專利名稱：保護(hù)帶條的粘貼和分離方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于向其上形成有圖形的晶片表面粘貼保護(hù)帶條以及用于分離該保護(hù)帶條的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在一種傳統(tǒng)的生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片的工藝中，使用了諸如磨削或拋光之類的機(jī)械方法，或包括蝕刻的化學(xué)方法來(lái)處理半導(dǎo)體晶片(以下簡(jiǎn)稱為“晶片”)的背面，以減小晶片的厚度。當(dāng)使用這些方法來(lái)加工晶片時(shí)，為了保護(hù)其上形成有布線圖的正面，需向晶片的正面粘貼一保護(hù)帶條。
當(dāng)晶片被送去進(jìn)行背部磨削處理時(shí)，正面(印有線路圖的表面)由一吸盤(pán)臺(tái)吸附支承，而其背面由一磨床進(jìn)行磨削加工。此時(shí)，一保護(hù)帶條被粘貼在正面上，從而可避免由于對(duì)正面產(chǎn)生的磨削應(yīng)力而損壞線路圖，并且可避免線路圖被污染。
在加工和輸送的過(guò)程中，背面進(jìn)行磨削的而變薄的晶片很容易斷裂。由于晶片的偏轉(zhuǎn)或彎曲，晶片難以操縱。為了避免這些不便的情形，已有的一個(gè)建議是預(yù)先向晶片表面粘貼兩種不同類型的保護(hù)帶條，以避免晶片損傷和彎曲(參見(jiàn)日本專利公開(kāi)(未審查)2000-331968)。
因此，已被提出且已用于實(shí)踐的一種方法是，在一分離步驟中，一次將粘貼到晶片表面上的所有的兩類保護(hù)帶條同時(shí)分離。
上述日本專利公開(kāi)(未審查)2000-331968中描述了雙層形式的保護(hù)帶條，使用該種保護(hù)帶條的優(yōu)點(diǎn)在于晶片可以被加強(qiáng)，但在分離保護(hù)帶條的過(guò)程中，會(huì)遇到下列不方便的情形。
當(dāng)一次分離所有雙層的保護(hù)帶條時(shí)，出于粘貼到晶片表面的第一保護(hù)帶條和粘貼在第一保護(hù)帶條上的第二保護(hù)帶條的粘合強(qiáng)度的原因，有時(shí)不能一次將多層帶條分離開(kāi)。也就是說(shuō)，第一保護(hù)帶條會(huì)殘留在晶片的表面上。
在這種情況下，很難確定第一保護(hù)帶條是否殘留在晶片的表面上。
當(dāng)從晶片上分離的保護(hù)帶條的數(shù)目不能可靠識(shí)別時(shí)，會(huì)產(chǎn)生下列這些問(wèn)題。
盡管是兩層保護(hù)帶條一起分離的，但當(dāng)確定僅有一層保護(hù)帶被分離出時(shí)，一分離帶條被粘貼到晶片表面上，從而會(huì)污染或損傷晶片的表面。
另外，當(dāng)保護(hù)帶條留在晶片表面上時(shí)，分離步驟必須重復(fù)進(jìn)行兩次，由此，會(huì)使操作效率降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是根據(jù)上述現(xiàn)有技術(shù)的情況而作出的，其主要目的在于提供一種保護(hù)帶條的粘貼和分離的方法，該方法能很容易地向半導(dǎo)體晶片粘貼保護(hù)帶條并從其上分離開(kāi)保護(hù)帶條，同時(shí)，通過(guò)向晶片表面提供一定剛性而使晶片加強(qiáng)。
根據(jù)本發(fā)明，上述目的可以通過(guò)這樣一種保護(hù)帶條的粘貼和分離方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，該方法用于向其上形成有圖形的半導(dǎo)體晶片的表面粘貼保護(hù)帶條，并且可從半導(dǎo)體晶片表面上分離出保護(hù)帶條，該方法包括一個(gè)粘貼步驟，該步驟用于將多層形式的多層保護(hù)帶條粘貼到半導(dǎo)體晶片的表面，并且使具有較強(qiáng)粘力的保護(hù)帶條位于頂部；以及一分離步驟，該步驟用于在以多層形式粘貼的保護(hù)帶條上粘貼上一分離帶條，并且通過(guò)分離帶條，一次將所有的多層的保護(hù)帶條從半導(dǎo)體晶片的表面上分離出。
根據(jù)本發(fā)明的保護(hù)帶條的粘貼和分離方法，這些保護(hù)帶條是以多層形式粘貼到半導(dǎo)體晶片的表面上，而具有較強(qiáng)粘合力的保護(hù)帶條位于頂上。由于上部保護(hù)帶條的粘合力比下部保護(hù)帶條的強(qiáng)，因此，最下部的保護(hù)帶條(即直接粘貼于半導(dǎo)體晶片表面上的保護(hù)帶條)首先從半導(dǎo)體晶片的表面分離。這樣，多層形式的保護(hù)帶條可一起從半導(dǎo)體晶片的表面上分離出。
