專利名稱：使用低－k介電材料形成雙大馬士革互連的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及形成多級互連的方法，更具體的是涉及使用低k介電材料(low-k dialectric materiall)形成雙大馬士革互連(damascene interconnection)的方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)晶體管越來越高度集成時，邏輯器件也趨向于高速和高集成度。隨著晶體管的高集成度，互連尺寸逐漸減小。這種最小化導(dǎo)致互連延遲和妨礙器件在高速下工作。
由于銅(Cu)的低電阻率和高電遷移(EM)電阻特性，銅最近已成為優(yōu)于鋁合金(Al-合金)的互連材料應(yīng)選品。但是，由于銅難以蝕刻(etch)且在氧化處理過程中易于氧化，因此使用大馬士革工藝來形成銅互連。根據(jù)大馬士革工藝，在絕緣層中形成互連凹槽和通孔，在該凹槽中將形成上互連以及通孔連接上互連到下互連或基底。用銅填滿互連凹槽和通孔之后，進行化學(xué)機械拋光(CMP)以平整化上述結(jié)構(gòu)。以此方式，大馬士革工藝是一種填充工藝。
低k介電可以使互連之間的所產(chǎn)生的寄生電容降低、提高器件運行速度以及抑制交互干擾現(xiàn)象。鑒于這些優(yōu)點，低k介電正在以多種方式發(fā)展。通常，低k介電被分為二氧化硅(SiO2)族有機聚合物和碳(C)族有機聚合物。
現(xiàn)在參考

圖1描述使用單個硬掩模層的普通大馬士革工藝。
參考圖1，在下導(dǎo)電層100上依次層疊下蝕刻-停止層(etch-stop)105、下絕緣層(insulating layer)110、上蝕刻-停止層115、上絕緣層120以及硬掩模層(hard mask layer)125。按順序蝕刻硬掩模層125、上絕緣層120、上蝕刻-停止層115以及下絕緣層110以形成暴露下蝕刻-停止層105的通孔135。在圖中，參考標(biāo)記“D1”指通孔(via hole)的寬度。
然后，形成具有開口的光致抗蝕劑圖形140，開口具有互連凹槽的寬度。在圖中，參考標(biāo)記“D2”表示互連的寬度。盡管在圖中未示出，但是使用光致抗蝕劑圖形140形成了互連凹槽以形成大馬士革圖形。
在下絕緣層和上絕緣層110和120由低k介電形成的情況下，也就是由有機聚合物形成的情況下，它們易于被灰化工藝中用于光致抗蝕劑圖形140的氧等離子體損傷。此外，當(dāng)采用再加工工藝時，其中因為初始光刻工藝不正確，所以除去光致抗蝕劑圖形(photoresist pattern)以便再進行光刻工藝時，已經(jīng)暴露于通孔側(cè)壁的絕緣層110和120會被嚴(yán)重地損傷。
由此，在利用由有機聚合物形成絕緣層的目前的雙大馬士革工藝中，使用雙硬掩模層以形成互連凹槽圖形。
圖2A至圖2J示出了在由有機聚合物制成的絕緣層中使用雙硬掩模層形成雙大馬士革圖形的常規(guī)步驟。
參考圖2A，在下導(dǎo)電層200上順序地層疊下蝕刻-停止層205、下絕緣層210、上蝕刻-停止層215、上絕緣層220、下硬掩模層225以及上硬掩模層230。
參考圖2B，在上硬掩模層230上形成具有開口的光致抗蝕劑圖形235，開口具有互連凹槽寬度D2。使用光致抗蝕劑圖形235作為蝕刻掩模，將上硬掩模層230圖案化以形成暴露下硬掩模層225表面的互連凹槽開口233。
參考圖2C，通過灰化工藝除去光致抗蝕劑圖形235。在上硬掩模層230處設(shè)置互連凹槽開口233。
