專利名稱：一種硅大圓芯片膜擴(kuò)開加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及硅半導(dǎo)體器件芯片生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種硅大圓芯片膜擴(kuò)開加熱裝置。
在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中，把硅大圓芯片切割成為眾多的單個(gè)芯片之后，需要使用機(jī)械擴(kuò)開器把粘附在膜上的硅大圓芯片擴(kuò)開，使單個(gè)芯片分離。
傳統(tǒng)的硅大圓芯片機(jī)械擴(kuò)開器，是靠兩個(gè)緊貼的金屬內(nèi)、外環(huán)套接產(chǎn)生摩擦力，把硅大圓芯片膜拉伸擴(kuò)張，從而把已切割開的各單個(gè)芯片分離，進(jìn)入下一步工序。但是，由于機(jī)械操作的不均勻和不重復(fù)性，以及膜的柔軟性較差，使擴(kuò)開效果不佳，有時(shí)需要對(duì)硅大圓芯片膜進(jìn)行兩次或兩次以上的擴(kuò)開操作，才能達(dá)到預(yù)期的擴(kuò)開效果，因而導(dǎo)致了產(chǎn)品質(zhì)量問題。
本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、成本低，通過提高硅大圓芯片膜柔軟性后能達(dá)到充分?jǐn)U開的硅大圓芯片膜擴(kuò)開加熱裝置。
本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的一種硅大圓芯片膜擴(kuò)開加熱裝置，包括由能夠相互套接的外環(huán)、內(nèi)環(huán)組成的硅大圓芯片膜擴(kuò)開器，在所述硅大圓芯片膜擴(kuò)開器上方裝有溫度及位置可控的加熱圓盤。所述加熱圓盤由安全外殼、發(fā)熱體、儲(chǔ)熱圓盤組成，所述儲(chǔ)熱圓盤位于安全外殼下部，其外端面與內(nèi)，外環(huán)相對(duì)應(yīng)。在加熱圓盤與硅大圓芯片膜擴(kuò)開器之間設(shè)有位移部件。
工作時(shí)，通過位移部件使加熱圓盤靠近硅大圓芯片擴(kuò)開器上方，讓硅大圓芯片膜受熱變軟，各單個(gè)芯片便充分被擴(kuò)開分離。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于能使硅大圓芯片中各單個(gè)芯片充分?jǐn)U開分離，提高了擴(kuò)開的均勻性和重復(fù)性，從而提高工藝質(zhì)量。


圖1是本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
通過下面實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)闡述。
參見圖1所示，本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例一種硅大圓芯片膜擴(kuò)開加熱裝置，發(fā)熱體1、儲(chǔ)熱圓盤2、安全外殼3組成加熱圓盤，由外環(huán)6、內(nèi)環(huán)7、組成機(jī)械擴(kuò)開器5，加熱圓盤通過位移部件4使其接近置于機(jī)械擴(kuò)開器5的膜8上的硅大圓芯片9上方，或離開該芯片9，根據(jù)具體工藝、材料要求去調(diào)節(jié)儲(chǔ)熱圓盤2的溫度，以及該儲(chǔ)熱圓盤2與硅大圓芯片9的距離及停留時(shí)間，從而使膜8獲得理想的柔軟性。工作時(shí)，待擴(kuò)開的硅大圓芯片9及其膜片8被裝入機(jī)械擴(kuò)開器5的內(nèi)環(huán)6面上，將加熱圓盤移近膜8上方對(duì)其加熱，使之變軟，然后將外環(huán)7套配入內(nèi)環(huán)6上，便把硅大圓芯片已切割開的眾多小芯片充分地?cái)U(kuò)開分離。
權(quán)利要求1.一種硅大圓芯片膜擴(kuò)開加熱裝置，包括由能夠相互套接的外環(huán)、內(nèi)環(huán)組成的硅大圓芯片膜擴(kuò)開器，其特征在于在所述硅大圓芯片膜擴(kuò)開器上方裝有溫度及位置可控的加熱圓盤。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅大圓芯片膜擴(kuò)開加熱裝置，其特征在于所述加熱圓盤由安全外殼、發(fā)熱體、儲(chǔ)熱圓盤組成，所述儲(chǔ)熱圓盤位于安全外殼下部，其外端面與內(nèi)、外環(huán)相對(duì)應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅大圓芯片膜擴(kuò)開加熱裝置，其特征在于在加熱圓盤與硅大圓芯片膜擴(kuò)開器之間設(shè)有位移部件。
專利摘要一種硅大圓芯片膜擴(kuò)開加熱裝置,包括由內(nèi)、外環(huán)、組成的硅大圓芯片膜擴(kuò)開器,發(fā)熱體、儲(chǔ)熱圓盤、安全外殼組成的加熱圓盤,在擴(kuò)開器與加熱圓盤之間設(shè)有位移部件,使加熱圓盤接近或離開擴(kuò)開器,實(shí)現(xiàn)對(duì)膜片均勻受熱軟化,使硅大圓芯片已被分割的眾多小芯片能充分地?cái)U(kuò)開分離。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于能使硅大圓芯片中各單個(gè)芯片充分?jǐn)U開分離,提高了擴(kuò)開的均勻性和重復(fù)性,從而提高工藝質(zhì)量。
文檔編號(hào)H01L21/00GK2482218SQ0124213
公開日2002年3月13日 申請(qǐng)日期2001年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月14日
發(fā)明者王光明, 嚴(yán)新強(qiáng), 李永新, 姚劍鋒 申請(qǐng)人:佛山市藍(lán)箭電子有限公司