專利名稱：形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法。
背景技術(shù)：
隨著對(duì)更小的半導(dǎo)體器件的需求的不斷增長(zhǎng)，形成于半導(dǎo)體基板上的圖案彼此更加接近。為了在半導(dǎo)體基板上得到精細(xì)的圖案，光阻和曝光機(jī)得到了發(fā)展。
在光刻中，曝光工序利用KrF(248nm)或者ArF(193nm)作為光源。某些曝光工序利用短波長(zhǎng)的光源，如F2(157nm)或者EUV(13nm)。但是，每當(dāng)應(yīng)用一種新的光源，就需要一種新的曝光工序。結(jié)果導(dǎo)致了制造成本增加和焦深范圍降低。另外，因?yàn)槎滩ㄩL(zhǎng)的光源的分辨率限制在0.1微米，所以難以形成高集成度半導(dǎo)體器件所需要的精細(xì)圖案。

發(fā)明內(nèi)容
一種用于形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法包括在底層之上形成包括第一層硬掩模薄膜至第n層硬掩模薄膜(n為2或大于2的整數(shù))的疊層結(jié)構(gòu)，所述底層形成于半導(dǎo)體基板上；選擇性地蝕刻所述第n層硬掩模薄膜(頂層)以得到所述第n層的第一硬掩模圖案；在所述第n層的第一硬掩模圖案之間形成所述第n層的第二硬掩模圖案；使用所述第n層的第一和第二硬掩模圖案作為蝕刻掩模以蝕刻第(n-1)層硬掩模薄膜；重復(fù)所述形成硬掩模圖案的步驟，以在所述底層之上形成第一層的第一和第二硬掩模圖案；并且，使用所述第一層的第一和第二硬掩模圖案作為蝕刻掩模以蝕刻所述底層。
n為2到7的整數(shù)，更具體地，n等于3。
形成所述第二硬掩模圖案的方法還包括在所述第n層的第一硬掩模圖案之上形成所述第n層的第二硬掩模薄膜，并且使所述第二硬掩模薄膜平坦化以使所述第n層的第一硬掩模圖案露出；從上表面部分地去除所述第一硬掩模圖案；在所述第n層的第二硬掩模薄膜上進(jìn)行第一修蝕工序，以形成所述第n層的具有傾斜側(cè)壁的第二硬掩模圖案；在所得到的結(jié)構(gòu)上進(jìn)行第二修蝕工序，以在所述第n層的相鄰的第一硬掩模圖案之間形成所述第n層的第二硬掩模圖案。
具體地，一種用于形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法包括在底層之上形成第1至n層硬掩模薄膜(n為2或大于2的整數(shù))的疊層結(jié)構(gòu)，所述底層形成于半導(dǎo)體基板上；選擇性地蝕刻所述第n層(頂層)的第一硬掩模薄膜，以得到具有寬度W1和厚度T1的所述第n層的第一硬掩模圖案；在所述第n層的第一硬掩模圖案之上形成所述第n層的第二硬掩模薄膜，并且使該第二硬掩模薄膜平坦化以使所述第一硬掩模圖案露出；從所述第一硬掩模圖案的上表面去除T2的厚度(0＜T2＜T1)；在所述第n層的第二硬掩模薄膜上進(jìn)行第一修蝕工序，直到第(n-1)層的第一硬掩模薄膜露出為止，以形成所述第n層的具有傾斜側(cè)壁的第二硬掩模圖案；在所述第二硬掩模圖案上進(jìn)行第二修蝕工序，以使所述第n層的第二硬掩模圖案與所述第n層的第一硬掩模圖案分離，并且形成具有寬度W2的第三硬掩模圖案；使用所述第n層的第一和第三硬掩模圖案作為蝕刻掩模，以將所述第(n-1)層的第一硬掩模薄膜圖案化；重復(fù)所述形成硬掩模圖案的工序，直到所述底層露出為止，以形成所述第一層的具有寬度W5的第一硬掩模圖案和所述第一層的具有寬度W6的第三硬掩模圖案；以及使用所述第一層的第一和第三硬掩模圖案作為蝕刻掩模將所述底層圖案化。


圖1a至1k為示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明。
圖1a示出了疊層結(jié)構(gòu)，其包括順序形成于半導(dǎo)體基板111的底層113上的第一層的第一硬掩模薄膜115、第二層的第一硬掩模薄膜117。在第二層的第一硬掩模薄膜117上，形成具有寬度W1和厚度T1的第三層的第一硬掩模圖案119。而且，第三層的第一硬掩模圖案119以間距P1形成。底層113由用作字線、位線或者金屬線的材料形成。
