存儲器控制器和包括存儲器控制器的存儲器系統(tǒng)的制作方法【專利摘要】本發(fā)明提供了存儲器控制器和包括存儲器控制器的存儲器系統(tǒng)以及一種操作方法，該方法是用于一種控制非易失性存儲器的存儲器設(shè)備的。該操作方法包括：響應(yīng)于外部寫入請求，管理指示出非易失性存儲器的多條字線中的每一條的高端頁編程狀態(tài)的編程深度位圖；以及響應(yīng)于外部讀取請求，基于編程深度位圖的與要訪問的字線相對應(yīng)的信息來向非易失性存儲器輸出多個不同的讀取命令之一。【專利說明】存儲器控制器和包括存儲器控制器的存儲器系統(tǒng)[0001]相關(guān)申請的交叉引用[0002]本申請要求于2013年3月7日向韓國特許廳提交的韓國專利申請第10-2013-0024628號的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，通過引用將其全部內(nèi)容結(jié)合于此?！?br>技術(shù)領(lǐng)域：
】[0003]這里描述的發(fā)明構(gòu)思涉及控制和/或包括存儲多位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備的存儲器控制器和存儲器系統(tǒng)。【
背景技術(shù)：
】[0004]半導(dǎo)體存儲器通常被認為是諸如范圍從衛(wèi)星到消費性電子產(chǎn)品的基于計算機和微處理器的應(yīng)用之類的數(shù)字邏輯系統(tǒng)設(shè)計的最至關(guān)重要的微電子組件。因此，為了更高的密度和更快的速度、通過縮放實現(xiàn)的包括工藝增強和技術(shù)發(fā)展在內(nèi)的半導(dǎo)體存儲器的制造的進步幫助其它數(shù)字邏輯家族建立了性能標(biāo)準(zhǔn)。[0005]半導(dǎo)體存儲器設(shè)備可被表征為易失性隨機存取存儲器(randomaccessmemory,RAM)，或者非易失性存儲器設(shè)備。在RAM中，邏輯信息或者是比如像靜態(tài)隨機存取存儲器(staticrandomaccessmemory,SRAM)中那樣通過設(shè)置雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的邏輯狀態(tài)來存儲的，或者是像動態(tài)隨機存取存儲器(dynamicrandomaccessmemory,DRAM)中那樣通過對電容器的充電來存儲的。在任一情況下，數(shù)據(jù)被存儲，并且只要施加了電力，數(shù)據(jù)就可被讀出，并且當(dāng)電力被關(guān)斷時數(shù)據(jù)丟失；因此，它們被稱為易失性存儲器。[0006]非易失性存儲器——比如掩模只讀存儲器(MaskRead-OnlyMemory，MROM)、可編程只讀存儲器(ProgrammableRead-OnlyMemory,PR0M)、可擦除可編程只讀存儲器(ErasableProgrammableRead-OnlyMemory,EPR0M)和電可擦除可編程只讀存儲器(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory,EEPROM)-即使在電力被關(guān)斷時也能夠保持所存儲的數(shù)據(jù)。取決于使用的制造技術(shù)，非易失性存儲器數(shù)據(jù)存儲模式可以是永久的或可重編程的。非易失性存儲器在計算機、航空電子、電信和消費性電子產(chǎn)品工業(yè)中的各種各樣的應(yīng)用中用于程序和微代碼存儲。單片易失性以及非易失性存儲器存儲模式的結(jié)合在諸如非易失性SRAM(non-volatileSRAM,nvSRAM)之類的設(shè)備中也是可得的，以用于要求快速、可編程的非易失性存儲器的系統(tǒng)中。此外，許多特殊的存儲器體系結(jié)構(gòu)已有了發(fā)展，這些存儲器體系結(jié)構(gòu)包含某種額外的邏輯電路來針對專用任務(wù)優(yōu)化其性能。[0007]然而，在非易失性存儲器中，MR0M、PR0M和EPROM是不能由系統(tǒng)本身來自由擦除和寫入的，從而一般用戶要更新存儲的內(nèi)容是不容易的。另一方面，EEPROM能夠被電擦除和寫入。EEPROM(即，閃速EEPR0M)的應(yīng)用已經(jīng)擴展到了輔助存儲器和需要連續(xù)更新的系統(tǒng)編程?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0008]發(fā)明構(gòu)思的實施例的一個方面被示出為提供一種控制非易失性存儲器的存儲器設(shè)備的操作方法。該操作方法包括:響應(yīng)于外部寫入請求，管理指示出非易失性存儲器的多條字線中的每一條的高端(upper)頁編程狀態(tài)的編程深度位圖；以及響應(yīng)于外部讀取請求，基于所述編程深度位圖的與要訪問的字線相對應(yīng)的信息來向所述非易失性存儲器輸出多個不同的讀取命令之一。[0009]所述多個不同的讀取命令可包括指引對只具有低端(lower)頁編程狀態(tài)的字線的讀取操作的第一讀取命令和指引對具有高端頁編程狀態(tài)的字線的讀取操作的第二讀取命令。[0010]與根據(jù)所述第一讀取命令執(zhí)行的非易失性存儲器的低端頁讀取操作相對應(yīng)的讀取時間可跟與根據(jù)所述第二讀取命令執(zhí)行的非易失性存儲器的低端頁讀取操作相對應(yīng)的讀取時間相同。[0011]根據(jù)所述第一讀取命令和第二讀取命令中的每一個執(zhí)行的非易失性存儲器的讀取操作可不包括判定要訪問的字線的高端頁編程狀態(tài)的操作。[0012]在每條字線的存儲單元處可存儲至少2頁數(shù)據(jù)。[0013]發(fā)明構(gòu)思的實施例的另一方面被示出為提供一種存儲器系統(tǒng)，其包括:至少一個非易失性存儲器；以及存儲器控制器，被配置為控制所述至少一個非易失性存儲器。所述存儲器控制器響應(yīng)于外部讀取請求而基于編程深度位圖的信息的與要訪問的字線相對應(yīng)的位信息來向所述至少一個非易失性存儲器提供多個不同的讀取命令之一，其中，所述編程深度位圖指示出關(guān)于所述至少一個非易失性存儲器的多條字線中的每一條的高端頁編程狀態(tài)。[0014]所述存儲器控制器可響應(yīng)于外部寫入請求而依據(jù)所述外部寫入請求來管理所述編程深度位圖。