專(zhuān)利名稱(chēng)：包括具有高導(dǎo)熱率的接點(diǎn)材料的電子元件封裝件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子元件封裝件，其包括印刷電路板；諸如LSI(大規(guī)模集成電路)芯片之類(lèi)的電子元件，其安裝在該印刷電路板的上表面；以及導(dǎo)熱構(gòu)件，其容置(received)在該印刷電路板上的該電子元件的上表面。
背景技術(shù)：
電子元件封裝件通常包括安裝在印刷電路板上的LSI芯片。諸如散熱器(heat sink)之類(lèi)的導(dǎo)熱構(gòu)件容置在LSI芯片的上表面。例如，如日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)2000-012748中所公開(kāi)的，接點(diǎn)材料(joint material)插入在散熱器與LSI芯片之間。該接點(diǎn)材料由諸如焊接材料制成。例如，焊接材料采用錫/鉛合金(Sn-Pb)。
將助焊劑等催化劑添加到諸如Sn-Pb之類(lèi)的焊接材料中，以提高焊接材料的濕度。然而，這種將助焊劑加到焊接材料的做法導(dǎo)致沿接點(diǎn)材料與散熱器以及接點(diǎn)材料與LSI芯片的接觸面產(chǎn)生空隙。這些空隙使得接點(diǎn)材料與散熱器之間的接觸面積以及接點(diǎn)材料與LSI芯片之間的接觸面積減小。該減小了的接觸面積阻礙了從LSI芯片通過(guò)接點(diǎn)材料到散熱器的有效熱傳遞。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明的目的是提供一種能可靠地有助于熱傳遞的電子元件封裝件。另外，本發(fā)明的目的也是提供一種能極大地有助于實(shí)現(xiàn)電子元件封裝件的聯(lián)合組件(joined assembly)。
根據(jù)本發(fā)明，提供這樣一種電子元件封裝件，其包括印刷電路板；電子元件，其安裝在該印刷電路板的表面上；導(dǎo)熱構(gòu)件，其容置在該印刷電路板上的該電子元件的表面上；和接點(diǎn)材料，其插入在該電子元件與該導(dǎo)熱構(gòu)件之間，所述接點(diǎn)材料由包含In以及重量百分比(wt％)超過(guò)3％的Ag的材料制成。
該電子元件封裝件使用由包含In以及3wt％以上的Ag的材料制成的接點(diǎn)材料。發(fā)明人論證了隨著接點(diǎn)材料的總重量中Ag含量的增加，接點(diǎn)材料與電子元件之間的界面以及接點(diǎn)材料與導(dǎo)熱構(gòu)件之間的界面的空隙減少。而且，與傳統(tǒng)的焊接材料，例如Sn-Pb，相比，包含In以及3wt％以上的Ag的材料呈現(xiàn)出更低的熱阻。該接點(diǎn)材料比傳統(tǒng)的焊接材料具有更高的導(dǎo)熱率。因而，本發(fā)明的這種接點(diǎn)材料使得導(dǎo)熱構(gòu)件可以有效地從電子元件吸收熱量。
尤其是，In具有低于鉛(Pb)的彈性系數(shù)。即使基于導(dǎo)熱構(gòu)件與電子元件之間的熱膨脹系數(shù)的不同而導(dǎo)致壓力引入到導(dǎo)熱構(gòu)件與接點(diǎn)材料之間的界面以及接點(diǎn)材料與電子元件之間的界面，這種接點(diǎn)材料也能充分地可靠地吸收該壓力。還能可靠地避免導(dǎo)熱構(gòu)件與接點(diǎn)材料之間的脫離以及接點(diǎn)材料與電子元件之間的脫離。
