動態(tài)隨機(jī)存儲器的缺陷修復(fù)方法及電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種動態(tài)隨機(jī)存儲器的缺陷修復(fù)方法及電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著計算機(jī)、移動終端的廣泛應(yīng)用，以及數(shù)據(jù)處理能力的不斷提升，對DRAM(動態(tài)隨機(jī)存儲器)的需求也隨之增加。對于大容量DRAM來說，生產(chǎn)過程中帶來的defect(缺陷)在所難免，如何進(jìn)行有效修補(bǔ)、規(guī)避缺陷，從而提升產(chǎn)品良率非常重要。
[0003]圖1示出現(xiàn)有的DRAM缺陷修復(fù)電路結(jié)構(gòu)，其中，DRAM芯片中包含陣列排布的多個子陣列100，每個子陣列100的結(jié)構(gòu)如圖2所示，包含多條WL(Word Line，字線)與BL(Bit Line，位線)，每條WL與BL的交點(diǎn)代表一個Bit Cell(位存儲單元)。在Normal WL(正常字線)101之夕卜，還有少量的Redundancy WL(冗余字線)102，用來修復(fù)有缺陷的正常字線，例如缺陷字線105;同樣地，在Normal BL(正常位線)103之外，也有少量的Redundancy BL(冗余位線)104，用來修復(fù)有缺陷的正常位線(未示出)。如圖1所示，外部控制器(未示出)將需要訪問的地址(正常字線地址/正常位線地址)送入DRAM，替換熔絲(字線替換熔絲111/位線替換熔絲112)中的比較器比較所需訪問的地址與其中所記錄的已經(jīng)被修復(fù)過的地址，若兩者相符，則通過數(shù)據(jù)選擇器120將用作修復(fù)的冗余地址(冗余字線地址/冗余位線地址)傳送給DRAM;若不相符，則通過數(shù)據(jù)選擇器120將外部控制器所給地址(正常字線地址/正常位線地址)傳送給DRAM。也就是說，現(xiàn)有方法是用冗余字線替換有缺陷的正常字線，用冗余位線替換有缺陷的正常位線，這種方法對于集中在單根字線或者位線上的缺陷比較有效，但是對于Cluster(簇集)類型的缺陷(此種缺陷通常呈較大規(guī)模聚集)，修復(fù)效率低下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種動態(tài)隨機(jī)存儲器的缺陷修復(fù)方法及電路，實(shí)現(xiàn)方式簡單，修復(fù)效率較高，適于動態(tài)隨機(jī)存儲器中簇集類型缺陷的修復(fù)。
[0005]基于以上考慮，本發(fā)明的一個方面提供一種動態(tài)隨機(jī)存儲器的缺陷修復(fù)方法，包括:記錄缺陷所在的地址區(qū)域;訪問動態(tài)隨機(jī)存儲器時，跳過缺陷所在的地址區(qū)域;得到一塊完整無缺陷的動態(tài)隨機(jī)存儲器。
[0006]優(yōu)選地，通過非易失性存儲器記錄缺陷所在的地址區(qū)域。
[0007]優(yōu)選地，所述非易失性存儲器為快閃存儲器或熔絲存儲器。
[0008]優(yōu)選地，通過地址映射跳過缺陷所在的地址區(qū)域。
[0009]優(yōu)選地，跳過缺陷所在的字線、位線或子陣列的地址區(qū)域。
[0010]本發(fā)明的另一方面提供一種動態(tài)隨機(jī)存儲器的缺陷修復(fù)電路，包括缺陷記錄模塊和地址映射模塊;所述缺陷記錄模塊用于記錄缺陷所在的地址區(qū)域;所述地址映射模塊用于跳過缺陷所在的地址區(qū)域。
[0011]優(yōu)選地，所述缺陷記錄模塊和地址映射模塊分別設(shè)置于外部控制器中、動態(tài)隨機(jī)存儲器中或者外部控制器與動態(tài)隨機(jī)存儲器之間。
[0012]優(yōu)選地，所述缺陷記錄模塊包括非易失性存儲器。
[0013]優(yōu)選地，所述非易失性存儲器為快閃存儲器或熔絲存儲器。
