存儲器和包括存儲器的存儲系統(tǒng)的制作方法
【專利說明】存儲器和包括存儲器的存儲系統(tǒng)
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2014年I月21日提交的申請?zhí)枮?0-2014-0007178的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明的示例性實施例涉及存儲器和包括其的存儲系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0004]存儲器的存儲器單元包括用作切換器的晶體管以及儲存電荷(其是數(shù)據(jù))的電容器。數(shù)據(jù)根據(jù)存儲器單元的電容器中的電荷累積，換言之，電容器的端子電壓電平為高還是低，而被標(biāo)識為與邏輯“ I ”相對應(yīng)的邏輯高或與邏輯“O”相對應(yīng)的邏輯低。
[0005]理論上，由于通過在電容器中的電荷累積的方式來儲存數(shù)據(jù)，所以在存儲器單元中無數(shù)據(jù)丟失。然而，由于MOS晶體管的PN結(jié)中和其它位置處的電流泄漏，所以累積在電容器中的初始電荷可能減少，且因此儲存在存儲器單元中的數(shù)據(jù)可能丟失。為了防止數(shù)據(jù)丟失，儲存在存儲器單元中的數(shù)據(jù)被讀取，并且在丟失儲存的數(shù)據(jù)之前，電荷需要根據(jù)讀取數(shù)據(jù)而被周期性地重新充電，這被稱為刷新操作。刷新操作允許存儲器保持儲存的數(shù)據(jù)而沒有數(shù)據(jù)丟失。
[0006]圖1是說明包括在存儲器中的單元陣列的一部分的電路圖。在圖1中，BL表示位線。
[0007]參見圖1，單元陣列中的三個字線WLK-UWLK和WLK+1被并行布置。此外，具有標(biāo)號“HIGH_ACT”的第K字線WLK是激活字線。第K-1字線WLK-1和第K+1字線WLK+1與激活的第K字線WLK相鄰。此外，第K-1存儲器單元CELL_K-1、第K存儲器單元CELL_K和第K+1存儲器單元CELL_K+1分別與第K-1字線WLK-1、第K字線WLK和第K+1字線WLK+1電耦接。第K-1存儲器單元CELL_K-1、第K存儲器單元CELL_K和第K+1存儲器單元CELL_K+1分別包括:第K-1單元晶體管TR_K-1、第K單元晶體管TR_K和第K+1單元晶體管TR_K+1 ；以及第K-1單元電容器CAP_K-1、第K單元電容器CAP_K和第K+1單元電容器CAP_K+1。
[0008]當(dāng)?shù)贙字線WLK被激活時，相鄰的第K-1字線WLK-1和第K+1字線WLK+1的電壓由于第K字線WLK與相鄰的第K-1字線WLK-1和第K+1字線WLK+1之間的耦合而波動，從而影響儲存在第K-1單元電容器CAP_K-1和第K+1單元電容器CAP_K+1中的電荷，這被稱作為字線干擾。換言之，相鄰字線WLK-1和WLK+1的存儲器單元CELL_K-1和CELL_K+1的數(shù)據(jù)丟失的可能性增加，隨著激活的字線WLK的激活增加，這變得更加嚴重。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的各種實施例涉及防止字線干擾的存儲器和存儲系統(tǒng)。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種存儲器可以包括:多個字線；測量塊，其適于測量多個字線之中的激活字線的激活持續(xù)時間；以及刷新電路，其適于當(dāng)激活持續(xù)時間被測量超過閾值時，控制刷新操作以刷新多個字線中與激活字線相鄰的一個或更多個。
[0011]當(dāng)激活持續(xù)時間被測量超過閾值時，刷新電路可以響應(yīng)于刷新命令而控制第一刷新操作以刷新字線中與激活字線相鄰的一個或更多個。
[0012]此外，刷新電路可以控制第一刷新操作被進一步地執(zhí)行以順序刷新多個字線。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，一種存儲器可以包括:單元陣列，其包括多個字線；命令解碼塊，其適于通過對多個外部輸入的命令信號進行解碼來產(chǎn)生激活命令、預(yù)充電命令和刷新命令；第一激活控制塊，其適于響應(yīng)于激活命令而將第一行激活信號使能，以及響應(yīng)于預(yù)充電命令而將第一行激活信號禁止；測量塊，其適于當(dāng)使能的第一行激活信號的持續(xù)時間超過閾值時，將閾值信號使能；第二激活控制塊，其適于響應(yīng)于刷新命令和閾值信號而產(chǎn)生第二行激活信號和第三行激活信號；地址發(fā)生塊，其適于響應(yīng)于刷新命令和閾值信號而產(chǎn)生計數(shù)地址和相鄰地址；以及行電路，其適于當(dāng)?shù)谝恍屑せ钚盘柋皇鼓軙r，根據(jù)外部輸入的地址來將多個字線之中的一個激活，當(dāng)?shù)诙屑せ钚盘柋皇鼓軙r，根據(jù)計數(shù)地址將字線之中的一個激活，以及當(dāng)?shù)谌屑せ钚盘柋皇鼓軙r，根據(jù)相鄰地址將字線之中的一個激活。
