專(zhuān)利名稱(chēng)：高介電常數(shù)金屬硅酸鹽的原子層沉積的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及諸如硅酸鉿的金屬硅酸鹽的高k介電膜的原子層沉積(“ALD”)。更具體地，本發(fā)明涉及從金屬有機(jī)前體、硅有機(jī)前體和臭氧形成金屬硅酸鹽的ALD。
背景技術(shù)：
計(jì)算機(jī)的速度和功能性每年翻一倍，這在很大程度上得利于集成電路尺寸的縮減。目前，新式電路中的最小尺寸是柵極絕緣體的厚度，該柵極絕緣體使控制電極(“柵極電極”)與硅中的受控電流隔離。傳統(tǒng)上，柵極絕緣體由二氧化硅(SiO2)和/或氮化硅(SiN)制成。這種絕緣體目前薄至20埃。然而，傳統(tǒng)的柵極電介質(zhì)在厚度減小到20埃以下時(shí)出現(xiàn)泄漏和可靠性故障。
因此，正在努力尋找替代的絕緣體。迄今，努力大多集中在高介電常數(shù)(高“k”)材料。如這里所使用的，如果它的介電常數(shù)“k”高于二氧化硅的介電常數(shù)(k＝3.9)則該材料是“高k”。在半導(dǎo)體的國(guó)際技術(shù)路線圖中認(rèn)同了對(duì)于用在互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管集成的高k柵極電介質(zhì)的需要。已經(jīng)研究的高k電介質(zhì)包括金屬硅酸鹽。
此外，現(xiàn)有技術(shù)沉積技術(shù)，例如化學(xué)氣相沉積(CVD)，日益不能夠滿足先進(jìn)薄膜的要求。而CVD工藝能夠滿足提供階梯覆蓋得以改善的保形膜的要求，CVD工藝常常要求高處理溫度，造成高雜質(zhì)濃度的混入，并且具有不良的前體或反應(yīng)物利用效率。例如，制作高k柵極電介質(zhì)的一個(gè)障礙是在CVD工藝期間形成界面氧化硅層。另一障礙是現(xiàn)有技術(shù)CVD工藝限制在硅襯底上沉積用于高k柵極電介質(zhì)的超薄膜。
因此，正在努力開(kāi)發(fā)以純物質(zhì)方式沉積具有一致的化學(xué)計(jì)量比、厚度、保形覆蓋、突變的界面、光滑的表面、以及減少的晶粒間界、裂紋和針孔的材料的改進(jìn)方法。ALD是在開(kāi)發(fā)的最新方法。在ALD中，通過(guò)交替的脈沖和凈化，前體和共反應(yīng)劑被分別引導(dǎo)至生長(zhǎng)膜的表面，從而在每一脈沖周期產(chǎn)生膜生長(zhǎng)的單一的單層。通過(guò)脈沖周期的總數(shù)來(lái)控制層的厚度。ALD相比于CVD具有幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。ALD能夠在與朝更低溫度發(fā)展的工業(yè)趨勢(shì)相適應(yīng)的相對(duì)較低的溫度下進(jìn)行，和能夠生產(chǎn)保形的薄膜層。更加有利的是，ALD能夠在原子尺度上控制膜厚，和能夠用于“納米工程”的復(fù)合薄膜。因此，強(qiáng)烈需要進(jìn)一步發(fā)展ALD。
公知的是使用金屬烷基酰胺作為ALD中的金屬有機(jī)前體。例如，已經(jīng)報(bào)道了使用四(二甲基酰胺)鉿(“Hf-TDMA”)和四(乙基甲基酰胺)鉿(“Hf-TEMA”)的氧化鉿的ALD形成。分別參見(jiàn)Vapor Deposition Of MetalOxides And SilicatesPossible Gate Insulators For Future Microelectronics，R.Gordon等人，Chem.Mater.，2001，pp.2463-2464和Atomic Layer Deposition ofHafnium Dioxide Films From Hafnium Tetrakis(ethylmethylamide)And Water，K.Kukli等人，Chem.Vap.Deposition，2002，Vol.8，No.5，pp.199-204。然而，這些參考文件沒(méi)有使用金屬烷基酰胺來(lái)形成金屬硅酸鹽。而且，這些參考文獻(xiàn)沒(méi)有描述臭氧優(yōu)先用作氧化劑。
臭氧是已知的氧化劑。例如，臭氧是報(bào)道的ALD工藝中的多種適合氧化劑中的一種，以從四-t-丁氧化鋯制作氧化鋯。參見(jiàn)美國(guó)專(zhuān)利第6465371號(hào)。然而，氧和/或蒸汽往往是金屬氧化物的ALD形成中的優(yōu)選氧化劑。參見(jiàn)，例如Atomic Layer Deposition of Hafnium Dioxide Films from Hafnium tetrakis(ethylmethylamide)And Water.

