存儲(chǔ)器中的流水線操作的制作方法
【專利說(shuō)明】存儲(chǔ)器中的流水線操作
[0001]背景
[0002]領(lǐng)域
[0003]本公開整體涉及存儲(chǔ)器中的流水線操作，其允許在存儲(chǔ)器中當(dāng)前目標(biāo)位置上操作的同時(shí)在存儲(chǔ)器中下一目標(biāo)位置上預(yù)充電或部分地操作。在目標(biāo)位置上的操作可包括將數(shù)據(jù)編程到目標(biāo)位置或者從目標(biāo)位置擦除數(shù)據(jù)。如下文所述，例如，上述流水線操作改善與存儲(chǔ)器相關(guān)聯(lián)的吞吐量。
[0004]簡(jiǎn)要概述
[0005]本文描述了用于存儲(chǔ)器中的流水線操作的系統(tǒng)、方法和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。
[0006]在本公開的實(shí)施例中，系統(tǒng)包括第一存儲(chǔ)單元、第二存儲(chǔ)單元和編程設(shè)備。所述編程設(shè)備被配置成生成相應(yīng)的第一編程脈沖和第二編程脈沖以對(duì)所述第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程。所述第一編程脈沖和第二編程脈沖在重疊持續(xù)時(shí)間期間重疊，所述重疊持續(xù)時(shí)間可基于所述第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元的性能參數(shù)來(lái)調(diào)整。
[0007]本公開還考慮了一種方法，所述方法包括:生成相應(yīng)的第一編程脈沖和第二編程脈沖以對(duì)第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程，所述第一編程脈沖和第二編程脈沖在重疊持續(xù)時(shí)間期間重疊，所述重疊持續(xù)時(shí)間可基于所述第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單元的性能參數(shù)來(lái)調(diào)整；以及使用所述第一編程脈沖和第二編程脈沖對(duì)所述第一存儲(chǔ)單元和第二存儲(chǔ)單兀進(jìn)行編程。
[0008]本公開的其他特征和優(yōu)勢(shì)以及本發(fā)明各種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和操作在下文參考附圖詳細(xì)地描述。應(yīng)注意，本公開并不限于本文所述的具體實(shí)施例。此類實(shí)施例在本文中僅以說(shuō)明性目的給出。根據(jù)本文所包含的技術(shù)，另外的實(shí)施例對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將是明顯的。
[0009]附圖簡(jiǎn)述
[0010]并入在本文中并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分的附圖示出本發(fā)明的實(shí)施例，并且還與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理并使得相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠制作并使用本發(fā)明的實(shí)施例。
[0011]圖1示出根據(jù)本公開實(shí)施例的包括非易失性存儲(chǔ)單元形式的存儲(chǔ)單元的示例性存儲(chǔ)扇區(qū)。
[0012]圖2示出用于對(duì)存儲(chǔ)器中的所識(shí)別存儲(chǔ)單元分別進(jìn)行編程的編程脈沖。
[0013]圖3示出對(duì)所識(shí)別存儲(chǔ)單元的編程。
[0014]圖4示出根據(jù)本公開實(shí)施例的用于在對(duì)存儲(chǔ)單元編程期間的流水線操作的電氣系統(tǒng)。
[0015]圖5示出根據(jù)本公開實(shí)施例的示例性位線驅(qū)動(dòng)器。
[0016]圖6示出根據(jù)本公開實(shí)施例的使用流水線操作對(duì)所識(shí)別存儲(chǔ)單元進(jìn)行的示例性編程。
[0017]圖7示出根據(jù)本公開實(shí)施例的使用流水線操作對(duì)所識(shí)別存儲(chǔ)單元進(jìn)行的其他示例性編程。
[0018]圖8示出根據(jù)本公開實(shí)施例的充電栗。
[0019]詳細(xì)描述
[0020]本說(shuō)明書公開了并入本發(fā)明特征的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。所公開的實(shí)施例僅僅例證本發(fā)明。本發(fā)明的范圍并不限于所公開的實(shí)施例。本發(fā)明由其所附權(quán)利要求限定。
[0021 ] 所描述的實(shí)施例以及說(shuō)明書中對(duì)“一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等的參考指示所描述的實(shí)施例可包括特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性，但可以不是每個(gè)實(shí)施例必須包括所述特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性。另外，此類短語(yǔ)并不一定是指同一個(gè)實(shí)施例。此外，當(dāng)描述與實(shí)施例有關(guān)的特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，應(yīng)理解，這是在本領(lǐng)域的技術(shù)人員的知識(shí)范圍之內(nèi)，用以實(shí)現(xiàn)與其它實(shí)施例有關(guān)的這種特征、結(jié)構(gòu)或特性，無(wú)論是否明確地描述。