[0014]地址發(fā)生塊可以包括:地址計數(shù)器，其適于響應(yīng)于刷新命令而產(chǎn)生計數(shù)地址；鎖存器，其適于響應(yīng)于使能的閾值信號而儲存外部輸入的地址；以及相鄰地址發(fā)生器，其適于產(chǎn)生指明與對應(yīng)于儲存在鎖存器中的地址的字線相鄰的一個或更多個字線的相鄰地址。
[0015]每當(dāng)刷新命令被使能并且閾值信號被使能時，第二激活控制單元可以在預(yù)定的時段期間將第三行激活信號使能。
[0016]另外，第二激活控制單元還可以在預(yù)定的時段期間將第二行激活信號使能，使得每當(dāng)刷新命令被使能并且閾值信號被使能時，第二行激活信號和第三行激活信號被順序使倉泛。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種存儲系統(tǒng)可以包括:存儲器，其適于響應(yīng)于激活命令、預(yù)充電命令和刷新命令而對多個字線執(zhí)行激活操作和去激活操作，以及刷新與激活字線(其激活持續(xù)時間超過閾值)相鄰的一個或更多個字線；以及存儲器控制器，其將激活命令、預(yù)充電命令和刷新命令施加至存儲器。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種存儲器可以包括:測量單元，其適于基于多個字線之中的第一字線的激活持續(xù)時間是否等于或超過閾值來產(chǎn)生閾值信號；以及刷新單元，其適于響應(yīng)于閾值信號而執(zhí)行相鄰刷新操作以刷新與第一字線相鄰的字線中的一個或更多個。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種存儲器可以包括:第一激活控制塊，其適于響應(yīng)于激活命令而產(chǎn)生第一行激活信號；測量塊，其適于當(dāng)?shù)谝恍屑せ钚盘柕某掷m(xù)時間超過閾值時產(chǎn)生閾值信號；第二激活控制塊，其適于響應(yīng)于刷新命令和閾值信號而產(chǎn)生第二行激活信號；地址發(fā)生塊，其適于響應(yīng)于刷新命令和閾值信號而產(chǎn)生相鄰地址；以及行電路，其適于響應(yīng)于第二行激活信號而將對應(yīng)于相鄰地址的一個或更多個字線激活，其中相鄰地址對應(yīng)于與響應(yīng)于第一行激活信號而被激活的字線相鄰的字線。
【附圖說明】
[0020]圖1是說明包括在存儲器中的單元陣列的一部分的電路圖；
[0021]圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器的框圖；
[0022]圖3是示例性地說明圖2中所示的刷新電路的框圖；
[0023]圖4是示例性地說明圖2中所示的刷新電路的框圖；
[0024]圖5是說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器的操作的時序圖；
[0025]圖6是說明具有圖3中所示的刷新電路的存儲器的操作的時序圖；
[0026]圖7是說明具有圖4中所示的刷新電路的存儲器的操作的時序圖；
[0027]圖8是說明根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲系統(tǒng)的框圖。
【具體實施方式】
[0028]在下文中，以下將參照附圖更詳細地描述本發(fā)明的示例性實施例。提供這些實施例使得本公開充分且全面，并且向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分地傳達本發(fā)明的范圍。
[0029]圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的存儲器200的框圖。
[0030]參見圖2，存儲器200可以包括:命令接收塊201、地址接收塊202、命令解碼塊210、第一激活控制塊220、測量塊230、刷新電路240、行電路250和單元陣列260。
[0031]單元陣列260可以包括多個字線WLO至WLA，其中A是自然數(shù)。一個或更多個存儲器單元MC可以與字線WLO至WLA耦接。字線WLO至WLA可以采用O至A的順序設(shè)置。
[0032]命令接收塊201可以接收命令CMD，而地址接收塊202可以接收地址ADD。命令CMD和地址ADD可以分別包括一個或更多個多比特信號。
[0033]命令解碼塊210可以通過將經(jīng)由命令接收塊201輸入的命令信號CMD解碼來產(chǎn)生激活命令A(yù)CT、預(yù)充電信號PCG和刷新命令REF中的一個或更多個。命令解碼塊210可以根據(jù)輸入的命令信號CMD的組合來將激活命令A(yù)CT、預(yù)充電命令PCG和刷新命令REF中的一個或更多個使能。
[0034]行電路250可以響應(yīng)于第一行激活信號RACT_A、第二行激活信號RACT_R和第三行激活信號RACT_W而控制字線WLO至WLA的激活和去激活，其中，第一行激活信號RACT_A是對應(yīng)于激活命令A(yù)CT的行激活信號，第二行激活信號RACT_R是對應(yīng)于刷新命令REF的行激活信號，而第三行激活信號RACT_W是用于將長時間激活字線(已被激活長于給定閾值的時間的字線)的相鄰字線激活的行激活信號。稍后將描述相鄰字線和長時間激活字線。當(dāng)?shù)谝恍屑せ钚盘朢ACT_A被使能時，行電路250可以根據(jù)地址IN_AD