專利名稱：：控制多晶硅移除的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種化學-機械拋光含硅的基板層的方法，該方法具有對多晶硅的高選擇率。
背景技術(shù)：
：平坦化或拋光基板的表面的組合物及方法是本領(lǐng)域^^知的。拋光組合物(也稱為拋光漿料)通常含有在液體載體中的研磨材料，且通過使表面與以拋光組合物飽和的拋光墊接觸來施用至該表面。典型的研磨材料包括二氧化硅、氧化鈰、氧化鋁、氧化鋯及氧化錫。舉例而言，美國專利第5,527,423號描述了一種化學-機械拋光金屬層的方法，其通過使該表面與包含在含水介質(zhì)中的高純度精細金屬氧化物微粒的拋光漿料接觸而實現(xiàn)。拋光組合物通常與拋光墊(例如，拋光布或盤)結(jié)合使用。美國專利第6,062,968、6,117,000及6,126,532號描述合適的拋光墊，其公開了具有開孔式多孔網(wǎng)絡(luò)的燒結(jié)聚氨酯拋光墊的用途，且美國專利第5,489,233號也描述了合適的拋光墊，其公開了具有表面紋理或圖案的實心拋光墊的用途。代替懸浮于拋光組合物中或除了懸浮于拋光組合物中以外，可將研磨材料并入該拋光墊中。美國專利第5,958,794號公開了一種固定研磨拋光墊。作為一種隔離半導(dǎo)體器件的各元件的方法，大量工作是針對淺溝槽隔離(STI)工藝的，其中氮化硅層形成于硅基板上，淺溝槽經(jīng)由蝕刻或光刻法形成，且沉積介電層以填充溝槽。由于以此方式形成的溝槽或線深度的變化，故通常必須沉積過量介電材料于基板頂部上以確保完全填充所有溝槽。過量的介電材料(例如，氧化物)接著通常由化學-機械平坦化工藝移除以暴露該氮化硅層。當暴露該氮化硅層時，暴露于化學-機械拋光系統(tǒng)的基板的最大區(qū)域包含氮化硅，接著必須將其拋光以獲得高度平坦及均一的表面?？偟貋碚f，過去的實踐已強調(diào)對氧化物拋光優(yōu)先于氮化硅拋光的選才奪性。因此，該氮化硅層在化學-機械平坦化工藝期間充當阻止層，這是因為在氮化硅層暴露時，總拋光速率已下降。舉例而言，美國專利第6,544,892號及其中所引用的參考文獻描述了提供二氧化硅對氮化硅的選擇性的拋光組合物。美國專利第6,376,381號也描述了某些非離子性表面活性劑用于增大在氧化硅與氮化硅層之間的拋光選擇性的用途。近來，也已強調(diào)對氧化物拋光優(yōu)先于多晶硅拋光的選擇性。舉例而言，一系歹']Brij⑧及聚氧化乙烯表面活性劑以及Pluronic⑧L64(HLB為15的氧化乙烯-氧化丙烯-氧化乙烯三嵌段共聚物)的添加，據(jù)說增大氧化物對多晶硅的拋光選擇性(參見Lee等人的"EffectsofNonionicSurfactantsonOxide-to-PolysiliconSelectivityduringChemicalMechanicalPolishing",J".￡/e"rac/ze/7.5bc"7^Y<5,:G477-G481(2002))。而且，美國專利第6,626,968號據(jù)說經(jīng)由使用選自聚乙烯基曱基醚、聚乙二醇、聚氧乙烯23十二烷基醚(polyoxyethylene23laurylether)、聚丙酸、聚丙烯酸及聚醚二醇雙醚的具有親水性及疏水性官能基團的聚合物添加劑來獲得氧化硅對多晶硅的拋光選擇性。盡管有這些拋光組合物及方法，但在本領(lǐng)域中仍然需要可提供氧化硅及/或氮化硅相對于多晶硅的良好選擇性的拋光組合物及方法。本發(fā)明提供此種組合物及方法。本發(fā)明的這些及其他優(yōu)點，以及另外的發(fā)明特征自本文中所提供的本發(fā)明的描述可變得明晰。