第一層的第一硬掩模薄膜115、第二層的第一硬掩模薄膜117和第三層的第一硬掩模圖案119由下列物質(zhì)之一形成多晶硅、氧化物膜、氮化物膜、金屬或其組合。第一層的第一硬掩模薄膜115、第二層的第一硬掩模薄膜117和第三層的第一硬掩模圖案119由具有與相鄰硬掩模薄膜的蝕刻選擇性不同的蝕刻選擇性的材料形成。例如，第一層的第一硬掩模薄膜由多晶硅氧化物膜形成，第二層的第一硬掩模薄膜由鎢形成，第三層的第一硬掩模圖案由多晶硅膜形成。
通過在第三層的第一硬掩模薄膜上形成光阻膜以形成第三層的第一硬掩模圖案。借助設(shè)置在光阻膜上的曝光掩模以進(jìn)行曝光工序。進(jìn)行顯影工序以形成光阻圖案。使用該光阻圖案作為蝕刻掩模，來蝕刻第三層的硬掩模薄膜。隨后將光阻圖案去除。
在形成第三層的第一硬掩模圖案的曝光工序中，圖案設(shè)計(jì)成具有最小線寬和最小間距，進(jìn)行增加曝光能量和曝光時(shí)間的過度曝光工序，以使光阻膜的位于曝光掩模的遮蔽區(qū)中的側(cè)面曝光。光阻圖案以光刻工序所能得到的最小間隔形成。結(jié)果，第三層的第一硬掩模圖案119的寬度W1是可用傳統(tǒng)的光刻工序圖案化的極限分辨率尺寸。
如圖1b所示，在第三層的第一硬掩模圖案119之上和之間形成第三層的第二硬掩模薄膜121。對(duì)第三層的第二硬掩模薄膜121進(jìn)行平坦化工序，直到第三層的第一硬掩模圖案119露出為止。
第三層的第二硬掩模薄膜由具有與第三層的第一硬掩模圖案的蝕刻選擇性不同的蝕刻選擇性的材料形成。該第二硬掩模薄膜由有機(jī)膜或者無機(jī)膜形成。
有機(jī)膜可以包括光阻膜或者抗反射膜，其可以通過旋涂工序形成。例如，已經(jīng)在韓國專利公開No.1984-0003145和No.1985-0008565、US5,212,043、WO97/33198、WO96/37526、US5,750,680、US6,051,678、GB2,345,286A、US6,132,926、US6,225,020B1、US6,235,448B1以及US6,235,447B1中所公開的光阻膜。具體地，光阻膜的主劑包括從一個(gè)群組中選擇的化合物，所述群組包括聚乙烯基苯酚類、聚羥基苯乙烯類、聚降冰片烯類、聚金剛烷類、聚酰亞胺類、聚丙烯酸酯類、聚甲基丙烯酸酯類、聚氟類及其組合。更具體地，光阻膜的主劑包括從一個(gè)群組中選擇的聚合物，所述群組包括ROMA類聚合物(包括開環(huán)馬來酐重復(fù)單元)；COMA類聚合物(包括環(huán)烯烴重復(fù)單元，馬來酐重復(fù)單元和甲基丙烯酸酯或者丙烯酸酯重復(fù)單元)；及上述聚合物的混合型聚合物。抗反射膜由選自一個(gè)群組的樹脂形成，所述群組包括苯胺樹脂、三聚氰胺衍生樹脂、堿溶性樹脂、丙烯酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂及上述樹脂的組合。
無機(jī)膜為氧化物膜、氮化物膜或者多晶硅層。
圖1c示出了通過回蝕工序從第三層的第一硬掩模圖案的上表面去除T2的厚度。這里，T2滿足0＜T2≤(1/3)T1。使用選自一個(gè)群組的蝕刻氣體進(jìn)行去除工序，所述群組包括CF4、Cl2、HBr及其組合。例如，當(dāng)?shù)谌龑拥牡诙惭谀１∧橛袡C(jī)膜并且第三層的第一硬掩模薄膜為多晶硅膜時(shí)，使用CF4作為蝕刻氣體。
圖1d示出了第三層的具有傾斜側(cè)壁的第二硬掩模圖案121-1，該第二硬掩模圖案121-1是通過在圖1c的第三層的第二硬掩模薄膜上進(jìn)行第一修蝕工序而得到的。
在第一修蝕工序中，第三層的第二硬掩模薄膜的蝕刻速率比第三層的第一硬掩模圖案的蝕刻速率快大約九到十倍。第一修蝕工序使用選自一個(gè)群組的蝕刻氣體進(jìn)行，所述群組包括CF4、N2、O2、Ar、H及其組合。具體地，使用包括O2、CF4和Ar作為主要成分的蝕刻氣體進(jìn)行第一修蝕工序，濃度比例為O2∶CF4∶Ar＝1∶(7～10)∶(25～45)。
作為例子，當(dāng)?shù)谌龑拥牡谝挥惭谀D案為多晶硅層，并且第三層的第二硬掩模薄膜為有機(jī)膜且具體地為光阻膜時(shí)，使用包括3～4sccm(每分鐘標(biāo)準(zhǔn)毫升)的O2、30sccm的CF4以及130sccm的Ar作為蝕刻氣體進(jìn)行第一修蝕工序。
