專利名稱：基板處理系統(tǒng)及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)例如半導(dǎo)體晶體或LCD基板(液晶顯示屏用玻璃基板)等基板進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理、和曝光后的顯影處理等的基板處理系統(tǒng)及基板處理方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件和LCD基板的制造工序中，利用顯影處理、即稱為光刻法的技術(shù)，形成電路圖形，所述顯影處理指在作為被處理體的基板上形成規(guī)定的膜后，涂敷作為處理液的光致抗蝕劑(以下稱為抗蝕劑)而形成抗蝕劑膜，與電路圖形對(duì)應(yīng)地對(duì)抗蝕劑膜進(jìn)行曝光。在該光刻法技術(shù)中，基板經(jīng)過下述一連串處理，而在抗蝕劑層形成規(guī)定的電路圖形，所述一連串處理的主要工序?yàn)榍逑刺幚怼撍姹骸街?疏水化)處理→抗蝕劑涂敷→預(yù)烘焙→曝光→顯影前烘焙→顯影→后烘焙。
這樣的處理，一般在進(jìn)行抗蝕劑的涂敷和顯影的涂敷顯影裝置上，使用連接有曝光裝置的抗蝕劑圖形形成裝置進(jìn)行。作為這樣的裝置，提出的是例如專利文獻(xiàn)1所示的裝置，在該裝置中，例如如圖10所示，收納有多片晶片W的承載體10被運(yùn)入承載區(qū)1A的承載臺(tái)11，承載體10內(nèi)的晶片W由交接臂12交接至處理區(qū)1B。然后運(yùn)送至處理區(qū)1B內(nèi)的涂敷組件13A，涂敷抗蝕劑液，接下來經(jīng)由接口區(qū)1C運(yùn)送至曝光裝置1D。
曝光處理后的晶片再次返回至處理區(qū)1B，并在顯影組件13B中進(jìn)行顯影處理，然后返回至原來的承載體10內(nèi)。圖中擱板組件14(14a～14c)具有用于在涂敷組件13A和顯影組件13B的處理前后對(duì)晶片W進(jìn)行規(guī)定的加熱處理和冷卻處理的加熱組件、冷卻組件、和交接臺(tái)等。在此，晶片W由設(shè)在處理區(qū)1B上的2個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)15A、15B，在涂敷組件13A、顯影組件13B和擱板組件14a～14c的各部分等在處理區(qū)1B內(nèi)放置有晶片W的模塊間運(yùn)送。
另外，晶片W在實(shí)施前述處理時(shí)，按照預(yù)先規(guī)定各晶片W分別在哪個(gè)時(shí)刻運(yùn)送至哪個(gè)處理組件中的運(yùn)送計(jì)劃進(jìn)行運(yùn)送。該運(yùn)送計(jì)劃例如生成為通過2個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)15A、15B將晶片W依次運(yùn)送至進(jìn)行曝光處理前的處理的組件后，將其交接至接口區(qū)1C，然后從接口區(qū)1C接受曝光處理后的晶片W，依次運(yùn)送至進(jìn)行曝光處理后的處理的組件中。這樣，通過使運(yùn)送機(jī)構(gòu)15A、15B在處理區(qū)1B內(nèi)行進(jìn)1周，而執(zhí)行1次運(yùn)送循環(huán)，每次運(yùn)送循環(huán)都將從承載體10取出的新晶片W運(yùn)送至處理區(qū)1B內(nèi)。
專利文獻(xiàn)1特開2004-193597號(hào)公報(bào)在前述運(yùn)送計(jì)劃中，預(yù)先決定運(yùn)送被實(shí)施處理的多個(gè)晶片W的組件的順序。但是，在搭載多個(gè)可在同一組件內(nèi)或多個(gè)組件中進(jìn)行相同處理的同一結(jié)構(gòu)的模塊的情況下，通常實(shí)際上對(duì)于從哪個(gè)模塊運(yùn)送至哪個(gè)模塊，并沒有固定分配。例如，對(duì)于從涂敷組件13A向擱板組件14a～14c的晶片W的運(yùn)送，在分別搭載有多個(gè)進(jìn)行涂敷處理和熱處理的模塊的情況下，通常并不進(jìn)行這些涂敷處理和熱處理的模塊間的運(yùn)送的具體分配。原因在于，為了提高處理量，而采用柔性分配，即結(jié)束了涂敷模塊中的處理的晶片W從多個(gè)熱處理模塊中的空模塊依次運(yùn)入。
但是，根據(jù)這樣的柔性分配方法，例如熱處理后在晶片上發(fā)現(xiàn)因涂敷處理而不良的部位(膜厚異常等)的情況下，很難確定該晶片式從哪個(gè)涂敷模塊運(yùn)送來的。即，存在下述技術(shù)問題很難確定具有問題的運(yùn)送源的模塊。另外，若進(jìn)行這樣的柔性晶片運(yùn)送，則有時(shí)運(yùn)送臂的移動(dòng)距離會(huì)變長，在晶片的處理片數(shù)較大的情況下，也存在運(yùn)送作業(yè)效率變低，相反地導(dǎo)致生長量下降的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于前述問題而作成的，目的在于提供基板處理系統(tǒng)和基板處理方法，所述基板處理系統(tǒng)具備多個(gè)模塊，所述模塊在多個(gè)工序范圍內(nèi)，對(duì)多個(gè)基板進(jìn)行單張式處理，并且在連續(xù)的處理工序中分別進(jìn)行處理，可容易確定在基板上產(chǎn)生不良部位時(shí)成為原因的有問題的處理裝置，并且在基板的處理張數(shù)較多的情況下，可抑制處理量的降低。
