一種存儲器和存儲器存儲方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲器領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲器和存儲器存儲方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在快閃(Flash)存儲器中，存儲區(qū)域用于存儲數(shù)據(jù)，為可編程、可擦除和可讀取存儲區(qū)域。除了存儲區(qū)域以外，存儲器還有一塊相對獨立的區(qū)域用于存儲，為一次性編程只讀存儲區(qū)域(One Time Programming, OTP),該OTP區(qū)域不同于存儲區(qū)域,只允許編程一次。
[0003]參考圖1，為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種flash存儲器的示意圖，如圖所示，flash存儲器由OTP區(qū)域11和存儲區(qū)域組成，其中，存儲區(qū)域包括虛假字線陣列(Dummy ffordline,DffL)和多個主存儲陣列(Main Array)。如圖1所示，虛假字線陣列分別標記為第I個虛假字線21、第2個虛假字線22、第3個虛假字線23、第4個虛假字線24、第5個虛假字線25、第6個虛假字線26、…、第21-l個虛假字線27和第2i個虛假字線28，其中，i為整數(shù)且i > I。多個主存儲陣列分別標記為第I個主存儲陣列31 (Main Array Block)、第2個主存儲陣列32 (Main Array Block)、第 3 個主存儲陣列 33 (Main Array Block)、...、第 i 個主存儲陣列34 (Main Array Block)。以主存儲陣列31為例，其頂部的虛假字線21是由一條或多條上虛假字線組成，相應的，該主存儲陣列31的底部的虛假字線22是由一條或多條下虛假字線組成，并且，上虛假字線的條數(shù)等于下虛假字線的條數(shù)。其他主存儲陣列的結(jié)構(gòu)與主存儲陣列31完全相同，并且，其他主存儲陣列的上虛假字線和下虛假字線的條數(shù)，也分別與主存儲陣列31的上虛假字線和下虛假字線相同。
[0004]在現(xiàn)有的flash存儲器中，OTP區(qū)域11作為一次性編程只讀存儲區(qū)域，占據(jù)一部分存儲器芯片面積，其作用在于保存flash存儲器芯片信息、芯片標識(ID)和接口信息，以及用戶的其他信息。存儲區(qū)域的虛假字線陣列不用于存儲數(shù)據(jù)，占據(jù)一部分存儲器芯片面積，其作用僅在于保護主存儲陣列。多個主存儲陣列作為可擦除、可編程區(qū)域進行數(shù)據(jù)、信息的存儲。
[0005]由此可知，現(xiàn)有技術(shù)提供的flash存儲器中，占據(jù)一部分芯片面積的OTP區(qū)域為一次性可編程只讀存儲區(qū)域，虛假字線陣列也占據(jù)一部分芯片面積卻不能為用戶所用，不存儲數(shù)據(jù)，使得目前的flash存儲器芯片面積較大、成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明提供一種存儲器和存儲器存儲方法，通過將虛假存儲陣列作為一次性編程只讀的虛擬存儲區(qū)域，以去除現(xiàn)有存儲器的OTP區(qū)域，節(jié)省了存儲芯片面積和降低了存儲芯片成本。
[0007]第一方面，本發(fā)明提供了一種存儲器，所述存儲器包括多個存儲模塊，所述存儲模塊包括主存儲陣列和虛假存儲陣列；
[0008]所述主存儲陣列，用于存儲信息；
[0009]所述虛假存儲陣列，包括第一虛假字線塊和第二虛假字線塊，所述虛假存儲陣列作為一次性編程只讀存儲區(qū)域，用于存儲數(shù)據(jù)，其中，所述第一虛假字線塊和所述第二虛假字線塊分別位于所述主存儲陣列的頂部和底部。
