后，編程脈沖P3在時(shí)間t2處被斷目以使得能夠?qū)Υ鎯?chǔ)單兀W1-5、W1-11和W1-17編程，并且當(dāng)存儲(chǔ)單元W1-5、W1-11和W1-17已被編程之后，編程脈沖P3在時(shí)間t3處被解除斷言。以這種方式，順序地使得組G1、G2和G3中的所識(shí)別存儲(chǔ)器單7Π能夠被依次編程。
[0029]圖3相較于圖2更詳細(xì)地示出對(duì)所識(shí)別的存儲(chǔ)單元的常規(guī)編程。圖3的描述將再次參考圖1中的元件。與字線W1相關(guān)聯(lián)的電壓首先斜坡上升至第一電壓電平。然后在時(shí)間t0處，與分別連接到目標(biāo)存儲(chǔ)單元Wl-1、W1-7和W1-13的源極的位線B0、B6和B12 (未示出)相關(guān)聯(lián)的電壓維持在非常低的電壓電平，并且編程脈沖P1被斷言，以使得與分別連接到目標(biāo)存儲(chǔ)單元W1-UW1-7和W1-13的漏極的位線B1、B7(未示出)和B13(未示出)相關(guān)聯(lián)的電壓斜坡上升。一旦與位線B1、B7和B13相關(guān)聯(lián)的電壓達(dá)到預(yù)定的穩(wěn)態(tài)電平(例如，Vwi D，則對(duì)存儲(chǔ)單元Wl-1、W1-7和W1-13編程。與位線Bl、B7和B13相關(guān)聯(lián)的電壓然后放電。在時(shí)間tl處，在對(duì)目標(biāo)存儲(chǔ)單兀W1_1、W1_7和W1-13編程后，編程脈沖P1被解除斷言。另外，在時(shí)間tl處，與分別連接到目標(biāo)存儲(chǔ)單元Wl-3、W1-9和W1-15的源極的位線B2、B8(未示出)和B14(未示出)相關(guān)聯(lián)的電壓維持在非常低的電壓電平，并且將要對(duì)目標(biāo)存儲(chǔ)單元Wl-3、Wl-9和W1-15編程的編程脈沖P2被斷言，以使得與分別連接到目標(biāo)存儲(chǔ)單元Wl-3、Wl-9和W1-15的漏極的位線B3、B9(未示出)和B15(未示出)相關(guān)聯(lián)的電壓斜坡上升。一旦與位線B3、B9和B15相關(guān)聯(lián)的電壓達(dá)到預(yù)定穩(wěn)態(tài)電平(例如，VW1 3)，則對(duì)存儲(chǔ)單元Wl-3、W1-9和W1-15編程。與位線B3、B9和B15相關(guān)聯(lián)的電壓然后放電。在時(shí)間t2處，在對(duì)目標(biāo)存儲(chǔ)器單元Wl-3、Wl-9和W1-15編程之后，編程脈沖P2被解除斷言。以與上面相對(duì)于包括在組G1和G2中的目標(biāo)存儲(chǔ)單元描述的方式類似的方式順序地對(duì)包括在組G3中目標(biāo)存儲(chǔ)單元Wl-5、W1-11和W1-17編程。
[0030]在本例中，如從圖3看到，連接到被編程的存儲(chǔ)單元的漏極的每條位線B1、B3、B7、B9、B13和B15經(jīng)歷三個(gè)階段。這三個(gè)階段包括斜坡上升階段、穩(wěn)態(tài)階段和放電階段。在斜坡上升階段期間，對(duì)連接到被編程的存儲(chǔ)單元的漏極的位線充電，以增大與所述位線相關(guān)聯(lián)的電壓。當(dāng)電壓達(dá)到穩(wěn)態(tài)電壓時(shí)停止對(duì)位線充電，之后穩(wěn)態(tài)階段開(kāi)始。存儲(chǔ)單兀在穩(wěn)態(tài)階段期間/結(jié)束時(shí)被編程。與位線相關(guān)聯(lián)的電壓在放電階段期間放電。