接點(diǎn)材料的熔點(diǎn)可以低于將電子元件連接至印刷電路板的端子的熔點(diǎn)。電子元件基于電子元件封裝件組件(assembly)中的端子安裝在印刷電路板上。端子會(huì)由于傳遞過(guò)來(lái)的熱量而熔化。在電子元件安裝在印刷電路板上之后，導(dǎo)熱構(gòu)件基于接點(diǎn)材料安裝在電子元件上。接點(diǎn)材料會(huì)由于傳遞過(guò)來(lái)的熱量而熔化。只要接點(diǎn)材料的熔點(diǎn)設(shè)置成低于端子的熔點(diǎn)，就能夠可靠地使端子免受所謂的“二次熔化(secondary melting)”。
接點(diǎn)材料的熔點(diǎn)可以低于電子元件封裝件中的電子元件的耐熱溫度。如上所述，當(dāng)導(dǎo)熱構(gòu)件安裝在電子元件上之后，接點(diǎn)材料會(huì)由于傳遞過(guò)來(lái)的熱量而熔化。只要接點(diǎn)材料的熔點(diǎn)低于電子元件的耐熱溫度，即使在傳遞過(guò)來(lái)的熱量使接點(diǎn)材料熔化時(shí)，仍可以避免電子元件的損壞。例如，接點(diǎn)材料的熔點(diǎn)也可以設(shè)置成低于印刷電路板的耐熱溫度。以此方式，即使在傳遞過(guò)來(lái)的熱量使接點(diǎn)材料熔化時(shí)，仍可以避免印刷電路板的損壞。
包含In以及3wt％以上的Ag的材料在Ag的含量在接點(diǎn)材料的總重量中增加時(shí)，可以建立更高的液相線溫度和固相線溫度?？梢愿鶕?jù)將電子元件連接至印刷電路板的端子的熔點(diǎn)、電子元件的耐熱溫度以及印刷電路板的耐熱溫度等來(lái)控制接點(diǎn)材料中Ag的含量。例如，Ag含量可以設(shè)置在等于或低于接點(diǎn)材料的總重量的20wt％的范圍內(nèi)。
可以提供聯(lián)合組件(joined assembly)以實(shí)現(xiàn)該電子元件封裝件。該聯(lián)合組件可以包括第一構(gòu)件，其表面上至少部分地出現(xiàn)(exposing)第一金屬；第二構(gòu)件，其表面上至少部分地出現(xiàn)第二金屬，所述第二構(gòu)件在該第二金屬處容置在該第一金屬上；以及接點(diǎn)材料，其插入在該第一金屬與該第二金屬之間，所述接點(diǎn)材料由包含In以及3wt％以上的Ag的材料制成。


通過(guò)以下結(jié)合附圖對(duì)優(yōu)選實(shí)施例的說(shuō)明，本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得顯而易見(jiàn)，其中圖1為母板(motherboard)結(jié)構(gòu)的示意性透視圖；圖2為沿圖1的線2-2截取的截面圖，用于示意性地示出電子元件封裝件的結(jié)構(gòu)；圖3為示出液相線、固相線與Ag的含量的關(guān)系的表格；圖4為根據(jù)比較示例接點(diǎn)材料與散熱器之間的接觸面的射線照片；圖5為根據(jù)第一特定示例接點(diǎn)材料與散熱器之間的接觸面的射線照片；圖6為根據(jù)第二特定示例接點(diǎn)材料與散熱器之間的接觸面的射線照片；圖7為根據(jù)第三特定示例接點(diǎn)材料與散熱器之間的接觸面的射線照片；圖8為根據(jù)第四特定示例接點(diǎn)材料與散熱器之間的接觸面的射線照片；圖9為表示接點(diǎn)材料的厚度與接點(diǎn)材料的熱阻之間相互關(guān)系的坐標(biāo)圖。
具體實(shí)施例方式
圖1示意性地示出母板11的結(jié)構(gòu)。母板11包括大尺寸印刷電路板12。一個(gè)或多個(gè)電子元件封裝件13安裝在印刷電路板12的正面上。各電子元件封裝件13包括安裝在印刷電路板12的正面上的小尺寸的印刷電路板14。例如，印刷電路板14可以使用樹(shù)脂基板或陶瓷基板。