進(jìn)行第一修蝕工序以蝕刻第三層的第二硬掩模薄膜，直到第二層的第一硬掩模薄膜露出為止。因?yàn)榈谌龑拥牡诙惭谀１∧さ膫?cè)面通過去除工序而露出，所以露出的第三層的第二硬掩模薄膜的角部受到了蝕刻氣體的作用，這樣第三層的第二硬掩模圖案的側(cè)面成為傾斜形。
圖1e示出了第三層的第三硬掩模圖案121-2，其形成于第三層的第一硬掩模圖案之間。
在第二修蝕工序中，第三層的第二硬掩模圖案的蝕刻速率比第三層的第一硬掩模圖案的蝕刻速率快大約九到十倍。使用選自一個(gè)群組的蝕刻氣體進(jìn)行第二修蝕工序，所述群組包括CF4、N2、O2、Ar、H及其組合。具體地，使用包括O2、CF4和Ar作為主要成分的蝕刻氣體進(jìn)行第二修蝕工序，濃度比例為O2∶CF4∶Ar＝1∶(40～80)∶(25～50)。
作為例子，當(dāng)?shù)谌龑拥牡谝挥惭谀D案為多晶硅層，并且第二硬掩模薄膜為有機(jī)膜且具體地為光阻膜時(shí)，使用包括1～2sccm的O2、80sccm的CF4以及50sccm的Ar作為蝕刻氣體進(jìn)行第二修蝕工序。
在第二修蝕工序后，第三硬掩模圖案的寬度W2與第三層的第一硬掩模圖案的寬度(W1)相同。并且第3層的第一硬掩模圖案和第三硬掩模圖案以間距P2形成。這里，P2等于(1/2)P1。
圖1f示出了具有寬度W3和厚度T3的第二層的第一硬掩模圖案117-1，該圖案是通過將第二層的第一硬掩模薄膜117圖案化而得到的。將第三層的第一硬掩模圖案119和第三層的第三硬掩模圖案121-2作為蝕刻掩模，使用普通蝕刻工序進(jìn)行圖案化工序。
第二層的第一硬掩模圖案117-1的寬度W3與第三層的第一硬掩模圖案的寬度(W1)相同。另外，第二層的第一硬掩模圖案117-1以間距P2’形成(P2’＝P2)。
圖1g示出了第二層的第二硬掩模薄膜123，其形成于第二層的第一硬掩模圖案117-1之上且位于圖案117-1之間。
隨后將第二層的第二硬掩模薄膜平坦化以露出第二層的第一硬掩模圖案。通過回蝕工序從第二層的第一硬掩模圖案的上表面去除T4的厚度。這里，T4滿足0＜T4≤(1/3)T3。
第二層的第二硬掩模薄膜由具有與第二層的第一硬掩模圖案的蝕刻選擇性不同的蝕刻選擇性的材料形成。第二硬掩模薄膜由有機(jī)膜或者無機(jī)膜形成。
有機(jī)膜可以包括光阻膜或者抗反射膜，其可以通過旋涂工序形成。例如，光阻膜包括選自一個(gè)群組的化合物作為主劑，所述群組包括聚乙烯基苯酚、聚羥基苯乙烯、聚降冰片烯、聚金剛烷、聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚氟及其組合?？狗瓷淠みx自一個(gè)群組，所述群組包括苯胺樹脂、三聚氰胺衍生樹脂、堿溶性樹脂、丙烯酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂及其組合。
無機(jī)膜為氧化物膜、氮化物膜或者多晶硅層。
在與第三層的第一硬掩模薄膜的去除工序相同的條件下，進(jìn)行去除第二層的第一硬掩模圖案117-1的T4厚度的工序。更具體地，使用選自一個(gè)群組的蝕刻氣體進(jìn)行去除工序，所述群組包括CF4、Cl2、HBr及其組合。
圖1h示出了具有寬度W4的第二層的第二硬掩模圖案123-1，其位于第二層的相鄰的第一硬掩模薄膜之間，是通過在圖1g的所得到的結(jié)構(gòu)上進(jìn)行第一和第二修蝕工序而得到的。
第二層的第二硬掩模圖案123-1的寬度W4與第三層的第一硬掩模圖案的寬度(W1)相同。并且，第二層的第二硬掩模圖案和第一硬掩模圖案以間距P3形成(P3＝(1/2)P2)。
在與第三層的第二硬掩模薄膜的修蝕工序基本上相同的條件下，進(jìn)行上述第一和第二修蝕工序。
在第一修蝕工序中，第二層的第二硬掩模薄膜的蝕刻速率比第二層的第一硬掩模圖案的蝕刻速率快大約九到十倍。第一修蝕工序使用選自一個(gè)群組的蝕刻氣體進(jìn)行，所述群組包括CF4、N2、O2、Ar、H及其組合。
