專(zhuān)利名稱(chēng)：隧道結(jié)和垂直于平面電荷磁記錄傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及可在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中用于磁性回讀的傳感器及其制造方法。
背景技術(shù)：
許多應(yīng)用中，要求磁性傳感器具有很高的靈敏性。一個(gè)主要例子是磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中磁性回讀傳感器的應(yīng)用。當(dāng)記錄信息的密度隨著各個(gè)成功產(chǎn)品而增大時(shí)，傳感器的所需靈敏度也必須增大。具有很高靈敏度的兩類(lèi)傳感器是磁隧道結(jié)傳感器(MTJ)和垂直于平面電荷傳感器(CCP，charge perpendicular-to-plane)。這些傳感器都依賴(lài)于利用穿過(guò)非磁性隔離薄層的自旋相關(guān)的電子運(yùn)動(dòng)。隔離層的一側(cè)是稱(chēng)為釘扎(pinned)層的鐵磁層，其中磁化方向是固定的。隔離層的另一側(cè)是稱(chēng)為自由層的鐵磁層，其中磁化方向是自由的，以便響應(yīng)施加的磁場(chǎng)。在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中，施加的磁場(chǎng)來(lái)自磁盤(pán)上先前寫(xiě)入的轉(zhuǎn)變(transition)。在其它應(yīng)用中，施加的磁場(chǎng)可來(lái)自外部磁體的位置，或者來(lái)自傳感器相對(duì)于磁場(chǎng)的位置變化。
在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用中，最好獲得最大的靈敏度和線性度。為了獲得最大的線性度，在不存在外部磁場(chǎng)的情況下，自由層中的磁化方向最好基本上與記錄磁道的方向平行。另外，在不存在施加磁場(chǎng)的情況下，釘扎層的磁化方向最好垂直于自由層的磁化方向。因此，希望釘扎層中的磁化方向大體上垂直于記錄磁道的方向。
關(guān)于自由層的另一要求是存在縱向磁偏置穩(wěn)定性。沿著自由層的平行于記錄介質(zhì)并垂直于磁道方向的軸線，在自由層中施加優(yōu)選的磁化方向，可確保良好的線性度，并提供對(duì)諸如巴克豪森噪聲之類(lèi)有害效應(yīng)的耐受性。
提供釘扎層的釘扎的常見(jiàn)方法是鄰近釘扎層放置一層反鐵磁材料(AFM)。在磁頭制造過(guò)程中的某一點(diǎn)，結(jié)構(gòu)被加熱到AFM的閉塞溫度(blocking temperature)之上，并且裝置被放置在與記錄磁道的最終方向垂直的外部磁場(chǎng)中。AFM材料的閉塞溫度是這樣的溫度在該溫度之上，AFM材料不再具有任何交換耦合強(qiáng)度(exchange coupling strength)。隨后在存在外部磁場(chǎng)的情況下冷卻傳感器。外加磁場(chǎng)將使釘扎層沿正確方向取向，并且當(dāng)AFM冷卻到閉塞溫度之下時(shí)，交換耦合將維持釘扎層中的磁化方向。對(duì)于釘扎層來(lái)說(shuō)，這是釘扎過(guò)程。該過(guò)程也被稱(chēng)為設(shè)置AFM。
一種已知的自由層縱向偏置方法是提供兩個(gè)硬磁體，分別位于一部分自由層的兩側(cè)。這被稱(chēng)為硬偏置(hard biasing)。通常最好使硬偏置材料與構(gòu)成有效傳感器的各層電絕緣。在傳感器的制造過(guò)程中，必須通過(guò)把傳感器放入導(dǎo)致磁化方向的永久取向的強(qiáng)磁場(chǎng)中，來(lái)設(shè)置硬磁體中的磁化方向。絕緣硬偏置磁體的要求會(huì)減損這種方法的效果。
為自由層提供縱向偏置的優(yōu)選方法是使用另一AFM層，并依賴(lài)交換耦合。該方法的主要困難在于自由層中的磁化方向必須基本上垂直于釘扎層中的磁化方向。從而，在磁場(chǎng)中加熱及隨后的冷卻步驟對(duì)AFM層之一可能是合適的，但是不適用于另一AFM層。已知可使用兩種不同的具有截然不同的兩個(gè)閉塞溫度的AFM材料。首先設(shè)置具有最高閉塞溫度的AFM層。隨后使磁場(chǎng)角度(field angle)旋轉(zhuǎn)90度，在較低的溫度下設(shè)置第二AFM層。通常存在一種既可用于釘扎層，又可用于自由層的縱向穩(wěn)定的最佳AFM材料。但是，由于需要具有不同閉塞溫度的AFM材料，因此有損AFM材料的最佳選擇。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提供一種利用基本上垂直于傳感器中各層的平面施加的檢測(cè)電流而使用的磁性傳感器，包括第一反鐵磁層；在所述第一反鐵磁層上形成的第一鐵磁釘扎層，形成于所述釘扎層上的非磁性隔離層；形成于所述非磁性隔離層上的鐵磁自由層；和支持所述鐵磁自由層的磁偏穩(wěn)定性的第二反鐵磁層。
最好，提供一種傳感器結(jié)構(gòu)和制造傳感器的方法，允許使用可在不損害傳感器其它方面的情況下被設(shè)置的兩個(gè)AFM層。
最好，提供一種磁性傳感器制造的改進(jìn)設(shè)計(jì)和方法，所述傳感器具有大體垂直于傳感器中各層的方向的檢測(cè)電流。在優(yōu)選實(shí)施例中，這些傳感器把反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)用于釘扎層或自由層的偏置穩(wěn)定。最好存在兩層反鐵磁層一層用于設(shè)置釘扎層的磁化方向，另一層供自由層的偏置穩(wěn)定之用。這些AFM層可由相同的材料形成。最好利用自旋翻轉(zhuǎn)效應(yīng)(spin-flop effect)，在同一程序中同時(shí)初始化兩個(gè)AFM層。