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供用于形成包括硅酸鉿的高k金屬硅酸鹽的ALD工藝，以取代柵極和/或電容器電介質(zhì)應(yīng)用中的二氧化硅。該方法要求以下步驟首先，同時(shí)或者連續(xù)地脈沖金屬有機(jī)前體和硅有機(jī)前體進(jìn)入包含襯底的反應(yīng)室中；第二，凈化反應(yīng)室；第三，脈沖臭氧進(jìn)入反應(yīng)室；及第四，凈化反應(yīng)室。重復(fù)此脈沖周期直到獲得目標(biāo)厚度的金屬硅酸鹽膜。
金屬有機(jī)前體可以是任何供給金屬的有機(jī)材料。優(yōu)選的金屬有機(jī)前體包括烷基金屬、金屬醇鹽和金屬烷基酰胺。優(yōu)選地，金屬有機(jī)前體是金屬烷基酰胺。甚至更優(yōu)選地，金屬有機(jī)前體是包含乙基甲基酰胺配體的金屬烷基酰胺。這種前體表現(xiàn)出所得金屬硅酸鹽膜中減少的碳污染。
硅有機(jī)前體可以是任何供硅的有機(jī)材料。優(yōu)選的硅有機(jī)前體包括烷基硅烷、硅醇鹽、硅氧烷、硅氮烷和硅烷基酰胺。然而，優(yōu)選地，硅有機(jī)前體是硅烷基酰胺。甚至更優(yōu)選地，硅有機(jī)前體是四(乙基甲基酰胺)硅。再一次，這些前體表現(xiàn)出減少的碳污染。
通過(guò)在ALD工藝中使用臭氧，與傳統(tǒng)的氧化劑如蒸汽相對(duì)照，所得金屬硅酸鹽膜中被固定和被俘獲的電荷顯著地減少。此外，通過(guò)在ALD工藝中使用臭氧，與傳統(tǒng)的氧化劑如氧氣相對(duì)照，ALD工藝所需的操作溫度顯著地降低。
按照本發(fā)明生產(chǎn)的高k金屬硅酸鹽膜用作柵極和電容器的電介質(zhì)。當(dāng)用作柵極電介質(zhì)時(shí)，高k電介質(zhì)膜在襯底(通常是硅晶片)上形成，在一個(gè)或者多個(gè)n或p摻雜溝道之間。接著，電極、例如多晶硅電極形成在該電介質(zhì)之上，從而完成柵極。當(dāng)用作電容器電介質(zhì)時(shí)，高k電介質(zhì)膜在兩個(gè)導(dǎo)電極板之間形成。


將參考附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明，其中圖1是概括本發(fā)明的ALD脈沖周期的流程圖；以及圖2示出了在柵極中使用了按照本發(fā)明生產(chǎn)的高k電介質(zhì)膜。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供了用于形成高k金屬硅酸鹽的ALD工藝，從而取代柵極和/或電容器電介質(zhì)中應(yīng)用的二氧化硅。按照該工藝優(yōu)選形成的金屬硅酸鹽是硅酸鉿。硅酸鉿表現(xiàn)出優(yōu)越的熱穩(wěn)定性，因此，與其它硅酸鹽相比較，導(dǎo)致較少的界面二氧化硅生長(zhǎng)。
在脈沖周期開(kāi)始之前，常通過(guò)位于室一端的閥，將襯底(一般是硅晶片)放置在反應(yīng)室中。優(yōu)選地，已經(jīng)利用氟化氫清潔了硅晶片以去除生成的二氧化硅。
襯底位于可加熱晶片基座上，晶片基座支撐和加熱襯底至所需的反應(yīng)溫度。一旦襯底被適當(dāng)定位，脈沖周期可以開(kāi)始。
一般情況下，在脈沖周期的第一脈沖之前，晶片從約100℃被加熱至約400℃范圍的溫度，且優(yōu)選的從約200℃加熱至約400℃的范圍。在整個(gè)工藝中保持這個(gè)溫度。
一般地，在脈沖周期的第一脈沖之前，反應(yīng)室還達(dá)到約0.1至5托的壓力，且優(yōu)選是約0.1至2托。在整個(gè)工藝中也保持這個(gè)壓力。
