專利名稱：晶片平坦度測(cè)量點(diǎn)分布方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于測(cè)量晶片平坦 度的測(cè)量點(diǎn)的分布方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域中，用于形成大規(guī)模集成電路的半導(dǎo)體晶片， 特別是單晶硅晶片，為了滿足在半導(dǎo)體晶片上能夠制造最大可能數(shù)量的 半導(dǎo)體器件，要求晶片表面具有很高的平坦度。而且隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn) 入深亞微米時(shí)代，半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，半導(dǎo)體晶片的直徑由原來的6英寸、8英寸到現(xiàn)在的12英寸。如此大面積的半導(dǎo)體晶片需要晶 片的正面中心和邊緣部分的平坦程度盡可能接近，都應(yīng)該確保具有要求 的平坦度。前述半導(dǎo)體晶片的正面為其上將要制造半導(dǎo)體元件的表面。 這意味著要以非常小的邊緣排除量來執(zhí)行平坦度的測(cè)量，并且不僅需要 被描述的整體部位(fijllsite，指能夠在其上形成全部元件的所有表面單 元)滿足指定的平坦度值，而且局部(partial site，指晶片邊緣的表面單 元)也應(yīng)當(dāng)滿足指定的平坦度值。對(duì)于確定半導(dǎo)體晶片的平坦度，申請(qǐng)?zhí)枮?00310123916.8的中國專利 申請(qǐng)公開了一種晶片平坦度評(píng)價(jià)方法?，F(xiàn)有技術(shù)中大都采用光學(xué)測(cè)量的 方式，利用光學(xué)掃描設(shè)備，例如KLA-Tencor公司的光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)，通過 系統(tǒng)自身的操作軟件生成對(duì)應(yīng)于被測(cè)晶片表面的、具有特定布局的測(cè)量 點(diǎn)，從測(cè)量點(diǎn)向晶片表面發(fā)射光波并接收反射光，經(jīng)計(jì)算各個(gè)測(cè)量點(diǎn)的 光反射率得到晶片表面的平坦度值。圖l為現(xiàn)有技術(shù)中晶片平坦度得測(cè)量點(diǎn)分布示意圖。如圖l所示，現(xiàn) 有測(cè)量點(diǎn)分布方法是將晶片沿圓周方向分成若干等分，測(cè)量點(diǎn)平均分布 于半徑方向，每個(gè)半徑方向分布的測(cè)量點(diǎn)數(shù)量相同。圖l中以生成64個(gè) 測(cè)量點(diǎn)為例，將圓周分成8等分，每個(gè)半徑上分布8個(gè)測(cè)量點(diǎn)。這種沿半徑平均分布的方法雖然生成算法簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，但是這種分布方法越 到晶片的邊緣測(cè)量點(diǎn)的密度越低，在很大程度上不能真實(shí)反應(yīng)晶片表面 的全局平坦程度。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種測(cè)量晶片平坦度的測(cè)量點(diǎn)的分布方法， 能夠提高測(cè)量點(diǎn)在晶片表面的分布均勻性，以非常小的邊緣排除量進(jìn)行 平坦度的測(cè)量。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種晶片平坦度測(cè)量點(diǎn)分布方法，包括測(cè)量所述晶片的半徑R; 將所述半徑劃分為特定數(shù)目的等份； 根據(jù)所述等份確定各同心圓；沿圓心到圓周的方向以數(shù)量遞增的方式在所述各同心圓的圓周上 布置測(cè)量點(diǎn)。所述特定數(shù)目為5至20之間的自然數(shù)N。所述各同心圓圓周上測(cè)量點(diǎn)的數(shù)目大于與所述同心圓相鄰的內(nèi)圏 同心圓圓周上測(cè)量點(diǎn)的數(shù)目。所述同心圃的圓心具有一個(gè)測(cè)量點(diǎn)。 所述各同心圓圓周上測(cè)量點(diǎn)的數(shù)目為奇數(shù)。優(yōu)選地，第一個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為3、第二個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為5、第三個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為7.......第n個(gè)同心圃的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為2n+l。所述測(cè)量點(diǎn)的位置按極坐標(biāo)的方式確定。優(yōu)選地，第一個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為R/N, 0度；R/N， 360度/3;賺，(360度/3) x2;第二個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為(R/N) x2， 0度；(R/N) x2, 360度/5;(腹)x 2， (360度/5) x 2);(謹(jǐn))x2， ( 360度/5 ) x3);(謹(jǐn))x2， (360度/5) x 4);第三個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為(R/N) x 3, 0度；(R/N) x 3， 360 >1/7;(廳)x3, (360度/7) x2)，.....，(謹(jǐn))x3， (360 度〃)x6;第n個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為(R/N) x n, O，； (R/N) xn, 360vl/(2n+l));(廳)xn， ( 360度/(2n+l)) *2 ),……，(應(yīng))x n， (360度/(2n+l)) x 2n)，其中n-l、 2.....N。