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種化學-機械拋光基板的方法，該方法包括(i)使包含多晶硅及選自氧化硅和氮化硅的材料的基板與化學-機械拋光系統(tǒng)接觸；(ii)相對于該基板移動該拋光墊，及(iii)磨除該基板的至少一部分以拋光該基板。該化學-機械拋光系統(tǒng)包含磨料、lppm至1000ppm(以液體載體及任何溶解或懸浮于其中的組分的總重量計)的HLB為15或更小的聚氧化乙烯/聚氧化丙烯共聚物表面活性劑、液體載體及拋光墊。具體實施例方式本發(fā)明涉及拋光基板的含硅層的方法，該方法具有對多晶硅的良好選擇性。該方法包括(i)使包含選自氧化硅和氮化硅并包含多晶硅的層的基板與化學-機械拋光系統(tǒng)接觸，(ii)相對于該基板移動該拋光墊，及(iii)磨除該基板的至少一部分以拋光該基板。已驚奇地發(fā)現(xiàn)使用少量親脂性聚氧化乙烯/聚氧化丙烯共聚物可抑制多晶硅的拋光速率，同時使諸如二氧化硅及氮化硅的其他層的拋光速率相對不變。因此，該化學-機械拋光系統(tǒng)包含磨料、lppm至1000ppm(以液體載體及任何溶解或懸浮于其中的組分的總重量計)的HLB為15或更小的聚氧化乙烯/聚氧化丙烯共聚物、液體載體及拋光墊。該聚氧化乙烯/聚氧化丙烯共聚物可為任何合適的共聚物且優(yōu)選以伯羥基或仲羥基為末端官能基團。為具有15或更小的期望HLB值，在該共聚物中的氧化乙烯重復(fù)單元的數(shù)量通常將小于氧化丙烯重復(fù)單元的數(shù)量。優(yōu)選地，氧化乙烯單元的數(shù)量小于該共聚物的40重量％、小于30重量％、小于25重量％、或甚至小于20重量％。該共聚物優(yōu)選具有12或更小、IO或更小、8或更小、或6或更小的HLB。更優(yōu)選地，該共聚物具有8或更小、或6或更小的HLB。優(yōu)選地，該共聚物具有為2或更大(例如，2至12、2至10、2至8、或2至6)、或3或更大(例如，3至12、3至9、3至7、或3至5)的HLB。該共聚物可具有任何合適的分子量。合意的是，該共聚物具有4000g/mol或更小(例如，3500g/mol或更小、或甚至3000g/mol或更小)的分子量。優(yōu)選地，該共聚物具有500g/mol至2000g/mol的分子量。通常該共聚物為由BASF出售的Pluronic⑧共聚物。合適的Pluronk^共聚物包括Pluronic⑧17R2、Pluronic25R2、Pluronic25R4、Pluronic31R1、PluronicL10、PluronicL31、PluronicL35、PluronicL42、PluronicL43、PluronicL44、PluronicL61、PluronicL62、PluronicL62D、PluronicL62LF、PluronicL63、PluronicL64、PluronicL81、PluronicL92、PluronicL101、PluronicL121、PluronicP84、PluronicP103、PluronicP104、PluronicP105及PluronicP123共聚物。優(yōu)選地，該共聚物選自Pluronic17R2、Pluronic25R2、Pluronic31R1、PluronicL31、PluronicL42、PluronicL61、PluronicL62、PluronicL62D、PluronicL62LF、PluronicL81、PluronicL92及PluronicL101共聚物。更優(yōu)選該共聚物選自PluronicL31、PluronicL42、PluronicL61、PluronicL62、PluronicL62D及PluronicL62LF共聚物。更進一步優(yōu)選該共聚物為PluronicL31共聚物。該拋光系統(tǒng)合意地僅包含少量共聚物，因為使用大量共聚物可導(dǎo)致對除多晶硅層之外的基板層的拋光速率的不必要抑制。