[0015]多個讀取命令可包括指引對只具有低端頁編程狀態(tài)的字線的讀取操作的第一讀取命令和指引對具有高端頁編程狀態(tài)的字線的讀取操作的第二讀取命令。[0016]當(dāng)接收到所述第一讀取命令時，所述至少一個非易失性存儲器可對要訪問的字線的低端頁數(shù)據(jù)執(zhí)行讀取操作。[0017]當(dāng)接收到第二讀取命令時，所述至少一個非易失性存儲器可基于與所述第二讀取命令一起輸入的頁地址對要訪問的字線的低端頁數(shù)據(jù)和高端頁數(shù)據(jù)之一執(zhí)行讀取操作。[0018]與根據(jù)所述第一讀取命令執(zhí)行的非易失性存儲器的低端頁數(shù)據(jù)相對應(yīng)的讀取時間可跟與根據(jù)所述第二讀取命令執(zhí)行的非易失性存儲器的低端頁數(shù)據(jù)相對應(yīng)的讀取時間相同。[0019]所述至少一個非易失性存儲器不包括用于存儲字線的編程狀態(tài)的標(biāo)志單元?？商鎿Q地，所述至少一個非易失性存儲器可包括用于存儲字線的編程狀態(tài)的標(biāo)志單元，其中，所述標(biāo)志單元被訪問以在所述至少一個非易失性存儲器被提供以所述多個不同的讀取命令之一之前形成所述編程深度位圖。[0020]所述至少一個非易失性存儲器可包括存儲單元，每個存儲單元存儲低端頁數(shù)據(jù)和高端頁數(shù)據(jù)。[0021]根據(jù)所述第一讀取命令和第二讀取命令中的每一個執(zhí)行的非易失性存儲器的讀取操作可不包括判定要訪問的字線的高端頁編程狀態(tài)的操作。[0022]發(fā)明構(gòu)思的實施例的又一方面被示出為提供一種存儲器控制器，其包括:主機接口，被配置為與主機設(shè)備接口；存儲器接口，被配置為與包括多條字線的非易失性存儲器接口；處理器，被配置為依據(jù)從所述主機接口接收到的請求將命令發(fā)送給所述存儲器接口；以及存儲器，被配置為存儲所述非易失性存儲器的多條字線中的每一條的高端頁編程狀態(tài)。所述處理器響應(yīng)于經(jīng)由所述主機接口接收到的讀取請求而訪問所述存儲器來確定所述多條字線之中的要訪問的字線的高端頁編程狀態(tài)，并且依據(jù)所確定的要訪問的字線的高端頁編程狀態(tài)來將多個不同的讀取命令之一發(fā)送到所述存儲器接口。[0023]所述多條字線中的每一條的高端頁編程狀態(tài)可在所述存儲器中被存儲為位圖，并且所述處理器可被配置為響應(yīng)于經(jīng)由所述主機接口接收到的寫入請求而更新所述位圖。[0024]發(fā)明構(gòu)思的實施例的又一方面被示出為提供一種非易失性存儲器設(shè)備的讀取方法，其包括:判定輸入的讀取命令是否是對于具有高端頁編程狀態(tài)的字線的讀取命令。當(dāng)輸入的讀取命令被判定為不是對于具有高端頁編程狀態(tài)的字線的讀取命令時，對所述字線執(zhí)行第一低端頁讀取操作。當(dāng)輸入的讀取命令被判定為是對于具有高端頁編程狀態(tài)的字線的讀取命令時，判定與輸入的讀取命令一起輸入的頁地址是否是低端頁地址。當(dāng)與輸入的讀取命令一起輸入的頁地址被判定為是低端頁地址時，對所述字線執(zhí)行第二低端頁讀取操作。當(dāng)與輸入的讀取命令一起輸入的頁地址被判定為不是低端頁地址時，對所述字線執(zhí)行高端頁讀取操作。[0025]執(zhí)行第一低端頁讀取操作所花費的讀取時間可跟執(zhí)行第二低端頁讀取操作所花費的讀取時間相同。[0026]第一低端頁讀取操作、第二低端頁讀取操作和高端頁讀取操作中的每一個可不包括判定所述字線的高端頁編程狀態(tài)的操作。[0027]所述非易失性存儲器設(shè)備可包括用于存儲字線的編程狀態(tài)的標(biāo)志單元，并且可不響應(yīng)于輸入的讀取命令而訪問所述標(biāo)志單元。[0028]所述高端頁讀取操作的高端頁可包括中間頁和最高頁，并且對字線執(zhí)行高端頁讀取操作可包括:判定輸入的頁地址是否是中間頁地址。當(dāng)輸入的頁地址被判定為是中間頁地址時，可對所述字線執(zhí)行中間頁讀取操作。當(dāng)輸入的頁地址被判定為不是中間頁地址時，可對所述字線執(zhí)行最高頁讀取操作。[0029]中間頁讀取操作和最高頁讀取操作中的每一個可不包括判定所述字線的高端頁編程狀態(tài)的操作。[0030]所述高端頁讀取操作的高端頁可包括第一中間頁、第二中間頁和最高頁，并且對字線執(zhí)行高端頁讀取操作可包括:判定輸入的頁地址是否是第一中間頁地址。當(dāng)輸入的頁地址被判定為是第一中間頁地址時，可對所述字線執(zhí)行第一中間頁讀取操作。當(dāng)輸入的頁地址被判定為不是第一中間頁地址時，關(guān)于輸入的頁地址是否是第二中間頁地址進行判定。當(dāng)輸入的頁地址被判定為是第二中間頁地址時，可對所述字線執(zhí)行第二中間頁讀取操作。當(dāng)輸入的頁地址被判定為不是第二中間頁地址時，可對所述字線執(zhí)行最高頁讀取操作。[0031]第一中間頁讀取操作、第二中間頁讀取操作和最高頁讀取操作中的每一個可不包括判定所述字線的高端頁編程狀態(tài)的操作。[0032]發(fā)明構(gòu)思的實施例的另一方面被示出為提供一種非易失性存儲器設(shè)備，其包括:存儲單元陣列，包括布置成行和列的存儲單元；讀取/寫入電路，被配置為從所述存儲單元陣列讀取數(shù)據(jù)和在所述存儲單元陣列處存儲數(shù)據(jù)；以及控制邏輯，被配置為響應(yīng)于從外部設(shè)備提供的讀取命令而控制讀取/寫入電路。所述控制邏輯判定讀取命令是指引對具有低端頁編程狀態(tài)的字線的讀取操作的第一讀取命令還是指引對具有高端頁編程狀態(tài)的字線的讀取操作的第二讀取命令。當(dāng)所述讀取命令被確定為是第二讀取命令時，所述控制邏輯控制所述讀取/寫入電路基于與所述第二讀取命令一起輸入的頁地址讀取字線的低端頁或高端頁。[0033]與所述第一讀取命令和第二讀取命令相對應(yīng)的每個讀取操作可不包括判定字線的高端頁編程狀態(tài)的操作。[0034]所述存儲單元陣列還可包括用于存儲字線的編程狀態(tài)的標(biāo)志單元，并且可不響應(yīng)于所述讀取命令而訪問所述標(biāo)志單元。[0035]根據(jù)所述第一讀取命令執(zhí)行的低端頁讀取操作的讀取時間與根據(jù)所述第二讀取命令執(zhí)行的低端頁讀取操作的讀取時間相同。