵多晶硅層23進(jìn)行光 刻或蝕刻處理，在切割道上對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域開始蝕刻，形成溝槽，如圖3B所示， 其中，柵多晶硅層23的溝槽大于場(chǎng)氧化層22的溝槽，因此溝槽處呈階梯狀， 柵多晶硅層光罩32比有源層光罩31的開口大，在本實(shí)施例中，柵多晶硅層23 的厚度為0.6um,當(dāng)然，柵多晶硅層的厚度，溝槽個(gè)數(shù)和形狀可以是任意的， 不受本實(shí)施例的限制。
圖4A和4B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的第三步，首先在柵多晶硅 層23上增加一層金屬前介質(zhì)層24，再利用光罩33將金屬前介質(zhì)層24進(jìn)行光刻 或蝕刻處理，在切割道上對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域開始蝕刻，形成溝槽，即對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，如 圖4B所示，其中，金屬前介質(zhì)層24的溝槽大于柵多晶硅層23的溝槽，因此溝 槽處呈階梯狀，光罩33比柵多晶硅層光罩32的開口大，在本實(shí)施例中，金屬 前介質(zhì)層24的厚度為1-1.1 um，當(dāng)然，金屬前介質(zhì)層的厚度，溝槽個(gè)數(shù)和形狀 可以是任意的，不受本實(shí)施例的限制。
現(xiàn)有技術(shù)中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的深度大約為金屬前介質(zhì)層的厚度，即約為1-1.1 li m，本實(shí)施例中形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與現(xiàn)有技術(shù)中的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記相比，深度約為2.6-2.7 um，是原對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的深度的2.5倍左右，因此，在光刻對(duì)準(zhǔn)時(shí)，對(duì)準(zhǔn)精度下降 或無法對(duì)準(zhǔn)的問題便可以得到解決。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來限定本發(fā)明的實(shí)施范圍；如 果不脫離本發(fā)明的精神和范圍，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改或者等同替換的，均應(yīng)涵蓋 在本發(fā)明的權(quán)利要求的保護(hù)范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.一種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其特征在于在一襯底上依次形成場(chǎng)氧化層、柵多晶硅層和金屬前介質(zhì)層，分別在場(chǎng)氧化層、柵多晶硅層和金屬前介質(zhì)層中依次形成相通的溝槽，將壘疊的多層溝槽作為該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
2. —種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的形成方法，其特征在于至少包括-提供一襯底；形成場(chǎng)氧化層覆蓋該襯底，在切割道上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域的場(chǎng)氧化層上形成形成柵多晶硅層覆蓋該場(chǎng)氧化層，在覆蓋上述切割道處的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域的 上述柵多晶硅層上再形成溝槽；形成金屬前介質(zhì)層覆蓋該柵多晶硅層，在覆蓋上述切割道處的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記區(qū) 域的上述金屬前介質(zhì)層上再形成溝槽，以形成一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于利用光刻和蝕刻形成上 述溝槽。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于上述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記呈階梯狀。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及其形成方法，具體為在一襯底上依次形成場(chǎng)氧化層、柵多晶硅層和金屬前介質(zhì)層，分別在場(chǎng)氧化層、柵多晶硅層和金屬前介質(zhì)層中依次形成相通的溝槽，將壘疊的多層溝槽作為該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。本發(fā)明提供的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記及其形成方法使得金屬前介質(zhì)層的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的溝槽深度加深，光刻時(shí)對(duì)準(zhǔn)機(jī)臺(tái)獲取對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的光學(xué)信號(hào)變得更為容易，解決因?qū)?zhǔn)標(biāo)記過淺而產(chǎn)生的對(duì)準(zhǔn)精度下降或無法對(duì)準(zhǔn)的問題。
文檔編號(hào)H01L23/544GK101373757SQ200710143399
公開日2009年2月25日 申請(qǐng)日期2007年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月23日
發(fā)明者施曉東, 斌 武, 王雪丹, 亮 石, 黃清俊 申請(qǐng)人:和艦科技(蘇州)有限公司