專利名稱：具有深溝槽的半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體地說，涉及具有深溝槽(deeptrench)的 半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域， 一般采用深溝槽蝕刻技術(shù)來制造功率開關(guān)器件。請參 閱圖l及圖2，現(xiàn)有功率開關(guān)器件的制造方法一般包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯 底l;對半導(dǎo)體襯底表面因自然放置形成的氧化膜的進(jìn)行蝕刻步驟；對半導(dǎo)體襯 底l進(jìn)行主蝕刻，即蝕刻深溝槽2。但是采用現(xiàn)有的制造方法后，在后續(xù)向半導(dǎo) 體襯底1及深溝槽2沉積氧化層后，深溝槽2的頂端就會變小。這樣導(dǎo)致后續(xù) 沉積的多晶硅晶格排列不整齊，很容易出現(xiàn)縫隙，從而嚴(yán)重影響功率開關(guān)器件 的導(dǎo)電性能。因此，需要提供一種新的制造方法克服上述缺陷。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種導(dǎo)電性能好的具有深溝槽的半導(dǎo)體器件 的制造方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種具有深溝槽的半導(dǎo)體器件的制造 方法，其包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯底；對半導(dǎo)體襯底表面對應(yīng)欲蝕刻深溝 槽的位置處進(jìn)行淺溝槽蝕刻步驟；對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行主蝕刻，即在淺溝槽的基 礎(chǔ)上蝕刻所述深溝槽，其中淺溝槽的寬度大于深溝槽的寬度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明制造方法采用在深溝槽蝕刻步驟之前進(jìn)行淺溝槽 蝕刻步驟，且淺溝槽的寬度大于深溝槽的寬度，使得后續(xù)在半導(dǎo)體襯底沉積氧 化層步驟后，不會出現(xiàn)深溝槽頂端變小的情況，進(jìn)而使得后續(xù)沉積的多晶硅晶 格排列整齊，減少縫隙出現(xiàn)，從而起到提高半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電性能的有益效果。


通過以下對本發(fā)明一實施例結(jié)合其附圖的描述，可以進(jìn)一步理解其發(fā)明的目的、具體結(jié)構(gòu)特4i和優(yōu)點。其中，附圖為圖2為現(xiàn)有制造方法中對半導(dǎo)體襯底沉積氧化層后的示意圖。圖3為采用本發(fā)明制造方法中對半導(dǎo)體襯底蝕刻淺溝槽的示意圖。
具體實施方式
請參閱圖3,本發(fā)明公開了一種具有深溝槽的半導(dǎo)體器件的制造方法。該方 法包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯底10;采用四氟化-犮(CF4)蝕刻氣體，蝕刻半導(dǎo) 體襯底表面因自然放置而產(chǎn)生的氧化膜，其中四氟化碳?xì)怏w流量為50sccm(Standard Cubic Centimeter per Minute,每分4中標(biāo)準(zhǔn)毫升)，蝕刻時間為15 秒；采用溴化氫(HBr)和二氧化氦(He02)蝕刻氣體，對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行點火(Ignition)步驟，即對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行淺溝槽40蝕刻，其中溴化氫的氣體流 量為lOOsccm, 二氧化氦的氣體流量為20sccm,蝕刻時間為15秒；采用氧氣、 六氟化硫(SF6)、三氟曱烷(CHF3)及氬氣(Ar)蝕刻氣體，在淺溝槽40的位 置處繼續(xù)向下對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行深溝槽20蝕刻，氧氣的氣體流量80sccm,六氟 化硫的氣體流量40sccm,三氟甲烷的氣體流量25sccm，氬氣的氣體流量75sccm, 蝕刻時間為40秒，其中淺溝槽40的寬度大于深溝槽20的寬度。接下來的步驟即對半導(dǎo)體襯底沉積氧化層，氧化層覆蓋所述深溝槽20的側(cè) 壁和底壁。由于位于深溝槽20頂端的淺溝槽40的寬度大于深溝槽20的寬度， 因此氧化層沉積后不會造成深溝槽20頂端變小的情況，這樣在沉積多晶硅時不 易產(chǎn)生縫隙，多晶硅的晶格排列規(guī)則。采用此種制造方法獲得的半導(dǎo)體器件獲 得較好的導(dǎo)電性能。
權(quán)利要求
1. 一種具有深溝槽的半導(dǎo)體器件的制造方法，其包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯底；對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行深溝槽蝕刻；其特征在于在深溝槽蝕刻之前還包括對半導(dǎo)體襯底表面對應(yīng)深溝槽位置處進(jìn)行淺溝槽蝕刻步驟，所述深溝槽是在淺溝槽的基礎(chǔ)上蝕刻的，且淺溝槽的寬度大于深溝槽的寬度。
2. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于在蝕刻前溝槽步驟前還包括對 半導(dǎo)體襯底表面因自然放置形成的氧化膜的蝕刻步驟。
3. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于淺溝槽蝕刻步驟中，采用的蝕 刻氣體為溴化氫。
4. 如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于溴化氫的氣體流量為100sccm。
5. 如權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于淺溝槽蝕刻步驟中，采用的蝕 刻氣體還包括二氧化氦。
6. 如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于二氧化氦的氣體流量為20sccm。
7. 如權(quán)利要求1和3-6中任一項所述的制造方法，其特征在于淺溝槽的蝕刻 時間為15秒。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有深溝槽的半導(dǎo)體器件的制造方法，涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。該方法包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯底；對半導(dǎo)體襯底表面對應(yīng)欲蝕刻深溝槽的位置處進(jìn)行淺溝槽蝕刻步驟；對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行主蝕刻，即在淺溝槽的基礎(chǔ)上蝕刻所述深溝槽，其中淺溝槽的寬度大于深溝槽的寬度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，采用本發(fā)明的制造方法，使得后續(xù)在半導(dǎo)體襯底上沉積氧化層步驟后，不會出現(xiàn)深溝槽頂端變小的情況，進(jìn)而使得后續(xù)沉積的多晶硅晶格排列整齊，減少縫隙出現(xiàn)，從而提高半導(dǎo)體器件的導(dǎo)電性能。
文檔編號H01L21/02GK101281865SQ20071003919
公開日2008年10月8日 申請日期2007年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月6日
發(fā)明者立 王, 晶 黃 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司