為解決前述問題，本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)具備多個(gè)模塊，所述模塊在多個(gè)工序范圍內(nèi)，對(duì)多個(gè)基板進(jìn)行單張式處理，并且在連續(xù)的處理工序中分別進(jìn)行處理，其特征在于，具有基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)，將前述基板從運(yùn)送源的模塊運(yùn)送至運(yùn)送目的地的模塊；控制機(jī)構(gòu)，基于規(guī)定運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配方法的至少兩個(gè)運(yùn)送模式的某一種，控制前述基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)，前述控制機(jī)構(gòu)在前述基板的處理工序中，接受前述運(yùn)送模式的切換指令后，從執(zhí)行中的運(yùn)送模式切換成其他運(yùn)送模式，基于切換后的運(yùn)送模式，使前述基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)運(yùn)送基板。
另外，優(yōu)選地，前述運(yùn)送模式的至少一種是在規(guī)定條件下預(yù)先固定分配與一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送源的模塊對(duì)應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送目的地的模塊的模式，優(yōu)選地，分配前述運(yùn)送目的地的模塊時(shí)的前述規(guī)定條件之一是前述運(yùn)送目的地的模塊為從運(yùn)送源的模塊的運(yùn)送距離更短的模塊。
另外，優(yōu)選地，其他運(yùn)送模式的之一是從空的運(yùn)送目的地的模塊中以優(yōu)先運(yùn)送為目的進(jìn)行分配的模式。
為解決前述問題，本發(fā)明的基板處理方法在基板處理系統(tǒng)中執(zhí)行，所述基板處理系統(tǒng)具備多個(gè)模塊，所述模塊在多個(gè)工序范圍內(nèi)，對(duì)多個(gè)基板進(jìn)行單張式處理，并且在連續(xù)的處理工序中分別進(jìn)行處理，其特征在于，執(zhí)行下述兩個(gè)步驟基于規(guī)定運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配方法的至少兩個(gè)運(yùn)送模式的某一種，運(yùn)送前述基板；在前述基板的處理工序中，接受前述運(yùn)送模式的切換指令后，從執(zhí)行中的運(yùn)送模式切換成其他運(yùn)送模式，基于切換后的運(yùn)送模式，運(yùn)送基板。
另外，優(yōu)選地，前述運(yùn)送模式的至少一種是對(duì)各基板在規(guī)定條件下預(yù)先固定分配與一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送源的模塊對(duì)應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送目的地的模塊的模式，優(yōu)選地分配前述運(yùn)送目的地的模塊時(shí)的前述規(guī)定條件之一是前述運(yùn)送目的地的模塊為從運(yùn)送源的模塊的運(yùn)送距離更短的模塊。
另外，優(yōu)選地，其他運(yùn)送模式的之一是從空的運(yùn)送目的地的模塊中以優(yōu)先運(yùn)送為目的進(jìn)行分配的模式。
由此，例如在執(zhí)行分配使得優(yōu)先從空的運(yùn)送目的地的模塊運(yùn)送的柔性模式作為基本運(yùn)送模式時(shí)，在運(yùn)送源的某一模塊產(chǎn)生問題的情況下，可通過切換成預(yù)先固定分配運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的運(yùn)送模式，容易指定具有問題的運(yùn)送源的模塊。另外，在這種情況下，可通過使該具有問題的模塊停止工作，返回柔性模式，而繼續(xù)對(duì)多個(gè)基板的處理。
另外，在執(zhí)行柔性模式作為基本運(yùn)送模式時(shí)，在處理的基板張數(shù)較多的情況下，可通過切換成預(yù)先固定分配運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的運(yùn)送模式，而將各基板的運(yùn)送路徑固定成較短路徑，可抑制處理量降低。
根據(jù)本發(fā)明，可得到如下的基板處理系統(tǒng)和基板處理方法，所述基板處理系統(tǒng)具備多個(gè)模塊，所述模塊在多個(gè)工序范圍內(nèi)，對(duì)多個(gè)基板進(jìn)行單張式處理，并且在連續(xù)的處理工序中分別進(jìn)行處理，可容易確定在基板上產(chǎn)生不良部位時(shí)成為原因的有問題的處理裝置，并且在基板的處理張數(shù)較多的情況下，可抑制處理量的降低。