參考圖2D，在暴露的下硬掩模層225上形成具有開口的光致抗蝕劑圖形240，開口具有通孔寬度。在用于形成光致抗蝕劑圖形240的光刻工藝中可能產(chǎn)生未對準(zhǔn)(misalignment)，以及光刻工藝之后可能產(chǎn)生光致抗蝕劑尾部(photoresist tail)241。光致抗蝕劑尾部241由于缺少景深(depth of focus，DOF)余量而產(chǎn)生，這是由圖案化的上硬掩模層230的步差(step difference)所引起。光致抗蝕劑尾部241導(dǎo)致圖形錯誤，該圖形能夠阻止形成穩(wěn)定的大馬士革結(jié)構(gòu)。在最壞情況下，不可能形成圖形。
參考圖2E，使用光致抗蝕劑圖形240作為蝕刻掩膜，下硬掩模層225被圖案化以暴露上絕緣層220的表面。
參考圖2F，使用下硬掩模層225作為蝕刻掩膜，選擇地蝕刻上絕緣層220以形成暴露上蝕刻-停止層215表面的孔開口243。注意由有機聚合物形成的上絕緣層220是與光致抗蝕劑圖形240一樣的碳族。由于它們的蝕刻速率(etchrate)彼此相似，因此蝕刻上絕緣層220的同時也除去了光致抗蝕劑圖形240。
參考圖2G，使用圖案化的上硬掩模層230作為蝕刻掩膜，蝕刻下硬掩模225和暴露的上蝕刻-停止層215以暴露鄰近孔開口243上部的上絕緣層220的上側(cè)和孔開口243下部的下絕緣層210。
參考圖2H，將暴露的上絕緣層220和暴露的下絕緣層210圖案化以在上絕緣層中形成互連凹槽245以及在下絕緣層中形成通孔250。如圖所示，互連凹槽245比通孔250寬。
參考圖2I，除去通孔250下部的下蝕刻-停止層205以暴露下導(dǎo)電層200的表面。同時，也可以除去上硬掩模層230和互連凹槽245下部暴露的蝕刻-停止層215。
參考圖2J，用導(dǎo)電材料填充互連凹槽245和通孔250之后，進行CMP以形成互連260。在填充互連凹槽245和通孔250之前，如圖所示，可以形成可選的阻擋金屬層255。
使用上述雙硬掩模層的大馬士革工藝比較復(fù)雜。而且，如上所述，該大馬士革工藝通常導(dǎo)致未對準(zhǔn)或形成光致抗蝕劑尾部。
發(fā)明概述本發(fā)明涉及僅使用一個硬掩模層形成雙大馬士革互連的方法，由此簡化制造過程，同時防止由有機聚合物形成的絕緣層受到灰化損傷。
本發(fā)明還涉及形成雙大馬士革互連的方法，該方法能夠形成通孔，通孔的寬度比光刻設(shè)備的分辯率小。
本發(fā)明還涉及形成雙大馬士革互連而不產(chǎn)生通常由臺階差引起的光致抗蝕劑尾部的方法。
以此方式，本發(fā)明包括形成雙大馬士革互連的方法。在形成下導(dǎo)電層的半導(dǎo)體襯底上依次形成下絕緣層、上蝕刻-停止層、上絕緣層以及硬掩模層。將硬掩模層和上絕緣層圖案化，以在上絕緣層中形成互連凹槽，互連凹槽暴露部分上蝕刻-停止層。在互連凹槽的側(cè)壁上形成襯片(spacer)。形成具有開口的光致抗蝕劑圖形，開口處暴露互連凹槽和部分上蝕刻-停止層。先后蝕刻上蝕刻-停止層和下絕緣層以在下絕緣層中形成孔，該孔暴露部分下導(dǎo)電層。除去圖案化后的硬掩模層和襯片。然后形成互連以填充互連凹槽和孔。
在一個實施方案中，下絕緣層和上絕緣層包括低k介電有機聚合物。下絕緣層和上絕緣層包括選自摻氟氧化物、摻碳氧化物和氧化硅的材料。硬掩模層包括蝕刻率與襯片一致，但是不同于上蝕刻-停止層的蝕刻率的材料，例如，硬掩模層和襯片包括氮化硅，上蝕刻-停止層包括氧化硅。
在另一實施方案中，在下導(dǎo)電層上形成下蝕刻-停止層，其中在除去圖案化的硬掩模層和襯片的同時，除去下蝕刻-停止層。下蝕刻-停止層可以包括具有與硬掩模層一致的蝕刻率的材料。
在另一實施方案中，形成互連凹槽包括在硬掩模層上形成光致抗蝕劑圖案，光致抗蝕劑圖形暴露部分硬掩模層；使用光致抗蝕劑圖形作為蝕刻掩膜，蝕刻暴露的硬掩模層以形成暴露部分上絕緣層的硬掩模層圖案；以及使用硬掩模層圖案作為蝕刻掩膜，蝕刻暴露的上絕緣層以暴露部分上蝕刻-停止層，其中在蝕刻暴露的上絕緣層的同時除去光致抗蝕劑圖案。