優(yōu)選地，所述各同心圓圓周上測(cè)量點(diǎn)的數(shù)目為偶數(shù)。 第一個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為2、第二個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為4、第三個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為6.......第n個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為2n。所述測(cè)量點(diǎn)的位置按極坐標(biāo)的方式確定。第一個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為R/N, 0度；R/N， 360度/2;第二個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為(R/N) x2, 0度；(R/N) x2， 360度/4;(廳)x 2， (360度/4) x 2 );(謹(jǐn))x2， ( 360度/4 ) ");第三個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為(R/N) x3，0度；(R/N) x 3， 360度/6;(讓)x 3, (360度/6) x2),.....,(麵)"，(360 度/6) x5;第n個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為(R/N) x n， o，； (R/N) xn， 360度/(2n));(薩)xn， (360度/(2n)"2)，……，(謹(jǐn))xn， (360度/2n) x (2n-l ))，其中n-l、 2.....N。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的晶片平坦度測(cè)量點(diǎn)分布方法按照越往晶片邊緣測(cè)量點(diǎn)布 置得越多的方式分布測(cè)量點(diǎn)。如果在晶片表面畫出若干個(gè)同心圓的話， 那么越靠近晶片邊緣的圓的面積越大，也就是說對(duì)于特定尺寸的晶片來 說，同心圓界定的晶片表面面積隨著半徑長(zhǎng)度的增加而增加。本發(fā)明的 方法根據(jù)上述特性，將測(cè)量點(diǎn)的分布數(shù)量也隨著半徑長(zhǎng)度的增加而增 加，亦即隨著測(cè)量面積的增加而增加。與現(xiàn)有技術(shù)相比，在測(cè)量點(diǎn)數(shù)量 相同的情況下，晶片表面測(cè)量點(diǎn)的分布密度一致性大大提高，有利于更 加客觀地反應(yīng)晶片表面全局平坦程度，更加準(zhǔn)確而全面地反應(yīng)晶片表面 全局平坦度的一致性，為后續(xù)晶片的各項(xiàng)制造工藝提供有價(jià)值的表面形 態(tài)數(shù)據(jù)。附困說明通過附困中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的更具體說明，本發(fā)明的上 述及其它目的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。附圖中相同的部件使用了相同 的附圖標(biāo)記。附圖并未刻意按比例繪制，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。

圖1為現(xiàn)有^a術(shù)中晶片平坦度的測(cè)量點(diǎn)分布示意圖； 圖2為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在晶片表面劃分為同心圓的示意圖； 圖3為本發(fā)明實(shí)施例的晶片平坦度測(cè)量點(diǎn)分布示意圖； 圖4為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中晶片平坦度測(cè)量點(diǎn)分布方法獲得的晶片表面 形態(tài)示意圖；圖5為才M居本發(fā)明晶片平坦度測(cè)量點(diǎn)分布方法獲得的晶片表面形態(tài) 示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合 附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以^f艮多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員 可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公 開的具體實(shí)施的限制。圖2為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例在晶片表面劃分為同心圓的示意圖。所述 示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng)過度限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。半導(dǎo)體晶片 (wafer)俗稱大圓片，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的飛速發(fā)展，晶片的直徑已經(jīng) 大于300mm。如此大尺寸的半導(dǎo)體晶片要求其具有^L高的整體平坦度， 無論是晶片中心區(qū)域還是邊緣區(qū)域，其應(yīng)該具有很高的平坦一致性，這 對(duì)于后續(xù)半導(dǎo)體工藝的順利進(jìn)行是至關(guān)重要的，平坦度低的半導(dǎo)體晶片 會(huì)增加后續(xù)平坦化工藝的難度。因此對(duì)半導(dǎo)體晶片的平坦度的測(cè)量變得 日益重要。本發(fā)明的晶片平坦度測(cè)量點(diǎn)分布方法，如圖2所示，以將半 徑平均分為7等份為例，在晶片表面畫出若干個(gè)同心圓，越靠近晶片邊 緣的圓的面積越大。也就是說對(duì)于特定尺寸的晶片來說，同心圓界定的 晶片表面面積隨著半徑長(zhǎng)度的增加而增加。