因此，以液體載體及任何溶解或懸浮于其中的組分的總重量計，該拋光系統(tǒng)包含lppm至1000ppm的共聚物。優(yōu)選該共聚物的量為lOOppm至800ppm、200ppm至700ppm、或300ppm至600ppm。更優(yōu)選地，該共聚物的量為400ppm至600ppm、450ppm至550ppm、或500ppm。任何合適的磨料均可與本發(fā)明的拋光系統(tǒng)結(jié)合使用。合適的磨料能夠拋光基板表面，而不會在該基板表面中引入不利的刮痕或其他缺陷。該磨料優(yōu)選為金屬氧化物。合適的金屬氧化物磨料包括，例如，氧化鋁、二氧化硅、二氧化鈦、二氧化鈰、氧化鋯及氧化鎂，以及其共形成的產(chǎn)物、其混合物及其化學混雜物。通常該磨料選自氧化鋁、二氧化鈰、二氧化硅、氧化鋯及其組合。二氧化硅(特別是熱解二氧化硅)及二氧化鈰為優(yōu)選磨料，其中熱解二氧化硅更優(yōu)選。磨料可與任何合適的液體載體組合(例如，巻浮于液體載體中)以形成分散體或懸浮液(即"漿料")。合適的液體載體通常包括極性溶劑，優(yōu)選為水或含水溶劑。在磨料包含在分散體中時，分散體可具有任何適于拋光的磨料濃度。通常涵蓋以液體載體及任何溶解或懸浮于其中的組分的總重量計的0.1重量％的磨料或更多。合意的是，拋光系統(tǒng)將具有5重量％至20重量％的磨料。含有8重量％至15重量％的磨料(特別是熱解二氧化硅磨料)的拋光系統(tǒng)是優(yōu)選的。磨料(當存在且懸浮于液體載體中時)、共聚物、液體載體及溶解或懸浮于液體載體中的任選組分形成拋光系統(tǒng)的化學-機械拋光組合物。該拋光組合物可具有提供合適拋光速率的任何pH。通常該拋光組合物的pH為5或更大C例如，6或更大、或7或更大)。優(yōu)選地，該拋光組合物的pH為5至12。更優(yōu)選地，該拋光組合物的pH為6至10、或甚至7至9。更進一步優(yōu)選地，該拋光組合物的pH為8。視待拋光的基板而定，多種其他添加劑可與該拋光系統(tǒng)結(jié)合使用，以精細調(diào)節(jié)該拋光系統(tǒng)并獲得所需選擇性。在某些實施方案中，可選擇抑制氮化硅移除的添加劑，以獲得僅對二氧化硅的高拋光選擇性。舉例而言，胺、銨鹽、堿金屬離子、成膜劑、絡(luò)合劑、表面活性劑、流變控制劑、聚合穩(wěn)定劑或分散劑、及/或卣化物離子可存在于該拋光系統(tǒng)中。該添加劑可以任何合適的濃度存在于該拋光系統(tǒng)中。該胺可為任何合適的胺，其中多種在本領(lǐng)域中是已知的。通常該胺選自脂族胺、環(huán)胺、雜環(huán)胺、芳族胺、多元胺及其組合。在某些實施方案中，該胺化合物進一步包含至少一個含有至少一個氧原子(例如，氨基酸、氨基醇及其類似物)的極性部分。這種化合物可為任何合適的這類化合物且可包括二曱基丙醇胺(也稱為2-二曱氨基-2-曱基-l-丙醇或DMAMP)、2-氨基-2-曱基-l-丙醇(AMP)、2-(2-氨基乙氨基)乙醇、2-(異丙氨基)乙醇、2-(曱氨基)乙醇、2-(二乙氨基)乙醇、2-(2-(二曱氨基)乙氧基)乙醇、1,1'-[[3-(二曱氨基)丙基]亞氨基]-雙_2_丙醇、2-(丁氨基)乙醇、2-0忟丁基氨基)乙醇、2-(二異丙氨基)乙醇、N-(3-氨基丙基)嗎啉及其混合物。優(yōu)選地，該胺以0.2M或更大(例如，0.5M或更大)的濃度存在于該拋光組合物中。更優(yōu)選地，該胺以0.7M或更大、0.8M或更大、0.9M或更大、或甚至1M或更大的濃度存在于該拋光組合物中。該胺也可以I.IM或更大(例如，1.5M或更大)的濃度存在于該拋光組合物中。通常該胺以不超過3M的濃度、優(yōu)選為以不超過1.4M的量(例如，0.2M至1.4M,或更優(yōu)選地，0.7M至I.IM)存在于該拋光組合物中。