導(dǎo)熱構(gòu)件或散熱器15容置在印刷電路板14上。散熱器15包括板形主體或吸熱器(heat receiver)15a和自吸熱器15a沿垂直方向豎立的散熱片15b。散熱片15b互相平行地延伸。因此，在各相鄰對(duì)散熱片15b之間界定了氣路16。當(dāng)空氣在例如鼓風(fēng)機(jī)單元(未示出)的幫助下流經(jīng)氣路時(shí)，這種類(lèi)型的電子元件封裝件13可以有效地通過(guò)散熱片15b散熱。散熱器15可以由Cu、Al、主要由Cu和/或Al組成的復(fù)合材料以及諸如碳復(fù)合材料之類(lèi)的更高導(dǎo)熱材料制成?？梢酝ㄟ^(guò)鑄造來(lái)形成散熱器15。
如圖2所示，在印刷電路板14的背面上形成有球柵陣列17。球柵陣列17用于將印刷電路板14安裝到印刷電路板12的正面。球柵陣列17包括按照給定模式排列的多個(gè)球形導(dǎo)電端子18。各導(dǎo)電端子18容置在印刷電路板12上的相應(yīng)的端子墊(terminal pad)或?qū)щ妷|(electrically-conductive pad)19上。以此方式在印刷電路板14與印刷電路板12之間建立起電連接。例如，這里導(dǎo)電端子18可以由Sn-37Pb(wt％)制成。
電子元件或LSI芯片21安裝在印刷電路板14上。在LSI芯片21的背面形成有球柵陣列22。球柵陣列22用于將LSI芯片21安裝到印刷電路板14上。與球柵陣列17的方式相同，球柵陣列22包括按照給定模式排列的多個(gè)球形導(dǎo)電端子23。各導(dǎo)電端子23容置在印刷電路板14上的相應(yīng)的端子墊或?qū)щ妷|24上。以此方式在LSI芯片21與印刷電路板14之間建立起電連接。這里，例如，導(dǎo)電端子23可以由Sn-37Pb(wt％)制成。
例如，除了LSI芯片21，諸如電容器和芯片電阻器(二者均未示出)之類(lèi)的電子元件可以安裝在印刷電路板14上。例如，電子元件可以安裝在印刷電路板14的背面。底層填料膜(underfill material film)25插入在LSI芯片21與印刷電路板14之間。底層填料膜25填充導(dǎo)電端子23周?chē)目臻g。以此方式能夠可靠地使導(dǎo)電端子23互相絕緣。例如，底層填料膜25可以由主要包括環(huán)氧樹(shù)脂的樹(shù)脂材料制成。
上述散熱器15容置在LSI芯片21的正面。接點(diǎn)材料26插入在散熱器15與LSI芯片21之間。接點(diǎn)材料26可以由包含In以及3wt％以上的Ag的材料制成。這里，接點(diǎn)材料26由In-Ag合金制成。例如，Ag含量可以設(shè)置在等于或低于接點(diǎn)材料26的總重量的20wt％的范圍內(nèi)。
如圖3所示，In-3Ag wt％合金具有141攝氏度的液相線溫度和固相線溫度。此溫度相當(dāng)于共晶溫度(eutectic temperature)。接點(diǎn)材料中Ag含量的增加導(dǎo)致液相線溫度高于141攝氏度。另一方面，即使接點(diǎn)材料中Ag含量增加，固相線溫度仍保持在141攝氏度。因此，隨著接點(diǎn)材料中Ag含量的增加，液相線溫度與固相線溫度之間的差增大。
再次參照?qǐng)D2，在LSI芯片21的正面上形成有第一金屬或第一金屬膜27。作為本發(fā)明的第一構(gòu)件的LSI芯片21的正面至少部分地出現(xiàn)第一金屬膜27。這里，第一金屬膜27可以形成在LSI芯片21的整個(gè)正面上。例如，第一金屬膜27可以由Ti膜和Au膜的層膜、Ti膜和Cu膜的層膜等制成。以此方式，LSI芯片21在該第一金屬膜27處容置接點(diǎn)材料26。