在第二修蝕工序中，第二層的第二硬掩模圖案的蝕刻速率比第二層的第一硬掩模圖案的蝕刻速率快大約九到十倍。第二修蝕工序使用選自一個(gè)群組的蝕刻氣體進(jìn)行，所述群組包括CF4、N2、O2、Ar、H及其組合。
圖li示出了具有寬度W5的第一硬掩模圖案115-1，該圖案通過將第一層的第一硬掩模薄膜115圖案化而得到。在該圖案化工序中，使用第二層的第一硬掩模圖案117-1和第二層的第二硬掩模圖案123-1作為蝕刻掩模。
第一層的第一硬掩模圖案具有間距P3’(P3’＝P3)。
圖1j示出了第一層的第二硬掩模圖案125，其形成于第一層的相鄰的第一硬掩模圖案115-1之間。
通過在第一層的第一硬掩模圖案115-1之上和之間形成第一層的第二硬掩模薄膜，形成第一層的第二硬掩模圖案。用第一層的第二硬掩模圖案作為蝕刻掩模，通過回蝕工序部分地去除第一層的第一硬掩模圖案。通過在所得到的結(jié)構(gòu)上進(jìn)行第一修蝕工序以形成第一層的具有傾斜側(cè)壁的第二硬掩模圖案。通過在所得到的結(jié)構(gòu)上進(jìn)行第二修蝕工序，在第一層的相鄰的第一硬掩模圖案之間形成第一層的具有寬度W6的第二硬掩模圖案125。
第一層的第二硬掩模圖案125的寬度W6與第三層的第一硬掩模圖案的寬度(W1)相同。并且第一層的第二硬掩模圖案和第一硬掩模圖案以間距P4形成(P4＝(1/2)P3)。
第一層的第二硬掩模薄膜由有機(jī)膜或者無機(jī)膜形成。
在與此前的回蝕工序基本上相同的條件下進(jìn)行回蝕工序，直到從第一層的第一硬掩模圖案的上表面去除(1/3)的厚度為止。
在與此前的修蝕工序基本上相同的條件下進(jìn)行第一和第二修蝕工序。
圖1k示出了通過將底層113圖案化而得到的底層圖案113-1。在圖案化工序中，使用第一層的第一硬掩模圖案115-1和第一層的第二硬掩模圖案125作為蝕刻掩模。
底層圖案的寬度W7與第三層的第一硬掩模圖案的寬度W1相同。相鄰的底層圖案具有間距P4’(P4’＝P4)。
如上所述，在多層硬掩模薄膜上進(jìn)行包括第一修蝕工序和第二修蝕工序的雙蝕刻工序。結(jié)果，第二硬掩模圖案具有比傳統(tǒng)光刻裝置所能得到的間距更小的間距。當(dāng)用所得到的硬掩模圖案蝕刻底層時(shí)，可以獲得傳統(tǒng)光刻裝置所不能得到的精細(xì)圖案。
而且，易于確保蝕刻工序的重合度、布置度和蝕刻余量，并且可能減少半導(dǎo)體器件的制造成本和工序時(shí)間。
本發(fā)明的上述實(shí)施例是示例性的而非限制性的。各種替代形式及等同形式都是可行的。本發(fā)明并不限于在此所述的光刻步驟。本發(fā)明也不限于任何特定類型的半導(dǎo)體器件。例如，本發(fā)明可以應(yīng)用于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)或非易失存儲(chǔ)器中。考慮到本發(fā)明所公開的內(nèi)容，其它的增加、減少或修改顯而易見并且位于所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
本申請(qǐng)要求2006年2月24日提交的韓國專利申請(qǐng)No.10-2006-0018145的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容以引用的方式并入本文。
權(quán)利要求
1.一種用于形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法，所述方法包括a)在底層上形成包括第一層硬掩模薄膜至第n層硬掩模薄膜的疊層結(jié)構(gòu)；b)蝕刻所述第n層硬掩模薄膜以得到所述第n層的第一硬掩模圖案；c)在所述第n層的第一硬掩模圖案之間形成所述第n層的第二硬掩模圖案；d)使用所述第n層的第一和第二硬掩模圖案作為蝕刻掩模以將第(n-1)層硬掩模薄膜圖案化；e)重復(fù)步驟c)至步驟d)以在所述底層上形成第一層的第一和第二硬掩模圖案；以及f)使用所述第一層的第一和第二硬掩模圖案作為蝕刻掩模以將所述底層圖案化。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，n為在2到7之間的整數(shù)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述底層設(shè)置于半導(dǎo)體基板之上。