較佳地，粘貼到半導(dǎo)體晶片的表面上的保護(hù)帶條包括兩層保護(hù)帶條，這兩層保護(hù)帶條預(yù)先以多層形式結(jié)合成一個(gè)單元。
預(yù)先結(jié)合在一起作為一個(gè)單元的若干保護(hù)帶條被粘貼到半導(dǎo)體晶片的表面上。在一次分離操作過(guò)程中以多層形式粘貼到半導(dǎo)體晶片表面上的若干保護(hù)帶條一起從半導(dǎo)體晶片的表面分離。
較佳地，以多層形式粘貼的保護(hù)帶條的至少上面一層為一種可紫外線固化的保護(hù)帶條。另外較佳地，紫外光可發(fā)射到以多層形式粘貼到半導(dǎo)體晶片表面上的保護(hù)帶條上。
至少以多層形式粘貼到半導(dǎo)體晶片的表面上的多層保護(hù)帶條的上部保護(hù)帶條為一種紫外線固化型的保護(hù)帶條。通過(guò)對(duì)以多層形式粘貼的保護(hù)帶條進(jìn)行紫外線照射處理，可以使紫外線固化型保護(hù)帶條的粘合劑固化，從而使其牢靠地粘合到下部保護(hù)帶條的表面上。這樣，多層形式的保護(hù)帶條可以在一次分離操作中一起從半導(dǎo)體晶片的表面上分離。
較佳地，以多層形式粘貼的保護(hù)帶條中的下層為紫外線固化型保護(hù)帶條，并且在保護(hù)帶條從半導(dǎo)體晶片上分離出之前發(fā)射紫外光。
以多層形式粘貼到半導(dǎo)體晶片表面上的保護(hù)帶條中，紫外線固化型保護(hù)帶條可直接粘貼到半導(dǎo)體晶片的表面上。當(dāng)保護(hù)帶條以多層形式粘貼到半導(dǎo)體晶片的表面上之后，在分離這些多層保護(hù)帶條之前發(fā)射紫外光，而后，可將保護(hù)帶條分離。這樣，直接粘貼到半導(dǎo)體晶片表面上的保護(hù)帶條被固化以使其粘合力降低，由此便于從半導(dǎo)體晶片上分離這些保護(hù)帶條。
在本發(fā)明中，例如，以多層形式粘貼的保護(hù)帶條的上層可以為非紫外線固化型保護(hù)帶條，或下層為非紫外線固化型保護(hù)帶條。
另外，以多層形式粘貼的保護(hù)帶條的下部保護(hù)帶條具有一粗糙表面。
由于，下部保護(hù)帶條具有一粗糙表面，因此，粘貼的保護(hù)帶條的粘合劑可進(jìn)入下部保護(hù)帶條表面的凸部和凸部中。這樣，粘合面積得以擴(kuò)大，而上部保護(hù)帶條可牢靠地附著到下部保護(hù)帶條上。
較佳地，將多層保護(hù)帶條作為兩層單獨(dú)的保護(hù)帶條重復(fù)進(jìn)行粘貼。在兩條保護(hù)帶條被單獨(dú)、重復(fù)進(jìn)行粘貼的情況下，例如，以多層形式粘貼的保護(hù)帶條的至少上面一層為紫外線固化型保護(hù)帶條。此外較佳地是，向以多層形式粘貼到半導(dǎo)體晶片的表面上的保護(hù)帶條發(fā)射紫外光，或者保護(hù)帶條可以結(jié)合在一起，并且在將保護(hù)帶條粘貼到半導(dǎo)體晶片表面之前，在一個(gè)供給步驟中發(fā)射紫外光。
兩條保護(hù)帶條是分別粘貼的，使第一帶條被粘貼到半導(dǎo)體晶片表面上，而后，第二保護(hù)帶條被粘貼到第一保護(hù)帶條的表面上，接著，向保護(hù)帶條發(fā)射紫外光?；蛘撸趯⒈Ｗo(hù)帶條粘貼到半導(dǎo)體晶片表面之前的一個(gè)供給步驟中，多層的保護(hù)帶被結(jié)合在一起，在此之后，向保護(hù)帶條發(fā)射紫外光。當(dāng)紫外光發(fā)射時(shí)，紫外線固化型保護(hù)帶條的粘合劑固化，從而使保護(hù)帶條牢靠地結(jié)合在一起。這樣，多層的保護(hù)帶條可以在一次分離操作中一起從半導(dǎo)體晶片表面上分離。
較佳地，以多層形式粘貼的保護(hù)帶條的下層為紫外線固化型保護(hù)帶條，而在這些保護(hù)帶條從半導(dǎo)體晶片上分離之前，發(fā)射紫外光。
以多層形式粘貼到半導(dǎo)體晶片表面上的保護(hù)帶條中，紫外線固化型保護(hù)帶條可直接粘貼到半導(dǎo)體晶片的表面上。當(dāng)保護(hù)帶條以多層形式粘貼到半導(dǎo)體晶片的表面上之后，在分離這些多層保護(hù)帶條之前發(fā)射紫外光，并且隨后，保護(hù)帶條被分離。這樣，直接粘貼到半導(dǎo)體晶片表面上的保護(hù)帶條被固化以使其粘合力降低，由此將便于從半導(dǎo)體晶片上分離保護(hù)帶條。
