專利名稱：一種衰減相移掩模的制作方法
技術領域：
本實用新型是一種衰減相移掩模，涉及應用掩模技術，屬于對掩模結構的修改。
可提高分辨率的掩模技術有多種種類。交替型相移掩模對周期性圖形有明顯作用，但制作的圖形線端頭處由于相位突變造成的連接線，需要再次曝光予以消除。無鉻相移掩模適用于不等線/間隔圖形；輔助相移掩模適用于孤立圖形，它們的缺陷是存在應用局限性。邊緣相移掩模適用于任何形狀的圖形，但由于相移器寬度多為亞分辨率的，其設計制作的難度限制了它們的應用。衰減相移掩模適合任何形狀的圖形，設計相對容易?，F(xiàn)有的衰減相移掩模為雙層結構，如

圖1和圖2分別表示的兩種衰減相移掩模，由兩層模構成，1是衰減層，用以控制透過率，2是相移層，控制相移度。其缺陷是結構復雜，制作困難，不易控制。
本實用新型的目的是提供一種可同時滿足提高分辨率和減輕制作難度的衰減相移掩模。
本實用新型的目的可通過以下技術措施實現(xiàn)衰減相移掩模包括掩模的基體，基體上是起衰減和相移作用的單層膜。
本實用新型也可通過以下技術措施實現(xiàn)衰減相移掩?；w上的單層膜的材料可以是CrO、CrON、CrSiON、MoSiC、MoSiON等材料。
本實用新型相比已有技術有如下優(yōu)點由于衰減和相移由同一單層膜同時實現(xiàn)，因此該實用新型結構簡單。并且該單層膜的材料CrO等的制作工藝與傳統(tǒng)掩模上Cr膜的制作工藝相兼容，因此本實用新型相比于已有的多層膜衰減相移掩模制作過程簡化、易被控制，容易實現(xiàn)，不需要增添新的生產(chǎn)設備，即可達到提高光刻分辨率的目的。而且，本實用新型采用適合的相移材料可適用于任何波長的光刻技術。
以下結合附圖和最佳實施例對本實用新型作進一步的說明。
圖1和圖2為已有技術多層膜衰減相移掩模的結構圖。
圖3為本實用新型最佳實施例的結構圖。
如圖3所示，衰減相移掩?；w3上是CrO單層膜4，它是在基體3上鍍制Cr膜時加入Ar+O2氣體時生成的。通過控制濺射電流、濺射壓強、氧氣供給量控制CrO膜的折射率N和消光系數(shù)K，使單層膜4具有一定厚度，并同時滿足透過率要求(5-10％)和180°相位延遲的要求。基體3和單層膜4構成衰減相移掩模。
權利要求1.一種衰減相移掩模，包括掩模的基體(3)，其特征在于基體(3)上是起衰減和相移作用的單層膜(4)。
2.根據(jù)權利要求1所述的衰減相移掩模，其特征在于基體(3)上的單層膜(4)可以是CrO、CrON、CrSiON、MoSiO、MoSiON等材料。
專利摘要本實用新型公開了一種衰減相移掩模,屬于對現(xiàn)有衰減相移掩模結構的改進,解決了現(xiàn)有衰減相移掩模結構復雜、制作困難的問題。本實用新型的衰減相移掩模包括掩模的基體和起衰減和相移作用的單層膜。單層膜可以是CrO、CrON、CrSiON等材料,其結構簡單,制作工藝簡化、易被控制,容易實現(xiàn)。可應用于大規(guī)模集成電路的制造。
文檔編號H01L21/02GK2426213SQ00223209
公開日2001年4月4日 申請日期2000年6月7日 優(yōu)先權日2000年6月7日
發(fā)明者張錦, 馮伯儒, 侯德勝, 周崇喜, 姚漢民, 劉業(yè)異 申請人:中國科學院光電技術研究所