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，彼此相鄰的上層硬掩模薄膜和下層硬掩模薄膜具有彼此不同的蝕刻選擇性。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第n層的第二硬掩模圖案的步驟還包括在所述第n層的第一硬掩模圖案上形成所述第n層的第二硬掩模薄膜，并且使所述第二硬掩模薄膜平坦化以使所述第n層的第一硬掩模圖案露出；從上表面部分地去除所述第n層的第一硬掩模圖案；在所述第n層的第二硬掩模薄膜上進(jìn)行第一修蝕工序，以形成所述第n層的具有傾斜側(cè)壁的第二硬掩模圖案；以及在所得到的結(jié)構(gòu)上進(jìn)行第二修蝕工序，以在所述第n層的相鄰的第一硬掩模圖案之間形成所述第n層的第二硬掩模圖案。
6.一種用于形成半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法，所述方法包括在底層上形成第1至n層硬掩模薄膜的疊層結(jié)構(gòu)；蝕刻所述第n層的第一硬掩模薄膜，以形成所述第n層的具有寬度W1和厚度T1的第一硬掩模圖案；在所述第n層的第一硬掩模圖案之上形成所述第n層的第二硬掩模薄膜，并且使所述第二硬掩模薄膜平坦化以使所述第一硬掩模圖案露出；從所述第一硬掩模圖案的上表面去除T2的厚度，其中0＜T2＜T1；在所述第n層的第二硬掩模薄膜上進(jìn)行第一修蝕工序，直到第(n-1)層的第一硬掩模薄膜露出為止，以形成所述第n層的具有傾斜側(cè)壁的第二硬掩模圖案；在所述第二硬掩模圖案上進(jìn)行第二修蝕工序，以使所述第n層的第二硬掩模圖案與所述第n層的第一硬掩模圖案分離，并且形成具有寬度W2的第三硬掩模圖案；使用所述第n層的第一和第三硬掩模圖案作為蝕刻掩模，以將所述第(n-1)層的第一硬掩模薄膜圖案化；重復(fù)所述形成硬掩模圖案的工序，直到所述底層露出為止，以形成所述第一層的具有寬度W5的第一硬掩模圖案和所述第一層的具有寬度W6的第三硬掩模圖案；以及使用所述第一層的第一和第三硬掩模圖案作為蝕刻掩模將所述底層圖案化。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第n層的第一硬掩模圖案形成為具有間距P1，所述第n層的第一和第三硬掩模圖案形成為具有間距P2，其中P2＝(1/2)P1；以及所述第一層的第一和第三硬掩模圖案形成為具有間距P4’，其中P4’＝(1/8)P1。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述T2滿足0＜T2≤(1/3)T1。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述寬度W1為所使用的曝光設(shè)備的可圖案化的極限分辨率尺寸。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第n層的第一硬掩模圖案的寬度W1與所述第n層的第三硬掩模圖案的寬度W2、所述第一層的第一硬掩模薄膜的寬度W5以及所述第一層的第三硬掩模圖案的寬度W6基本上相等。
11.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述底層被蝕刻以限定字線、位線或者金屬線。
12.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，彼此相鄰的上層硬掩模薄膜和下層硬掩模薄膜具有彼此不同的蝕刻選擇性。
13.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第一硬掩模薄膜每個(gè)都由下列物質(zhì)之一形成多晶硅、氧化物膜、氮化物膜、金屬或其組合。