圖1是使用本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)及基板處理方法的抗蝕劑圖形形成裝置的俯視圖。
圖2是使用本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)及基板處理方法的抗蝕劑圖形形成裝置的概略立體圖。
圖3是使用本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)及基板處理方法的抗蝕劑圖形形成裝置的概略立體圖。
圖4是表示圖1至圖3的抗蝕劑圖形形成裝置所具有的COT層的隔板組件的構(gòu)成和涂敷組件之間的配置關(guān)系的圖。
圖5是示意性表示隔板模塊構(gòu)成的圖。
圖6是表示控制部的存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)的構(gòu)成例的框圖。
圖7是表示運(yùn)送模塊的選擇動(dòng)作的流程圖。
圖8是柔性模式中的運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配的例子。
圖9是固定分配模式中的運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配的例子。
圖10是表示以往的抗蝕劑圖形形成裝置的整體構(gòu)成的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
下面，基于附圖，說明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1至圖3是表示使用本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)及基板處理方法的抗蝕劑圖形形成裝置的整體構(gòu)成的圖，圖1是COT層處理部的俯視圖，圖2是概略立體圖，圖3是概略側(cè)視圖。
該抗蝕劑圖形形成裝置100如圖2所示，具備用于運(yùn)入運(yùn)出密閉收納有多片作為基板的晶片W的承載體20的承載區(qū)S1；縱向排列多個(gè)例如5個(gè)單位區(qū)B1～B5構(gòu)成的處理區(qū)S2；接口區(qū)S3和曝光裝置S4。
在上述承載區(qū)S1上，設(shè)置有可以載置多個(gè)上述承載體20的載置臺(tái)21；從該載置臺(tái)21看設(shè)在前方壁面上的開閉部22；和用于經(jīng)由開閉部22將晶片W從承載體20取出的作為運(yùn)送機(jī)構(gòu)的傳送臂C。該傳送臂C構(gòu)成為，進(jìn)退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如、在承載體20的排列方向移動(dòng)自如，以便在后述的處理區(qū)S2的交接臺(tái)TRS1、TRS2、TRS-F等之間進(jìn)行晶片W的交接。
在承載區(qū)S1的里側(cè)連接有被筐體24包圍周圍的處理區(qū)S2。處理區(qū)S2在該例中如圖2、圖3所示，下層側(cè)的2層為用于進(jìn)行顯影處理的第1和第2單元區(qū)((DEV層)B1、B2。作為涂敷膜形成用的單位區(qū)，分配有用于進(jìn)行在抗蝕劑膜的上層側(cè)形成的反射防止膜的形成處理的第3單位區(qū)(TCT層)B3；用于進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理的第4單位區(qū)(COT層)B4；和用于進(jìn)行形成在抗蝕劑膜的下層側(cè)的反射防止膜的形成處理的第5單位區(qū)(BCT層)B5。
進(jìn)而，關(guān)于處理區(qū)S2的第1～第5單位區(qū)B1～B5的構(gòu)成進(jìn)行說明。這些各單位區(qū)B1～B5具備用于對(duì)晶片W涂敷藥液的液體處理組件；用于進(jìn)行在上述液體處理組件中進(jìn)行的處理的前處理和后處理的各種加熱·冷卻類的處理組件；和作為用于在上述液體處理組件和加熱·冷卻類的處理組件之間進(jìn)行晶片W的交接的專用運(yùn)送機(jī)構(gòu)的主臂部A1～A5。
這些單位區(qū)B1～B5，在該例中大致以同樣的布局構(gòu)成，所以以圖1所示的COT層B4為例進(jìn)行說明。在該COT層B4的大致中央，沿圖中Y軸方向，形成用于連接承載區(qū)S1和接口區(qū)S3的晶片W的運(yùn)送區(qū)域R1。
在從該運(yùn)送區(qū)域R1的承載區(qū)S1側(cè)觀察的兩側(cè)，在從近前側(cè)(承載區(qū)S1側(cè))朝向內(nèi)側(cè)的右側(cè)，設(shè)置有具備用于進(jìn)行抗蝕劑的涂敷處理的多個(gè)(例如3個(gè))涂敷模塊的涂敷組件31作為上述液體處理組件。在涂敷組件31的里側(cè)，設(shè)置有作成退避用的第1基板收容部的收容組件4D。該收容組件4D設(shè)置有用于收容與該單位區(qū)B4中的晶片W的收容片數(shù)對(duì)應(yīng)片數(shù)晶片的多個(gè)載置臺(tái)。