圖1直觀地示出了脈沖周期。脈沖周期包括以下步驟第一，揮發(fā)性液態(tài)金屬有機(jī)前體和揮發(fā)性液態(tài)硅前體，或者共同地或者分別地，以及同時(shí)地或者連續(xù)地?fù)]發(fā)和脈沖進(jìn)入反應(yīng)室中。然后，金屬有機(jī)前體和硅源被化學(xué)吸附和/或物理吸附在襯底表面上。
通常，金屬有機(jī)前體和硅前體均以約0.1至約1100標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘(“sccm”)的流速范圍以約0.1至約5秒的時(shí)間導(dǎo)入。所述前體，或者前體混合物，可以與惰性載氣，例如氬、氮或者氦氣一起導(dǎo)入。替代方案是，所述前體，或者前體混合物，可以用純的方式導(dǎo)入。優(yōu)選地，前體液體被混合，然后揮發(fā)，然后與氬氣一起導(dǎo)入反應(yīng)室中。
金屬有機(jī)前體可以是任何供給金屬的有機(jī)材料。優(yōu)選的金屬有機(jī)前體包括烷基金屬、金屬醇鹽和金屬烷基酰胺。然而，優(yōu)選地，金屬有機(jī)前體是金屬烷基酰胺。金屬烷基酰胺有助于在所得膜中混入較少的碳污染。
合適的金屬烷基酰胺與下面的公式相符M(NR1R2)n其中“M”是金屬，“R1”和“R2”獨(dú)立地選自取代的或者未取代的直、支鏈和環(huán)狀烷基，和“n”是對(duì)應(yīng)于金屬化合價(jià)的數(shù)。優(yōu)選的，“M”是4族(Ti，Zr，Hf)金屬(4族是新的周期表表示法，其對(duì)應(yīng)于先前IUPAC形式的IVA族和CAS版本中的IVB族)。理想地，金屬是鉿。優(yōu)選地，“R1”和“R2”各自是C1-C6烷基，例如甲基和乙基，因?yàn)檫@些配體減少了所得膜中的碳污染。甚至更加優(yōu)選的，“R1”和“R2”分別是乙基和甲基單元。使用帶有乙基甲基酰胺配體的金屬烷基酰胺，在金屬硅酸鹽膜中產(chǎn)生較少的碳污染。例如，相對(duì)于相關(guān)的化合物，例如Hf-TDMA和四乙基酰胺鉿(“Hf-TDEA”)，Hf-TEMA產(chǎn)生較少的碳污染。
硅有機(jī)前體可以是任何供硅的有機(jī)材料。優(yōu)選的硅有機(jī)前體包括烷基硅烷、硅醇鹽、硅氧烷、硅氮烷和硅烷基酰胺。例如，合適的硅有機(jī)前體包括烷基硅烷，例如四甲基硅烷；硅醇鹽，例如四-t-丁氧化硅；硅氧烷，例如六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)和四甲基二硅氧烷(“TMDSO”)；以及硅氮烷，例如六甲基二硅氮烷。然而，優(yōu)選的，硅有機(jī)前體是硅烷基酰胺。所述硅烷基酰胺在所得的金屬硅酸鹽膜中產(chǎn)生較少的碳含量。
合適的硅烷基酰胺包括與下面公式相符的化合物Si(NR1R2)4其中“R1”和“R2”獨(dú)立地選自取代的或者未取代的直、支鏈和環(huán)烷基。優(yōu)選的，“R1”和“R2”各自是C1-C6烷基，例如甲基和乙基。甚至更加優(yōu)選的，硅烷基酰胺是四(乙基甲基酰胺)硅(“Si-TEMA”)，因?yàn)榧词乖谂c諸如四(二乙基酰胺)硅(“Si-TDEA”)和四(二甲基酰胺)硅(“Si-TDMA”)的類(lèi)似化合物相比較時(shí)，所述化合物在金屬硅酸鹽膜中產(chǎn)生較少的碳污染。
第二，反應(yīng)室通過(guò)凈化去除未反應(yīng)的金屬有機(jī)前體、未反應(yīng)的硅有機(jī)前體和副產(chǎn)物。凈化可以例如使用惰性凈化氣體或者抽空凈化來(lái)進(jìn)行。惰性凈化氣體包括氬、氮和氦氣。凈化氣體一般脈沖進(jìn)入反應(yīng)室中，流速?gòu)募s0.1至約1100sccm，持續(xù)約0.1至約5秒的時(shí)間周期。