根據(jù)一方面，本發(fā)明提供一種同時(shí)初始化磁性傳感器中的兩個(gè)反鐵磁層的方法，所述磁性傳感器具有一種AP釘扎亞結(jié)構(gòu)，該亞結(jié)構(gòu)包括第一鐵磁層、與所述第一鐵磁層交換耦合的第一反鐵磁層和支持自由層的磁偏穩(wěn)定性的第二反鐵磁層，所述磁性傳感器的使用利用基本上垂直于傳感器中各層的平面施加的檢測(cè)電流，所述方法包括把傳感器放入一外部磁場(chǎng)中；調(diào)整所述磁場(chǎng)的強(qiáng)度，使所述AP釘扎亞結(jié)構(gòu)中的所述第一鐵磁層的磁化方向垂直于該外部磁場(chǎng)方向；把傳感器加熱到所述第一和第二反鐵磁層的閉塞溫度之上；在存在所述外部磁場(chǎng)的情況下，把傳感器冷卻到第一和第二反鐵磁層的閉塞溫度之下。
根據(jù)另一方面，本發(fā)明提供一種磁存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括記錄數(shù)據(jù)的磁存儲(chǔ)介質(zhì)；與所述磁存儲(chǔ)介質(zhì)連接的電機(jī)；在記錄磁頭組件和所述存儲(chǔ)介質(zhì)之間相對(duì)運(yùn)動(dòng)的時(shí)候，使所述記錄磁頭組件保持在存儲(chǔ)介質(zhì)附近的浮動(dòng)塊，所述記錄磁頭組件具有磁性傳感器，所述磁性傳感器包括第一反鐵磁層、在所述第一反鐵磁層上形成的釘扎層、形成于所述釘扎層上的非磁性隔離層、形成于所述非磁性隔離層上的自由層和支持所述自由層的偏置穩(wěn)定性的第二反鐵磁層；和與所述浮動(dòng)塊連接的懸架，所述懸架使所述浮動(dòng)塊定位以在磁盤(pán)上進(jìn)行磁性記錄；其中所述第一和第二反鐵磁層由具有基本上相同的成分并具有基本上相同的閉塞溫度的相同材料構(gòu)成。
根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，提供一種利用基本上垂直于傳感器中各層的平面施加的檢測(cè)電流而使用的磁性傳感器，包括第一反鐵磁層；包含形成于所述第一反鐵磁層上的反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)的釘扎層，所述反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)包括第一鐵磁層，形成于所述第一鐵磁層上的非磁性層，和形成于所述非磁性層上的第二鐵磁層，其中所述第一鐵磁層與所述第一反鐵磁層交換耦合；形成于所述反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)的所述第二鐵磁層上的非磁性隔離層；形成于所述非磁性隔離層上的鐵磁自由層；和支持所述鐵磁自由層的磁偏穩(wěn)定性的反鐵磁層。
第一和第二反鐵磁層最好由具有基本上相同的閉塞溫度的相同材料構(gòu)成。
非磁性隔離層由導(dǎo)電材料或者由絕緣材料形成。
根據(jù)一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，提供一種利用基本上垂直于傳感器中各層的平面施加的檢測(cè)電流而使用的磁性傳感器，包括第一反鐵磁層；形成于所述第一反鐵磁層上的釘扎第一鐵磁層；形成于所述釘扎第一鐵磁層上的第一非磁性隔離層；形成于所述非磁性隔離層上的第二鐵磁自由層；與所述自由層耦合的反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)，包含第三鐵磁層；和與所述第三鐵磁層交換耦合的第二反鐵磁層。
所述反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)最好通過(guò)一第二非磁性隔離層與所述鐵磁自由層耦合。
所述反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)最好與一部分所述鐵磁自由層耦合。
在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種利用基本上垂直于傳感器中各層的平面施加的檢測(cè)電流而使用的磁性傳感器，包括第一反鐵磁層；形成于所述第一反鐵磁層上的第一釘扎鐵磁層；形成于所述第一釘扎鐵磁層上的第一非磁性隔離層；形成于所述第一非磁性隔離層上的自由層，所述自由層構(gòu)成反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)；形成于所述自由層上的第二非磁性隔離層；和形成于第二非磁性隔離層上的第二反鐵磁層。
在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種同時(shí)初始化磁性傳感器中的兩個(gè)反鐵磁層的方法，所述磁性傳感器具有包括第一鐵磁層的AP釘扎亞結(jié)構(gòu)，與所述第一鐵磁層交換耦合的第一反鐵磁層和支持自由層的磁偏穩(wěn)定性的第二反鐵磁層，所述磁性傳感器利用基本上垂直于傳感器中各層的平面施加的檢測(cè)電流而使用，所述方法包括把傳感器放入一外部磁場(chǎng)中；調(diào)整所述磁場(chǎng)的強(qiáng)度，使所述AP釘扎亞結(jié)構(gòu)中所述第一鐵磁層的磁化方向基本上垂直于外部磁場(chǎng)方向；把傳感器加熱到所述第一和第二反鐵磁層的閉塞溫度之上；在存在所述外部磁場(chǎng)的情況下，把傳感器冷卻到第一和第二反鐵磁層的閉塞溫度之下。
在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種同時(shí)初始化磁性傳感器中的反鐵磁層的方法，所述磁性傳感器具有與一釘扎層交換耦合的第一反鐵磁層和與一鐵磁層交換耦合的第二反鐵磁層，所述鐵磁層包含支持自由層的磁偏穩(wěn)定性的一部分AP釘扎亞結(jié)構(gòu)，所述磁性傳感器利用基本上垂直于傳感器中各層的平面施加的檢測(cè)電流而使用，所述方法包括把傳感器放入外部磁場(chǎng)中；調(diào)整所述外部磁場(chǎng)的強(qiáng)度，使所述反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)中的所述鐵磁層的磁化方向基本上垂直于所述外部磁場(chǎng)方向；把傳感器加熱到所述第一和第二反鐵磁層的閉塞溫度之上；在存在所述外部磁場(chǎng)的情況下，把傳感器冷卻到第一和第二反鐵磁層的閉塞溫度之下。