另外，在從COT層的近前側(cè)朝向內(nèi)側(cè)的左側(cè)，依次設(shè)置有將加熱·冷卻類組件多層化的5個(gè)擱板組件U1～U5，多層例如2層層疊用于進(jìn)行在涂敷組件31中進(jìn)行的處理的前處理和后處理的各種組件。這樣，上述運(yùn)送區(qū)域R1被劃分，通過例如向該劃分的運(yùn)送區(qū)域R1噴出清潔空氣進(jìn)行排氣，來抑制該區(qū)域內(nèi)的微粒的浮游。
用于進(jìn)行上述前處理和后處理的各種組件中，例如如圖4的立體圖所示，包括用于在抗蝕劑的涂敷前將晶片W調(diào)整成規(guī)定的溫度的冷卻組件(COL4)、用于在抗蝕劑涂敷后進(jìn)行晶片W的加熱處理的被稱為預(yù)烘焙組件等的加熱組件(CHP4)、用于選擇性地只對(duì)晶片W周緣部進(jìn)行曝光的周緣曝光組件(WEE)等。
這些冷卻組件(COL4)和加熱組件(CHP4)等各處理模塊分別收納在處理容器51內(nèi)，擱板組件U1～U5構(gòu)成為上述處理容器51分別層疊為2層，在各處理容器51的朝向運(yùn)送區(qū)域R1的表面上形成晶片運(yùn)入運(yùn)出口52。
另外，COT層以外的擱板組件的模塊構(gòu)成例如如圖5所示。圖5是從運(yùn)送區(qū)域R1一側(cè)觀察擱板組件U1～U5的圖。如圖所示，TCT層B3的構(gòu)成與COT層B4的構(gòu)成一樣，BCT層B5也大致與COT層的構(gòu)成一樣。另外，在DEV層B1、B2中，具備對(duì)曝光后的晶片W進(jìn)行加熱處理的稱為曝光后烘焙組件等的加熱組件(PEB1、PEB2)；用于在該加熱組件(PEB1、PEB2)中的處理后將晶片W調(diào)節(jié)至規(guī)定溫度的冷卻組件(COL1、COL2)；和為了蒸發(fā)顯影處理后的晶片W的水分而進(jìn)行加熱處理的稱為后烘焙組件等的加熱組件(POST1、POST2)等。
在此，作為加熱組件(CHP3～5、POST1、2和PEB1、2)，例如如圖1所示，具備加熱板53、和兼用作運(yùn)送臂的冷卻板54。即，可在一個(gè)組件中進(jìn)行加熱處理和冷卻處理，例如，在COT層B4中，冷卻板54構(gòu)成為，在進(jìn)行在主臂部A4和加熱板53之間的晶片W的交接。另外，作為冷卻組件(COL1～5)，使用例如具有水冷方式的冷卻板的構(gòu)成的裝置。
此外，圖5所示的構(gòu)成為表示這些處理組件的布局的一個(gè)例子的構(gòu)成，該布局比較方便，處理組件不限于加熱組件(CHP、PEB、POST)、冷卻組件(COL)、和周緣曝光裝置(WEE)。也可以設(shè)置為提高抗蝕劑液和晶片W的密貼性而在HMDS氣氛中對(duì)涂敷膜形成用的單位區(qū)B3～B5的任意一個(gè)進(jìn)行氣體處理的疏水化處理組件(ADH)。在實(shí)際的裝置中，考慮各處理組件的處理時(shí)間等來確定組件的設(shè)置數(shù)量。
另外，在COT層中，在上述運(yùn)送區(qū)域R1上，如上述那樣設(shè)置主臂部A4。該主臂部A4構(gòu)成為在該COT層B4內(nèi)的全部模塊(放置晶片W的位置)，例如在擱板組件U1～U5的各處理組件、涂敷組件31、收容組件4D、后述的擱板組件U6和擱板組件U7各部分之間進(jìn)行晶片的交接，因此構(gòu)成為進(jìn)退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如、沿Y軸方向移動(dòng)自如。
具體地說，如圖4所示，主臂部A4具備用于支承晶片W的內(nèi)面?zhèn)戎芫墔^(qū)域的2個(gè)臂部101、102，這些臂部101、102相互獨(dú)立地構(gòu)成為沿基臺(tái)103進(jìn)退自如。
再者，該基臺(tái)103構(gòu)成為借助旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)104繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，并且借助移動(dòng)機(jī)構(gòu)105沿Y軸軌道107在Y軸方向移動(dòng)自如，并且沿升降軌道108升降自如，所述Y軸軌道107安裝在支承擱板組件U1～U5的臺(tái)部106朝向運(yùn)送區(qū)域的表面上。這樣，臂部101、102構(gòu)成為進(jìn)退自如，沿Y軸方向移動(dòng)自如，升降自如，繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，并可以在擱板組件U1～U7的各交接臺(tái)TRS1～TRS10、液體處理組件、收容組件4之間進(jìn)行晶片W的交接。
再者，運(yùn)送區(qū)域R1與承載區(qū)S1鄰接的區(qū)域，成為第1晶片交接區(qū)域R2。在該區(qū)域R2中，如圖1和圖3所示，在傳送臂C和主臂部A1可以訪問的位置設(shè)置擱板組件U6，并且，如圖1所示，具備用于對(duì)該擱板組件U6進(jìn)行晶片W的交接的第1交接臂D1。