【專利附圖】【附圖說明】[0036]從接下來參考附圖的詳細描述，上述和其它方面和特征將變得清楚，除非另有規(guī)定，否則附圖中相似的參考標(biāo)記在各幅圖各處指代相似的部件，其中:[0037]圖1A和圖1B是示意性示出在2位存儲操作期間非易失性存儲器單元的閾值電壓分布的示例的圖；[0038]圖2是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的存儲器系統(tǒng)的框圖；[0039]圖3是示意性示出圖2中所示的存儲器控制器的示例的框圖；[0040]圖4是示意性示出被加載到圖2中所示的緩沖存儲器上的編程深度位圖的示例的圖；[0041]圖5是示意性示出圖2中所示的非易失性存儲器設(shè)備的示例的框圖；[0042]圖6是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一實施例的圖2的非易失性存儲器設(shè)備的框圖；[0043]圖7是用于在描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的存儲器控制器的寫入操作方法時參考的流程圖；[0044]圖8是用于在描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的存儲器控制器的讀取操作方法時參考的流程圖；[0045]圖9是用于在描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的非易失性存儲器設(shè)備的讀取方法時參考的流程圖；[0046]圖10是描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的存儲器系統(tǒng)的讀取性能的改善的用于參考的圖；[0047]圖11是示意性示出每單元存儲3位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備的閾值電壓分布的示例的圖；[0048]圖12是用于在描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一實施例的非易失性存儲器設(shè)備的讀取方法時參考的流程圖；[0049]圖13是示意性示出每單元存儲4位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備的閾值電壓分布的示例的圖；[0050]圖14是用于在描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的又一實施例的非易失性存儲器設(shè)備的讀取方法時參考的流程圖；[0051]圖15是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的又一實施例的非易失性存儲器設(shè)備的框圖；[0052]圖16是示意性示出圖15中所示的存儲塊的3D結(jié)構(gòu)的示例的透視圖；[0053]圖17是圖16中所示的存儲塊的等效電路圖；[0054]圖18是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的計算系統(tǒng)的框圖；[0055]圖19是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的固態(tài)驅(qū)動器的框圖；[0056]圖20是示意性示出使用圖19中所示的固態(tài)驅(qū)動器的存儲裝置的示例的框圖；[0057]圖21是示意性示出使用圖19中所示的固態(tài)驅(qū)動器的存儲服務(wù)器的示例的框圖；[0058]圖22是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的嵌入式存儲裝置的框圖；[0059]圖23是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的通信設(shè)備的框圖；[0060]圖24是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的固態(tài)驅(qū)動器設(shè)備所被應(yīng)用到的系統(tǒng)的圖；[0061]圖25是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的存儲卡的框圖；[0062]圖26是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的數(shù)字靜態(tài)相機的框圖；并且[0063]圖27是示意性示出圖25中所述的存儲卡所被應(yīng)用到的各種系統(tǒng)的圖?！揪唧w實施方式】[0064]將參考附圖詳細描述實施例。然而，發(fā)明構(gòu)思可以以各種不同形式來具體實現(xiàn)，而不應(yīng)當(dāng)被解釋為僅限于所例示的實施例。更確切地說，這些實施例是作為示例來提供的，以使得本公開將會透徹且完整，并且將把發(fā)明構(gòu)思的構(gòu)思充分地傳達給本領(lǐng)域技術(shù)人員。因此，對于發(fā)明構(gòu)思的一些實施例，不描述已知的過程、元件和技術(shù)。除非另有注明，否則相似的參考標(biāo)記在各幅附圖和所寫描述各處表示相似的元件，從而將不重復(fù)描述。在附圖中，為了清晰起見，層和區(qū)域的大小和相對大小可被夸大。[0065]要理解，雖然在這里可使用術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或片段，但這些元件、組件、區(qū)域、層和/或片段不應(yīng)受這些術(shù)語所限。這些術(shù)語只是用于將一個元件、組件、區(qū)域、層或片段與另一區(qū)域、層或片段相區(qū)分。從而，以下論述的第一元件、組件、區(qū)域、層或片段可被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或片段，而不脫離發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)。[0066]空間關(guān)系術(shù)語，例如“在…下面”、“在…下方”、“下部的”、“在…之下”、“在…之上”、“上部的”等等，在這里為了容易描述起見可用來描述如圖中所示的一個元件或特征與另外的(一個或多個)元件或(一個或多個)特征的關(guān)系。將會理解，除了圖中所描繪的方位以外，空間相關(guān)術(shù)語還意在涵蓋設(shè)備在使用或操作中的不同方位。