[0022]本文所述的示例性實(shí)施例以說(shuō)明性目的而非限制性目的提供。其他示例性實(shí)施例是可能的，并且在本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)可對(duì)示例性實(shí)施例做出修改。因此，該詳細(xì)描述并非旨在限制本發(fā)明。相反，本發(fā)明的范圍僅僅根據(jù)下面的權(quán)利要求以及它們的等同物來(lái)限定。
[0023]下面關(guān)于示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述將完全揭示本發(fā)明的總體特性，在不背離本發(fā)明的精神和范圍且不用過(guò)度實(shí)驗(yàn)的情況下，他人可通過(guò)應(yīng)用本技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員的知識(shí)方便地修改和/或適應(yīng)這些示例性實(shí)施例以用于各種應(yīng)用。因此，基于本文所給出的教導(dǎo)和指導(dǎo)，此類適應(yīng)和修改是意欲在示例性實(shí)施例的意圖及多個(gè)等同物之內(nèi)。應(yīng)當(dāng)理解，本文中的短語(yǔ)或術(shù)語(yǔ)用于說(shuō)明的目的而非限制的目的，使得本領(lǐng)域的技術(shù)人員將根據(jù)本文中的教導(dǎo)來(lái)解釋本說(shuō)明書的術(shù)語(yǔ)或短語(yǔ)。
[0024]圖1示出根據(jù)本公開實(shí)施例的包括存儲(chǔ)單元(例如，采用非易失性存儲(chǔ)器單元的形式的)的示例性存儲(chǔ)扇區(qū)100。存儲(chǔ)扇區(qū)100包括多個(gè)字線Wb-WN，其中N為整數(shù)。字線WL...WN連接到Μ個(gè)采用非易失性存儲(chǔ)單元形式的存儲(chǔ)單元的相應(yīng)柵極，其中Μ為整數(shù)。例如，字線W1連接到非易失性存儲(chǔ)單元W1-1、W1-2*"W1-M的相應(yīng)柵極，字線W2連接到非易失性存儲(chǔ)單元W2-UW2-2…W2-M的相應(yīng)柵極等。以這種方式，每條字線連接到Μ個(gè)存儲(chǔ)單元。另外，存儲(chǔ)扇區(qū)100包括多個(gè)位線ΒΡ..ΒΜ，它們連接到Ν個(gè)非易失性存儲(chǔ)單元的相應(yīng)源極和漏極。例如，位線Β1連接到浮柵晶體管Wl-1、W2-1…WN-1的相應(yīng)漏極并且連接到非易失性存儲(chǔ)單元Wl-2、W2-2*"WN-2的相應(yīng)源極，位線B2連接到非易失性存儲(chǔ)單元W1-2、W2-2…WN-2的相應(yīng)漏極并且連接到非易失性存儲(chǔ)單元Wl-3、W2-3…WN-3的相應(yīng)源極等。在一個(gè)實(shí)施例中，非易失性存儲(chǔ)單元可包括浮柵晶體管。
[0025]在一個(gè)示例中，在包含于存儲(chǔ)扇區(qū)100中的存儲(chǔ)單元上的操作包括將數(shù)據(jù)編程到存儲(chǔ)單元和/或從存儲(chǔ)單元擦除數(shù)據(jù)。在給定的扇區(qū)中，可以在給定時(shí)間將數(shù)據(jù)編程到僅連接于單條字線的存儲(chǔ)單元或者從僅連接于單條字線的存儲(chǔ)單元擦除數(shù)據(jù)。目前提出的流水線操作可適用于將數(shù)據(jù)編程到存儲(chǔ)單元，并且也可適用于從存儲(chǔ)單元擦除數(shù)據(jù)。
[0026]現(xiàn)在討論關(guān)于將數(shù)據(jù)編程到存儲(chǔ)單元的目前提出的流水線操作。對(duì)存儲(chǔ)單元的編程可使用被稱作熱電子注入法的方法進(jìn)行。在使用熱電子注入法的一個(gè)示例中，可順序地對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程或?qū)懭搿４鎯?chǔ)單元可被劃分為組，并且可順序地對(duì)所述組編程。例如，控制器(未示出)可識(shí)別將被編程的存儲(chǔ)單元，并且可將所識(shí)別的存儲(chǔ)單元?jiǎng)澐譃榻M。一旦劃分了組，控制器可確定組內(nèi)所有存儲(chǔ)單元的位置。例如，第一組G1可包括存儲(chǔ)單元W1-UW1-7 (未示出)和W1-13 (未示出);第二組G2可包括存儲(chǔ)單元W1_3、W1_9 (未示出)和Wl-15(未示出)；并且第三組G3可包括存儲(chǔ)單元W1-5、W1-11(未示出)和Wl_17(未示出)。為對(duì)給定組的所識(shí)別的存儲(chǔ)單元編程，與連接到所識(shí)別的目標(biāo)存儲(chǔ)單元的字線相關(guān)聯(lián)的電壓可首先斜坡上升至第一電壓。然后，與連接到目標(biāo)存儲(chǔ)單元的漏極的位線相關(guān)聯(lián)的電壓斜坡上升至第二電壓電平，同時(shí)連接到目標(biāo)存儲(chǔ)單元的源極的位線維持在非常低的電壓(例如，接近接地)電平。
[0027]上述在字線和位線處的電壓電平支持與非易失性存儲(chǔ)單元相關(guān)聯(lián)的操作?，F(xiàn)在，當(dāng)將要對(duì)包括在第一組G1、第二組G2和第三組G3中的存儲(chǔ)單元編程時(shí)，控制器確定包括在第一組G1、第二組G2和第三組G3中的存儲(chǔ)單元的位置。
[0028]圖2示出用于對(duì)對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)單元(例如，在第一組G1、第二組G2和第三組G3中的存儲(chǔ)單元)分別編程的常規(guī)編程脈沖Pl、P2和P3。編程脈沖Pl、P2和P3被順序地生成，以使得能夠?qū)Φ谝唤MG1、第二組G2和第三組G3中的存儲(chǔ)單元依次編程。具體地，編程脈沖P1在時(shí)間t0處被斷言以使得能夠?qū)Πㄔ诘谝唤MG1中的存儲(chǔ)單元W1-UW1-7和W1-13編程，并且當(dāng)存儲(chǔ)單兀Wl_l、W1-7和W1-13已被編程之后，編程脈沖P1在時(shí)間tl處被解除斷言。編程脈沖P2然后在時(shí)間tl處被斷言以使得能夠?qū)Πㄔ诘诙MG2中的存儲(chǔ)單兀Wl-3、Wl-9和W1-15編程，并且當(dāng)存儲(chǔ)單兀Wl-3、Wl-9和W1-15已被編程之后，編程脈沖P2在時(shí)間t2處被解除斷目。最