專利名稱：晶體管器件中淺結(jié)制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制作領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體管器件中淺結(jié)制 作方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶體管的特征尺寸不斷縮小，要求晶體 管的結(jié)深也隨著不斷縮小，甚至要求達(dá)到超淺結(jié)。目前實(shí)現(xiàn)不斷減小結(jié)深 的工藝是通過不斷的降低離子注入的能量來實(shí)現(xiàn)的(如圖1中的器件)， 但是超低能量的注入會引起一些問題，同時(shí)由于離子注入所固有的尾巴效 應(yīng)，使得超淺結(jié)的實(shí)現(xiàn)比較困難。在實(shí)現(xiàn)超淺結(jié)的同時(shí)也希望減小晶體管 的結(jié)電容。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種晶體管器件中淺結(jié)制作方法，可
實(shí)現(xiàn)結(jié)深為約100nm以下的超淺結(jié)的制作，并且還可減小晶體管的結(jié)電 容。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種晶體管器件中淺結(jié)制作方法， 包括
在硅襯底上面形成柵極，并在所述柵極的兩側(cè)形成側(cè)墻；
對所述硅襯底頂部位于柵極側(cè)墻兩側(cè)的位置進(jìn)行刻蝕，形成源漏區(qū)凹在硅片上淀積一層二氧化硅層，然后對所述二氧化硅層進(jìn)行刻蝕，使 得只在所述源漏區(qū)凹槽內(nèi)保留有二氧化硅層；
在硅片上再淀積一層多晶硅，然后對所述多晶硅進(jìn)行刻蝕，使得只有 所述源漏區(qū)凹槽內(nèi)的二氧化硅層上保留有多晶硅，構(gòu)成晶體管的源漏區(qū)；
對所述源漏區(qū)進(jìn)行離子注入，并進(jìn)行激活。
本發(fā)明由于采用了上述技術(shù)方案，具有這樣的有益效果，即通過在硅 襯底上形成源漏區(qū)凹槽，然后在所述源漏區(qū)凹槽內(nèi)形成位于二氧化硅之上 的多晶硅構(gòu)成的源漏區(qū)，從而實(shí)現(xiàn)了可以很好得控制晶體管源漏區(qū)結(jié)深， 實(shí)現(xiàn)結(jié)深為約100nm以下的超淺結(jié)的制作，并且實(shí)現(xiàn)了可以從很大程度上 減少源漏區(qū)結(jié)電容的目的。


下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明
圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)制作的器件的剖面結(jié)構(gòu)圖2為根據(jù)本發(fā)明所述方法的一個(gè)實(shí)施例的流程示意圖3a-3d為依據(jù)圖2制作淺結(jié)的剖面結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式
在一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，本發(fā)明所述晶體管器件中淺結(jié)制作方 法包括以下步驟
首先，如圖3a所示，在硅襯底上面形成柵極，并在所述柵極的兩側(cè) 形成側(cè)墻。
其次，如圖3b所示，對所述硅襯底頂部位于柵極側(cè)墻兩側(cè)的位置進(jìn)行刻蝕，形成源漏區(qū)凹槽，其中所刻蝕的凹槽的深度取決于所要實(shí)現(xiàn)的淺 結(jié)的深度，為后續(xù)淀積的二氧化硅層和多晶硅的厚度的總和。
第三步，在硅片上淀積一層二氧化硅層，且該二氧化硅層的厚度應(yīng)小 于所述源漏區(qū)凹槽的深度，主要取決于所要實(shí)現(xiàn)的結(jié)電容，然后使用公 知的光刻技術(shù)，對所述二氧化硅層進(jìn)行刻蝕，使得只在所述源漏區(qū)凹槽