在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種磁存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括記錄數(shù)據(jù)的磁存儲(chǔ)介質(zhì)；與所述磁存儲(chǔ)介質(zhì)連接的電機(jī)；在記錄磁頭組件和所述存儲(chǔ)介質(zhì)相對(duì)運(yùn)動(dòng)的時(shí)候，使所述磁頭組件保持在存儲(chǔ)介質(zhì)附近的浮動(dòng)塊，所述記錄磁頭組件具有磁性傳感器，所述磁性傳感器包括第一反鐵磁層；在所述第一反鐵磁層上形成的釘扎層，其中所述釘扎層包括AP釘扎亞結(jié)構(gòu)；形成于所述釘扎層上的非磁性隔離層；和形成于所述非磁性隔離層上的自由層；支持所述自由層的偏置穩(wěn)定性的第二反鐵磁層；和與所述浮動(dòng)塊連接的懸架，所述懸架使所述浮動(dòng)塊定位以在磁盤(pán)上進(jìn)行磁性記錄；其中所述第一和第二反鐵磁層由具有基本上相同的成分，并具有基本上相同的閉塞溫度的相同材料構(gòu)成。
在一個(gè)實(shí)施例中，提供一種磁存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括記錄數(shù)據(jù)的磁存儲(chǔ)介質(zhì)；與所述磁存儲(chǔ)介質(zhì)連接的電機(jī)；在記錄磁頭組件和所述存儲(chǔ)介質(zhì)相對(duì)運(yùn)動(dòng)的時(shí)候，使所述磁頭組件保持在存儲(chǔ)介質(zhì)附近的浮動(dòng)塊，所述記錄磁頭組件具有磁性傳感器，所述磁性傳感器包括第一反鐵磁層；與所述第一反鐵磁層交換耦合的鐵磁釘扎層；形成于所述釘扎層上的非磁性隔離層；形成于所述非磁性隔離層上的第二鐵磁自由層；與一部分所述自由層耦合的一個(gè)或多個(gè)偏置片組(biastab)，所述偏置片組包括與第二反鐵磁層交換耦合的AP釘扎亞結(jié)構(gòu)，所述偏置片組提供所述自由層的磁偏穩(wěn)定性，其中所述第一和第二反鐵磁層由具有基本上相同的成分，并具有基本上相同的閉塞溫度的相同材料構(gòu)成；和與浮動(dòng)塊連接的懸架，所述懸架使所述浮動(dòng)塊定位以在磁盤(pán)上進(jìn)行磁性記錄。


下面參考附圖，舉例說(shuō)明
具體實(shí)施例方式圖1表示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的MTJ和CPP傳感器的概述圖。
圖2表示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例構(gòu)建在浮動(dòng)塊上的傳感器。
圖3a根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，示出了具有包含反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)的釘扎層和通過(guò)在一部分自由層上形成非磁性層確定的磁道寬度的傳感器中的各層。
圖3b根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，示出了具有包含反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)的偏置片組(bias tab)和通過(guò)在一部分自由層上形成非磁性層確定的磁道寬度的傳感器中的各層。
圖4a根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，示出了具有包含反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)的釘扎層和近似等于阻擋層寬度的磁道寬度的傳感器中的各層。
圖4b根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，示出了具有包含反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)的偏置片組和近似等于阻擋層寬度的磁道寬度的傳感器中的各層。
圖5根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，示出了具有包含反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)的釘扎層和與釘扎層位于自由層同側(cè)的偏置穩(wěn)定AFM層的傳感器中的各層。
圖6a根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，示出了具有包含反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)的釘扎層，并且其中各層都具有可比寬度的傳感器中的各層。
圖6b根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，示出了具有包含反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)的偏置穩(wěn)定層，并且其中各層都具有可比寬度的傳感器中的各層。
圖7a根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，示出了具有包含反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)的釘扎層的傳感器中的各層，所述各層具有可比寬度，并且通過(guò)用非磁性層隔離AFM層和自由層而提供偏置穩(wěn)定性。
圖7b根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，示出了其中自由層是AP釘扎亞結(jié)構(gòu)的傳感器中的各層。
圖8a根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，示出了在存在強(qiáng)磁場(chǎng)的情況下，傳感器中各層的磁化方向。
圖8b根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，示出了在存在中等強(qiáng)度磁場(chǎng)的情況下，傳感器中各層的磁化方向。
圖8c根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，示出了在存在最佳磁場(chǎng)的情況下，傳感器中各層的磁化方向。