上述擱板組件U6如圖3所示，在該例中各單位區(qū)B1～B5，分別具備1個(gè)以上例如2個(gè)第1交接臺(tái)TRS1～TRS5，以便在各單位區(qū)B1～B5的主臂部A1～A5之間進(jìn)行晶片W的交接。再者上述第1交接臂D1構(gòu)成為進(jìn)退自如和升降自如，以便可以向各第1交接臺(tái)TRS1～TRS5進(jìn)行晶片W的交接。
再者，上述第1及第2單位區(qū)B1、B2的第1交接臺(tái)TRS1～TRS2在該例中構(gòu)成為在其與傳送臂C之間以進(jìn)行晶片W的交接。進(jìn)而，在該例中，第2單位區(qū)B2具備例如2個(gè)第1交接臺(tái)TRS-F，該交接臺(tái)TRS-F可以設(shè)置在第1單位區(qū)B1上，也可以不另外設(shè)置該交接臺(tái)TRS-F，在將晶片W從傳送臂C運(yùn)入處理區(qū)S2中時(shí)，使用第1交接臺(tái)TRS1和TRS2進(jìn)行。
進(jìn)而，在運(yùn)送區(qū)域R1與接口區(qū)S3鄰接的區(qū)域，成為第2晶片交接區(qū)域R3，在該區(qū)域R3上，如圖1和圖3所示，在主臂部A4可以訪問的位置設(shè)置擱板組件U7，并且，如圖1所示，具有用于對(duì)該擱板組件U7進(jìn)行晶片W的交接的第2交接臂D2。
在該例中，如圖3所示，各單位區(qū)B1～B5具備1個(gè)以上、例如2個(gè)第2交接臺(tái)TRS6～TRS10，以便使上述擱板組件U7在各單位區(qū)B1～B5的主臂部A1～A5之間進(jìn)行晶片W的交接。第2交接臂D2構(gòu)成為進(jìn)退自如和升降自如，以便可以向各第2交接臺(tái)TRS6～TRS10進(jìn)行晶片W的交接。
這樣，在本實(shí)施方式中構(gòu)成為，在層疊了5層的各單位區(qū)B1～B5之間，由上述第1交接臂D1和第2交接臂D2，分別經(jīng)由第1交接臺(tái)TRS1～TRS5、TRS-F、第2交接臺(tái)TRS6～TRS10，可以自由進(jìn)行晶片W的交接。
另外，如圖1及圖2所示，在處理區(qū)S2中的擱板組件U7的內(nèi)側(cè)，經(jīng)由接口區(qū)S3連接有曝光裝置S4。在接口區(qū)S3中，具備用于向處理區(qū)S2的擱板組件U7和曝光裝置S4進(jìn)行晶片W的交接的接口臂B。該接口臂B，成為夾在處理區(qū)S2和曝光裝置S4之間的晶片W的運(yùn)送機(jī)構(gòu)，在該例中，如圖3所示，構(gòu)成為進(jìn)退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，以便向第1～第4單位區(qū)B1～B4的第2交接臺(tái)TRS6～TRS9進(jìn)行晶片W的交接。另外，該接口臂B也可構(gòu)成為，對(duì)所有單位區(qū)B1～B5的第2交接臺(tái)TRS6～TRS10進(jìn)行晶片W的交接。
接下來，以在抗蝕劑膜上下分別形成反射防止膜的情況為例說明該抗蝕劑圖形形成裝置100中的單張式處理的晶片W的路徑。
首先，從外部向承載區(qū)S1運(yùn)入承載體20，利用傳送臂C把晶片W從該承載體20內(nèi)取出。晶片W從傳送臂C交接至擱板組件U6的第1交接臺(tái)TRS-F，接著，為了把晶片W交接至BCT層B5，由第1交接臂D1經(jīng)由擱板組件U6的第1交接臺(tái)TRS5交接至BCT層B5的主臂部A5。然后在BCT層B5中，由主臂部A5，以冷卻組件(COL5)→第1反射防止膜形成組件(未圖示)→加熱組件(CHP5)→擱板組件U7的第2交接臺(tái)TRS10的順序進(jìn)行運(yùn)送，而形成有第1反射防止膜。
接下來，為了把晶片W交接至COT層B4，由第2交接臂D2將第2交接臺(tái)TRS10的晶片W運(yùn)送至擱板組件U7的第2交接臺(tái)TRS9，接下來，交接至該COT層B4的主臂部A4。另外，在COT層B4中，由主臂部A4，以冷卻組件COL4→涂敷組件31→加熱組件CHP4→擱板組件U6的第1交接臺(tái)TRS4的順序運(yùn)送晶片W，在第1反射防止膜的上層形成抗蝕劑膜。
然后，為了把晶片W交接至TCT層B3，由第1交接臂D1將第1交接臺(tái)TRS4的晶片W運(yùn)送至第1交接臺(tái)TRS3，然后交接至該TCT層B3的主臂部A3。另外，在TCT層B3中，由主臂部A3，以冷卻組件(COL3)→第2反射防止膜形成組件(未圖示)→加熱組件(CHP3)→周緣曝光裝置(WEE)→擱板組件U7的第2交接臺(tái)TRS8的順序運(yùn)送晶片W，并在抗蝕劑膜的上層形成第2反射防止膜。接下來由接口臂B把第2交接臺(tái)TRS8的晶片W運(yùn)送至曝光裝置S4，并在這里進(jìn)行規(guī)定的曝光處理。
為了把晶片W交接至DEV層B1(DEV層B2)，曝光處理后的晶片W，由接口臂B運(yùn)送至擱板組件U7的第2交接臺(tái)TRS6(或TRS7)，該交接臺(tái)TRS6(或TRS7)上的晶片W被接受至DEV層B1(DEV層B2)的主臂部A1(主臂部A2)，在該DEV層B1(DEV層B2)中，首先以加熱組件(PEB1(PEB2))→冷卻組件(COL1(COL2))→顯影組件(未圖示)→加熱組件(POST1(POST2))的順序運(yùn)送，進(jìn)行規(guī)定的顯影處理。為了把晶片W交接至傳送臂C，這樣進(jìn)行了顯影處理的晶片W，被運(yùn)送至擱板組件U6的第1交接臺(tái)TRS1(TRS2)，并借助傳送臂C返回至載置在承載區(qū)S1上的原來的承載體20。