[0031]如圖3的常規(guī)示例所示，位線的斜坡上升階段的持續(xù)時(shí)間持續(xù)了相關(guān)聯(lián)的編程脈沖的大部分時(shí)間。斜坡上升階段的該大部分持續(xù)時(shí)間可導(dǎo)致較差的編程/寫(xiě)入性能，因?yàn)榫幊堂}沖必須具有較長(zhǎng)的持續(xù)時(shí)間才能確保充足的穩(wěn)態(tài)階段時(shí)間以對(duì)存儲(chǔ)單元適當(dāng)?shù)鼐幊獭Ｆ谕畲笙薅鹊乜s短斜坡上升階段的持續(xù)時(shí)間，使得編程脈沖可以更短，并且因此可以更快地對(duì)存儲(chǔ)單元編程。但是，斜坡上升階段的持續(xù)時(shí)間可以不總是最大限度地縮短，因?yàn)樵摮掷m(xù)時(shí)間是基于非易失性存儲(chǔ)單元的固有的金屬寄生、用于對(duì)位線充電的電源電壓的限制，并且是對(duì)阻止被編程的存儲(chǔ)單元對(duì)其他存儲(chǔ)單元的干擾的核心單元技術(shù)的要求。理想的是，可以并行地對(duì)多個(gè)存儲(chǔ)單元編程，但難以實(shí)現(xiàn)可用電源的容量和對(duì)電源的控制。在對(duì)存儲(chǔ)單元編程中的另外的挑戰(zhàn)包括多個(gè)待編程存儲(chǔ)單元的尋址管理和與包括存儲(chǔ)器的設(shè)備相關(guān)聯(lián)的電流消耗限制。對(duì)于上述所有原因，順序地對(duì)所識(shí)別的存儲(chǔ)單元編程可以是效率低下的，并且可導(dǎo)致存儲(chǔ)單元的較差的編程/寫(xiě)入性能。
[0032]本公開(kāi)實(shí)施例描述了在對(duì)存儲(chǔ)單元編程期間的流水線操作，以便例如改善編程/寫(xiě)入性能并增加與存儲(chǔ)器相關(guān)聯(lián)的吞吐量。在一個(gè)實(shí)施例中，流水線操作包括使編程脈沖部分地重疊，同時(shí)考慮非易失性存儲(chǔ)單元的固有的金屬寄生、用于對(duì)位線充電的電源電壓的限制、與包括存儲(chǔ)器的設(shè)備相關(guān)聯(lián)的電流消耗限制以及對(duì)核心單元技術(shù)的要求?，F(xiàn)在關(guān)于圖4至圖6描述將對(duì)連接到相同的字線的單元進(jìn)行編程的示例性流水線操作。
[0033]圖4示出根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的用于在對(duì)存儲(chǔ)單元編程期間的流水線操作的電氣系統(tǒng)400。在所示示例中，電氣系統(tǒng)400包括存儲(chǔ)單元W1-1、W1-2、W1-3、W1_4…Wl-Μ、控制器401、斜坡控制電路410、電源421、422和423以及連接到待編程的存儲(chǔ)單元的相應(yīng)位線的相應(yīng)位線驅(qū)動(dòng)器431、432、433、434和435。
[0034]電源421、422和423對(duì)斜坡控制電路410和/或位線驅(qū)動(dòng)器431-435中的每個(gè)提供相應(yīng)的電壓V1、V2、V3。電壓V1、V2和V3之間的關(guān)系可被描述為V1〈V2〈V3，其中V3可以基本上等于與待編程存儲(chǔ)單元的位線相關(guān)聯(lián)的穩(wěn)態(tài)電壓。控制器401對(duì)斜坡控制電路410提供控制信號(hào)，斜坡控制電路410繼而基于所述控制信號(hào)對(duì)位線驅(qū)動(dòng)器431-435中的每個(gè)提供斜坡和放電信號(hào)(例如，低斜坡(lowramp)、中間斜坡(midramp)、高斜坡(highramp)、位線_放電)。位線驅(qū)動(dòng)器431-435基于所接收的電壓V1、V2和V3以及斜坡和放電信號(hào)，對(duì)與待編程存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的相應(yīng)位線充電和放電。