本發(fā)明的方法根據(jù)上述特 性，即圓的面積隨著半徑的增加而增加這一規(guī)律，將測(cè)量點(diǎn)的布置按照 越往晶片邊緣測(cè)量點(diǎn)布置得越多的方式。也就是說，將測(cè)量點(diǎn)的分布數(shù) 量隨著半徑長(zhǎng)度的增加而增加，亦即隨著測(cè)量面積的增加而增加，越往 晶片邊緣，晶片面積越大，測(cè)量點(diǎn)分布得越多，越多地覆蓋被測(cè)晶片表 面，從而使測(cè)量在晶片表面各區(qū)域得分布密度大致相同。圖3為本發(fā)明實(shí)施例的晶片平坦度測(cè)量點(diǎn)分布示意圖。所述示意圖 只是實(shí)例，其在此不應(yīng)過度限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。如圖3所示，并一 并參照?qǐng)D2。本實(shí)施例中，設(shè)晶片半徑R為140mm。根據(jù)實(shí)際晶片尺寸 和測(cè)量系統(tǒng)的需要，可以將晶片半徑平均分為N等份，其中N為5至 20之間的自然數(shù)。本實(shí)施例中將晶片半徑R平均分為7等份，即N-7， 每份為140/7*=20mm。在其他實(shí)施例中可以取其它數(shù)值。那么同心圓的 半徑為(140射)xn,其中n=l、 2.....N。因此，第一個(gè)同心圓的半徑為140/7=20mm，第二個(gè)同心圓的半徑為(140/7) x 2=40mm，第三個(gè) 同心圓的半徑為(140/7) x3=60mm,第四個(gè)同心圓的半徑為(140/7) x4=80mm，第五個(gè)同心圓的半徑為(140/7 ) x 5=i00mm，第六個(gè)同心 圓的半徑為(140/7) x6=120mm，第七個(gè)同心圓的半徑為(140/7) x 7=140mm。在同心圓的圓心布置第一個(gè)測(cè)量點(diǎn)1，其它所述各同心圓圓周上測(cè) 量點(diǎn)的數(shù)目為奇數(shù)，即按照第n個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為2n+l 的規(guī)律布置測(cè)量點(diǎn)。具體而言，第一個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為3 個(gè)，即測(cè)量點(diǎn)2、 3、 4;第二個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為5個(gè)，即 測(cè)量點(diǎn)5、 6、 7、 8、 9;第三個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為7個(gè)，即 測(cè)量點(diǎn)10、 11、 12、 13、 14、 15、 16;第四個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù) 目為9個(gè)，即測(cè)量點(diǎn)17、 18、 19、 20、 21、 22、 23、 24、 25;第五個(gè)同 心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為11個(gè)，即測(cè)量點(diǎn)26、 27、 28、 29、 30、 31、 32、 33、 34、 35、 36;第六個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為13個(gè)，即 測(cè)量點(diǎn)37、 38、 39、 40、 41、 42、 43、 44、 45、 46、 47、 48、 49;第七 個(gè)同心圓的圃周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為15個(gè)，即測(cè)量點(diǎn)50、 51、 52、 53、 54、 55、 56、 57、 58、 59、 60、 61、 62、 63、 64。在其它實(shí)施例中，N為其 它數(shù)值的話，依次類推，第n個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為2n+l。在本實(shí)施例中，測(cè)量點(diǎn)分布在同心圓的圓周上。那么在一個(gè)特定的 同心圓的圃周例如在第n個(gè)同心圓的圓周上，測(cè)量點(diǎn)的具體位置是按照 極坐標(biāo)的方式確定的，即第n個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為 (講)，O，；(讓)xn， 360度/(2n+l));(謹(jǐn))x n， ( 360度/(2n+l)) *2)，......， (R/N) xn, (360度/(2n+l)) x 2n)。具體到本實(shí)施例，第一個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)(2、 3、 4)的位置為20mm， 0度；20mm， 120度；20nun， 240度。第二個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)(5、 6、 7、 8、 9)的4立置為40mm， 0度；40mm， 72度；40mm, 144度；40mm， 216度;40mm， 288度。第三個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)(10、 11、 12、13、 14、 15、 16)的4立置為60mm， 0度；60mm, 51.4度；60mm, 102.9度；60mm, 154.3度；60mm, 205.7度；60mm， 257.1度；60mm, 308.5度。第四個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)(17、 18、 19、 20、 21、 22、23、 24、 25)的位置為80mm， 40度5 80mm， 80度；......80mm， 320度。第五個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)(26、 27、 28、 29、 30、 31、 32、 33、34、 35、 36)的位置為:100mm， 32.7度;100mm， 65.4度；......100mm，327.32度。