接下來，對(duì)該抗蝕劑圖形形成裝置100的運(yùn)送控制進(jìn)行說明。如圖1所示，該抗蝕劑圖形形成裝置100所具有的運(yùn)送臂(基板運(yùn)送機(jī)構(gòu))、即例如第1交接臂D1、第2交接臂D2、主臂部A4、傳送臂C、交接臂B等的動(dòng)作被由計(jì)算機(jī)構(gòu)成的控制部6(控制機(jī)構(gòu))控制。
控制部6中，如圖6的框圖所示，在其存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)6A中，存儲(chǔ)有例如運(yùn)送計(jì)劃主程序61、和固定分配信息62。再次，所謂運(yùn)送計(jì)劃主程序61對(duì)抗蝕劑圖形形成裝置100具有的運(yùn)送臂進(jìn)行控制，是用于實(shí)施晶片運(yùn)送的程序，以哪種處理順序進(jìn)行運(yùn)送，取決于從外部輸入的運(yùn)送方法。
進(jìn)而，該搬運(yùn)計(jì)劃主程序61采用柔性模式作為運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配方法的基本模式。所謂柔性模式是在連續(xù)的處理工序中具有多個(gè)進(jìn)行各工序處理的模塊時(shí)，將在運(yùn)送源的模塊中的處理結(jié)束后的晶片W優(yōu)先運(yùn)送至運(yùn)送目的地空的模塊中的運(yùn)送模式。即，根據(jù)該模式，由于縮短運(yùn)送的待機(jī)時(shí)間，所以在晶片的處理片數(shù)不是很大的情況下，可以實(shí)現(xiàn)處理量的提高。
另外，固定分配信息62是由從外部輸入的上述運(yùn)送方法信息、和各模塊的配置信息形成的信息，是在規(guī)定的條件下預(yù)先固定分配與運(yùn)送源的模塊對(duì)應(yīng)的運(yùn)送目的地的模塊的信息。
具體地說，在從涂敷模塊向加熱模塊運(yùn)送中，若涂敷模塊為3個(gè)，加熱模塊為6個(gè)，則上述固定分配信息62中預(yù)先相對(duì)于各涂敷模塊固定分配例如2個(gè)加熱模塊。作為分配條件，優(yōu)選地以運(yùn)送距離更短的對(duì)策進(jìn)行分配。其結(jié)果，晶片W從各涂敷模塊運(yùn)送至分配的2個(gè)加熱模塊中的任何一個(gè)。
另外，在本例中，對(duì)1個(gè)涂敷模塊分配2個(gè)加熱模塊，而與運(yùn)送源和遠(yuǎn)送目的地的各模塊數(shù)對(duì)應(yīng)地決定各對(duì)應(yīng)的模塊數(shù)的比率。
另外，該固定分配信息62在運(yùn)送計(jì)劃為固定分配模式時(shí)使用。即，所謂固定分配模式是在規(guī)定的條件下預(yù)先固定分配與一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送源模塊對(duì)應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送目的地模塊的模式。
在執(zhí)行該固定分配模式時(shí)，通過從外部向控制部6輸入模式切換指令，而使固定分配信息62和運(yùn)送計(jì)劃主程序鏈接，切換成柔性模式并執(zhí)行。
再次，進(jìn)而對(duì)具體的運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配的例子進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，在COT層B4中，涂敷組件31具有例如3個(gè)涂敷模塊，擱板組件U1～U5具有6個(gè)加熱組件(加熱模塊)CHP4。在涂敷組件31的某個(gè)模塊中實(shí)施了涂敷處理的晶片W通過主臂部A4運(yùn)送至某個(gè)加熱組件CHP4的模塊中。以該情況的運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配為例，基于圖7至圖9進(jìn)行說明。圖7是表示運(yùn)送模式的選擇動(dòng)作的流程圖，圖8是柔性模式中的運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配的例子，圖9是固定分配模式中的運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配的例子。
另外，在此，如圖8、圖9所示，涂敷組件31搭載3個(gè)涂敷處理模塊SP1～SP3，加熱組件CHP4搭載6個(gè)加熱處理模塊CHP4A～CHP4F。另外，處理的晶片片數(shù)為21片，圖8、圖9中，為了方便，以運(yùn)送至涂敷組件31上的順序?qū)琖進(jìn)行編號(hào)。
首先，控制部6讀入決定關(guān)于各晶片W的處理工序的順序等的運(yùn)送方法信息(圖7的步驟S1)，進(jìn)而讀入模塊配置信息(圖7的步驟S2)。所謂模塊配置信息，是表示各模塊設(shè)置在哪個(gè)位置的信息，在本例中，是涂敷組件31的涂敷模塊SP1～SP3的各配置信息、和加熱組件CHP4A～CHPAF的各配置信息。