在本發(fā)明中，例如，以多層形式粘貼的保護(hù)帶條的上部一層可以為非紫外線固化型的保護(hù)帶條，或者，下部一層為非紫外線固化型的保護(hù)帶條。
較佳地，以多層形式粘貼的保護(hù)帶條的下部保護(hù)帶條具有一粗糙表面。
由于下部保護(hù)帶條具有一粗糙表面，因此，粘貼的保護(hù)帶條的粘合劑可進(jìn)入下部保護(hù)帶條的表面的凸部和凸部中。由此，可以使粘合面積擴(kuò)大，而上部保護(hù)帶條可牢靠地粘附在下部保護(hù)帶條上。
本說(shuō)明書(shū)還揭示了下列解決方案。
(1)一種分離方法，該種方法可用于分離粘貼到其上形成有圖形的半導(dǎo)體晶片的表面上的不同類型的紫外線固化型保護(hù)帶條，該方法包括一紫外線照射步驟，該步驟用于發(fā)射紫外光，而紫外光的波長(zhǎng)根據(jù)紫外線固化型保護(hù)帶的類型改變；以及一分離步驟，該分離步驟用于分離以紫外線照射處理的保護(hù)帶條。
例如，為了向較薄的半導(dǎo)體晶片提供剛性，可以將不同類型的保護(hù)帶條粘貼到半導(dǎo)體晶片的表面上。這些以多層形式粘貼的保護(hù)帶條在一次分離操作過(guò)程中從半導(dǎo)體晶片上分離。然而，由于保護(hù)帶條的粘合力之間存在差異，因此，不是所有保護(hù)帶條都能在一次分離操作中從半導(dǎo)體晶片表面上分離。
根據(jù)上述本發(fā)明(1)，可以將不同類型的紫外線固化型保護(hù)帶條以多層的形式粘貼到半導(dǎo)體晶片的表面上，并且分別發(fā)射紫外光，而紫外光的波長(zhǎng)是根據(jù)紫外線固化型保護(hù)帶條的類型而變化的。各個(gè)紫外線固化型保護(hù)帶條被暴露到具有不同波長(zhǎng)的紫外線光中。這樣，通過(guò)固化粘合劑，保護(hù)帶條的匹配表面可牢靠地結(jié)合在一起，而粘貼到晶片表面的保護(hù)帶條被固化，從而使其可輕易地從晶片表面上分離。這樣，在一次分離操作過(guò)程中，多層保護(hù)帶條可以一次從半導(dǎo)體晶片的表面上一起分離。


為了說(shuō)明本發(fā)明，附圖中示出了目前若干較佳形式，然而，需理解的是，本發(fā)明不僅限于示出的確定的配置結(jié)構(gòu)和手段。
圖1為示出了第一實(shí)施例中帶條粘貼裝置的輪廓的正視圖；圖2為示出了帶條粘貼過(guò)程的正視圖；圖3為示出了帶條粘貼過(guò)程的正視圖；圖4為示出了帶條粘貼過(guò)程的正視圖；圖5為其上粘貼有多層保護(hù)帶條的晶片的縱剖視圖；圖6為以紫外線照射晶片的操作的說(shuō)明圖；圖7為示出了帶條分離過(guò)程的輪廓的正視圖；圖8為示出了帶條分離裝置的正視圖；圖9為示出了帶條分離過(guò)程的正視圖；圖10為示出了帶條分離過(guò)程的正視圖；以及圖11為第二實(shí)施例中的帶條粘貼裝置的輪廓的正視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的較佳實(shí)施例。
第一實(shí)施例保護(hù)帶條的粘貼方法在描述本發(fā)明中的保護(hù)帶條的粘貼方法之前，首先，將參照附圖描述本實(shí)施例中使用的一種帶條粘貼裝置。
圖1為示出了一種帶條粘貼裝置輪廓的正視圖。圖2到圖4為示出了一種保護(hù)帶條粘貼過(guò)程的正視圖。
在本實(shí)施例中，用于向半導(dǎo)體晶片粘貼保護(hù)帶條的裝置1具有一帶盤(pán)2，該帶盤(pán)2用于沿著分離帶S供給保護(hù)帶條T1；一分離帶收集器5，該分離帶收集器5用于從保護(hù)帶條T1上分離和收集分離帶；一吸盤(pán)臺(tái)7，其上用于吸附支承一半導(dǎo)體晶片W(以下簡(jiǎn)稱為“晶片W”)；一帶條粘貼機(jī)構(gòu)8，該機(jī)構(gòu)用于向晶片W上壓上并粘貼上保護(hù)帶條T1；一切割單元10，該單元用于沿著晶片W的周邊切割晶片W上的保護(hù)帶條T1；一帶條分離機(jī)構(gòu)11，該機(jī)構(gòu)11用于從晶片W上分離出殘留的帶條T2；以及一帶條收集件13，該收集件用于收集分離的帶條。
以下，將詳細(xì)描述各機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)。
帶盤(pán)2引導(dǎo)從帶條卷筒3上借助分離帶S抽出的保護(hù)帶條T1圍繞并卷繞一組導(dǎo)向輥4移動(dòng)。帶條卷筒3是由一垂直壁(未圖示)支承的，并通過(guò)制動(dòng)機(jī)構(gòu)之類裝置防止帶條卷筒3轉(zhuǎn)動(dòng)。