散熱器15的底面與LSI芯片21相對(duì)。在散熱器15的該底面或該相對(duì)面上形成有第二金屬或第二金屬膜28。作為本發(fā)明的第二構(gòu)件的散熱器15的該相對(duì)面上至少部分地出現(xiàn)第二金屬膜28。例如，第二金屬膜28可以由Ni膜和Au膜的層膜制成。以此方式，接點(diǎn)材料26容置散熱器15上的第二金屬膜28。
以此方式，接點(diǎn)材料26插入在第一金屬膜27與第二金屬膜28之間。換言之，散熱器15通過(guò)接點(diǎn)材料26使得第二金屬膜28與LSI芯片21上的第一金屬膜27相接通。這樣，接點(diǎn)材料26用于將散熱器15與LSI芯片21耦接。這里，根據(jù)本發(fā)明，作為第一構(gòu)件的LSI芯片21、作為第二構(gòu)件的散熱器15以及接點(diǎn)材料26組合形成聯(lián)合組件。
支撐構(gòu)件29用于將散熱器15固定至印刷電路板14。例如，支撐構(gòu)件29可以由膨脹率與印刷電路板14的膨脹率近似的材料制成。這種材料可以是Cu、不銹鋼等。例如，未示出的黏著片(adhesive sheet)插入在散熱器15與支撐構(gòu)件29之間以及插入在支撐構(gòu)件29與印刷電路板14之間，以將散熱器15固定到印刷電路板14上。例如，可使用環(huán)氧黏著片作為該黏著片。例如，該黏著片中可以包含玻璃纖維或無(wú)機(jī)填料。玻璃纖維或無(wú)機(jī)填料用于使黏著片的厚度保持均勻。
這種類(lèi)型的母板11在工作中需經(jīng)受LSI芯片21產(chǎn)生的熱量。LSI芯片21的熱量通過(guò)第一金屬膜27、接點(diǎn)材料26以及第二金屬膜28傳遞到散熱器15的吸熱器15a。然后，這些熱量從吸熱器15a傳導(dǎo)到散熱片15b。散熱片15b用于建立能散熱的更大面積的表面。例如，運(yùn)行鼓風(fēng)機(jī)單元以產(chǎn)生通過(guò)氣路16的氣流。以此方式，能夠有效防止LSI芯片21溫度升高。
下面，簡(jiǎn)要描述電子元件封裝件13的制造方法。首先，準(zhǔn)備印刷電路板14。印刷電路板14可以使用陶瓷基板或有機(jī)基板。例如，陶瓷基板或有機(jī)基板的厚度可以在0.4mm到0.7mm的范圍內(nèi)。例如，陶瓷基板中可以包含Al2O3、AlN或玻璃等材料。將支撐構(gòu)件29固定在印刷電路板14的正面。將黏著片插入在印刷電路板14與支撐構(gòu)件29之間，以將支撐構(gòu)件29固定到印刷電路板14。支撐構(gòu)件29抵靠在印刷電路板14的正面。例如，擠壓力可以設(shè)置為等于或低于1.96×10-3[Pa]。
將LSI芯片21安裝在印刷電路板14的正面。例如，可以使用Sn-37Sb等焊接材料作為導(dǎo)電端子23。多個(gè)導(dǎo)電端子23預(yù)先連接到LSI芯片21的底面上。各導(dǎo)電端子23置于導(dǎo)電墊24上。然后，熱量傳遞給導(dǎo)電端子23。例如，溫度的峰值設(shè)置為等于或低于230攝氏度。于是，導(dǎo)電端子23熔化。隨后經(jīng)冷卻，導(dǎo)電端子23固化或硬化。以此方式，LSI芯片21安裝在印刷電路板14上。
然后，將底層填料膜25插入在LSI芯片21與印刷電路板14之間?？梢詼?zhǔn)備液態(tài)下的熱固性樹(shù)脂材料填充LSI芯片21與印刷電路板14之間的空間，用于制備底層填料膜25。樹(shù)脂材料可以主要包含環(huán)氧樹(shù)脂。例如，當(dāng)150攝氏度的熱量傳遞給樹(shù)脂材料時(shí)，樹(shù)脂材料被固化。以此方式，基于該固化的樹(shù)脂材料，底層填料膜25形成在LSI芯片21與印刷電路板14之間。