該銨鹽可為任何合適的含有陽離子性胺的化合物，例如氫化胺(例如，氬氧化四曱銨(TMAH))及季銨化合物。這種銨鹽可吸附至待拋光的基板上的氮化硅層(若存在)且在拋光期間可降低、基本上降低或甚至抑制(即，阻斷)氮化硅的移除。優(yōu)選的氮化硅抑制劑組合物為二曱基丙醇胺與氫氧化四甲銨的1:1等重量比率的混合物。該堿金屬離子可為任何合適的堿金屬離子。合適的石咸金屬離子包括周期表的I族的任何單價堿性金屬。舉例而言，可使用鈉、鉀、銣、及銫離子。優(yōu)選鉀及銫離子，其中更優(yōu)選鉀離子?？墒褂萌魏魏线m的堿金屬離子來源。舉例而言，堿金屬鹽或堿金屬氫氧化物(例如，KC1或K0H)為合適的堿金屬離子來源。優(yōu)選地，該堿金屬離子以0.15M或更大(例如，0.2M或更大)的濃度存在于該拋光組合物中。更優(yōu)選地，該石威金屬離子以0.25M或更大、0.3M或更大、0.35M或更大、0.4M或更大、或甚至0.45M或更大的濃度存在于該拋光組合物中。通常該;威金屬離子以不超過1.5M的量、優(yōu)選為以不超過0.75M(例如，0.15-0.75M、或更優(yōu)選為0.2M-0.5M)的量存在于該拋光組合物中。任何合適的成膜劑(即，腐蝕抑制劑)可與該拋光系統(tǒng)結(jié)合使用。舉例而言，在STI拋光方法中，合適的成膜劑通常包括優(yōu)先吸附至氮化硅且阻止氮化硅的拋光的表面活化劑(即，表面活性劑)。因此，合適的成膜劑包括，例如，烷基胺、烷醇胺、羥胺、磷酸酯、十二烷基石危酸鈉、脂肪酸、聚丙烯酸酯、聚曱基丙烯酸酯、聚乙烯基膦酸酯、聚蘋果酸酯、聚苯乙烯磺酸酯及聚乙烯基磺酸酯。其他成膜劑包括，例如，苯并三唑、三唑、苯并咪唑及其混合物。任何合適的絡(luò)合劑(即，螯合劑或選擇性增強劑)可與該拋光系統(tǒng)結(jié)合使用。合適的絡(luò)合劑包括，例如，羰基化合物(例如，乙酰丙酮化物及其類似物)、簡單羧酸鹽(例如，醋酸鹽、芳基羧酸鹽及其類似物)、含有一個或多個羥基的羧酸鹽(例如，羥乙酸鹽、乳酸鹽、葡糖酸鹽、五倍子酸及其鹽、及類似物)、二-、三-及多-羧酸鹽(例如，草酸鹽、鄰苯二曱酸鹽、檸檬酸鹽、琥珀酸鹽、酒石酸鹽、蘋果酸鹽、乙二胺四乙酸鹽(例如，乙二胺四乙酸二鈉)、其混合物、及其類似物)、及含有一個或多個磺酸基及/或膦酸基的羧酸鹽。合適的螯合劑或絡(luò)合劑也可包括，例如，二醇、三醇或多元醇(例如，乙二醇、鄰苯二盼、連苯三酚、鞣酸及其類似物)及含磷酸根的化合物(例如，鱗鹽及膦酸)。任何合適的表面活性劑及/或流變控制劑可與該拋光系統(tǒng)結(jié)合使用，包括粘度增強劑及凝聚劑。合適的流變控制劑包括聚合流變控制劑，例如氨基曱酸酯聚合物(例如，分子量大于100,000道爾頓的氨基曱酸酯聚合物)，包含一個或多個丙烯酸類子單元的丙烯酸酯(例如，丙烯酸乙烯酯及丙烯酸苯乙烯酯)及其聚合物、共聚物及寡聚物，及其鹽。優(yōu)選地，該流變控制劑為低分子量羧酸酯堿或高分子量聚丙烯酰胺劑。合適的表面活性劑包括，例如，陽離子性表面活性劑、陰離子性表面活性劑、陰離子性聚電解質(zhì)、非離子性表面活性劑、兩性表面活性劑、氟化表面活性劑、其混合物，及其類似物。該拋光系統(tǒng)可含有任何合適的聚合穩(wěn)定劑或其他表面活性分散劑。合適的穩(wěn)定劑包括，例如，磷酸、有機酸、氧化錫、有機膦酸鹽、其混合物、及其類似物。本文中所述的化合物已為實現(xiàn)說明的目的而分類，且并非欲將這些化合物的用途限制于其所述的分類中。本領(lǐng)域技術(shù)人員可理解，某些化合物在不同情況中可不同地執(zhí)行其功能及/或執(zhí)行多于一種功能?？赏ㄟ^使用任何合適的技術(shù)使該基板的表面與該拋光系統(tǒng)接觸來拋光(例如，平坦化)該基板。舉例而言，在典型CMP工藝中，使用本發(fā)明的拋光系統(tǒng)在受控的化學、壓力、速度及溫度條件下將晶片壓向拋光墊，且使該墊及晶片相對于彼此移動。