在另一實施方案中，形成孔包括選擇地蝕刻被開口暴露的上蝕刻-停止層以暴露部分下絕緣層；以及使用圖案化的硬掩模層、襯片以及上蝕刻-停止層作為蝕刻掩膜，選擇地蝕刻暴露的下絕緣層以暴露部分下導(dǎo)電層，其中在蝕刻暴露的下絕緣層的同時除去光致抗蝕劑圖案。
可以形成開口以在互連凹槽方向具有第一寬度，在與互連凹槽交叉方向具有第二寬度，第一寬度大于第二寬度。開口可以選擇性地暴露多個互連凹槽。
互連可以由選自鋁(Al)、鋁合金(Al-合金)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鎢(W)以及鉬(Mo)的導(dǎo)電材料形成。在形成互連之前可以形成阻擋金屬層，其中阻擋金屬層是選自Ta、TaN、TiN、WN、TaC、WC、TiSiN以及TaSiN中的一種。
下導(dǎo)電層可以包括形成在半導(dǎo)體襯底上的下互連，而孔包括通孔?；蛘?，下導(dǎo)電層形成在半導(dǎo)體襯底上，而孔是接觸孔。
附圖簡述根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方案的更詳細的描述，將會更明白本發(fā)明的上述及其他目的、性能以及優(yōu)點。這些方案如附圖所示，其中在不同的圖中同樣的參考標(biāo)記指同樣的部分。附圖不需要按比例，重點圖示本發(fā)明的原理。
圖1是使用單硬掩模層的常規(guī)雙大馬士革工藝的剖視圖。
圖2A至圖2J是使用雙硬掩模層的常規(guī)雙大馬士革工藝的剖視圖。
圖3A至3H是說明根據(jù)本發(fā)明的形成雙大馬士革互連的步驟的剖視圖。
圖4A至4E是說明本發(fā)明的形成雙大馬士革互連的步驟的俯視圖。
優(yōu)選實施例的詳細說明圖3A至3H示出了本發(fā)明的形成雙大馬士革互連的步驟的剖視圖。圖4A至4E示出了本發(fā)明的形成雙大馬士革互連的步驟的俯視圖。
參考圖3A，在包括下導(dǎo)電層的半導(dǎo)體襯底上依次層疊下蝕刻-停止層305、下絕緣層310、上蝕刻-停止層315、上絕緣層320以及硬掩模層325。這里下導(dǎo)電層可以對應(yīng)于，例如，多級互連結(jié)構(gòu)的下互連或可以形成在半導(dǎo)體襯底上。
上絕緣層和下絕緣層320和310具有足夠的厚度以隨后提供用于互連凹槽和通孔(在下文中，接觸孔也稱為通孔)的基座。上絕緣層和下絕緣層320和310可以由有機聚合物，或，選擇性地由其他化合物例如摻氟氧化物、摻碳氧化物和氧化硅形成。有機聚合物可以包括低-k介電有機聚合物，例如聚烯丙基醚系樹脂、環(huán)形氟化物樹脂、聚硅氧烷共聚物、聚烯丙基醚系氟化物樹脂、聚五氟苯乙烯(polypentafluorostylene)、聚四氟苯乙烯(polytetrafluorostylene)系樹脂、聚酰亞胺氟化物樹脂、聚萘氟化物樹脂以及polycide樹脂。其形成方法可以選自等離子體增強的化學(xué)氣相沉積(PECVD)、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDCVD)、大氣壓力化學(xué)氣相沉積(APCVD)以及旋涂中的一種。
硬掩模層325和下蝕刻-停止層305可以由例如氮化硅形成。
上蝕刻-停止層315由蝕刻率不同于硬掩模層325和下蝕刻-停止層305的材料形成。例如，如果硬掩模層325和下蝕刻-停止層305是由氮化硅形成，那么上蝕刻-停止層315可以由氧化硅形成。