分離帶收集器5具有一個(gè)收集卷筒6，該收集卷筒6由垂直壁(未圖示)支承，并且可操作成與諸如電動(dòng)機(jī)之類的驅(qū)動(dòng)裝置相連。
吸盤(pán)臺(tái)7具有若干個(gè)引導(dǎo)銷，這些引導(dǎo)銷用于參照一定向平面調(diào)節(jié)置于其上的晶片W的位置，并且同時(shí)從背面吸附支承晶片W。
帶條粘貼機(jī)構(gòu)8具有一個(gè)框架，該框架由裝置的主體軌道保持并且可操作地與諸如電動(dòng)機(jī)(未圖示)之類的一驅(qū)動(dòng)裝置相連，以使其可沿著帶條運(yùn)行方向滑動(dòng)?？蚣苄D(zhuǎn)支承一個(gè)粘貼輥9，該粘貼輥通過(guò)氣缸或之類裝置(未圖示)垂直擺動(dòng)。因此，在粘貼輥9將保護(hù)帶條T1涂敷到晶片W的表面上的同時(shí)，粘貼輥9在保護(hù)帶條T1的表面上進(jìn)行擠壓及滾動(dòng)。
切割單元10可以通過(guò)一提升機(jī)構(gòu)(未圖示)在一備用位置和一個(gè)用于切割保護(hù)帶條T1的切割位置之間垂直移動(dòng)。切割單元10可沿著晶片W的周邊切割保護(hù)帶條T1。
帶條分離機(jī)構(gòu)11具有一個(gè)框架，該框架由裝置的主體的導(dǎo)軌保持并且可操作地與諸如電動(dòng)機(jī)之類的驅(qū)動(dòng)裝置(未圖示)相連，以使其沿帶條運(yùn)行方向滑動(dòng)?？蚣苻D(zhuǎn)動(dòng)支承一分離帶輥12，該分離帶輥通過(guò)氣缸之類裝置(未圖示)而垂直擺動(dòng)。該分離帶輥12設(shè)置成可使晶片W從當(dāng)沿著晶片W的周邊將帶條切割下之后留在其上的殘余帶條T2上分離。
帶條收集件13具有一個(gè)收集卷筒14，該卷筒由垂直壁(未圖示)支承，并且該收集件13可操作地與諸如電動(dòng)機(jī)之類的驅(qū)動(dòng)裝置相連。也就是說(shuō)，預(yù)定量的保護(hù)帶條T1從帶盤(pán)2上抽出并進(jìn)給到晶片W上。收集盤(pán)14是由驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)的，以卷繞起切割操作之后留下的殘留帶條T2。
以下，將參照附圖描述一種涂敷多層保護(hù)帶條的方法，其中使用了具有上述結(jié)構(gòu)的帶條粘貼裝置。在本實(shí)施例中，使用了兩個(gè)帶條粘貼裝置來(lái)將兩種不同類型的多層保護(hù)帶條粘貼到各晶片表面。
本實(shí)施例中使用的兩類保護(hù)帶條如下。
直接粘貼到晶片W表面上的第一保護(hù)帶條T1是非紫外線固化類型，并帶有一個(gè)具有一粗糙表面(不光滑表面)的基底。較佳地，當(dāng)以針式表面粗糙度測(cè)量器測(cè)量中心線表面的粗糙度時(shí)，它的表面粗糙度至少為100(埃)。
當(dāng)基底表面的中心表面粗糙度為100?；蛞陨蠒r(shí)，涂在保護(hù)帶條上的粘合物可進(jìn)入基底表面的凸部和凹部中，從而使粘合面積擴(kuò)大。也就是說(shuō)，保護(hù)帶條可牢靠地相互粘合。
當(dāng)基底表面的中心表面粗糙度為100?；蛞韵聲r(shí)，涂在上面的保護(hù)帶條的粘合物具有較小的粘合區(qū)域。因此，保護(hù)帶條以較小的強(qiáng)度相互粘合，并且僅上部、第二帶條可以在帶條分離時(shí)被分離，從而使第一保護(hù)帶條T1留在晶片W的表面上。
可紫外線固化的保護(hù)帶條被用作第二保護(hù)帶條T3。
兩類帶條T1和T3均為與一分離帶S層疊的卷狀物。
接著，將描述通過(guò)使用上述兩類保護(hù)帶條T1和T3以及帶條粘貼裝置1將多層的保護(hù)帶條粘貼到晶片W上的操作循環(huán)。
第一和第二帶條粘貼裝置并排設(shè)置。非紫外線固化的保護(hù)帶條T1設(shè)置在第一帶條粘貼裝置的帶條卷筒3上，而紫外線固化的保護(hù)帶條T3設(shè)置在第二帶條粘貼裝置的帶條卷筒3上。
晶片W設(shè)置在第一帶條粘貼裝置的吸盤(pán)臺(tái)7上，并且由該吸盤(pán)臺(tái)7進(jìn)行位置調(diào)節(jié)及吸附支承。如圖1所示，在這點(diǎn)上，帶條粘貼機(jī)構(gòu)8和帶條分離機(jī)構(gòu)11在左側(cè)的一個(gè)初始位置中，而切割單元10位于上部備用位置中。