接著自該晶片的表面移除材料。該基板包含多晶硅和氧化硅及/或氮化硅。該多晶硅可為任何合適的多晶硅，其中許多在本領(lǐng)域中是已知的。該多晶硅可具有任何合適的相，且可為非晶、結(jié)晶或其組合。類似地，該氧化硅可為任何合適的氧化硅，其中許多在本領(lǐng)域中是已知的。氧化硅的合適類型包括，但不限于，硼磷硅玻璃(BPSG)、等離子體增強的原硅酸四乙酯(PETEOS)、熱氧化物、未摻雜的硅酸鹽玻璃、及高密度等離子體(HDP)氧化物。可使用該拋光系統(tǒng)以任何合適的拋光墊(例如，拋光表面)來拋光該基板。合適的拋光墊包括，例如，編織及非編織拋光墊。此外，合適的拋光墊可包含任何具有變化的密度、硬度、厚度、壓縮性、經(jīng)壓縮后的回彈能力及壓縮模量的合適聚合物。合適的聚合物包括，例如，聚氯乙烯、聚氟乙烯、尼龍、氟碳化物、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯、及其共形成的產(chǎn)物、及其混合物。如上所述，該拋光系統(tǒng)的磨料可整體或部分地固定(例如，嵌入)于該拋光墊內(nèi)或該拋光墊上?？衫缤ㄟ^在該拋光墊形成期間將磨料共混至上述聚合物中或通過在該墊形成之后使用已知的粘合劑將該磨料粘附于該墊上來完成磨料在該拋光墊上的這種固定。合意的是，多晶硅的拋光移除速率基本上與在除了聚氧化乙烯/聚氧化丙烯共聚物不存在以外的相同條件下的多晶硅的移除速率相同。因此，該拋光系統(tǒng)的優(yōu)選配制物可提供氧化硅及/或氮化硅表面相對于多晶硅表面的選擇性拋光。該選擇性在某種程度上可通過改變該拋光系統(tǒng)的組分的相對濃度來控制。當本發(fā)明的方法合意時，可將本發(fā)明的方法用于以2:1或更大(例如，4:1或更大、或6:1或更大)的氮化硅對多晶硅的拋光選擇性來拋光基板。此外，可將本發(fā)明的方法用于以5:1或更大(例如，10:1或更大、或15:1或更大)的二氧化硅對多晶硅的拋光選擇性來拋光該基板。某些配制物可展示甚至更高的二氧化硅對多晶硅的選擇性，諸如20:1或更大、或甚至30:1或更大。在優(yōu)選實施方案中，本發(fā)明的方法同時提供二氧化硅及氮化硅相對于多晶硅的選擇性拋光。以下實施例進一步說明本發(fā)明，但當然不應(yīng)視為以任何方式限制其范圍。實施例1該實施例說明HLB為15或更小的聚氧化乙烯/聚氧化丙烯共聚物對多晶硅及其他含硅層的拋光移除速率的效果。將pH為8的包含12重量％的熱解二氧化硅及水的六種拋光組合物(組合物1A-1F)用于拋光包含多晶硅、氮化硅及硼磷硅玻璃(BPSG)的基板。組合物1A-1F分別含有50ppm的PluronicL121(本發(fā)明)、PluronicL31(本發(fā)明)、Pluronic17R2(本發(fā)明)、PluronicP84(本發(fā)明)、PluronicF127(對比)或PluronicF38(對比)共聚物。測定這些拋光組合物中的每一種在10ppm及50ppmPluronic⑧共聚物下的多晶硅、BPSG及氮化硅層的拋光移除速率(RR)。也在不存在任何Pluronic⑧共聚物的情況下測定多晶硅、BPSG及氮化硅層的拋光移除速率。這三種材料中的每一種的移除速率變化百分比展示于表l(50ppm對0ppm表面活性劑)及表2(50ppm對10ppm表面活性劑)中。表l多晶硅、BPSG及氮化硅層的移除速率變化百分比(50ppm對0ppm)。<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>表2在pH4時多晶硅、BPSG及氳化硅層移除速率變化百分比(50ppm對10ppm)。