圖8d根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，示出了在與一個(gè)具體反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)的AFM層相鄰的鐵磁層中的磁化方向的角度。
圖9a示出了使用本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的傳感器的舉例的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的橫截面圖。
圖9b示出了使用本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的傳感器的舉例的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
圖1表示了這里公開(kāi)的所有傳感器結(jié)構(gòu)的一些特征。在圖1中，在兩個(gè)金屬層101和102之間存在間隙107。通常，金屬層101和102是傳感器的電引線。在一些實(shí)施例中，金屬層101、102也可起傳感器的磁屏蔽的作用。傳感器包含釘扎層103、非磁性隔離層104和自由層105。釘扎層和自由層最好具有圖1中未示出的磁穩(wěn)定層。傳感器的寬度108，具體地說(shuō)自由層的有效部分的寬度近似限定諸如磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器之類(lèi)應(yīng)用中的磁道寬度。在傳感器位置之外，用絕緣材料106填充所述間隙。最好，在所有情況下，檢測(cè)電流107的方向垂直于傳感器中的各層。在典型的操作模式下，使檢測(cè)電流107通過(guò)傳感器，并監(jiān)視引起傳感器電阻變化的電壓變化。MTJ和CPP傳感器之間的原理差異在于MTJ傳感器中的非磁性隔離層104是薄的絕緣體，而在CPP傳感器中是薄的導(dǎo)體。MTJ傳感器中的非磁性隔離層有時(shí)稱(chēng)為阻擋層(barrier layer)。和CPP傳感器相比，MTJ傳感器往往是高阻抗器件。兩種傳感器都依賴(lài)于通過(guò)響應(yīng)外加磁場(chǎng)改變自由層中的磁化方向來(lái)調(diào)制越過(guò)非磁性隔離層的電子的自旋相關(guān)的運(yùn)動(dòng)。電流方向107是從下到上(如圖1中所示)還是從上到下無(wú)關(guān)緊要。釘扎層103是位于間隙下面(如圖1中所示)還是位于間隙上面同樣無(wú)關(guān)緊要。為了清楚起見(jiàn)，所有結(jié)構(gòu)都被繪制成釘扎層位于底部。
對(duì)于磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用來(lái)說(shuō)，圖1中的傳感器視圖是朝向磁盤(pán)時(shí)的傳感器的視圖。傳感器通常構(gòu)建在浮動(dòng)塊上，如圖2中所示。圖2中，傳感器202構(gòu)建在浮動(dòng)塊201的后表面(trailing surface)204上。提供金屬焊接點(diǎn)203，以便與傳感器電連接。這些傳感器是只讀元件。在浮動(dòng)塊上還設(shè)置有把信息記錄在磁盤(pán)上的寫(xiě)入磁頭。
下面說(shuō)明傳感器的幾個(gè)具體例子。所有這些傳感器具有幾種共同屬性1)檢測(cè)電流垂直于傳感器各層的平面，并且通過(guò)傳感器越過(guò)間隙從一個(gè)引線流到另一引線。
2)釘扎層和自由層之間的非磁性隔離層或者是諸如氧化鋁之類(lèi)的薄絕緣層(在MTJ傳感器的情況下)，或者是諸如Cu之類(lèi)的薄金屬層(在CPP傳感器的情況下)。
3)所有傳感器至少具有一個(gè)反平行釘扎(AP釘扎)亞結(jié)構(gòu)。AP釘扎亞結(jié)構(gòu)可用作傳感器的釘扎層，或者用作自由層的一部分偏置片組。在一個(gè)實(shí)施例中，AP釘扎亞結(jié)構(gòu)包含所述自由層。
4)所有傳感器都具有兩個(gè)獨(dú)立的基本上為平面的反鐵磁(AFM)層。一個(gè)反鐵磁層用于穩(wěn)定釘扎層，另一反鐵磁層用于幫助自由層的縱向穩(wěn)定。根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例，這兩個(gè)AFM層可基本上由相同的材料構(gòu)成。
5)所有情況下，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，可在同一初始化程序中設(shè)置這兩個(gè)AFM層。
下面描述的實(shí)施例共有的某些層具有相似的成分。鐵磁自由層和釘扎層的鐵磁部分通常由NiFe、CoFe或者CoNiFe合金構(gòu)成。AP釘扎結(jié)構(gòu)中這兩個(gè)鐵磁層之間的非磁性層通常為Ru，不過(guò)也可由諸如Ta之類(lèi)的其它材料構(gòu)成。銅也被用作非磁性導(dǎo)體。AFM材料可由諸如PtMn、NiMn、FeMn和IrMn之類(lèi)的含Mn材料制成。AFM材料也可由不包含Mn的材料，例如NiO或CoNiO的組合物制成。
圖3a更詳細(xì)地表示了傳感器的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例。還可存在促進(jìn)粘合、控制薄膜生長(zhǎng)、增強(qiáng)靈敏度或者控制膜表面光潔度的各個(gè)附加層。第一AFM層301沉積在引線302上。兩個(gè)鐵磁層303、304沉積在第一AFM層301上。這兩個(gè)鐵磁層303、304由非磁性層305隔離。這兩個(gè)鐵磁層303和304與非磁性層305一起構(gòu)成AP釘扎亞結(jié)構(gòu)340。該AP釘扎亞結(jié)構(gòu)340起傳感器的釘扎層的作用。在沒(méi)有外場(chǎng)的情況下，第一鐵磁層303中的磁化方向316大體上與第二鐵磁層304的磁化方向317相反。下一層是非磁性隔離層306。自由層307沉積在非磁性隔離層306上。在沒(méi)有外部磁場(chǎng)的情況下，自由層307中的磁化方向318大體上平行于記錄介質(zhì)，垂直于AP釘扎亞結(jié)構(gòu)340中的磁化方向316、317。自由層307和引線308之間的層具有兩部分。一部分309包含非磁性金屬。該部分309也可以是絕緣體。非磁性部分309確定自由層307的有效部分，從而確定當(dāng)傳感器用在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中時(shí)的磁道寬度。另一部分是第二AFM層310。該層為自由層307提供磁偏穩(wěn)定性。自由層307與AFM層310直接接觸的該部分基本上不用于檢測(cè)外部磁場(chǎng)。除了第二AFM層310和非磁性層309之外，各層的寬度一般大于磁道(由自由層的有效部分確定)。用絕緣材料311填充超出傳感器各層位置之外的間隙。