在散熱器15的該相對(duì)面的預(yù)定范圍上覆蓋該第二金屬膜28。例如，在散熱器15的該相對(duì)面上形成具有約3μm厚的Ni膜。然后，在Ni膜表面形成具有約0.3μm厚的Au膜。例如，使用電鍍來(lái)形成Ni膜和Au膜。因此，Ni膜和Au膜構(gòu)成上述的第二金屬膜28。
在LSI芯片21的正面覆蓋該第一金屬膜27。例如，在LSI芯片21的正面形成具有約500nm厚的Ti膜。例如，然后在Ti膜表面形成具有約0.3μm厚的Au膜。例如，使用真空鍍膜(sputtering)來(lái)形成Ti膜和Au膜。因此，在LSI芯片21的正面上的Ti膜和Au膜構(gòu)成上述第一金屬膜27。
例如，這里散熱器15可以由無(wú)氧銅制成。由Ni膜和Au膜制成的第二金屬膜28用于避免散熱器15的該相對(duì)面的氧化。第一、第二二金屬膜27、28用于提高接點(diǎn)材料26的濕度。
然后，將散熱器15安裝在LSI芯片21的正面。將接點(diǎn)材料26插入在第一、第二金屬膜27、28之間，以將散熱器15安裝在LSI芯片21上。例如，接點(diǎn)材料26形成為片狀。例如，這里接點(diǎn)材料26由In-10Ag制成。同時(shí)，將黏著片插入在散熱器15與支撐構(gòu)件29之間。支撐構(gòu)件29抵靠在印刷電路板14的正面上。例如，擠壓力可以設(shè)置為等于或低于1.96×10-3[Pa]。然后，熱量傳遞給散熱器15與LSI芯片21。于是，接點(diǎn)材料26熔化。隨后經(jīng)冷卻，接點(diǎn)材料固化或硬化。以此方式，散熱器15安裝在LSI芯片21的正面。
隨后，將導(dǎo)電端子18連接到印刷電路板14的背面。導(dǎo)電端子18由Sn-37Sb等焊接材料制成。熱量傳遞給導(dǎo)電端子18。例如，溫度的峰值設(shè)置在230攝氏度左右。于是，導(dǎo)電端子18熔化。隨后經(jīng)冷卻，導(dǎo)電端子18固化或硬化。以此方式，導(dǎo)電端子18連接在印刷電路板14的背面。從而完成了電子元件封裝件13的制造。然后，電子元件封裝件13可以安裝在印刷電路板12的正面。
在上述方式中，這種類(lèi)型的電子元件封裝件13使用由In-10Ag制成的接點(diǎn)材料26。因此使得接點(diǎn)材料26具有231攝氏度的液相線溫度，從圖3中可見(jiàn)。例如，由Sn-Pb37制成的導(dǎo)電端子18、23通常在等于或低于230攝氏度的溫度范圍內(nèi)熔化。因此，即使當(dāng)傳遞過(guò)來(lái)的熱量使導(dǎo)電端子18、23熔化，也能夠可靠地使接點(diǎn)材料26免受二次熔化。只要將接點(diǎn)材料26的液相線溫度或熔點(diǎn)設(shè)置得高于導(dǎo)電端子18、23的熔點(diǎn)，可以消除在第一金屬膜27中制備N(xiāo)i膜。第一金屬膜27的結(jié)構(gòu)可以比以往更為簡(jiǎn)化。
另一方面，如果使用In-5Ag或In-7Ag作為接點(diǎn)材料26，可以使接點(diǎn)材料26具有160或200攝氏度的液相線溫度，從圖3中可見(jiàn)。換言之，將接點(diǎn)材料26的熔點(diǎn)設(shè)置成低于導(dǎo)電端子18、23的熔點(diǎn)。即使利用有機(jī)基板作為印刷電路板14，接點(diǎn)材料26也可以在印刷電路板14的耐熱溫度的溫度范圍內(nèi)熔化。接點(diǎn)材料26也可以在電子元件即LSI芯片21的耐熱溫度的溫度范圍內(nèi)熔化。以此方式，只要將接點(diǎn)材料26的熔點(diǎn)設(shè)置得低于導(dǎo)電端子18、23的熔點(diǎn)以及低于印刷電路板14和LSI芯片21的耐熱溫度，就可以避免導(dǎo)電端子18、23的二次熔化以及印刷電路板14和LSI芯片21的損壞。