__<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>表1及表2中展示的數(shù)據(jù)說明少量HLB值為8或更小的Pluronic⑧表面活性劑有效地抑制多晶硅的移除而不顯著抑制其他含硅基板層的拋光。相反，HLB值大于8的Pluronic⑧表面活性劑對于抑制多晶硅的移除而言并不顯著有效。實施例2該實施例說明可使用本發(fā)明的方法獲得的氮化硅對多晶硅的拋光選擇性。將pH為8的包含10重量％的熱解二氧化硅及水的三種拋光組合物(組合物2A-2C)用于拋光包含多晶硅、氮化硅、及硼磷硅玻璃(BPSG)的基板。組合物2A(對照)不含有共聚物。組合物2B及2C(本發(fā)明)分別進一步包含100ppm及l(fā)OOOppmPluronicL31共聚物(其HLB為5)。對這些拋光組合物中的每一種測定多晶硅、氮化硅及BPSG的拋光移除速率(RR)。各組合物的移除速率及選擇性展示于表3中。表3氮化硅、BPSG、多晶硅的移除速率和氮化硅及BPSG對多晶硅的<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>表3中展示的數(shù)據(jù)說明低濃度(即，1000卯m或更小)的HLB為8或更小的聚氧化乙烯/聚氧化丙烯共聚物有效地抑制多晶硅的拋光而對其他基板層的拋光速率無任何有害影響。權(quán)利要求1.一種化學-機械拋光基板的方法，該方法包括(i)使包含多晶硅及選自氧化硅和氮化硅的材料的基板與化學-機械拋光系統(tǒng)接觸，該化學-機械拋光系統(tǒng)包含(a)磨料；(b)液體載體；(c)以該液體載體及任何溶解或懸浮于其中的組分的重量計，1ppm至1000ppm的聚氧化乙烯/聚氧化丙烯共聚物，該共聚物的HLB為15或更小；及(d)拋光墊，(ii)相對于該基板移動該拋光墊，及(iii)磨除該基板的至少一部分以拋光該基板。2.卡又利要求1的方法，其中該共聚物的量為100ppm至800ppm。3.^又利要求1的方法，其中該共聚物的分子量為4000g/mol或更小。4.權(quán)利要求1的方法，其中該共聚物的HLB為8或更小。5.權(quán)利要求l的方法，其中該共聚物以羥基封端。6.權(quán)利要求1的方法，其中該磨料選自氧化鋁、二氧化鈰、二氧化硅、氧化鋯及其組合。7.權(quán)利要求6的方法，其中該磨料為熱解二氧化硅。8.權(quán)利要求6的方法，其中該磨料為二氧化鈰。9.權(quán)利要求l的方法，其中該磨料懸浮于該液體載體中。10.權(quán)利要求9的方法，其中以該液體載體及任何溶解或懸浮于其中的組分的重量計，該磨料的量為5重量％至20重量％。11.權(quán)利要求10的方法，其中該磨料的量為8重量％至15重量％。12.權(quán)利要求9的方法，其中該液體載體包含水。13.權(quán)利要求12的方法，其中該pH為5至12。14.權(quán)利要求13的方法，其中該pH為7至9。15.權(quán)利要求l的方法，其中該拋光系統(tǒng)進一步包含溶解或懸浮于該液體載體中的絡(luò)合劑。16.權(quán)利要求l的方法，其中該拋光系統(tǒng)進一步包含溶解或懸浮于該液體載體中的胺。17.權(quán)利要求l的方法，其中該基板包含氧化硅及氮化硅兩者。18.權(quán)利要求l的方法，其中該多晶硅的拋光移除速率基本上與在除該共聚物不存在以外的相同條件下的移除速率相同。全文摘要本發(fā)明涉及一種以包含磨料、聚氧化乙烯/聚氧化丙烯共聚物、水及拋光墊的化學-機械拋光系統(tǒng)來化學-機械拋光包含多晶硅及選自氧化硅和氮化硅的材料的基板的方法。文檔編號H01L21/321GK101322227SQ200680044961公開日2008年12月10日申請日期2006年9月29日優(yōu)先權(quán)日2005年10月4日發(fā)明者保羅·菲尼,杰弗里·戴薩德,蒂莫西·約翰斯申請人:卡伯特微電子公司