內(nèi)保留有二氧化硅層，這時(shí)的剖面結(jié)構(gòu)如圖3c所示。
第四步，在硅片上再淀積一層多晶硅，然后使用公知的光刻技術(shù)，對 所述多晶硅進(jìn)行刻蝕，使得只有所述源漏區(qū)凹槽內(nèi)的二氧化硅層上保留有 多晶硅，構(gòu)成晶體管的源漏區(qū)，這時(shí)的剖面結(jié)構(gòu)如圖3d所示。其中，所 述多晶硅的厚度取決于所要實(shí)現(xiàn)的淺結(jié)的深度。
第五步，通過一塊光罩選中所述源漏區(qū)，然后對所述源漏區(qū)進(jìn)行離子 注入，并進(jìn)行激活，從而最終完成本發(fā)明所述淺結(jié)的制作。對所要注入離 子的要求與現(xiàn)有技術(shù)中源漏離子注入的要求相同，例如注入離子的類型取 決于所要實(shí)現(xiàn)的器件類型，例如對于麗OS晶體管來說，所注入的離子可 以為磷離子或者砷離子等；對于PMOS晶體管來說，所注入的離子可以為 硼離子或者二氟化硼等。而所要注入的離子的劑量和能量則取決于所要實(shí) 現(xiàn)的器件的各種性能要求。如上所述，由于源漏區(qū)是由構(gòu)成在二氧化硅上 的多晶硅構(gòu)成的，而注入的離子無法在二氧化硅層中進(jìn)行擴(kuò)散，因此本步 中的離子注入不會產(chǎn)生尾巴效應(yīng)，從而使得超淺結(jié)的實(shí)現(xiàn)相對比較容易， 只需通過將多晶硅的厚度控制為所需實(shí)現(xiàn)的超淺結(jié)的厚度就可以了。
從上述步驟可以看出，由于用于作為源漏區(qū)的多晶硅的厚度可以很好 的進(jìn)行控制，因此實(shí)現(xiàn)了可以較好地控制源漏區(qū)的結(jié)深，從而實(shí)現(xiàn)超淺結(jié)的制作，而且通過上述方法使得源漏區(qū)的結(jié)電容主要由原來的PN結(jié)的結(jié) 電容變成了主要有由多晶硅、二氧化硅以及硅襯底形成的平板電容所構(gòu)成 的結(jié)電容，另外由于該平板電容中二氧化硅的厚度較厚，而且其厚度可以 控制，從而實(shí)現(xiàn)了減小源漏區(qū)結(jié)電容的目的。
權(quán)利要求
1、一種晶體管器件中淺結(jié)制作方法，其特征在于，包括在硅襯底上面形成柵極，并在所述柵極的兩側(cè)形成側(cè)墻；對所述硅襯底頂部位于柵極側(cè)墻兩側(cè)的位置進(jìn)行刻蝕，形成源漏區(qū)凹槽；在硅片上淀積一層二氧化硅層，然后對所述二氧化硅層進(jìn)行刻蝕，使得只在所述源漏區(qū)凹槽內(nèi)保留有二氧化硅層；在硅片上再淀積一層多晶硅，然后對所述多晶硅進(jìn)行刻蝕，使得只有所述源漏區(qū)凹槽內(nèi)的二氧化硅層上保留有多晶硅，構(gòu)成晶體管的源漏區(qū)；對所述源漏區(qū)進(jìn)行離子注入，并進(jìn)行激活。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述晶體管器件中淺結(jié)制作方法，其特征在于，所 述多晶硅的厚度取決于所要實(shí)現(xiàn)的淺結(jié)的深度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶體管器件中淺結(jié)制作方法，通過在硅襯底上形成源漏區(qū)凹槽，然后在所述源漏區(qū)凹槽內(nèi)形成位于二氧化硅之上的多晶硅構(gòu)成的源漏區(qū)，從而實(shí)現(xiàn)了可以很好得控制晶體管源漏區(qū)結(jié)深，實(shí)現(xiàn)超淺結(jié)的制作，并且從很大程度上減少了源漏區(qū)的結(jié)電容。
文檔編號H01L21/02GK101459078SQ200710094430
公開日2009年6月17日 申請日期2007年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月11日
發(fā)明者劉俊文, 錢文生 申請人:上海華虹Nec電子有限公司