例如，如果圖中的設(shè)備被翻轉(zhuǎn)，那么被描述為在其它元件或特征“下方”、“下面”或“之下”的元件的方位于是將在其它元件或特征“之上”。從而，示范性術(shù)語“在…下方”和“在…之下”可涵蓋在上方和在下方這兩個方位。設(shè)備可處在其它方位(旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位)并且這里使用的空間相關(guān)描述可被相應(yīng)地解釋。此外，也將理解，當(dāng)一層被稱為在兩層“之間”時，其可以是這兩層之間的唯一層，或者也可能存在一個或多個居間層。[0067]這里使用的術(shù)語只是為了描述特定實施例，而不意在限制發(fā)明構(gòu)思。這里使用的單數(shù)形式的“一”和“一個”意在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明確指示。還要理解，術(shù)語“包括”和/或“包含”當(dāng)在本說明書中使用時指明了所陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，但并不排除一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或其群組的存在或添加。這里使用的術(shù)語“和/或”包括列出的相關(guān)聯(lián)項目中的一個或多個的任何和全部組合。另外，術(shù)語“示范性”意在指示例或圖示。[0068]將會理解，當(dāng)一元件或?qū)颖环Q為“在另一元件或?qū)由稀薄ⅰ斑B接到另一元件或?qū)印?、“耦合到另一元件或?qū)印被蛘摺芭c另一元件或?qū)酉噜彙睍r，其可直接在該另一元件或?qū)由?、直接連接到該另一元件或?qū)?、直接耦合到該另一元件或?qū)踊蛘吲c該另一元件或?qū)又苯酉噜?，或者可存在居間的元件或?qū)?。相反，?dāng)一元件被稱為“直接在另一元件或?qū)由稀?、“直接連接到另一元件或?qū)印?、“直接耦合到另一元件或?qū)印被颉芭c另一元件或?qū)泳o鄰”時，則沒有居間的元件或?qū)哟嬖?。[0069]除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明構(gòu)思所屬的【
技術(shù)領(lǐng)域：
】的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。還將理解，術(shù)語，例如常用的辭典中定義的那些術(shù)語，應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與其在相關(guān)領(lǐng)域和/或本說明書的上下文中的含義一致的含義，而不會被以理想化的或過度正式的意義來解釋，除非這里明確地這樣定義。[0070]圖1A和圖1B是示意性示出在2位數(shù)據(jù)被存儲的操作期間非易失性存儲器單元的閾值電壓分布的圖。在圖1A中，示出了當(dāng)利用低端數(shù)據(jù)(例如，最低有效位(leastsignificantbit,LSB)數(shù)據(jù))來對存儲單元編程時形成的閾值電壓分布。在圖1B中，示出了當(dāng)利用高端數(shù)據(jù)(例如，最高有效位(mostsignificantbit,MSB)數(shù)據(jù))來對經(jīng)LSB編程的存儲單元編程時形成的閾值電壓分布。[0071]參考圖1A，當(dāng)被利用LSB數(shù)據(jù)來編程時，存儲單元可具有擦除狀態(tài)10或編程狀態(tài)12?？梢宰x取電壓RO為基礎(chǔ)來確定LSB數(shù)據(jù)。例如，存儲單元的LSB數(shù)據(jù)(I或O)可由流經(jīng)被施加了讀取電壓RO的存儲單元的電流的量來區(qū)分。[0072]參考圖1B，當(dāng)具有擦除狀態(tài)10或編程狀態(tài)12的經(jīng)LSB編程的存儲單元被MSB編程時，其可具有擦除狀態(tài)20以及狀態(tài)22、24和26之一。狀態(tài)20至26可對應(yīng)于2位數(shù)據(jù)。例如，20、22、24和26可以分別被設(shè)計為兩位數(shù)據(jù)“11”、“01”、“00”和“10”。有了這樣的位排序，可以讀取電壓R2為基礎(chǔ)來確定LSB數(shù)據(jù)，并且可以讀取電壓Rl和R3為基礎(chǔ)來確定MSB數(shù)據(jù)。然而，要充分理解，每個狀態(tài)的位指定不限于圖1B中所示的示例。[0073]在圖1B的示例中，存儲單元的LSB數(shù)據(jù)可由以位線電壓為基礎(chǔ)而讀取的值來決定，而該位線電壓是根據(jù)流經(jīng)被施加了讀取電壓R2的存儲單元的電流的量來決定的。MSB數(shù)據(jù)可由第一值和第二值的組合來決定，其中，第一值是以根據(jù)流經(jīng)被施加了讀取電壓Rl的存儲單元的電流的量決定的位線電壓為基礎(chǔ)來讀取的，第二值是以根據(jù)流經(jīng)被施加了讀取電壓R3的存儲單元的電流的量決定的位線電壓為基礎(chǔ)來讀取的。[0074]讀取序列可根據(jù)按照外部讀取請求選擇的字線是處于LSB編程狀態(tài)還是MSB編程狀態(tài)而有所不同。換言之，讀取電壓可根據(jù)所選字線是處于LSB編程狀態(tài)還是MSB編程狀態(tài)而被改變。例如，所選字線是處于LSB編程狀態(tài)還是MSB編程狀態(tài)可通過參考標(biāo)志單元的狀態(tài)來判定。例如，當(dāng)在存儲單元處，MSB數(shù)據(jù)被編程時，標(biāo)志單元可被編程為具有編程狀態(tài)24和26之一。[0075]在LSB頁數(shù)據(jù)的讀取操作中，當(dāng)利用讀取電壓R2從根據(jù)讀取請求選擇的字線的存儲單元讀取LSB頁數(shù)據(jù)時,可將標(biāo)志單元的狀態(tài)一起讀取。當(dāng)從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)指示出所選字線處于LSB編程狀態(tài)時，可利用讀取電壓RO從所選字線的存儲單元再次讀取與讀取請求相對應(yīng)的LSB頁數(shù)據(jù)。利用讀取電壓RO讀取的數(shù)據(jù)可以是與讀取請求相對應(yīng)的LSB頁數(shù)據(jù)。