圖3b中所示的結(jié)構(gòu)在釘扎層和自由層的物理寬度大于磁道寬度方面，類(lèi)似于圖3a中圖解說(shuō)明的結(jié)構(gòu)。第一AFM層301沉積在底部引線302上。單一鐵磁釘扎層312沉積在第一AFM層301上。在釘扎層312和自由層307之間形成非磁性隔離層306。通過(guò)用非磁性金屬或絕緣層315覆蓋一部分自由層，形成自由層的有效區(qū)(activeregion)。用包含非磁性薄層313、鐵磁層314和一部分自由層307的AP釘扎亞結(jié)構(gòu)350覆蓋另一部分自由層。在這種結(jié)構(gòu)中，鐵磁層314中的磁化方向320由第 AFM層310控制。與鐵磁層314中的磁化方向相反釘扎與鐵磁層314和非磁性層313相鄰的一部分自由層307中的磁化方向321，從而在自由層的有效部分中形成磁偏穩(wěn)定性。上部引線308放置在第二AFM層310上。
在圖3a中，AP釘扎亞結(jié)構(gòu)340包含在釘扎層中。在圖3b中，AP釘扎亞結(jié)構(gòu)350包含在各自由層偏置穩(wěn)定層中。這些包括非磁性金屬313、鐵磁層314和AFM層310的自由層偏置穩(wěn)定層有時(shí)稱(chēng)為偏置片組(bias tabs)360。圖3中的結(jié)構(gòu)的一個(gè)不太大的缺點(diǎn)在于檢測(cè)電流既在傳感器的有效部分中流動(dòng)，又在傳感器的非有效部分中流動(dòng)。這種電流分流的實(shí)際效果降低了傳感器的整體靈敏度。圖4a、b中表示了不具備該缺點(diǎn)的實(shí)施例。
圖4a中所示的實(shí)施例具有沉積在引線401上的第一AFM層402。包含由非磁性層404隔離的兩個(gè)鐵磁層403、405的AP釘扎亞結(jié)構(gòu)440構(gòu)建在第一AFM層402之上。自由層407和釘扎層由非磁性隔離層406隔離。用非磁性金屬或絕緣層409覆蓋一部分自由層。另一部分自由層由第二AFM層408覆蓋。第二AFM層408鄰近引線415。和圖3a、b中的情況一樣，用絕緣材料410填充間隙的剩余部分。本實(shí)施例中，磁道寬度近似由釘扎層確定，這種情況下，釘扎層包括AP釘扎亞結(jié)構(gòu)440中的各層。和圖3a、b中圖解說(shuō)明的傳感器相比，大大減小了分流電流。
圖4b中表示了一個(gè)備選實(shí)施例。這種情況下，釘扎層411是單層。自由層407和釘扎層411由非磁性隔離層406隔離。AP釘扎亞結(jié)構(gòu)450包含一部分自由層407、非磁性層412和鐵磁層413。偏置片組460包括非磁性層412、鐵磁層413和AFM層414。AFM層414控制鐵磁層413中的磁化方向。引線415布置在第二AFM層414上。釘扎層的寬度近似等于所需的磁道寬度。和圖4a中所示結(jié)構(gòu)的情況一樣，分流電流被降至極小。
圖4a、b中所示傳感器結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn)之一在于被非磁性金屬409覆蓋的一部分自由層的寬度最好等于非磁性隔離層406和位于非磁性隔離層之下的釘扎層的寬度。另外，最好使非磁性金屬409對(duì)準(zhǔn)阻擋層406。圖5中圖解說(shuō)明了不具有這種對(duì)準(zhǔn)約束的實(shí)施例。
圖5中，第一AFM層502放置在引線501上。傳感器釘扎層是包含由非磁性層505分隔的兩個(gè)鐵磁層503、504的AP釘扎亞結(jié)構(gòu)530。用非磁性隔離層506隔離自由層508和釘扎層。為自由層508提供磁偏穩(wěn)定性的第二AFM層507與非磁性隔離層506位于自由層的同側(cè)。這減小了與圖4a、b中圖解說(shuō)明的傳感器相關(guān)的對(duì)準(zhǔn)要求。圖5中，最好使第二AFM層507與傳感器疊層的剩余部分絕緣。通過(guò)在阻擋層附近的鄰近區(qū)域512中使用間隙511的剩余部分中的絕緣材料，可最方便地實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。另外，鄰近自由層508的引線材料513最好是非磁性材料。本實(shí)施例的一種變化是把單一鐵磁層用于傳感器釘扎層，把包含AP釘扎亞結(jié)構(gòu)的偏置交換片組用于自由層偏置穩(wěn)定性，其中偏置片組和阻擋層位于自由層的同側(cè)。
當(dāng)構(gòu)成傳感器疊層的所有各層具有相同的寬度時(shí)，獲得顯著的處理簡(jiǎn)單性。當(dāng)所有各層近似等于所需的磁道寬度時(shí)，大大減小了對(duì)準(zhǔn)要求。圖6a、b和圖7a、b表示了其中傳感器疊層中的所有各層基本具有相同寬度的傳感器的實(shí)施例。這些結(jié)構(gòu)有時(shí)稱(chēng)為疊層內(nèi)偏置方案。疊層內(nèi)偏置方案共同具有的一個(gè)特征是使用所公開(kāi)發(fā)明的實(shí)施例，其中可在不破壞真空的情況下構(gòu)成整體傳感器。對(duì)于常規(guī)的傳感器來(lái)說(shuō)，總是構(gòu)造傳感器的一部分，隨后從用于制造的真空系統(tǒng)中取出部分完成的傳感器，以便初始化各個(gè)AFM層之一，隨后會(huì)使傳感器返回真空系統(tǒng)，以便完成其制造。初始化的自旋翻轉(zhuǎn)方法(spin-flop method)允許制造整個(gè)傳感器，隨后利用單一程序完成初始化。