參考圖3B，在硬掩模層325上形成開口具有互連凹槽寬度的光致抗蝕劑圖形330。使用光致抗蝕劑圖形330作為蝕刻掩模，將硬掩模層325圖案化以形成暴露上絕緣層320表面的互連凹槽開口323。在該圖中示出了三個互連凹槽開口323。
參考圖3C，使用圖案化的硬掩模層325作為蝕刻掩膜，向下蝕刻上絕緣層320直到上蝕刻-停止層315的表面以形成互連凹槽335。注意，在上絕緣層320由低-k介電有機聚合物形成的情況下，它是與光致抗蝕劑圖形330相同的碳族。由此，上絕緣層320的蝕刻速率類似于光致抗蝕劑圖形330的蝕刻速率。因此，在蝕刻上絕緣層320的同時，能夠蝕刻光致抗蝕劑圖形330。
參考圖4A，使用硬掩模層325作為蝕刻掩膜，形成互連凹槽335以暴露上蝕刻-停止層315。
參考圖3D，在包括互連凹槽335的最終結(jié)構(gòu)的整個表面上形成襯片絕緣層。在其上進行全蝕刻以在互連凹槽335的側(cè)壁上形成自對準(zhǔn)的襯片340。襯片絕緣層是例如由蝕刻速率或蝕刻選擇性與硬掩模層325和下蝕刻-停止層305相同，但是不同于上蝕刻-停止層315的材料形成。例如襯片絕緣層可以由氮化硅形成。因此，在用于形成自對準(zhǔn)的襯片340的全蝕刻步驟期間上蝕刻-停止層315沒有被蝕刻。
由于通孔寬度由在互連凹槽335的側(cè)壁上形成的襯片340的下寬度決定，因此通過調(diào)節(jié)襯片340的形成厚度可以調(diào)節(jié)通孔的寬度。也就是說，自對準(zhǔn)的襯片340用來限制通孔的尺寸為小于光刻工藝可得到的分辯率的尺寸。而且，本發(fā)明的工藝不受常規(guī)方法的限制，例如，如上解釋的，在光刻工藝過程中發(fā)生未對準(zhǔn)或由臺階差引起的形成光致抗蝕劑尾部。
參考圖4B，在互連凹槽335的側(cè)壁上形成自對準(zhǔn)的襯片340。
參考圖3E，在襯底的整個表面上涂敷光致抗蝕劑之后，進行常規(guī)光刻工藝以形成具有開口347的光致抗蝕劑圖形345，通過該開口暴露互連凹槽335。在由于用于形成光致抗蝕劑圖形345的光刻工藝過程中形成一個壞的圖案(或多個壞的圖形)需要再加工的情況下，絕緣層310和320沒有損傷，盡管由有機聚合物制成的絕緣層310和320的蝕刻速率類似于光致抗蝕劑圖案345。這是因為絕緣層310和320被襯片340、硬掩模層325和上蝕刻-停止層315覆蓋，因此阻止在再加工中使用的灰化氣體。由于在光刻工藝中光致抗蝕劑圖形345形成在平整的硬掩模層325上，而沒有臺階差，因此不會產(chǎn)生常規(guī)的光致抗蝕劑尾部。
參考圖4C，具有暴露互連凹槽335的開口347的光致抗蝕劑圖形345形成在包括襯片340的半導(dǎo)體襯底上。
在常規(guī)技術(shù)中，由具有最終通孔寬度的光致抗蝕劑圖案形成開口347(參見圖2D)。相反，在本發(fā)明中，根據(jù)光致抗蝕劑圖形形成開口347，該開口347比通孔寬以克服光刻工藝的極限尺寸(limit size)。亦即，在與互連凹槽335垂直方向(X-方向)，可以由預(yù)形成的襯片340形成小于光刻工藝的分辨極限的通孔。在互連凹槽方向(Y-方向)，因為在X-方向可以形成寬的開口347，可以保證光刻工藝的余量。為了在一個互連凹槽中形成一個通孔，可以打開開口347(參見圖4C的中間開口)。最終在多個相鄰的互連凹槽中分別形成多個通孔，可以形成跨越多個相應(yīng)互連凹槽的一個開口(參見圖4C的上開口和下開口347)。就是說，在常規(guī)方法中，當(dāng)在具有通孔寬度的一個光致抗蝕劑圖案開口處形成一個通孔時，通過一個光致抗蝕劑圖案開口能夠形成多個通孔，在本發(fā)明中光致抗蝕劑圖形開口比最終通孔寬。通過在光致抗蝕劑圖形中的一個開口處形成多個通孔，光刻工藝的余量變得更寬。再參考圖3E，該圖是沿圖4C的線I-I′的剖視圖，該圖示出了在光致抗蝕劑圖形中形成的一個開口347跨越三個相鄰的互連凹槽的情況。即，通過光致抗蝕劑圖形中的一個開口可以形成跨越三個互連凹槽的三個通孔。