第六個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)(37、 38、 39、 40、 41、 42、 43、 44、 45、 46、 47、 48、 49)的位置為120mm, 27.7度；120mm，55.4度;......120mm， 332.3度。第七個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)(50、51、 52、 53、 54、 55、 56、 57、 58、 59、 60、 61、 62、 63、 64)的位置為140腿，24度，140mm, 48度；140mm， 72度；......140mm, 336度。由圖3可以看出，隨著測(cè)量范圍向晶片邊緣沿展，測(cè)量點(diǎn)的數(shù)目越 來越多，也就是隨著測(cè)量面積的增加而增加，越往晶片邊緣，測(cè)量點(diǎn)分 布得越多，越多地覆蓋被測(cè)晶片表面，因此，從測(cè)量點(diǎn)荻得的信息便能 夠更加客觀而全面地反應(yīng)晶片表面形態(tài)。圖4為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中晶片平 坦度測(cè)量點(diǎn)分布方法獲得的晶片表面形態(tài)示意圖；圖5為根據(jù)本發(fā)明晶 片平坦度測(cè)量點(diǎn)分布方法獲得的晶片表面形態(tài)示意圖。如圖4和圖5所 示，圖4中的區(qū)域301和302并未顯示為平坦度異常區(qū)域，這是因?yàn)闇y(cè) 量點(diǎn)的分布不均勻，晶片的邊緣部分的面積相對(duì)較大，而測(cè)量點(diǎn)的數(shù)目 并沒有增加，沒有覆蓋更多的區(qū)域，因此會(huì)遺漏異常區(qū)域。而圖5中的 區(qū)域401與圖4中的區(qū)域301、圖5中的區(qū)域402與圖4中的區(qū)域302 表示的是同一區(qū)域，而在圖5中區(qū)域401和402顯示為平坦度異常區(qū)域， 可見本發(fā)明的測(cè)量點(diǎn)分布方法在測(cè)量點(diǎn)數(shù)量不變的情況下，由于能夠?qū)?測(cè)量點(diǎn)更力。均勻地分布在晶片的中心和邊緣區(qū)域，因此根據(jù)本發(fā)明的方 法獲得測(cè)量點(diǎn)數(shù)據(jù)可以更加全面客觀地反應(yīng)晶片表面形態(tài)。在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，所述各同心圓圓周上測(cè)量點(diǎn)的數(shù)目可以為偶數(shù)。即第一個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為2、第二個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為4、第三個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為6.......第n個(gè)同心圃的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為2n。所述測(cè)量點(diǎn)的位置也按^l坐標(biāo)的方 式確定。具體而言，第一個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為R/N， 0 度；R/N， 360度/2; 第二個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為(R/N) x2, 0度；(應(yīng))x2, 360度/4;(讓)x 2, (360度/4) x 2);(謹(jǐn)) x2， (360度/4) x3);第三個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為(R/N) x3, 0度；(謹(jǐn))x 3, 360度/6;(畫)x3， (360度/6) x2),.....， (R/N) x3， (360^/6) x5;第n個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為 (腿)xn， O，； (R/N) x n， 360度/(2n));(廳)x n, (360度/(2n)) *2)，……，(腿)xn， (360度/2n) x (2n曙l)。其中N為半徑的等份 數(shù)。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形 式上的限制.雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定 本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情 況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多 可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫 離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的 任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍 內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種晶片平坦度測(cè)量點(diǎn)分布方法，包括測(cè)量所述晶片的半徑R；將所述半徑劃分為特定數(shù)目的等份；根據(jù)所述等份確定各同心圓；沿圓心到圓周的方向以數(shù)量遞增的方式在所述各同心圓的圓周上布置測(cè)量點(diǎn)。
2、 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述特定數(shù)目為5至 20之間的自然數(shù)N。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于所述各同心圓圓 周上測(cè)量點(diǎn)的數(shù)目大于與所述同心圓相鄰的內(nèi)圏同心圓圓周上測(cè)量點(diǎn) 的數(shù)目。