[0014]優(yōu)選地，所述地址映射模塊用于跳過缺陷所在的字線、位線或子陣列的地址區(qū)域。
[0015]本發(fā)明的動態(tài)隨機(jī)存儲器的缺陷修復(fù)方法及電路，通過缺陷記錄模塊記錄缺陷所在的地址區(qū)域，通過地址映射模塊跳過(或舍棄)缺陷較多的字線、位線或子陣列，因而在應(yīng)用端看到的是一塊容量稍小但完整無缺陷的DRAM。本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方式簡單，并且對于簇集類型的缺陷修復(fù)效率較高，從而大大提高DRAM出貨的良率，使得一些對良率非常倚重的產(chǎn)品(如三維集成電路，大容量DRAM等)獲益。
【附圖說明】
[0016]通過參照附圖閱讀以下所作的對非限制性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會變得更明顯。
[0017]圖1為現(xiàn)有的動態(tài)隨機(jī)存儲器的缺陷修復(fù)電路的示意圖；
圖2為現(xiàn)有的動態(tài)隨機(jī)存儲器的一個子陣列的示意圖；
圖3為本發(fā)明的動態(tài)隨機(jī)存儲器的缺陷修復(fù)電路的示意圖；
圖4為本發(fā)明的動態(tài)隨機(jī)存儲器的一個子陣列的示意圖；
圖5為本發(fā)明的動態(tài)隨機(jī)存儲器的多個子陣列的示意圖。
[0018]在圖中，貫穿不同的示圖，相同或類似的附圖標(biāo)記表示相同或相似的裝置(模塊)或步驟。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為解決上述現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明提供一種動態(tài)隨機(jī)存儲器的缺陷修復(fù)方法及電路，通過缺陷記錄模塊記錄缺陷所在的地址區(qū)域，通過地址映射模塊跳過(或舍棄)缺陷較多的字線、位線或子陣列，因而在應(yīng)用端看到的是一塊容量稍小但完整無缺陷的DRAM。本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方式簡單，并且對于簇集類型的缺陷修復(fù)效率較高，從而大大提高DRAM出貨的良率，使得一些對良率非常倚重的產(chǎn)品(如三維集成電路，大容量DRAM等)獲益。
[0020]在以下優(yōu)選的實(shí)施例的具體描述中，將參考構(gòu)成本發(fā)明一部分的所附的附圖。所附的附圖通過示例的方式示出了能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的特定的實(shí)施例。示例的實(shí)施例并不旨在窮盡根據(jù)本發(fā)明的所有實(shí)施例?？梢岳斫?，在不偏離本發(fā)明的范圍的前提下，可以利用其他實(shí)施例，也可以進(jìn)行結(jié)構(gòu)性或者邏輯性的修改。因此，以下的具體描述并非限制性的，且本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求所限定。
[0021]本發(fā)明的一個方面提供一種動態(tài)隨機(jī)存儲器的缺陷修復(fù)方法，包括:記錄缺陷所在的地址區(qū)域;訪問動態(tài)隨機(jī)存儲器時，跳過缺陷所在的地址區(qū)域;得到一塊完整無缺陷的動態(tài)隨機(jī)存儲器。
[0022 ]圖3示出本發(fā)明的DRAM缺陷修復(fù)電路結(jié)構(gòu)，其中，DRAM芯片中包含陣列排布的多個子陣列200，每個子陣列200的結(jié)構(gòu)如圖4所示，包含多條正常字線201、冗余字線202、正常位線203、冗余位線204。當(dāng)遇到冗余字線202與冗余位線204都無法修復(fù)的缺陷時，例如缺陷較多的多根字線205，首先通過測試手段確定缺陷所在的地址區(qū)域，然