當(dāng)從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)指示出所選字線處于MSB編程狀態(tài)時，利用讀取電壓R2讀取的數(shù)據(jù)可以是與讀取請求相對應(yīng)的LSB頁數(shù)據(jù)。[0076]在MSB頁數(shù)據(jù)的讀取操作中，當(dāng)利用讀取電壓R2讀取根據(jù)讀取請求選擇的字線的存儲單元時，可將標(biāo)志單元的狀態(tài)一起讀取。當(dāng)從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)指示出所選字線處于MSB編程狀態(tài)時，可利用讀取電壓R3再次讀取所選字線的存儲單元。利用讀取電壓Rl和R3讀取的數(shù)據(jù)的組合可以是與讀取請求相對應(yīng)的MSB頁數(shù)據(jù)。當(dāng)從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)指示出所選字線處于LSB編程狀態(tài)時，利用讀取電壓Rl讀取的數(shù)據(jù)可以是與讀取請求相對應(yīng)的MSB頁數(shù)據(jù)。[0077]如上所述的對標(biāo)志單元的使用需要與讀取標(biāo)志單元的狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的讀取時間。即，例如，為確定LSB數(shù)據(jù)，可需要兩個讀取操作，即，確定所選字線處于LSB編程狀態(tài)的在讀取電壓R2處的第一讀取操作和讀取LSB數(shù)據(jù)的在RO處的第二讀取操作。因為讀取序列是利用標(biāo)志單元決定的，所以執(zhí)行讀取操作所花費的時間由于標(biāo)志單元必須被讀取會增力口。相反，在如這里將描述的發(fā)明構(gòu)思的實施例中，可在不使用標(biāo)志單元的情況下確定每條字線的狀態(tài)(即，LSB編程狀態(tài)或MSB編程狀態(tài))。確定每條字線的狀態(tài)可利用每條字線的編程深度信息在固件級別實現(xiàn)。在此情況下，可從讀取時間中排除確定標(biāo)志單元的狀態(tài)所花費的時間。另外，可根據(jù)由每條字線的編程深度信息決定的讀取序列來讀取LSB頁數(shù)據(jù)。也就是說，在發(fā)明構(gòu)思的情況下，為了根據(jù)所選字線是處于LSB編程狀態(tài)還是MSB編程狀態(tài)來確定頁數(shù)據(jù)，可不需兩個讀取操作。稍后將對此進行更充分的描述。[0078]圖2是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的存儲器系統(tǒng)的框圖。[0079]參考圖2，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的存儲器系統(tǒng)可包括存儲器控制器1200和作為多位/多位階存儲器設(shè)備的非易失性存儲器設(shè)備1400。存儲器控制器1200可被配置為根據(jù)外部請求(例如寫入請求、讀取請求等等)控制非易失性存儲器設(shè)備1400。存儲器控制器1200可被配置為在沒有外部請求的情況下根據(jù)內(nèi)部請求(例如，與突然斷電相關(guān)聯(lián)的操作、耗損均衡操作(wearlevelingoperat1n)、讀取回收操作(readreclaimoperat1n)等等)控制非易失性存儲器設(shè)備1400。存儲器控制器1200的與內(nèi)部請求相對應(yīng)的操作可在主機請求被處理之后在主機的超時時段內(nèi)執(zhí)行?？商鎿Q地，存儲器控制器1200的與內(nèi)部請求相對應(yīng)的操作可在存儲器控制器1200的空閑時間內(nèi)執(zhí)行。[0080]非易失性存儲器設(shè)備1400可響應(yīng)于存儲器控制器1200的控制而操作，并且可被用作一類存儲數(shù)據(jù)信息的存儲介質(zhì)。存儲介質(zhì)可由一個或多個存儲器芯片形成。非易失性存儲器設(shè)備1400可經(jīng)由一個或多個通道與存儲器控制器1200通信。非易失性存儲器設(shè)備1400例如可包括NAND閃速存儲器設(shè)備。在非易失性存儲器設(shè)備1400是每單元存儲2位數(shù)據(jù)的存儲器設(shè)備的情況下，2頁數(shù)據(jù)(以下稱為LSB頁數(shù)據(jù)和MSB頁數(shù)據(jù))可被存儲在與每條字線相連接的存儲單元處。[0081]存儲器控制器1200可被配置為基于主機1600的寫入請求來管理編程深度圖。編程深度圖可包括指示出非易失性存儲器設(shè)備1400的每條字線是處于LSB編程狀態(tài)還是MSB編程狀態(tài)的信息。可在主機1600發(fā)出讀取請求時查閱編程深度圖。例如，編程深度圖可用于判定與主機1600的讀取請求相對應(yīng)的字線是處于LSB編程狀態(tài)還是MSB編程狀態(tài)。存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設(shè)備1400輸出不同的讀取命令之中與判定結(jié)果相對應(yīng)的讀取命令。這里，不同的讀取命令可包括:指示字線處于LSB編程狀態(tài)時的讀取操作的第一讀取命令，和指示字線處于MSB編程狀態(tài)時的讀取操作的第二讀取命令。參考圖1A和圖1B的示例，當(dāng)接收到第一讀取命令時，非易失性存儲器設(shè)備1400可執(zhí)行利用讀取電壓RO的讀取操作。當(dāng)接收到第二讀取命令時，非易失性存儲器設(shè)備1400可執(zhí)行利用讀取電壓R2的讀取操作或利用讀取電壓Rl和R3的讀取操作。利用讀取電壓R2的讀取操作以及利用讀取電壓Rl和R3的讀取操作可以從存儲器控制器1200提供的行地址中包括的頁地址為基礎(chǔ)來決定。[0082]從以上描述可理解，非易失性存儲器設(shè)備1400可以根據(jù)輸入的讀取命令決定的讀取序列為基礎(chǔ)來執(zhí)行讀取操作。這可意味著確定標(biāo)志單元的信息所花費的時間和/或執(zhí)行額外的讀取操作(例如，圖1B中描述的RO讀取操作)所花費的時間不是必需的。從而，可以改善存儲器系統(tǒng)的讀取性能。[0083]在示范性實施例中，非易失性存儲器設(shè)備1400可不包括用于存儲指示出每條字線是處于LSB編程狀態(tài)還是MSB編程狀態(tài)的信息的標(biāo)志單元。