當(dāng)晶片W的位置被調(diào)節(jié)之后，帶條粘貼機(jī)構(gòu)8的粘貼輥9向下擺動(dòng)。而后，粘貼輥9沿著與帶條運(yùn)行方向(圖2中為從左到右)相反的方向滾動(dòng)，并向下擠壓保護(hù)帶條T1。這樣，保護(hù)帶條T1可均勻地粘貼到晶片W的表面上。當(dāng)帶條粘貼機(jī)構(gòu)8到達(dá)一終端位置時(shí)，粘貼輥9上升。
接著，如圖3所示，切割單元10下降到切割位置，以切割保護(hù)帶條T1。切割單元10可轉(zhuǎn)向以形成一個(gè)完整的晶片W的周邊的圓，由此，圍繞晶片W切割出保護(hù)帶條T1。
當(dāng)切割出保護(hù)帶條T1之后，切割單元10上升，回到圖4中示出的備用位置中。
接著，如圖4所示，帶條分離機(jī)構(gòu)11拾取并分離留在晶片W上的殘留帶條T2，同時(shí)沿著與帶條運(yùn)行方向相反的方向在晶片W上移動(dòng)。
當(dāng)帶條分離機(jī)構(gòu)11到達(dá)執(zhí)行分離操作的終端位置時(shí)，帶條分離機(jī)構(gòu)11和帶條粘貼機(jī)構(gòu)8沿著帶條運(yùn)行方向移回圖1示出的初始位置。同時(shí)，殘留帶條T2由收集卷筒14卷起，并且從帶盤(pán)2上抽出預(yù)定量的帶條。這使向位于第一帶條粘貼裝置中的晶片W的表面粘貼保護(hù)帶條T1的操作結(jié)束。
位于第一帶條粘貼裝置中的晶片W表面上粘貼有保護(hù)帶條T1，該晶片被轉(zhuǎn)移到第二帶條粘貼裝置中。
在第二帶條粘貼裝置中，在吸盤(pán)臺(tái)上對(duì)晶片W進(jìn)行位置調(diào)節(jié)，而后重復(fù)上述第一帶條粘貼裝置中同樣的操作，以將第二保護(hù)帶條T3粘貼到第一保護(hù)帶條T1上。
在該帶條粘貼時(shí)，輥?zhàn)?滾動(dòng)，并且擠壓第二保護(hù)帶條的表面。由此，第二保護(hù)帶條T3的粘合劑可進(jìn)入并快速粘附到第一保護(hù)帶條T1的基底表面的凸部和凹部上，從而使粘合的面積擴(kuò)大。
這樣，如圖5所示，保護(hù)帶條T3的粘合物N3與保護(hù)帶條T1的基底K1的表面的凸部和凹部緊密接觸。這樣，帶有以多層方式粘貼其上的保護(hù)帶條T1和T3的晶片W具有剛性。
例如，帶有兩層以多層方式粘貼其上的保護(hù)帶條的晶片W在一個(gè)盒子中被輸送到一晶片安裝裝置。當(dāng)盒子被裝載到晶片安裝裝置中時(shí)，例如可以一次一件將晶片從盒子中取出并通過(guò)機(jī)械手轉(zhuǎn)移到對(duì)準(zhǔn)臺(tái)。
每個(gè)被轉(zhuǎn)移到對(duì)準(zhǔn)臺(tái)的晶片W根據(jù)一定向平面等物來(lái)對(duì)準(zhǔn)。在對(duì)準(zhǔn)之后，如圖6所示，一紫外線照射單元U從一備用位置下降到對(duì)準(zhǔn)臺(tái)AS上，并且朝著晶片W發(fā)射出紫外線。
紫外線的照射可使保護(hù)帶T3的粘合劑固化，并且通過(guò)它的錨定效應(yīng)，保護(hù)帶條T3可牢靠地結(jié)合到第一保護(hù)帶條T1的表面上。也就是說(shuō)，保護(hù)帶條T1和T3結(jié)合的強(qiáng)度增加。
經(jīng)過(guò)紫外線照射處理的晶片通過(guò)粘貼在背面的粘合帶條Tn借助一環(huán)形框架f輸送到一安裝框架準(zhǔn)備單元，從而使晶片被支承在如圖7所示的晶片W被設(shè)置成可進(jìn)行一分離步驟的狀態(tài)下。由環(huán)形框架f(以下簡(jiǎn)稱為“安裝框架F”)支承的晶片W被輸送到分離步驟，并且設(shè)置在圖7的一吸盤(pán)臺(tái)19上，這將在下文中進(jìn)行描述。
如上所述，帶有具有粗糙表面的基底的第一保護(hù)帶條T1被粘貼到晶片W上，而后再粘貼上可紫外線固化的保護(hù)帶條T3。這樣，保護(hù)帶條T3的粘合劑可進(jìn)入保護(hù)帶條T1的基底K1的表面的凸部和凹部中，從而使粘合面積擴(kuò)大。在這種情況下發(fā)射到晶片W上的紫外線使保護(hù)帶條T3的粘合劑固化，而保護(hù)帶條T3可通過(guò)它的錨定效應(yīng)牢靠地與第一保護(hù)帶條T1結(jié)合。
接著，將描述一種保護(hù)帶條的分離方法。
首先，將參照附圖描述本實(shí)施例中一種用于執(zhí)行保護(hù)帶條分離的保護(hù)帶條分離裝置。
圖7為示出了帶條分離裝置的輪廓的正視圖。圖8到圖10為示出了保護(hù)帶條分離過(guò)程的示意圖。