控制部6基于在步驟S1、S2中讀入的信息，生成固定分配信息62(圖7的步驟S3)。所謂該固定分配信息62是預(yù)先固定分配運(yùn)送源的涂敷模塊SP1～SP3和運(yùn)送目的地的加熱組件(加熱模式)CHP4A～CHPAF的對(duì)應(yīng)情況的信息。
接著，控制部6基于在步驟S1中讀入的運(yùn)送方法，執(zhí)行運(yùn)送計(jì)劃主程序61，通過作為基本模式的柔性模式，使晶片的運(yùn)送開始(圖7的步驟S4)。在執(zhí)行該柔性模式時(shí)，例如如圖8所示，在涂敷組件31的模塊SP1～SP3中，按實(shí)施了涂敷處理的順序，進(jìn)行晶片W向熱處理組件CHP4的運(yùn)送，而此時(shí)，優(yōu)先運(yùn)送至CHP4A～CHPAF中不工作的模塊中運(yùn)送用的移動(dòng)路徑更短的模塊中。
若在運(yùn)送計(jì)劃主程序61的執(zhí)行中，輸入運(yùn)送計(jì)劃的模式切換指令(圖7的步驟S5)，則程序?qū)⑦\(yùn)送計(jì)劃從柔性模式切換成固定分配模式，繼續(xù)執(zhí)行基板運(yùn)送(圖7的步驟S6)。在基于上述固定分配信息62執(zhí)行該固定分配模式時(shí)，例如如圖9所示，一定將SP1中處理了的晶片W運(yùn)送至CHP4A，將在SP2中處理了的晶片運(yùn)送至CHP4C和CHP4D，將在SP3中處理了的晶片運(yùn)送至CHP4E和CHP4F。
另一方面，若在步驟S5中，沒有輸入模式切換指令，所有的晶片運(yùn)送結(jié)束(圖7的步驟S7)，則使運(yùn)送作業(yè)結(jié)束。
另外，上述步驟S 5中的運(yùn)送計(jì)劃的模式切換指令，例如在檢測(cè)出由于涂敷處理而引起的晶片上的不良部位(膜厚異常等)時(shí)，將該情況作為脈沖輸入。這由于容易確定出成為其問題的原因的涂敷模塊。即，在柔性模式中，很難確定加熱處理后的晶片W是從SP1～SP3中的哪個(gè)涂敷模塊運(yùn)送來的，而通過由于切換成固定分配模式，固定晶體W的運(yùn)送路徑，所以可容易確定成為不良品產(chǎn)生原因的涂敷模塊。
另外，在步驟S7中所有的晶片運(yùn)送沒有結(jié)束期間，再次輸入模式切換指令，也能返回柔性模式。即，若通過固定分配模式確定具有問題的涂敷模塊，則通過只使該模塊停止工作，使用其余涂敷模塊，便能以柔性模式繼續(xù)處理。
另外，在柔性模式中，在處理的基板的數(shù)目較大的情況下，可能存在由基板導(dǎo)致運(yùn)送路徑變長、相反處理量下降的問題，而通過切換成固定分配模式，可將各基板的運(yùn)送路徑固定成較短的路徑，可抑制處理量降低。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，通過采用可在下述模式之間切換的結(jié)構(gòu)，即在優(yōu)先向空模塊中運(yùn)送路徑較短的模塊運(yùn)送的柔性模式、和預(yù)先固定地分配與運(yùn)送源地模塊對(duì)應(yīng)的運(yùn)送目的地的模塊的固定分配模式之間切換的結(jié)構(gòu)，在模塊產(chǎn)生問題時(shí)，通過固定分配模式，可容易確定該模塊，進(jìn)而，可切換成柔性模式繼續(xù)處理。
另外，在柔性模式中處理的晶片的數(shù)目較大時(shí)，通過切換成固定分配模式，而將運(yùn)送路徑固定為較小的路徑，可抑制處理量降低。
另外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)將基本模式設(shè)為柔性模式的情況進(jìn)行了說明，但是也可將基板模式設(shè)成固定分配模式。
另外，在上述實(shí)施方式中，以涂敷模塊31和加熱組件CHP4之間的運(yùn)送計(jì)劃為例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明的基板處理方法并不限于該例，也可用于其他處理模塊鍵的運(yùn)送計(jì)劃。
另外，在上述實(shí)施方式中，作為被處理基板以半導(dǎo)體晶片為例，但本發(fā)明的基板并不限于半導(dǎo)體晶片，可以是LCD基板、CD基板、玻璃基板、光掩膜、印刷基板等。
本發(fā)明可用于處理半導(dǎo)體晶片等基板的抗蝕劑圖形形成裝置等，可優(yōu)選地用于半導(dǎo)體制造業(yè)、電子顯示屏制造業(yè)等。
權(quán)利要求