圖6a表示了沉積在引線601上的第一AFM層602。傳感器釘扎層是包含由非磁性層604隔離的兩個(gè)鐵磁性603、605的AP釘扎亞結(jié)構(gòu)630。非磁性隔離層606隔離自由層607和釘扎層。自由層607的磁偏穩(wěn)定性由借助非磁性導(dǎo)電層608與自由層607弱耦合的鐵磁層609提供。自由層607、非磁性層608和鐵磁層609組合最好不表現(xiàn)出顯著的自旋閥特性(spin-valve behaviour)。為此，鉭或釕適宜于用于非磁性層608。鐵磁層609中的磁化方向618由第二AFM層610控制。磁化方向618基本上垂直于AP釘扎亞結(jié)構(gòu)630中的磁化方向621、622。第二AFM層610與引線617相鄰。用絕緣材料填充傳感器外間隙中的區(qū)域611。
圖6b圖解說(shuō)明了備選實(shí)施例。在圖6b中，第一AFM層602沉積在引線601上。單一鐵磁層612沉積在第一AFM層上，用作傳感器的釘扎層。在釘扎層612和自由層607之間形成非磁性隔離層606。下一層613是隔離偏置層640和自由層607的非磁性導(dǎo)體。偏置層640可被看作單一偏置片組。由非磁性層隔離的鐵磁層614、616構(gòu)成偏置片組640的AP釘扎亞結(jié)構(gòu)650。第二AFM層610位于AP釘扎亞結(jié)構(gòu)650和引線617之間。
圖7a中表示了另一實(shí)施例。第一AFM層701沉積在引線702上。傳感器釘扎層是包含由非磁性層704隔離的兩個(gè)鐵磁層703、705的AP釘扎亞結(jié)構(gòu)720。AP釘扎亞結(jié)構(gòu)720設(shè)置在第一AFM層701上。非磁性隔離層706隔離自由層707和AP釘扎亞結(jié)構(gòu)720。隨后在自由層707上沉積一層銅或其它非磁性導(dǎo)體708，第二AFM層709設(shè)置在層708上。為了完成傳感器，引線710被設(shè)置在第二AFM層709上。用絕緣體711填充間隙中的其它空間。這是一種與眾不同的傳感器，因?yàn)橥ǔＵJ(rèn)為AFM材料只提供表面交換耦合。因此，意想不到的是第二AFM層709可用于通過(guò)Cu層708穩(wěn)定自由層707。有效的銅的厚度約為1-2納米。在N.J.Gokenmeijer等的Phys.Rev.Lett.79，4270(1997)中可找到和該行為相關(guān)的更多物理學(xué)信息。
圖7b表示了備選實(shí)施例。在圖7b中，第一AFM層形成于第一引線702之上。單一鐵磁層715用于傳感器釘扎層。非磁性隔離層706隔離釘扎層715和自由層。在圖7b中，自由層由AP釘扎亞結(jié)構(gòu)構(gòu)成。該AP釘扎亞結(jié)構(gòu)由鄰近非磁性隔離層706的鐵磁層716、非磁性層717和另一鐵磁層718構(gòu)成。AP釘扎亞結(jié)構(gòu)721的上部鐵磁層718通過(guò)導(dǎo)電層708與第二AFM層709弱耦合。隨后在AFM層709上形成另一引線710。用絕緣材料711填充間隙的其它部分。圖7b中傳感器的不尋常之處在于AP釘扎亞結(jié)構(gòu)被用作自由層。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于和利用單一鐵磁層相比，顯著降低了自由層的凈磁矩。
本發(fā)明最好允許使用相同的AFM材料設(shè)置釘扎層和自由層的偏置穩(wěn)定性。從而可以選擇材料，獲得最佳磁性能。相同AFM材料的應(yīng)用使得能夠在相同的閉塞(blocking)溫度下初始化各層。初始化過(guò)程利用通常被稱(chēng)為自旋翻轉(zhuǎn)(spin flop)效應(yīng)的磁特性。
圖8a-d中圖解說(shuō)明了使用自旋翻轉(zhuǎn)效應(yīng)初始化傳感器。圖8a-c中以分解圖形式表示的傳感器是圖6a中圖解說(shuō)明的同一傳感器。雖然圖8a、b、c、d中論述的具體例子是關(guān)于圖6a中的傳感器的，不過(guò)自旋翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的應(yīng)用也可用在上述任意傳感器上。圖8a中，表示了傳感器中對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例來(lái)說(shuō)重要的磁性層，包括鄰近第一鐵磁層805的第一AFM交換層806，第二鐵磁層804、自由層803、第三鐵磁層802和鄰近第三鐵磁層802的AFM層801。另外，表示了磁化方向807、808、809、810。為了清楚起見(jiàn)，沒(méi)有表示其它非磁性層。圖8a表示了當(dāng)所述結(jié)構(gòu)被置于外加強(qiáng)磁場(chǎng)中時(shí)的磁化方向807、808、809、810。磁場(chǎng)的方向由812表示。對(duì)于該特定傳感器結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō)，偏置穩(wěn)定層802和自由層803弱耦合。當(dāng)AFM的溫度超過(guò)閉塞溫度時(shí)，由于外加磁場(chǎng)的強(qiáng)度值高，因此偏置穩(wěn)定層807和自由層808的磁化方向與外加磁場(chǎng)方向812一致。由于外加磁場(chǎng)的強(qiáng)度高，因此構(gòu)成AP釘扎層811的第一鐵磁層805和第二鐵磁層804之間的反平行耦合被打破，第一鐵磁層磁化方向810和第二鐵磁層磁化方向809都與外加磁場(chǎng)一致。該磁場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)初始化無(wú)用。隨著外加磁場(chǎng)強(qiáng)度被降低，釘扎層811中的磁化方向810、809開(kāi)始旋轉(zhuǎn)，以便尋求最低能量。圖8b表示了當(dāng)外加磁場(chǎng)812的強(qiáng)度被降低時(shí)，AP釘扎亞結(jié)構(gòu)中的磁化方向開(kāi)始旋轉(zhuǎn)時(shí)的情況。磁化方向810、809脫離外加磁場(chǎng)的方向812，并沿彼此相反的方向旋轉(zhuǎn)。這種行為是自旋翻轉(zhuǎn)效應(yīng)。在Beach等的“AP-pinned spin valve GMR andmagnetization”，J.Appl.Phys.87，p5723(2000)中可找到和自旋翻轉(zhuǎn)效應(yīng)相關(guān)的物理學(xué)的更具體細(xì)節(jié)。