參考圖3F，使用光致抗蝕劑圖形345、襯片340以及硬掩模層325作為蝕刻掩膜，選擇地蝕刻通過開口347暴露的上蝕刻-停止層315以暴露下絕緣層310。如前所述，由于襯片340和硬掩模層325的蝕刻速率或蝕刻選擇性不同于上蝕刻-停止層315，因此它們可以用作蝕刻掩膜。
使用圖形化的硬掩模層325、上蝕刻-停止層315、襯片340作為蝕刻掩膜，有選擇地向下蝕刻暴露的下絕緣層310直到下蝕刻-停止層305的上表面以在下絕緣層310中形成通孔350。注意在下絕緣層310由有機聚合物制成的情況下，在蝕刻暴露的下絕緣層310的同時除去光致抗蝕劑圖形345。
參考圖4D，在使用光致抗蝕劑圖形345作為蝕刻掩膜將上蝕刻-停止層315圖形化之后，使用圖形化的蝕刻-停止層315、硬掩模層325以及襯片340作為蝕刻掩膜，形成暴露下蝕刻-停止層305的孔350。圖3F是沿圖4D的線II-II′的剖視圖。
參考圖3G，除去硬掩模層325、襯片340以及通孔350下面的下蝕刻-停止層305，例如在同時形成包括互連凹槽335和通孔350的大馬士革圖形。由于除去的層可以全部由具有相同蝕刻速率的材料例如氮化硅形成，因此它們可以被同時除去。
對于除去工藝，可以使用干蝕刻或濕蝕刻技術(shù)。在使用干蝕刻技術(shù)的情況下，部分襯片340沒有除去，因此保留在互連凹槽的側(cè)壁。在圖3G的圖示中，它們?nèi)勘怀ァ?br> 參考圖4E，硬掩模層325、襯片340以及暴露的下蝕刻-停止層305被除去。結(jié)果，在上絕緣層320中形成互連335以及在互連凹槽335中形成連接到下導(dǎo)電層300的通孔350。圖3G是沿圖4E的線III-III′的剖視圖。
參考圖3H，用導(dǎo)電材料填充互連凹槽335和通孔350之后，進行平整化工藝以形成互連360。
導(dǎo)電材料例如選自鋁(Al)、鋁合金(Al-合金)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鎢(W)以及鉬(Mo)中的至少一種材料。而且，可以使用選自通過濺射導(dǎo)電材料形成層的回流技術(shù)、化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)、電鍍技術(shù)等中的一種工藝形成導(dǎo)電材料。在使用電鍍技術(shù)的情況下，需要籽晶層(seed layer)，以便在電解過程中電流可以流動。
在形成導(dǎo)電材料之前，可以形成阻擋金屬層355。特別，在使用銅(Cu)的大馬士革工藝中，阻擋金屬層用于阻止層間介質(zhì)的絕緣特性被導(dǎo)電材料，例如，銅的擴散變得退化。阻擋金屬層可以由選自Ta、TaN、WN、TaC、TiSiN以及TaSiN中的一種材料形成。而且，可以使用選自物理汽相沉積(PVD)技術(shù)、化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)以及原子層沉淀(ALD)技術(shù)中的一種工藝形成阻擋金屬層。
盡管本發(fā)明已詳細地示出并參考其優(yōu)選實施例進行描述，但所述領(lǐng)域的技術(shù)人員將明白在此進行的形式上和細節(jié)上的各種變化都不脫離本發(fā)明的附加權(quán)利要求書所限定的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種形成雙大馬士革互連的方法，包括在形成下導(dǎo)電層的半導(dǎo)體襯底上依次地形成下絕緣層、上蝕刻-停止層、上絕緣層以及硬掩模層；圖形化硬掩模層和上絕緣層以在上絕緣層中形成互連凹槽，該互連凹槽暴露出部分的上蝕刻-停止層；在互連凹槽的側(cè)壁上形成襯片；形成具有開口的光致抗蝕劑圖形，該開口暴露出互連凹槽和部分的上蝕刻-停止層；連續(xù)地蝕刻上蝕刻-停止層和下絕緣層以在下絕緣層中形成孔，該孔暴露出部分的下導(dǎo)電層；除去圖形化的硬掩模層和襯片；以及形成互連以填充互連凹槽和孔。