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。例如，非易失性存儲器設(shè)備1400可包括用于存儲指示出每條字線是處于LSB編程狀態(tài)還是MSB編程狀態(tài)的信息的標(biāo)志單元。在此情況下，標(biāo)志單元處存儲的信息可不用于決定參考圖1A和IB所述的讀取序列。例如，標(biāo)志單元處存儲的信息必要時可用于恢復(fù)編程深度圖?？商鎿Q地，標(biāo)志單元處存儲的信息可用于在加電時初始填充編程深度圖。[0084]在示范性實施例中，存儲器控制器1200和非易失性存儲器設(shè)備1400可構(gòu)成直接安裝在便攜式電子設(shè)備的板上的多媒體卡(mult1-mediacard,MMC)或嵌入式MMC(embeddedMMC,eMMC)。然而,發(fā)明構(gòu)思不限于此。[0085]圖3是示意性示出圖2中所示的存儲器控制器的示例的框圖。圖4是示意性示出被加載到圖2中所示的緩沖存儲器上的編程深度位圖的示例的圖。[0086]參考圖3，存儲器控制器1200可包括作為第一接口的主機接口1210、作為第二接口的存儲器接口1220、CPU1230、緩沖存儲器1240以及差錯檢測和校正電路(errordetectingandcorrectingcircuit,ECC)1250。[0087]主機接口1210可被配置為與外部設(shè)備(例如，主機)接口，并且存儲器接口1220可被配置為與圖2中所示的非易失性存儲器設(shè)備1400接口。CPU1230可被配置為控制控制器1200的整體操作。CPU1230例如可被配置為操作固件，比如閃速轉(zhuǎn)換層(FlashTranslat1nLayer,FTL)0FTL可執(zhí)行多種功能。例如，F(xiàn)TL可包括執(zhí)行地址映射操作、讀取回收操作、差錯校正操作等等的多種層。緩沖存儲器1240可用于臨時存儲要經(jīng)由主機接口1210從外部設(shè)備傳送的數(shù)據(jù)或者要經(jīng)由存儲器接口1220從非易失性存儲器設(shè)備1400傳送的數(shù)據(jù)。緩沖存儲器1240可由DRAM、SRAM或者DRAM和SRAM的組合形成。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。ECC1250可被配置為對要存儲在非易失性存儲器設(shè)備1400中的數(shù)據(jù)進行編碼并且對從非易失性存儲器設(shè)備1400讀出的數(shù)據(jù)進行解碼。[0088]緩沖存儲器1240可用于存儲控制非易失性存儲器設(shè)備1400所必要的信息。例如，地址映射表1241和編程深度位圖1242可被存儲在緩沖存儲器1240處。地址映射表1241可用于存儲從主機1600提供的邏輯地址與非易失性存儲器設(shè)備1400的物理地址之間的映射關(guān)系。編程深度位圖1242可用于存儲指示非易失性存儲器設(shè)備1400的每條字線上的MSB編程狀態(tài)的編程深度信息。[0089]參考圖4，例如，編程深度位圖1242可包括分別與非易失性存儲器設(shè)備1400的字線WLl至WLn相對應(yīng)的位信息。位信息可分別具有初始值“I”。為“I”的位信息可指示出字線處于LSB編程狀態(tài)或擦除狀態(tài)，也就是說不處于MSB編程狀態(tài)。可根據(jù)主機1600的寫入請求來改變(或更新)編程深度位圖1242的位信息。換言之，可根據(jù)在主機1600發(fā)出寫入請求時存儲器控制器1200的物理地址來改變(或更新)編程深度位圖1242的位信息。當(dāng)對特定字線的寫入操作被請求兩次時(或者，對特定字線的MSB編程操作被請求時)，特定字線的位信息可被從“I”改變到“O”。位信息的改變可通過更新存儲在緩沖存儲器1240處的編程深度位圖1242來完成。是否需要對特定字線的MSB編程操作可以要訪問的頁的地址(例如，每條字線的物理頁地址)為基礎(chǔ)來判定。然而，用于判定是否需要對特定字線的MSB編程操作的基準(zhǔn)不限于本公開的示例。[0090]在主機1600發(fā)出讀取請求時，存儲器控制器1200可判定與存儲被讀取請求的數(shù)據(jù)的頁相對應(yīng)的字線是否處于MSB編程狀態(tài)。這可以編程深度位圖1242為基礎(chǔ)來執(zhí)行。當(dāng)編程深度位圖1242的位信息指示出要訪問的字線不處于MSB編程狀態(tài)時，存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設(shè)備1400提供伴隨利用讀取電壓RO的讀取操作的第一讀取命令。當(dāng)接收到第一讀取命令時，非易失性存儲器設(shè)備1400可執(zhí)行利用讀取電壓RO的讀取操作。這里，與第一讀取命令相對應(yīng)的讀取序列可不包括確定標(biāo)志單元的狀態(tài)的操作。[0091]當(dāng)編程深度位圖1242的位信息指示出要訪問的字線處于MSB編程狀態(tài)時，存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設(shè)備1400提供伴隨利用讀取電壓R2的讀取操作或利用讀取電壓Rl和R3的讀取操作的第二讀取命令。當(dāng)接收到第二讀取命令時，非易失性存儲器設(shè)備1400可執(zhí)行利用讀取電壓R2的讀取操作或利用讀取電壓Rl和R3的讀取操作。這里，與第二讀取命令相對應(yīng)的讀取序列可不包括確定標(biāo)志單元的狀態(tài)的操作。在要訪問的字線的頁地址對應(yīng)于LSB頁時，可執(zhí)行利用讀取電壓R2的讀取操作。在要訪問的字線的頁地址對應(yīng)于MSB頁時，可執(zhí)行利用讀取電壓Rl和R3的讀取操作。[0092]發(fā)明構(gòu)思的存儲器控制器1200可基于關(guān)于要訪問的字線的編程深度信息來生成不同的讀取命令，并且非易失性存儲器設(shè)備1400可執(zhí)行與輸入的讀取命令相對應(yīng)的讀取序列。在此情況下，發(fā)明構(gòu)思的存儲器系統(tǒng)可不需要用于存儲字線的編程狀態(tài)的標(biāo)志單元。這可意味著確定標(biāo)志單元的信息所花費的時間和/或執(zhí)行額外的讀取操作所花費的時間不是必需的。從而，可以改善存儲器系統(tǒng)的讀取性能。