圖8c表示在外加磁場(chǎng)812的某一最佳值下，第一鐵磁層805的磁化方向?qū)⒋怪庇谕饧哟艌?chǎng)812，并垂直于偏置穩(wěn)定層802的磁化方向807，偏置穩(wěn)定層802的磁化方向807仍與外加磁場(chǎng)812一致。該外加磁場(chǎng)值是當(dāng)把AFM層806、801冷卻到閉塞溫度以下時(shí)用以實(shí)現(xiàn)初始化的值。在最佳外加磁場(chǎng)數(shù)值下，第二鐵磁層804中的磁化方向809不必與第一鐵磁層805的磁化方向810相反。但是，當(dāng)除去外加磁場(chǎng)時(shí)，第二鐵磁層804的磁化方向809將與第一鐵磁層805的磁化方向810基本相反。在不使用自旋翻轉(zhuǎn)效應(yīng)誘發(fā)AP釘扎亞結(jié)構(gòu)中磁化方向的恰當(dāng)旋轉(zhuǎn)的情況下，由于初始化的困難，應(yīng)用兩個(gè)AFM層采用相同材料的最佳選擇是不實(shí)際的。
相同的自旋翻轉(zhuǎn)效應(yīng)可用于初始化所有上述傳感器。共同特點(diǎn)在于在每個(gè)傳感器中至少存在一個(gè)AP釘扎亞結(jié)構(gòu)。唯一的差別在于施加什么方向的外部磁場(chǎng)和使用多大的外部磁場(chǎng)。用于初始化的外部磁場(chǎng)的方向取決于AP釘扎亞結(jié)構(gòu)位于傳感器中何處。圖3a中，外加磁場(chǎng)的方向330垂直于鄰近AFM層301的鐵磁層303中的理想磁化方向316。在圖3b中，初始化磁場(chǎng)的方向331垂直于鄰近AFM310的鐵磁層314中的磁化方向320。在圖4a中，外加磁場(chǎng)的方向430垂直于鄰近AFM層402的鐵磁層403中的理想磁化方向420。在圖4b中，初始化磁場(chǎng)的方向431垂直于鄰近AFM層414的鐵磁層413中的磁化方向421。在圖5中，外加磁場(chǎng)的方向530垂直于鄰近AFM層502的鐵磁層503中的理想磁化方向520。在圖6a中，外加磁場(chǎng)的方向660垂直于鄰近AFM層602的鐵磁層603中的理想磁化方向622。在圖6b中，外加磁場(chǎng)的方向661垂直于鄰近AFM層610的鐵磁層616中的理想磁化方向623。在圖7a中，外加磁場(chǎng)的方向730垂直于鄰近AFM層701的鐵磁層703中的理想磁化方向732。在圖7b中，外加磁場(chǎng)的方向733垂直于鐵磁層718中的理想磁化方向731。一般規(guī)律是，初始化磁場(chǎng)的方向垂直于與AFM層交換耦合的APP亞結(jié)構(gòu)的鐵磁部分的磁化方向。
在確定了外加磁場(chǎng)的方向之后，最好選擇磁場(chǎng)的強(qiáng)度。圖8d表示了作為磁場(chǎng)強(qiáng)度的函數(shù)的釘扎層811中第一鐵磁層805中的磁化角810的例子。在圖8d中，角度是從最終角度的理想方向量度的。相對(duì)于磁場(chǎng)方向，目標(biāo)角度為90度。于是，如圖8d中所示，理想角度為0度。對(duì)于這種具體情況來(lái)說(shuō)，越過(guò)非磁性層的耦合強(qiáng)度為0.5erg/cm2，第一和第二鐵磁層的力矩/面積分別為0.2和0.4memu/cm2。對(duì)于本例來(lái)說(shuō)，實(shí)現(xiàn)自旋翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的最佳場(chǎng)強(qiáng)約為2200Oe。具有不同材料、厚度和磁矩的其它結(jié)構(gòu)會(huì)具有不同的最佳外加場(chǎng)強(qiáng)。于是，對(duì)于各個(gè)特定傳感器來(lái)說(shuō)，最佳外加場(chǎng)強(qiáng)的數(shù)值稍微不同。外加場(chǎng)強(qiáng)的最佳數(shù)值也會(huì)受膜層特性方面工藝變化的輕微影響。為此，通常通過(guò)首先利用具體傳感器進(jìn)行工藝容限研究，來(lái)確定最佳值。
作為一個(gè)實(shí)際情形，通過(guò)首先把外加場(chǎng)強(qiáng)增加到較高數(shù)值，隨后降低場(chǎng)強(qiáng)直到最佳值，實(shí)現(xiàn)更好的工藝一致性。但是，也可直接把傳感器放入具有最佳值的磁場(chǎng)中，或者從為零的初始值升高場(chǎng)強(qiáng)。
圖9a和9b表示了用在舉例的磁記錄磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中的本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例。磁記錄磁盤(pán)902由帶有輪轂906的驅(qū)動(dòng)電機(jī)904轉(zhuǎn)動(dòng)，輪轂906連接在驅(qū)動(dòng)電機(jī)上。磁盤(pán)包括基體、磁性層和諸如碳之類(lèi)的可選涂層，一般還有諸如全氟聚醚(perfluoropolyether)之類(lèi)的潤(rùn)滑層?；w一般是鋁、玻璃或塑料。一些磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器被設(shè)計(jì)成當(dāng)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器停止時(shí)，使浮動(dòng)塊910擱在磁盤(pán)上。在其它磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中，當(dāng)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器被關(guān)閉時(shí)，使浮動(dòng)塊抬離磁盤(pán)表面。當(dāng)浮動(dòng)塊和磁盤(pán)的表面被設(shè)計(jì)成具有很低的粗糙度時(shí)，后者更可取。這對(duì)在正常工作中，需要浮動(dòng)塊和磁盤(pán)之間的頻繁或連續(xù)接觸的設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)是有利的。