第三，臭氧氣體脈沖進(jìn)入反應(yīng)室。臭氧一般以約0.1至約1100sccm的流速、持續(xù)約0.1至約5秒的時(shí)間脈沖進(jìn)入反應(yīng)室。臭氧可以與惰性氣體例如氬、氮或者氦氣一起導(dǎo)入。替代方案是，臭氧可以用純的方式加入?！凹儭辈灰馕吨鯕馔耆淮嬖?。氧氣是臭氧的前體并且?guī)缀蹩偸且欢ǔ潭鹊卮嬖谟诔粞踔小３粞跚袛嘟饘儆袡C(jī)前體和硅有機(jī)前體上的配體，并加入必須的氧以形成金屬硅酸鹽。
通過(guò)在ALD工藝中使用臭氧，與傳統(tǒng)的氧化劑如氧氣和蒸汽相比照，所得金屬硅酸鹽中被固定和被俘獲的電荷減少。此外，所需的操作溫度降低。傳統(tǒng)上，氧氣和蒸汽一直是ALD工藝中的優(yōu)選氧化劑，而臭氧一直被認(rèn)為是不受歡迎的氧化劑，因?yàn)樗鄬?duì)高的不穩(wěn)定性。然而，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)實(shí)際上在通過(guò)ALD形成金屬硅酸鹽膜時(shí)臭氧是優(yōu)選的氧化劑。而氧氣要求400℃左右的操作溫度，臭氧允許操作溫度在300℃以下。而蒸汽造成所得膜中的羥基污染，臭氧生產(chǎn)出不具有這種污染的膜。
第四且是最后，反應(yīng)室通過(guò)凈化去除未反應(yīng)的臭氧和副產(chǎn)物。這個(gè)第二凈化步驟通常按照與第一凈化步驟相同的方式進(jìn)行。
這樣完成了ALD工藝的一個(gè)周期。最終結(jié)果是在襯底上形成金屬硅酸鹽的一個(gè)單層。然后，該脈沖周期重復(fù)所需的許多次數(shù)，以獲得所需的膜厚度。一層接一層的ALD生長(zhǎng)在大襯底面積上提供了極佳的覆蓋，并提供了極佳的階梯覆蓋。
按照本發(fā)明優(yōu)選形成的金屬硅酸鹽是4族金屬硅酸鹽，例如硅酸鉿、硅酸鋯和硅酸鈦。最優(yōu)選的金屬硅酸鹽是硅酸鉿。硅酸鉿表現(xiàn)出優(yōu)越的熱穩(wěn)定性，并由此導(dǎo)致較少的界面二氧化硅生長(zhǎng)。
可以通過(guò)以下方式在硅襯底上形成硅酸鉿(HfxSi1-xO2)膜脈沖Hf-TEMA和Si-TEMA的比例為1∶4的氣態(tài)混合物，接著凈化，然后脈沖臭氧，然后第二次凈化。優(yōu)選的，在整個(gè)工藝中壓力是0.5托，并且氣化器設(shè)定點(diǎn)是125℃和襯加熱器處于135℃。
示范性的脈沖周期如下首先，前體以0.04g/min的濃度和300sccm的流速持續(xù)2秒鐘脈沖進(jìn)入室中；第二，氬凈化以300sccm的流速持續(xù)3秒鐘脈沖進(jìn)入室中；第三，臭氧以300sccm的流速持續(xù)2秒鐘脈沖進(jìn)入室中；第四且是最后，氬以300sccm的流速持續(xù)3秒鐘脈沖進(jìn)入室中。這些條件帶來(lái)約1.5％(1σ)的均勻性和約0.95埃/周期的沉積速率。
一般地，提高晶片溫度將增大沉積速率和等效厚度(Tox)并減小泄漏電流密度(Jg)。臭氧脈沖時(shí)間的增加增大了沉積速率和Tox并減小Jg。此外，已經(jīng)確定所得膜中鉿和硅的百分比與晶片溫度相關(guān)。具體地說(shuō)，隨著晶片溫度的上升，鉿的百分比減少和硅的百分比增加。實(shí)際情況是，在晶片溫度從300℃上升至400℃時(shí)，硅的百分比接近翻倍，但其后是平坦的并且直到450℃沒(méi)有表現(xiàn)出太多的增加。例如，在350℃的晶片溫度下，膜中的原子百分比是1.4％的氫、3.0％的碳、63.4％的氧、10.9％的硅、20.3％的鉿和1.0％的氮。相比照，在400℃的晶片溫度下，膜中的原子百分比是1.8％的氫、2.5％的碳、62.7％的氧、13.3％的硅、18.5％的鉿和1.2％的氮。然而，在450℃的晶片溫度下，膜中的原子百分比是1.0％的氫、2.1％的碳、63.8％的氧、13.7％的硅、18.8％的鉿和0.6％的氮。