在本實(shí)施例中，一種用于從半導(dǎo)體晶片上分離保護(hù)帶條的裝置15具有一個(gè)帶盤(pán)16，該帶盤(pán)16用于供給一分離帶條Ts；一個(gè)吸盤(pán)臺(tái)19，該吸盤(pán)臺(tái)可吸附支承一安裝框架F；一個(gè)分離機(jī)構(gòu)20，該機(jī)構(gòu)用于向粘貼在晶片W的表面上的保護(hù)帶條T3上擠壓并粘貼分離帶條Ts，并且將分離帶條Ts同保護(hù)帶條T3一起分離開(kāi)；以及一個(gè)帶條收集器22，該帶條收集器用于收集從晶片W上分離的兩種帶條。
以下，將詳細(xì)描述各個(gè)機(jī)械裝置的結(jié)構(gòu)。
帶盤(pán)16通過(guò)導(dǎo)向輥18將從帶條卷筒17上抽出的分離帶條Ts引向分離機(jī)構(gòu)20。帶條卷筒17由一垂直壁(未圖示)支承。
吸盤(pán)臺(tái)19具有若干引導(dǎo)銷，這些引導(dǎo)銷用于調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)移到其上的安裝框架F的位置。吸盤(pán)臺(tái)19被構(gòu)造成可吸住安裝框架F的背面。此外，吸盤(pán)臺(tái)19具有一框架，該框架通過(guò)裝置的主體的一軌道保持并且可操作地與驅(qū)動(dòng)裝置(未圖示)相連，從而可沿著分離帶條Ts的運(yùn)行方向滑動(dòng)。
分離機(jī)構(gòu)20具有一個(gè)分離輥21，該分離輥21由它的框架轉(zhuǎn)動(dòng)支承，并且可通過(guò)氣缸之類裝置(未圖示)垂直擺動(dòng)?？刹僮鞣蛛x輥21向保護(hù)帶條T3的表面擠壓和粘貼分離帶條Ts。
帶條收集器22具有一個(gè)由垂直壁(未圖示)支承的收集卷筒23，并且該卷筒可操作成與諸如電動(dòng)機(jī)之類的一驅(qū)動(dòng)裝置(未圖示)相連。也就是說(shuō)，可以將一預(yù)定量的分離帶條Ts從帶盤(pán)16上抽出并且進(jìn)給到晶片W上。驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)收集卷筒23卷繞起與保護(hù)帶條T3相結(jié)合的分離帶條Ts。
以下，將參照附圖描述一種分離保護(hù)帶條的方法，其中的保護(hù)帶條以多層的方式粘貼到各晶片表面，該方法使用了具有上述結(jié)構(gòu)的帶條分離裝置。
如圖8所示，例如，一半導(dǎo)體晶片W上粘貼著帶有具有一粗糙表面的基底的第一保護(hù)帶條和紫外線固化型的第二保護(hù)帶條，該半導(dǎo)體晶片W與環(huán)形框架F通過(guò)粘合帶Tn在背面處結(jié)合，從而形成安裝框架F。該安裝框架F可設(shè)置在吸盤(pán)臺(tái)19上。
對(duì)放置的安裝框架進(jìn)行位置調(diào)節(jié)并吸附支承。然后，如圖8所示，將吸盤(pán)臺(tái)19(圖8中為向左)移到這樣一個(gè)位置，該位置可使分離輥21與晶片W的周邊部分接觸。
當(dāng)安裝框架F的位置被調(diào)節(jié)之后，如圖9所示，分離輥21向下擺動(dòng)，而吸盤(pán)臺(tái)19沿著分離帶條Ts的運(yùn)行方向移動(dòng)。隨著吸盤(pán)臺(tái)19的移動(dòng)，分離輥21壓著分離帶條Ts在晶片W上滾動(dòng)。也就是說(shuō)，分離帶條Ts被粘貼到最上部的保護(hù)帶條T3上，而將其上粘有分離帶條Ts的保護(hù)帶條T3拉起，并且同分離帶條Ts一同分離。
此時(shí)，由于保護(hù)帶T3的粘著力比保護(hù)帶T1的粘著力更強(qiáng)，因此，保護(hù)帶T1首先從晶片W的表面上分離出。這樣，兩保護(hù)帶T1和T3一起從晶片W上分離。
當(dāng)吸盤(pán)臺(tái)19到達(dá)如圖10所示的終端位置時(shí)，分離輥21向上移動(dòng)，吸盤(pán)臺(tái)19與帶條運(yùn)行方向相反地移回初始位置。同時(shí)，與分離帶條Ts結(jié)合并與之一起分離的保護(hù)帶條T3卷繞在收集卷筒23上，同時(shí)，一預(yù)定量的分離帶條Ts從帶盤(pán)16上抽出。這樣，粘貼到晶片W的表面上的保護(hù)帶條的最上層T3的分離操作結(jié)束。
如上所述，以多層形式粘貼到晶片W的表面上的保護(hù)帶條可以在一次分離操作中一起分離。