如下面更詳細(xì)的描述，每個(gè)位線的斜坡上升階段包括三個(gè)充電節(jié)段(例如，低電壓節(jié)段、中間電壓節(jié)段和高電壓節(jié)段)，每個(gè)節(jié)段由相應(yīng)電源來(lái)驅(qū)動(dòng)。例如，電源1421通過(guò)低電壓節(jié)段驅(qū)動(dòng)位線/使位線充電至電壓VI (例如，1.5V)，電源2422通過(guò)中間電壓節(jié)段驅(qū)動(dòng)位線/使位線充電至電壓V2(例如，3V)，并且電源3423通過(guò)高電壓節(jié)段驅(qū)動(dòng)位線/使位線充電至電壓V3(例如，4.5V)。
[0035]圖5示出根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的示例性位線驅(qū)動(dòng)器500。每個(gè)位線驅(qū)動(dòng)器500可包括四個(gè)晶體管開(kāi)關(guān)501、502、503和504以用于通過(guò)斜坡上升階段、穩(wěn)態(tài)階段和放電階段來(lái)驅(qū)動(dòng)給定的位線。晶體管開(kāi)關(guān)501、502和503可用于在斜坡上升階段期間對(duì)位線充電并且用于維持穩(wěn)態(tài)階段。例如，晶體管501的漏極可連接到電源1421，并且晶體管501的源極可連接到將通過(guò)斜坡上升階段的低電壓節(jié)段驅(qū)動(dòng)的位線，晶體管502的漏極可連接到電源2422，并且晶體管502的源極可連接到將通過(guò)斜坡上升階段的中間電壓節(jié)段驅(qū)動(dòng)的位線，以及晶體管503的漏極可連接到電源3423，并且晶體管503的源極可連接到將通過(guò)斜坡上升階段的高電壓節(jié)段驅(qū)動(dòng)并且將在穩(wěn)態(tài)階段期間通過(guò)穩(wěn)態(tài)電壓維持的位線。最終，晶體管504的漏極可連接到位線，晶體管504的源極連接至地以使位線放電。
[0036]在示例性操作中并且參考圖4和圖5，當(dāng)所有晶體管均關(guān)斷時(shí)，當(dāng)斜坡上升階段開(kāi)始時(shí)，斜坡控制電路410斷言低斜坡信號(hào)以接通晶體管501，使得由電源1421供應(yīng)的電壓VI用于通過(guò)低電節(jié)段來(lái)驅(qū)動(dòng)位線。一旦位線達(dá)到第一預(yù)定電壓，斜坡控制電路410解除對(duì)低斜坡信號(hào)的斷言以關(guān)斷晶體管501，并且斷言中間斜坡信號(hào)以接通晶體管502，使得由電源2422供應(yīng)的電壓V2通過(guò)中間電壓節(jié)段來(lái)驅(qū)動(dòng)位線。一旦位線達(dá)到第二預(yù)定電壓，斜坡控制電路410解除對(duì)中間斜坡信號(hào)的斷言以關(guān)斷晶體管502，并且斷言高斜坡信號(hào)以接通晶體管503，使得由電源3423供應(yīng)的電壓V3用于通過(guò)高電壓節(jié)段來(lái)驅(qū)動(dòng)位線。一旦位線達(dá)到穩(wěn)態(tài)電壓，穩(wěn)態(tài)節(jié)段開(kāi)始并且晶體管503維持在0N條件下，使得存儲(chǔ)單元被編程。斜坡控制電路410然后解除對(duì)高斜坡信號(hào)的斷言以關(guān)斷晶體管503，并且斷言放電信號(hào)以接通晶體管504，使得位線可以放電。
[0037]圖6示出根據(jù)本公開(kāi)實(shí)施例的使用流水線操作對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行的示例性編程，其中所述存儲(chǔ)器單元為例如包括在第一組G1中的存儲(chǔ)單元Wl-l、Wl-7(未示出)和Wl-13(未示出)；包括在第二組G2中的存儲(chǔ)單元Wl-3、Wl-9(未示出)和Wl-15(未示出