4、 如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述同心圓的圓心具 有一個(gè)測(cè)量點(diǎn)。
5、 如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述各同心圓圓周上 測(cè)量點(diǎn)的數(shù)目為奇數(shù)。
6、 如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于第一個(gè)同心圓的圓周 上測(cè)量點(diǎn)數(shù)招為3、第二個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為5、第三個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為7.......第n個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為2n+l。
7、 如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于所述測(cè)量點(diǎn)的位置按 才及坐標(biāo)的方式確定。
8、 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于第一個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為R/N， 0度；R/N， 360度 /3;應(yīng)，(360度/3) x 2;第二個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為(R/N) x2, 0度；(R/N)x2， 360度/5;(膽)x 2， ( 360度/5 ) x 2 ); (R/N) x 2， ( 360度/5 )x3); (R/N) x2， (360度/5) x 4);笫三個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為(R/N) x3，0度；(R/N) x 3， 360度/7;(讓)"，(360度/7) ><2) ， ..... ， (R/N) x3, (360 度〃)x6;第n個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為(R/N) xn， o，； (R/N) xn， 360>l/(2n+l));(廳)xn， ( 360度/(2n+l)) *2 ),……，(謹(jǐn))x n， ( 360度/(2n+l)) x 2n)，其中n-l、 2.....N。
9、 如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述各同心圓圓周上 測(cè)量點(diǎn)的數(shù)目為偶數(shù)。
10、 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于第一個(gè)同心圓的圓周 上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為2、第二個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)tt目為4、第三個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為6.......第n個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為2n。
11、 如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述測(cè)量點(diǎn)的位置 按極坐標(biāo)的方式確定。
12、 如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于 第一個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為r/n, o度；r/n， 360度/2;第二個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為(R/N) x2, 0度；(R/N) x2, 360>1/4; (R/N) x 2， (360度/4) x 2);(謹(jǐn))x 2, (360度/4) x3);第三個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為(R/N) x3,0度；(R/N) x 3， 360度/6;(讓)x3， (360度/6) x2) ， ..... ， (R/N) x3, (360 度/6) x5;第n個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為(R/N) xn， O，； (R/N) xn, 360JL/(2n)); (R/N) x n， (360度/(2n)) *2 )，……，(謹(jǐn))x n， (360度/2n) x (2n-l ))，其中n-l、 2.....N。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶片平坦度測(cè)量點(diǎn)分布方法，包括測(cè)量所述晶片的半徑R；將所述半徑劃分為特定數(shù)目的等份；以所述各等份為半徑確定各同心圓；以數(shù)量遞增的方式將所述測(cè)量點(diǎn)布置于所述各同心圓的圓周上。本發(fā)明能夠提高測(cè)量點(diǎn)在晶片表面的分布均勻性，以非常小的邊緣排除量進(jìn)行平坦度的測(cè)量，更加全面客觀地反應(yīng)晶片表面形態(tài)。
文檔編號(hào)H01L21/66GK101256975SQ200710037779
公開日2008年9月3日 申請(qǐng)日期2007年2月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月27日
發(fā)明者宇 姚, 張斐堯, 李福洪, 江思明 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司