[0093]雖然在圖中沒有示出，但存儲器控制器1200還可包括隨機化器/解隨機化器，該隨機化器/解隨機化器被配置為對要存儲在非易失性存儲器設(shè)備1400中的數(shù)據(jù)進行隨機化并且對從非易失性存儲器設(shè)備1400讀取的數(shù)據(jù)進行解隨機化。隨機化器/解隨機化器的示例在第2010/0088574號美國專利公布中公開，通過引用將其全部內(nèi)容結(jié)合于此。[0094]在示范性實施例中，主機接口1210可由計算機總線標(biāo)準(zhǔn)、存儲總線標(biāo)準(zhǔn)和iFCPPeripheral總線標(biāo)準(zhǔn)之一或者兩種或更多種標(biāo)準(zhǔn)的組合形成。計算機總線標(biāo)準(zhǔn)可包括S-100總線、Mbus,Smbus,Q-Bus,ISA、ZorroI1、ZorroII1、CAMAC,FASTBUS、LPC、EISA、VME,VXI,NuBus,TURBOchannel,MCA、Sbus、VLB、PC1、PXI,HPGSC總線、CoreConnect、InfiniBand、UPA、PCI_X、AGP、PCIe、英特爾QuickPath互連(IntelQuickPathInterconnect)、超傳輸(HyperTransport)等等。存儲總線標(biāo)準(zhǔn)可包括ST_506、ESD1、SMD、并行ΑΤΑ、DMA、SSA,HIPP1、USBMSC,FireWire(1394)、串行ΑΤΑ、eSATA、SCS1、并行SCS1、串行附接SCS1、光纖通道(FibreChannel)、iSCS1、SAS、Rapid1、FCIP等等。iFCPPeripheral總線標(biāo)準(zhǔn)可包括蘋果桌面總線(AppleDesktopBus)、HIL、MID1、Multibus、RS-232、DMX512-A、EIA/RS-422、IEEE-1284,UNI/0、1-Wire、I2C、SPI,EIA/RS-485、USB、相機鏈路(CameraLink)、外部PCIe、光峰(LightPeak)、多站總線(MultidropBus)等等。[0095]圖5是示意性示出圖2中所示的非易失性存儲器設(shè)備的示例的框圖。[0096]非易失性存儲器設(shè)備1400例如可以是NAND閃速存儲器設(shè)備。然而，要充分理解，非易失性存儲器設(shè)備1400不限于NAND閃速存儲器設(shè)備。例如，發(fā)明構(gòu)思可被應(yīng)用到NOR閃速存儲器設(shè)備、電阻式隨機存取存儲器(ResistiveRandomAccessMemory,RRAM)設(shè)備、相變存儲器(Phase-ChangeMemory,PRAM)設(shè)備、磁阻式隨機存取存儲器(MagnetroresistiveRandomAccessMemory,MRAM)設(shè)備、鐵電隨機存取存儲器(FerroelectricRandomAccessMemory,FRAM)設(shè)備、自旋轉(zhuǎn)移矩隨機存取存儲器(SpinTransferTorqueRandomAccessMemory，STT-RAM)等等。另外，非易失性存儲器設(shè)備1400可實現(xiàn)為具有三維陣列結(jié)構(gòu)并且其示例將在稍后參考圖15進行描述。具有三維陣列結(jié)構(gòu)的非易失性存儲器設(shè)備可被稱為垂直NAND閃速存儲器設(shè)備。發(fā)明構(gòu)思可被應(yīng)用到包括由絕緣膜形成的電荷存儲層的電荷俘獲閃速(ChargeTrapFlash,CTF)存儲器設(shè)備，以及包括由導(dǎo)電浮柵形成的電荷存儲層的閃速存儲器設(shè)備。[0097]參考圖5，非易失性存儲器設(shè)備1400可包括存儲單元陣列1410、地址譯解碼器1420、電壓生成器1430、控制邏輯1440、頁緩沖電路1450以及輸入/輸出接口1460。[0098]存儲單元陣列1410可包括布置在行(例如，字線)和列(例如，位線)的交叉點處的存儲單元。每個存儲單元可存儲I位數(shù)據(jù)或作為多位數(shù)據(jù)的M位數(shù)據(jù)(M為2或以上的整數(shù))。與稍后圖6的實施例相反，該實施例的存儲單元陣列1410可不包括用于存儲字線的編程狀態(tài)的標(biāo)志單元。地址解碼器1420可受控制邏輯1440控制，并且可對存儲單元陣列1410的行(例如，字線、(一條或多條)串選擇線、(一條或多條)地選擇線、共源線等等)執(zhí)行選擇和驅(qū)動操作。電壓生成器1430可受控制邏輯1440控制，并且可生成每個操作所需的電壓，例如高電壓、編程電壓、讀取電壓、驗證電壓、擦除電壓、通過電壓、體電壓等等。由電壓生成器1430生成的電壓可經(jīng)由地址解碼器1420被提供給存儲單元陣列1410。[0099]頁緩沖電路1450可受控制邏輯1440控制，并且可被配置為從存儲單元陣列1410讀取數(shù)據(jù)并根據(jù)編程數(shù)據(jù)來驅(qū)動存儲單元陣列1410的列(例如，位線)。頁緩沖電路1450可包括分別與位線或位線對相對應(yīng)的頁緩沖器。每個頁緩沖器可包括多個鎖存器。輸入/輸出接口1460可受控制邏輯1440控制，并且可與外部設(shè)備(例如，圖2中所示的存儲器控制器1200)接口。雖然在圖5中沒有示出，但輸入/輸出接口1460可包括列解碼器、接收數(shù)據(jù)的輸入緩沖器、輸出數(shù)據(jù)的輸出緩沖器等等，所述列解碼器被配置為按預(yù)定的單位選擇頁緩沖電路1450的頁緩沖器。[0100]控制邏輯1440可被配置為控制非易失性存儲器設(shè)備1400的整體操作?？刂七壿?440可判定從存儲器控制器1200提供的讀取命令是否是伴隨利用讀取電壓RO的讀取操作的第一讀取命令。如果從存儲器控制器1200提供的讀取命令是第一讀取命令，則控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430生成讀取電壓RO。然后，讀取操作可在控制邏輯1440的控制下被執(zhí)行，其中，讀取電壓RO被施加到所選的字線。[0101]如果從存儲器控制器1200提供的讀取命令被判定為不是第一讀取命令，則控制邏輯1440可判定與讀取命令一起輸入的頁地址是否是LSB頁地址。如果輸入的頁地址是LSB頁地址，則控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430生成讀取電壓R2。