記錄磁頭組件908形成于浮動(dòng)塊910的后表面上。浮動(dòng)塊具有后垂直面909。記錄磁頭組件通常包括與讀取傳感器一道的獨(dú)立寫(xiě)入元件。浮動(dòng)塊910通過(guò)剛性臂914和懸架916與促動(dòng)器912相連。懸架916提供把浮動(dòng)塊推向記錄磁盤(pán)902的表面的作用力。
這些傳感器的一種重要用途是用在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中。這些傳感器的另一應(yīng)用可以是在需要很高靈敏度的靜態(tài)存儲(chǔ)裝置和其它裝置中的應(yīng)用。
權(quán)利要求
1.一種利用基本上垂直于傳感器中各層的平面施加的檢測(cè)電流工作的磁性傳感器，包括一第一反鐵磁層；在所述第一反鐵磁層上形成的一第一鐵磁釘扎層，形成于所述釘扎層上的一非磁性隔離層；形成于所述非磁性隔離層上的一鐵磁自由層；和支持所述鐵磁自由層的磁偏穩(wěn)定性的一第二反鐵磁層。
2.按照權(quán)利要求1所述的磁性傳感器，其中所述釘扎層包括一反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)，所述反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)包括一第一鐵磁層，形成于所述第一鐵磁層上的一非磁性層，和形成于所述非磁性層上的一第二鐵磁層，其中所述第一鐵磁層與所述第一反鐵磁層交換耦合，其中所述非磁性隔離層形成于所述反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)的所述第二鐵磁層上。
3.按照權(quán)利要求1或2所述的磁性傳感器，其中所述第一和第二反鐵磁層由具有基本上相同的閉塞溫度的相同材料制成。
4.按照權(quán)利要求3所述的磁性傳感器，其中所述非磁性隔離層由導(dǎo)電材料形成。
5.按照權(quán)利要求3所述的磁性傳感器，其中所述非磁性隔離層由絕緣材料形成。
6.按照前述任意權(quán)利要求所述的磁性傳感器，包括與所述自由層耦合，包括一第三鐵磁層的一反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)；和與所述第三鐵磁層交換耦合的一第二反鐵磁層。
7.按照權(quán)利要求6所述的磁性傳感器，其中所述反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)通過(guò)一第二非磁性隔離層與所述鐵磁自由層耦合。
8.按照權(quán)利要求6所述的磁性傳感器，其中所述反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)與一部分所述鐵磁自由層耦合。
9.按照前述任意權(quán)利要求所述的磁性傳感器，其中所述自由層包括一反平行釘扎亞結(jié)構(gòu)，其中所述傳感器還包括形成于所述自由層上的一第二非磁性隔離層，和形成于第二非磁性隔離層上的一第二反鐵磁層。
10.一種同時(shí)初始化磁性傳感器中的兩個(gè)反鐵磁層的方法，所述磁性傳感器具有包括一第一鐵磁層的一AP釘扎亞結(jié)構(gòu)，與所述第一鐵磁層交換耦合的一第一反鐵磁層和支持所述自由層的磁偏穩(wěn)定性的一第二反鐵磁層，所述磁性傳感器利用基本上垂直于傳感器中各層的平面施加的檢測(cè)電流而工作，所述方法包括把傳感器放入外部磁場(chǎng)中；調(diào)整所述磁場(chǎng)的強(qiáng)度，使所述AP釘扎亞結(jié)構(gòu)中的所述第一鐵磁層的磁化方向基本垂直于所述外部磁場(chǎng)方向；把傳感器加熱到所述第一和第二反鐵磁層的閉塞溫度之上；和在存在所述外部磁場(chǎng)的情況下，把傳感器冷卻到所述第一和第二反鐵磁層的閉塞溫度之下。
11.一種磁存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括記錄數(shù)據(jù)的磁存儲(chǔ)介質(zhì)；與所述磁存儲(chǔ)介質(zhì)連接的電機(jī)；在記錄磁頭組件和所述存儲(chǔ)介質(zhì)相對(duì)運(yùn)動(dòng)時(shí)，使所述磁頭組件保持在存儲(chǔ)介質(zhì)附近的浮動(dòng)塊，所述記錄磁頭組件具有磁性傳感器，所述磁性傳感器包括，一第一反鐵磁層；形成于所述第一反鐵磁層上的一釘扎層；形成于所述釘扎層上的一非磁性隔離層；形成于所述非磁性隔離層上的一自由層；支持所述自由層的偏置穩(wěn)定性的一第二反鐵磁層；和與所述浮動(dòng)塊連接的懸架，所述懸架使所述浮動(dòng)塊定位，以便在磁盤(pán)上進(jìn)行磁性記錄；其中所述第一和第二反鐵磁層由基本上具有相同成分，并基本上具有相同閉塞溫度的相同材料構(gòu)成。
12.按照權(quán)利要求11所述的磁存儲(chǔ)系統(tǒng)，其中所述釘扎層包括一AP釘扎亞結(jié)構(gòu)。
13.按照權(quán)利要求11或12所述的磁存儲(chǔ)系統(tǒng)，包括與一部分所述自由層耦合的一個(gè)或多個(gè)偏置片組，所述偏置片組包括與所述第二反鐵磁層交換耦合的一AP釘扎亞結(jié)構(gòu)，所述偏置片組提供所述自由層的磁偏穩(wěn)定性。
全文摘要
公開(kāi)了磁隧道結(jié)(MTJ)和垂直于平面電荷(CPP)磁性傳感器，所述傳感器具有釘扎釘扎層中的磁化方向的一第一反鐵磁層，和提供自由層的偏置穩(wěn)定性的一第二反鐵磁層。這兩個(gè)反鐵磁層可由相同材料形成，并且通過(guò)利用自旋翻轉(zhuǎn)效應(yīng)，可同時(shí)被初始化。公開(kāi)了利用這些傳感器的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。
文檔編號(hào)H01F10/32GK1479874SQ02803298
公開(kāi)日2004年3月3日 申請(qǐng)日期2002年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月14日
發(fā)明者羅伯特·比奇, 羅伯特 比奇 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司