第二實(shí)施例該實(shí)施例將以每次通過(guò)使用一個(gè)帶條粘貼裝置來(lái)粘貼以上第一實(shí)施例中的兩類保護(hù)帶條(即，第一種具有粗糙表面的非紫外線固化型和第二種紫外線固化型的保護(hù)帶條)的實(shí)例進(jìn)行描述。相同的部件將使用與第一實(shí)施例中相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示，并將對(duì)不同的部件進(jìn)行描述。
如圖11所示，本實(shí)施例中的裝置1包括兩個(gè)帶盤(pán)2a和2b；一個(gè)粘貼單元4c，該粘貼單元用于以多層的方式粘貼從帶盤(pán)2a和2b中抽出的保護(hù)帶條T1和T3；以及一個(gè)紫外線照射單元U，該單元用于在從粘貼單元4c以向晶片W上進(jìn)給保護(hù)帶條的過(guò)程中發(fā)射紫外線。
帶盤(pán)2a引導(dǎo)帶有從帶條卷筒3a上抽出的分離帶S的保護(hù)帶條T1圍繞導(dǎo)向輥4a移動(dòng)。
帶盤(pán)2b將不帶有從帶條卷筒3b上抽出的分離帶引向粘貼單元4c。
每個(gè)帶盤(pán)2a、2b均支承在一垂直壁(未圖示)上，并且通過(guò)制動(dòng)機(jī)構(gòu)之類裝置來(lái)防止其旋轉(zhuǎn)。
粘貼單元4c具有上部和下部的兩個(gè)輥?zhàn)?，這兩個(gè)輥?zhàn)佑糜趭A緊從帶盤(pán)2a和2b上抽出的兩條保護(hù)帶條，并且將保護(hù)帶條T3擠向并粘貼到保護(hù)帶條T1上。
分離帶收集器5被設(shè)置成可收集通過(guò)輥?zhàn)?b從粘貼單元4c上抽出的保護(hù)帶T1的分離帶S。
紫外線照射單元U可向從粘貼單元4c抽出的兩層保護(hù)帶T1和T3發(fā)射紫外線，而分離帶S被分離且被收集。
以上述結(jié)構(gòu)，從帶盤(pán)2a和2b上抽出的兩層保護(hù)帶在被供給到晶片W之前結(jié)合在一起。多層的保護(hù)帶條T1和T3在一次粘貼操作中被粘貼到晶片W的表面上。
在分離階段中的一次分離操作中可將以多層形式粘貼到晶片W上的保護(hù)帶條T1和T3一起從晶片W上分離出。
因此，在本實(shí)施例中，僅使用一個(gè)帶條粘貼裝置即可將兩層保護(hù)帶條粘貼到晶片W上，從而實(shí)現(xiàn)操作效率的提高。
在本實(shí)施例中，紫外線固化型的保護(hù)帶條被用作第二保護(hù)帶條，但也可以使用非紫外線固化型的保護(hù)帶條。在這種情況下，可以省略紫外線照射單元U。
本發(fā)明不僅限于上述實(shí)施例，還可以作下列改變(1)在上述保護(hù)帶條粘貼方法中，薄層形式的保護(hù)帶條從備料卷上供給出，并且以多層的形式粘貼，同時(shí)沿著晶片W的周邊進(jìn)行切割。帶條可以預(yù)先被切成晶片的形狀，并單獨(dú)地重復(fù)進(jìn)行粘貼。在進(jìn)行粘貼之前，這些帶條可以被重疊在一起。
(2)上述保護(hù)帶條的粘貼方法使用了具有粗糙的基底表面的非紫外線固化型的第一保護(hù)帶條以及紫外線固化型的第二保護(hù)帶條。保護(hù)帶條也可以按下列組合形式來(lái)使用。
具有粗糙的基底表面的非紫外線固化型的第一保護(hù)帶條和非紫外線固化型的第二保護(hù)帶條的組合；具有粗糙的基底表面的紫外線固化型的第一保護(hù)帶條和具有經(jīng)過(guò)背面處理的一普通基底表面的紫外線固化型的第二保護(hù)帶條的組合；普通的非紫外線固化型的保護(hù)帶條或普通的紫外線固化型的保護(hù)帶條的組合；或者多個(gè)同類型或不同類型的保護(hù)帶條的組合。
(3)在上述保護(hù)帶條的分離方法中，吸盤(pán)臺(tái)19可以沿著帶條的運(yùn)行方向移動(dòng)?；蛘撸蛛x機(jī)構(gòu)20本身可以沿帶條運(yùn)行方向移動(dòng)。
(4)上述保護(hù)帶條分離方法是通過(guò)以安裝分離為例進(jìn)行描述的。但這種安裝分離不是限制性的。也可以分離以多層形式粘貼到不由安裝框架支承的晶片表面上的保護(hù)帶條。
在不脫離本發(fā)明實(shí)質(zhì)內(nèi)容的前提下，本發(fā)明還可以具體表現(xiàn)為其它特定的形式，因此，應(yīng)參照所附的權(quán)利要求書(shū)，而是不參照上述說(shuō)明書(shū)，所述權(quán)利要求書(shū)將表明本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種保護(hù)帶條的粘貼和分離的方法，這種方法用于向其上形成有圖形的半導(dǎo)體晶片的表面粘貼保護(hù)帶條，并且從該半導(dǎo)體晶片的表面上分離出保護(hù)帶條，所述方法包括一粘貼步驟，該粘貼步驟用于向所述半導(dǎo)體晶片的表面粘貼多層形式的多層保護(hù)帶條，這樣，頂上可以設(shè)有具有較強(qiáng)粘合力的一保護(hù)帶條；以及一分離步驟，該分離步驟用于向以多層形式粘貼的所述保護(hù)帶條上粘貼一分離帶條，并且通過(guò)分離帶條一次將所有多層形式的保護(hù)帶條從所述半導(dǎo)體晶片的表面上分離出。