2.如權(quán)利要求1所要求的方法，其中下絕緣層和上絕緣層包括一種低-k介電的有機聚合物。
3.如權(quán)利要求1所要求的方法，其中下絕緣層和上絕緣層包括選自摻氟氧化物、摻碳氧化物和氧化硅中的材料。
4.如權(quán)利要求1所要求的方法，其中硬掩模層包括蝕刻速率與襯片的蝕刻速率相同，但是不同于上蝕刻-停止層的蝕刻速率的材料。
5.如權(quán)利要求4所要求的方法，其中硬掩模層和襯片包括氮化硅，上蝕刻-停止層包括氧化硅。
6.如權(quán)利要求1所要求的方法，還包括在下導(dǎo)電層上形成下蝕刻-停止層，其中在除去圖形化的硬掩模層和襯片的同時除去下蝕刻-停止層。
7.如權(quán)利要求6所要求的方法，其中下蝕刻-停止層包括蝕刻速率與硬掩模層的蝕刻速率相同的材料。
8.如權(quán)利要求1所要求的方法，其中形成互連凹槽包括在硬掩模層上形成光致抗蝕劑圖形，該光致抗蝕劑圖形暴露出部分的硬掩模層；使用光致抗蝕劑圖形作為蝕刻掩膜，蝕刻暴露的硬掩模層以形成暴露出部分上絕緣層的硬掩模層圖形；以及使用硬掩模層圖形作為蝕刻掩膜，蝕刻暴露的上絕緣層以暴露部分上蝕刻-停止層，其中在蝕刻暴露的上絕緣層的同時除去光致抗蝕劑圖形。
9.如權(quán)利要求1所要求的方法，其中形成孔包括選擇性地蝕刻被開口暴露的上蝕刻-停止層以暴露出部分下絕緣層；以及使用圖形化的硬掩模層、襯片以及上蝕刻-停止層作為蝕刻掩膜，選擇性地蝕刻暴露的下絕緣層以暴露部分下導(dǎo)電層，其中在蝕刻暴露的下絕緣層的同時除去光致抗蝕劑圖形。
10.如權(quán)利要求1所要求的方法，其中形成開口以在互連凹槽方向具有第一寬度，在與互連凹槽垂直的方向具有第二寬度，第一寬度大于第二寬度。
11.如權(quán)利要求1所要求的方法，其中開口暴露出多個互連凹槽。
12.如權(quán)利要求1所要求的方法，其中互連由選自鋁(Al)、鋁合金(Al-合金)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鎢(W)以及鉬(Mo)中的導(dǎo)電材料形成。
13.如權(quán)利要求1所要求的方法，其中在形成互連之前形成阻擋金屬層。
14.如權(quán)利要求13所要求的方法，其中阻擋金屬層是選自Ta、TaN、TiN、WN、TaC、WC、TiSiN以及TaSiN中的一種材料。
15.如權(quán)利要求1所要求的方法，其中下導(dǎo)電層是形成在半導(dǎo)體襯底上的下互連，且孔是通孔。
16.如權(quán)利要求1所要求的方法，其中下導(dǎo)電層形成在半導(dǎo)體襯底上，且孔是接觸孔。
全文摘要
一種使用低－k介電有機聚合物作為絕緣層形成雙大馬士革互連的方法。僅僅利用一個硬掩模層，使用蝕刻速率不同于自對準(zhǔn)襯片的硬掩模層和蝕刻－停止層防止灰化損傷絕緣層。而且，可以形成小于光刻工藝的分辨極限的通孔。由此，工藝被簡化且不發(fā)生光致抗蝕劑尾部現(xiàn)象。
文檔編號H01L21/311GK1459844SQ0314542
公開日2003年12月3日 申請日期2003年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月17日
發(fā)明者全振源, 金永郁, 樸泰洙, 李京泰 申請人:三星電子株式會社