1.一種基板處理系統(tǒng)，具備多個(gè)模塊，所述模塊在多個(gè)工序范圍內(nèi)，對(duì)多個(gè)基板進(jìn)行單張式處理，并且在連續(xù)的處理工序中分別進(jìn)行處理，其特征在于，具有基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)，將前述基板從運(yùn)送源的模塊運(yùn)送至運(yùn)送目的地的模塊；控制機(jī)構(gòu)，基于規(guī)定運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配方法的至少兩個(gè)運(yùn)送模式的某一種，控制前述基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)，前述控制機(jī)構(gòu)在前述基板的處理工序中，接受前述運(yùn)送模式的切換指令后，從執(zhí)行中的運(yùn)送模式切換成其他運(yùn)送模式，基于切換后的運(yùn)送模式，使前述基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)運(yùn)送基板。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理機(jī)構(gòu)，其特征在于，前述運(yùn)送模式的至少一種是在規(guī)定條件下預(yù)先固定分配與一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送源的模塊對(duì)應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送目的地的模塊的模式。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理機(jī)構(gòu)，其特征在于，分配前述運(yùn)送目的地的模塊時(shí)的前述規(guī)定條件之一是前述運(yùn)送目的地的模塊為從運(yùn)送源的模塊的運(yùn)送距離更短的模塊。
4.如權(quán)利要求2所述的基板處理機(jī)構(gòu)，其特征在于，前述運(yùn)送模式的至少一種是從空的運(yùn)送目的地的模塊中以優(yōu)先運(yùn)送為目的進(jìn)行分配的模式。
5.一種基板處理方法，在基板處理系統(tǒng)中執(zhí)行，所述基板處理系統(tǒng)具備多個(gè)模塊，所述模塊在多個(gè)工序范圍內(nèi)，對(duì)多個(gè)基板進(jìn)行單張式處理，并且在連續(xù)的處理工序中分別進(jìn)行處理，其特征在于，執(zhí)行下述兩個(gè)步驟基于規(guī)定運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配方法的至少兩個(gè)運(yùn)送模式的某一種，運(yùn)送前述基板；在前述基板的處理工序中，接受前述運(yùn)送模式的切換指令后，從執(zhí)行中的運(yùn)送模式切換成其他運(yùn)送模式，基于切換后的運(yùn)送模式，運(yùn)送基板。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理方法，其特征在于，前述運(yùn)送模式的至少一種是對(duì)各基板在規(guī)定條件下預(yù)先固定分配與一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送源的模塊對(duì)應(yīng)的一個(gè)或多個(gè)運(yùn)送目的地的模塊的模式。
7.如權(quán)利要求6所述的基板處理方法，其特征在于，分配前述運(yùn)送目的地的模塊時(shí)的前述規(guī)定條件之一是前述運(yùn)送目的地的模塊為從運(yùn)送源的模塊的運(yùn)送距離更短的模塊。
8.如權(quán)利要求6所述的基板處理方法，其特征在于，前述運(yùn)送模式的至少一種是從空的運(yùn)送目的地的模塊中以優(yōu)先運(yùn)送為目的進(jìn)行分配的模式。
全文摘要
本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)具備多個(gè)模塊，所述模塊在多個(gè)工序范圍內(nèi)，對(duì)多個(gè)基板進(jìn)行單張式處理，并且在連續(xù)的處理工序中分別進(jìn)行處理，可容易確定在基板上產(chǎn)生不良部位時(shí)成為原因的有問題，在基板的處理張數(shù)較多的情況下，可抑制處理量的降低。本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)具備多個(gè)上述模塊，并具有基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)(A4)，將基板(W)從運(yùn)送源的模塊運(yùn)送至運(yùn)送目的地的模塊；控制機(jī)構(gòu)(6)，基于規(guī)定運(yùn)送源和運(yùn)送目的地的模塊分配方法的至少兩個(gè)運(yùn)送模式的某一種，控制基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)(A4)，控制機(jī)構(gòu)(6)在基板的處理工序中，接受運(yùn)送模式的切換指令后，從執(zhí)行中的運(yùn)送模式切換成其他運(yùn)送模式，基于切換后的運(yùn)送模式，使基板運(yùn)送機(jī)構(gòu)(A4)運(yùn)送基板。
文檔編號(hào)H01L21/00GK1877451SQ20061009162
公開日2006年12月13日 申請(qǐng)日期2006年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月7日
發(fā)明者林田安, 林伸一, 原圭孝 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社