本發(fā)明的ALD工藝可以用于生產(chǎn)用在柵極和電容器結(jié)構(gòu)中的高k電介質(zhì)。例如，該工藝可以用于生產(chǎn)柵極，方法是在諸如摻雜硅晶片的襯底上形成高k金屬硅酸鹽膜并用諸如摻雜多晶硅的導(dǎo)電層覆蓋在該結(jié)構(gòu)上。替代的方案是，通過(guò)在兩個(gè)導(dǎo)電極板之間形成高k金屬硅酸鹽膜，該工藝可以用于生產(chǎn)電容器。
圖2是在柵極中使用這種高k電介質(zhì)的示例。圖2中，場(chǎng)效應(yīng)晶體管100以剖面示出。晶體管包括輕p摻雜硅襯底110，其中已經(jīng)形成了n摻雜硅源極130和n摻雜硅漏極140，在它們之間保留溝道區(qū)120。柵極電介質(zhì)160位于溝道區(qū)120之上。柵極電極150位于柵極電介質(zhì)160之上，使它僅通過(guò)中間的柵極電介質(zhì)160與溝道區(qū)120分離。當(dāng)源極130和漏極140之間存在電壓差時(shí)，沒(méi)有電流流過(guò)溝道區(qū)120，因?yàn)樵谠礃O130或者漏極140處的一個(gè)結(jié)被反向偏置。然而，通過(guò)向柵極電極150施加正電壓，電流流過(guò)溝道區(qū)120。柵極電介質(zhì)160是按照本發(fā)明的ALD工藝制作的高k金屬硅酸鹽。
本領(lǐng)域技術(shù)人員明白本發(fā)明的許多變化是可行的。例如，臭氧可以用多種方式產(chǎn)生和輸送。此外，ALD室的具體布置、氣體配送裝置、閥、定時(shí)等常常可變化。其它在本發(fā)明精神和范圍內(nèi)的變化可以出現(xiàn)，不必在這里詳細(xì)地說(shuō)明。因此，本發(fā)明僅由所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍加以限制。
權(quán)利要求
1.一種通過(guò)原子層沉積在襯底上生長(zhǎng)金屬硅酸鹽膜的方法，包括(i)將金屬有機(jī)前體和硅有機(jī)前體導(dǎo)入包含襯底的反應(yīng)室；(ii)凈化所述反應(yīng)室；(iii)將臭氧導(dǎo)入所述反應(yīng)室；(iv)凈化所述反應(yīng)室；以及(v)重復(fù)步驟(i)、(ii)、(iii)和(iv)，直到在該襯底上獲得目標(biāo)厚度的膜。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中所述襯底是硅。
3.如權(quán)利要求1的方法，其中所述金屬有機(jī)前體中的金屬是4族金屬。
4.如權(quán)利要求1的方法，其中所述金屬有機(jī)前體中的金屬是鉿。
5.如權(quán)利要求1的方法，其中所述金屬有機(jī)前體是直、支鏈和環(huán)烷基。
6.如權(quán)利要求1的方法，其中所述金屬有機(jī)前體是金屬烷基酰胺。
7.如權(quán)利要求1的方法，其中所述硅有機(jī)前體是硅烷基酰胺。
8.如權(quán)利要求1的方法，其中所述金屬有機(jī)前體是金屬醇鹽。
9.如權(quán)利要求1的方法，其中所述金屬有機(jī)前體和所述硅有機(jī)前體被混合、揮發(fā)和以混合氣體導(dǎo)入所述室中。
10.如權(quán)利要求1的方法，其中所述金屬有機(jī)前體和所述硅有機(jī)前體分別揮發(fā)并同時(shí)地導(dǎo)入所述室中。