14.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第n層的第二硬掩模薄膜由具有與所述第n層的第一硬掩模薄膜的蝕刻選擇性不同的蝕刻選擇性的材料形成。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第n層的第二硬掩模薄膜由有機(jī)膜或者無機(jī)膜形成。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述有機(jī)膜為光阻膜或者抗反射膜，其均由旋涂工序形成。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述光阻膜包括從一個(gè)群組選擇的主劑，所述群組包括聚乙烯基苯酚類、聚羥基苯乙烯類、聚降冰片烯類、聚金剛烷類、聚酰亞胺類、聚丙烯酸酯類、聚甲基丙烯酸酯類、聚氟類及其組合。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述抗反射膜由選自一個(gè)群組的樹脂形成，所述群組包括苯胺樹脂、三聚氰胺衍生樹脂、堿溶性樹脂、丙烯酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂及其組合。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述無機(jī)膜為氧化物膜、氮化物膜或者多晶硅層。
20.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述去除第一圖案的步驟使用選自一個(gè)群組的蝕刻氣體進(jìn)行，所述群組包括CF4、Cl2、HBr及其組合。
21.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第一修蝕工序還包括采用比所述第n層的第一硬掩模圖案的蝕刻速率快9～10倍的速率蝕刻所述第n層的第二硬掩模圖案。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述第一修蝕工序使用選自一個(gè)群組的蝕刻氣體進(jìn)行，所述群組包括CF4、N2、O2、Ar、H及其組合。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中，所述第一修蝕工序使用包括O2∶CF4∶Ar＝1∶(7～10)∶(25～45)的蝕刻氣體進(jìn)行。
24.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第二修蝕工序還包括采用比所述第n層的第一硬掩模圖案的蝕刻速率快9～10倍的速率蝕刻所述第n層的第二硬掩模圖案。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中，所述第二修蝕工序使用選自一個(gè)群組的蝕刻氣體進(jìn)行，所述群組包括CF4、N2、O2、Ar、H及其組合。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中，所述第二修蝕工序使用包括O2∶CF4∶Ar＝1∶(40～80)∶(25～50)的蝕刻氣體進(jìn)行。
全文摘要
本發(fā)明公開一種用于制造半導(dǎo)體器件的精細(xì)圖案的方法，所述方法包括a)在底層之上形成包括第一層硬掩模薄膜至第n層硬掩模薄膜(n為2或大于2的整數(shù))的疊層結(jié)構(gòu)，所述底層形成于半導(dǎo)體基板上；b)選擇性蝕刻所述第n層硬掩模薄膜(頂層)以得到所述第n層的第一硬掩模圖案；c)在所述第n層的第一硬掩模圖案之間形成所述第n層的第二硬掩模圖案；d)使用所述第n層的第一和第二硬掩模圖案作為蝕刻掩模以蝕刻第(n－1)層硬掩模薄膜。重復(fù)步驟c)和步驟d)以在所述底層上形成第一層的第一和第二硬掩模圖案；并且，使用所述第一層的第一和第二硬掩模圖案作為蝕刻掩模以蝕刻所述底層。
文檔編號(hào)H01L21/02GK101026087SQ20071007929
公開日2007年8月29日 申請(qǐng)日期2007年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月24日
發(fā)明者鄭載昌 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司