例如，尤其是In具有低于Pb的彈性系數(shù)。In的彈性系數(shù)在Pb的彈性系數(shù)的四分之一到二分之一的范圍內(nèi)。即使基于散熱器15與LSI芯片21之間的熱膨脹系數(shù)的不同而導(dǎo)致壓力引入到散熱器15與接點(diǎn)材料16之間的界面以及引入到接點(diǎn)材料26與LSI芯片21之間的界面，接點(diǎn)材料26也能充分地可靠地吸收該壓力。還能可靠地避免散熱器15與接點(diǎn)材料26之間的脫離以及接點(diǎn)材料26與LSI芯片21之間的脫離。
接著，發(fā)明人觀察了與接點(diǎn)材料26的組成相關(guān)聯(lián)的空隙的產(chǎn)生。在該觀察過(guò)程中，發(fā)明人準(zhǔn)備了本發(fā)明的第一到第四示例以及一個(gè)比較示例。在第一示例中，使用In-5Ag形成接點(diǎn)材料26。在第二示例中，使用In-7Ag形成接點(diǎn)材料26。在第三示例中，使用In-10Ag形成接點(diǎn)材料26。在第四示例中，使用In-15Ag形成接點(diǎn)材料26。在比較示例中，使用In-3Ag形成接點(diǎn)材料。將第一到第四示例以及比較示例中的接點(diǎn)材料插入在散熱器15與LSI芯片21之間。例如，在接點(diǎn)材料26與散熱器15之間視覺(jué)觀察它們的接觸面。
如圖4所示，在比較示例的接點(diǎn)材料的接觸面中產(chǎn)生大量的空隙。如圖5所示，與比較示例相比，在第一示例的接觸面中產(chǎn)生較少量的空隙。與第一示例相比，如圖6所示，在第二示例中空隙數(shù)量繼續(xù)減少。如圖7所示，在第三示例中空隙數(shù)量繼續(xù)減少。如圖8所示，在第四示例中的接觸面上幾乎難以觀察到空隙。
上述觀察表明隨著接點(diǎn)材料26的總重量中Ag含量的增加，空隙數(shù)量減少。換言之，隨著接點(diǎn)材料26中Ag含量的增加，接點(diǎn)材料26的濕度增加。從圖3中可見(jiàn)，可以確認(rèn)隨著固相線溫度與液相線溫度之間的差增大，空隙減少?？障稊?shù)量的減少使得散熱器15與接點(diǎn)材料26之間以及LSI芯片21與接點(diǎn)材料26之間能可靠地接觸，而無(wú)需增加助焊劑等催化劑。因此，散熱器15能有效地從LSI芯片21吸收熱量。
接著，發(fā)明人測(cè)量了接點(diǎn)材料26的熱阻。發(fā)明人為此測(cè)量準(zhǔn)備了本發(fā)明的特定示例以及第一到第三比較示例。在此特定示例中使用In-10Ag。在第一比較示例中使用In-48Sn。在第二比較示例中使用Sn-20Pb。在第三比較示例中使用Sn-20Pb、Sn-95Pb以及Sn-20Pb的多層膜。對(duì)該特定示例以及第一到第三比較示例進(jìn)行熱阻測(cè)量[℃/W]。
該特定示例呈現(xiàn)出熱阻等于0.0383[℃/W]。該第一比較示例獲得0.0696[℃/W]的熱阻。該第二比較示例獲得0.0543[℃/W]的熱阻。該第三比較示例呈現(xiàn)0.0545[℃/W]的熱阻。該特定示例具有比該第一到第三比較示例更小的熱阻。該特定示例的接點(diǎn)材料26具有比由傳統(tǒng)焊接材料制成的接點(diǎn)材料更優(yōu)的導(dǎo)熱率。此測(cè)量結(jié)果表明這種類(lèi)型的接點(diǎn)材料26能夠可靠地將熱量有效地從LSI芯片21傳遞給散熱器15。