11.如權(quán)利要求1的方法，其中所述金屬有機(jī)前體和所述硅有機(jī)前體分別揮發(fā)并連續(xù)地導(dǎo)入所述室中。
12.一種形成用于晶體管的柵極的方法，包括(i)將金屬有機(jī)前體和硅有機(jī)前體導(dǎo)入包含襯底的反應(yīng)室；(ii)凈化所述反應(yīng)室；(iii)將臭氧導(dǎo)入所述反應(yīng)室；(iv)凈化所述反應(yīng)室；(v)重復(fù)步驟(i)、(ii)、(iii)和(iv)，直到在襯底上獲得目標(biāo)厚度的介電膜；以及(vi)將導(dǎo)電膜設(shè)置在所述介電膜之上。
13.如權(quán)利要求12的方法，其中所述襯底是硅。
14.如權(quán)利要求12的方法，其中所述金屬有機(jī)前體是4族金屬的直、支鏈和環(huán)酰胺和其中所述硅有機(jī)前體是供硅的有機(jī)材料。
15.如權(quán)利要求12的方法，其中所述金屬有機(jī)前體是4族金屬的金屬烷基酰胺，和其中所述硅有機(jī)前體是硅烷基酰胺。
16.如權(quán)利要求12的方法，其中所述金屬有機(jī)前體和所述硅有機(jī)前體被混合、揮發(fā)和以混合氣體導(dǎo)入所述室中。
17.如權(quán)利要求12的方法，其中所述金屬有機(jī)前體和所述硅有機(jī)前體分別揮發(fā)并同時(shí)地導(dǎo)入所述室中。
18.如權(quán)利要求12的方法，其中所述金屬有機(jī)前體和所述硅有機(jī)前體分別揮發(fā)并連續(xù)地導(dǎo)入所述室中。
19.一種形成電容器的方法，包括(i)將金屬有機(jī)前體和硅有機(jī)前體導(dǎo)入包含襯底的反應(yīng)室；(ii)凈化所述反應(yīng)室；(iii)將臭氧導(dǎo)入所述反應(yīng)室；(iv)凈化所述反應(yīng)室；(v)重復(fù)步驟(i)、(ii)、(iii)和(iv)，直到在襯底上獲得目標(biāo)厚度的介電膜；以及(vi)使所述膜位于兩個(gè)電極之間。
20.如權(quán)利要求19的方法，其中所述襯底是所述兩個(gè)電極中的一個(gè)。
21.如權(quán)利要求19的方法，其中所述金屬有機(jī)前體是4族金屬的直、支鏈和環(huán)酰胺和其中所述硅有機(jī)前體是供硅的有機(jī)材料。
22.如權(quán)利要求19的方法，其中所述金屬有機(jī)前體是4族金屬的金屬烷基酰胺，和其中所述硅有機(jī)前體是硅烷基酰胺。
23.如權(quán)利要求19的方法，其中所述金屬有機(jī)前體和所述硅有機(jī)前體被混合、揮發(fā)和以混合氣體導(dǎo)入所述室中。
24.如權(quán)利要求19的方法，其中所述金屬有機(jī)前體和所述硅有機(jī)前體分別揮發(fā)并同時(shí)地導(dǎo)入所述室中。
25.如權(quán)利要求19的方法，其中所述金屬有機(jī)前體和所述硅有機(jī)前體分別揮發(fā)并連續(xù)地導(dǎo)入所述室中。
全文摘要
本發(fā)明涉及金屬硅酸鹽的高k介電層的原子層沉積(“ALD”)，金屬硅酸鹽包括硅酸鉿。更具體地，本發(fā)明涉及使用金屬有機(jī)前體、硅有機(jī)前體和臭氧的金屬硅酸鹽的ALD形成。優(yōu)選地，金屬有機(jī)前體是金屬烷基酰胺，和硅有機(jī)前體是硅烷基酰胺。
文檔編號(hào)H01L21/20GK1902738SQ03825797
公開(kāi)日2007年1月24日 申請(qǐng)日期2003年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月18日
發(fā)明者李尚因, 先崎義秀, 李尚校 申請(qǐng)人:阿維扎技術(shù)公司, 綜合處理系統(tǒng)有限公司