2.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)帶條的粘貼和分離方法，其特征在于，粘貼到半導(dǎo)體晶片表面上的所述保護(hù)帶條包括兩層保護(hù)帶條，這些保護(hù)帶條預(yù)先作為一個(gè)單元以多層形式結(jié)合在一起。
3.如權(quán)利要求2所述的保護(hù)帶條的粘貼和分離方法，其特征在于，以多層形式粘貼的所述保護(hù)帶條中的至少上面的一層為紫外線固化型的保護(hù)帶條。
4.如權(quán)利要求3所述的保護(hù)帶條的粘貼和分離方法，其特征在于，紫外光被發(fā)射到以多層形式粘貼在所述半導(dǎo)體晶片表面上的保護(hù)帶條上。
5.如權(quán)利要求2所述的保護(hù)帶條的粘貼和分離方法，其特征在于，以多層形式粘貼的所述保護(hù)帶條中的下層為紫外線固化型的保護(hù)帶條，而在將保護(hù)帶條從所述半導(dǎo)體晶片上分離出之前，發(fā)射紫外光。
6.如權(quán)利要求2所述的保護(hù)帶條的粘貼和分離方法，其特征在于，以多層形式粘貼的所述保護(hù)帶條的上面一層為非紫外線固化型保護(hù)帶條。
7.如權(quán)利要求2所述的保護(hù)帶條的粘貼和分離方法，其特征在于，以多層形式粘貼的所述保護(hù)帶條的下面一層為非紫外線固化型保護(hù)帶條。
8.如權(quán)利要求2所述的保護(hù)帶條的粘貼和分離方法，其特征在于，以多層形式粘貼的保護(hù)帶條中的下部保護(hù)帶條具有一粗糙表面。
9.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)帶條的粘貼和分離方法，其特征在于，多層形式的所述保護(hù)帶條作為兩層獨(dú)立的保護(hù)帶條重復(fù)粘貼。
10.如權(quán)利要求9所述的保護(hù)帶條的粘貼和分離方法，其特征在于，以多層形式粘貼的所述保護(hù)帶條的至少上面一層為紫外線固化型保護(hù)帶條。
11.如權(quán)利要求1O所述的保護(hù)帶條的粘貼和分離方法，其特征在于，向以多層形式粘貼到所述半導(dǎo)體晶片表面上的保護(hù)帶條發(fā)射紫外光。
12.如權(quán)利要求10所述的保護(hù)帶條的粘貼和分離方法，其特征在于，若干多層形式的保護(hù)帶條結(jié)合在一起，而在向所述半導(dǎo)體晶片的表面上粘貼保護(hù)帶條之前在一供給步驟中發(fā)射紫外光。
13.如權(quán)利要求9所述的保護(hù)帶條的粘貼和分離方法，其特征在于，以多層形式粘貼的所述保護(hù)帶條中的下層為紫外線固化型的保護(hù)帶條，在保護(hù)帶條從所述半導(dǎo)體晶片上分離出之前發(fā)射紫外光。
14.如權(quán)利要求9所述的保護(hù)帶條的粘貼和分離方法，其特征在于，以多層形式粘貼的所述保護(hù)帶條的上層為非紫外線固化型的保護(hù)帶條。
15.如權(quán)利要求9所述的保護(hù)帶條的粘貼和分離方法，其特征在于，以多層形式粘貼的所述保護(hù)帶條的下層為非紫外線固化型的保護(hù)帶條。
16.如權(quán)利要求9所述的保護(hù)帶條的粘貼和分離方法，其特征在于，以多層形式粘貼的若干保護(hù)帶條的下部的保護(hù)帶條具有一粗糙表面。
全文摘要
通過(guò)一帶條粘貼機(jī)構(gòu)向由一吸盤(pán)臺(tái)吸附支承的晶片的表面粘貼一保護(hù)帶條。該保護(hù)帶條由一切割單元被切成晶片的形狀。而后，具有的粘合力比第一保護(hù)帶條更強(qiáng)的一保護(hù)帶條被粘貼到保護(hù)帶條上。在一帶條分離裝置的一次分離操作中，多層形式的若干保護(hù)帶條可一起從晶片的表面上分離。
文檔編號(hào)H01L21/683GK1428822SQ0216049
公開(kāi)日2003年7月9日 申請(qǐng)日期2002年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2001年12月27日
發(fā)明者山本雅之 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社