[0010]進一步地，所述主存儲陣列由多條字線組成。
[0011]進一步地，所述第一虛假字線塊由一條或多條虛假字線組成，位于所述主存儲陣列的頂部，用于對所述主存儲陣列進行保護以及作為一次性編程只讀存儲區(qū)域存儲數(shù)據(jù)；
[0012]所述第二虛假字線塊由一條或多條虛假字線組成，位于所述主存儲陣列的底部，用于對所述主存儲陣列進行保護以及作為一次性編程只讀存儲區(qū)域存儲數(shù)據(jù)。
[0013]進一步地，所述第一虛假字線塊的虛假字線數(shù)量和所述第二虛假字線塊的虛假字線數(shù)量相等。
[0014]進一步地，所述主存儲陣列為可編程可擦除存儲陣列。
[0015]進一步地，所述虛假存儲陣列作為一次性編程只讀存儲區(qū)域，用于存儲數(shù)據(jù)時，所述存儲數(shù)據(jù)為芯片信息、芯片標識、芯片接口信息和用戶信息。
[0016]進一步地，所述存儲器為NOR快閃存儲器或NAND快閃存儲器。
[0017]第二方面，本發(fā)明提供了一種存儲器的存儲方法，所述存儲器為上述第一方面所述的存儲器，所述存儲器存儲方法包括:
[0018]為存儲器的虛假存儲陣列的虛假字線分配物理地址；
[0019]根據(jù)物理地址，對該已分配物理地址的虛假字線進行一次性編程存儲。
[0020]進一步地，所述虛假存儲陣列為所述存儲器中的一個或多個或全部虛假存儲陣列。
[0021]進一步地，所述虛假字線為所述存儲器的一個虛假存儲陣列的一條或多條或全部虛假字線；或者所述虛假字線為所述存儲器的不同虛假存儲陣列的多條虛假字線。
[0022]本發(fā)明提供的一種存儲器和存儲器存儲方法，該存儲器通過將虛假存儲陣列作為一次性編程只讀存儲區(qū)域，用于存儲芯片信息、芯片標識、芯片接口信息和用戶信息，以去除現(xiàn)有存儲器的OTP區(qū)域，節(jié)省了存儲器芯片面積，降低了芯片成本。該存儲器的存儲方法，通過對存儲器的虛假存儲陣列的虛假字線分配物理地址，實現(xiàn)對所述具有物理地址的虛假字線的存儲和編程，此時存儲器的虛假存儲陣列能夠作為一次性編程存儲區(qū)域存儲數(shù)據(jù)，代替了現(xiàn)有存儲器的OTP區(qū)域，達到了節(jié)省芯片面積以及降低芯片成本的效果。
【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖做一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種flash存儲器的TJK意圖；
[0025]圖2是本發(fā)明實施例一提供的一種存儲器的示意圖；
[0026]圖3是本發(fā)明實施例一提供的一種存儲器的存儲模塊的示意圖；
[0027]圖4是本發(fā)明實施例二提供的一種存儲器存儲方法的示意圖。
【具體實施方式】
[0028]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，以下將參照本發(fā)明實施例中的附圖，通過實施方式清楚、完整地描述本發(fā)明的技術(shù)方案，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0029]實施例一
[0030]參考圖2所示，為本發(fā)明實施例一提供的一種存儲器的示意圖，本實施例的存儲器可以為或非門(NOR)快閃存儲器，也可以為與非門(NAND)快閃存儲器，作為一種非易失性存儲器件應用于各種電子、智能產(chǎn)品中，可適用于節(jié)省flash存儲器芯片面積和降低存儲器制造成本的情況。
[0031 ] 該存儲器包括多個存儲模塊，所述存儲模塊包括主存儲陣列和虛假存儲陣列；
[0032]所述主存儲陣列，用于存儲信息；
[0033]所述虛假存儲陣列，包括第一虛假字線塊和第二虛假字線塊，所述虛假存儲陣列作為一次性編程只讀存儲區(qū)域，用于存儲數(shù)據(jù)，其中，所述第一虛假字線塊和所述第二虛假字線塊分別位于所