接著，發(fā)明人觀察了接點(diǎn)材料26的厚度與熱阻之間的關(guān)系。發(fā)明人為此觀察準(zhǔn)備了特定示例以及第一到第三比較示例。在此特定示例中使用In-10Ag。在第一比較示例中使用Sn-37Pb、Sn-95Pb以及Sn-37Pb的多層膜。在第二比較示例中使用Sn-20Pb。在第三比較示例中使用In-52Sn。發(fā)明人為特定示例以及第一到第三比較示例中的每個(gè)都準(zhǔn)備了三個(gè)樣本，分別具有100μm、200μm以及250μm的厚度。對(duì)這些示例的每個(gè)樣本進(jìn)行熱阻測(cè)量[℃/W]。
如圖9所示，對(duì)于任何樣本，該特定示例均具有比第一到第三比較示例更小的熱阻。這證實(shí)了該特定示例的接點(diǎn)材料26具有比由傳統(tǒng)焊接材料制成的接點(diǎn)材料更優(yōu)的導(dǎo)熱率。因此，散熱器15能夠有效地從LSI芯片21吸收熱量。
權(quán)利要求
1.一種電子元件封裝件，其包括印刷電路板；電子元件，其安裝在該印刷電路板的表面上；導(dǎo)熱構(gòu)件，其容置在該印刷電路板上的該電子元件的表而上；和接點(diǎn)材料，其插入在該電子元件與該導(dǎo)熱構(gòu)件之間，所述接點(diǎn)材料由包含In以及3wt％以上的Ag的材料制成。
2.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝件，其中，所述接點(diǎn)材料的熔點(diǎn)低于將該電子元件連接至該印刷電路板的端子的熔點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求1所述的電子元件封裝件，其中，所述接點(diǎn)材料的熔點(diǎn)低于該電子元件的耐熱溫度。
4.一種聯(lián)合組件，其包括第一構(gòu)件，其表面上至少部分地出現(xiàn)第一金屬；第二構(gòu)件，其表面上至少部分地出現(xiàn)第二金屬，所述第二構(gòu)件在該第二二金屬處容置在該第一金屬上；以及接點(diǎn)材料，其插入在該第一金屬與該第二金屬之間，所述接點(diǎn)材料由包含In以及3wt％以上的Ag的材料制成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電子元件封裝件，其包括電子元件，其安裝在印刷電路板上；導(dǎo)熱構(gòu)件，其容置在電子元件的表面上；接點(diǎn)材料，其插入在電子元件與導(dǎo)熱構(gòu)件之間。該接點(diǎn)材料由包含In以及3wt％以上的Ag的材料制成。發(fā)明人論證了隨著接點(diǎn)材料的總重量中Ag含量的增加，接點(diǎn)材料與電子元件之間的界面以及接點(diǎn)材料與導(dǎo)熱構(gòu)件之間的界面處的空隙減少。與傳統(tǒng)焊接材料相比，這種接點(diǎn)材料具有更高的導(dǎo)熱率。這種接點(diǎn)材料使得導(dǎo)熱構(gòu)件可以有效地從電子元件吸收熱量。
文檔編號(hào)H01L23/373GK1889255SQ20051010865
公開(kāi)日2007年1月3日 申請(qǐng)日期2005年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月27日
發(fā)明者中村直章, 吉村英明, 福園健治, 佐藤稔尚 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社