然后，讀取操作可在控制邏輯1440的控制下被執(zhí)行，其中，讀取電壓R2被施加到所選的字線。如果輸入的頁地址不是LSB頁地址，則控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430順序地生成讀取電壓Rl和R3。然后，讀取操作可在控制邏輯1440的控制下被順序地執(zhí)行，其中，讀取電壓Rl和R3中的每一個被施加到所選的字線。[0102]在示范性實施例中，地址解碼器1420、電壓生成器1430和頁緩沖電路1450可構(gòu)成被配置為從存儲單元陣列1410讀取數(shù)據(jù)和在存儲單元陣列1410處存儲數(shù)據(jù)的讀取/寫入電路?？商鎿Q地，頁緩沖電路1450可構(gòu)成被配置為從存儲單元陣列1410讀取數(shù)據(jù)和在存儲單元陣列1410處存儲數(shù)據(jù)的讀取/寫入電路。[0103]圖6是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一實施例的圖2的非易失性存儲器設(shè)備的框圖。[0104]參考圖6，非易失性存儲器設(shè)備1400a可包括存儲單元陣列1410a、地址解碼器1420a、電壓生成器1430a、控制邏輯1440a、頁緩沖電路1450a以及輸入/輸出接口1460a。除了存儲單元陣列1410a以外，圖6的非易失性存儲器設(shè)備1400a與先前描述的圖5的相同，從而這里的描述聚焦于存儲單元陣列1410a以避免冗余。[0105]存儲單元陣列1410a可包括用于存儲字線的編程狀態(tài)的標(biāo)志單元。標(biāo)志單元可在字線的MSB編程操作時被編程。存儲在標(biāo)志單元處的編程狀態(tài)信息可用于在加電或突然斷電時制作編程深度位圖1242，在正常讀取操作中不被使用。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。[0106]圖7是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的存儲器控制器的寫入操作方法的流程圖。以下，將參考附圖更充分地描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的存儲器控制器的寫入操作方法。[0107]參考圖7，在操作SlOO中，存儲器控制器1200可從主機1600接收寫入請求。此時，被寫入請求的數(shù)據(jù)可被臨時存儲在緩沖存儲器1240處。在操作SllO中，存儲器控制器1200可將與寫入請求一起輸入的邏輯地址(logicaladdress,LA)映射到非易失性存儲器設(shè)備1400的物理地址(physicaladdress,PA)上。在操作S120中，存儲器控制器1200可判定是否需要對編程深度位圖(programdepthbitmap,F1DBM)1242的更新。例如，可判定映射的物理地址的頁地址是否是MSB頁地址。如果映射的物理地址的頁地址不是MSB頁地址，則該方法可前進到操作S130，在該操作中存儲在緩沖存儲器1240處的地址映射表(addressmappingtable,AMT)1241可被更新。然后,該方法可前進到操作S150。如果映射的物理地址的頁地址不是MSB頁地址，則該方法可前進到操作S140，在該操作中地址映射表1241和編程深度位圖1242被更新。對編程深度位圖1242的更新可通過把要訪問的字線的位信息從“I”改變到“O”來完成。然后，該方法可前進到操作S150。在操作S150中，存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設(shè)備1400提供編程命令和臨時存儲在緩沖存儲器1240處的寫入數(shù)據(jù)。然后，該方法可結(jié)束。[0108]在示范性實施例中，可以用邏輯地址和物理地址的映射來替換在操作S130和S140中對地址映射表1241的更新。[0109]圖8是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的存儲器控制器的讀取操作方法的流程圖。以下，將參考附圖更充分地描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的存儲器控制器的讀取操作方法。[0110]參考圖8，在操作S200中，存儲器控制器1200可從主機1600接收讀取請求。在操作S210中，存儲器控制器1200可基于存儲在緩沖存儲器1240處的編程深度位圖1242來判定與存儲被讀取請求的數(shù)據(jù)的頁相對應(yīng)的字線是否處于MSB編程狀態(tài)。如果要訪問的字線被判定為不處于MSB編程狀態(tài)(例如具有為“I”的編程深度位(programdepthbit，PDB)信息)，則該方法可前進到操作S220，在該操作中存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設(shè)備1400發(fā)出第一讀取命令。第一讀取命令可以是指示出要訪問的字線不處于MSB編程狀態(tài)的讀取命令，并且非易失性存儲器設(shè)備1400在接收到第一讀取命令時可執(zhí)行利用讀取電壓RO的讀取操作。[0111]如果要訪問的字線被判定為處于MSB編程狀態(tài)(例如具有為“O”的PDB信息)，則該方法可前進到操作S230，在該操作中存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設(shè)備1400發(fā)出第二讀取命令。第二讀取命令可以是指示出要訪問的字線處于MSB編程狀態(tài)的讀取命令，并且非易失性存儲器設(shè)備1400在接收到第二讀取命令時可執(zhí)行利用讀取電壓R2的讀取操作或者利用讀取電壓Rl和R3的讀取操作。然后，該方法可結(jié)束。[0112]圖9是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的非易失性存儲器設(shè)備的讀取方法的流程圖。以下，將參考附圖更充分地描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的非易失性存儲器設(shè)備的讀取方法。[0113]參考圖9，在操作S300中，非易失性存儲器設(shè)備1400可從存儲器控制器1200接收讀取命令。在操作S310中，控制邏輯1440可判定輸入的讀取命令是否是第一讀取命令。當(dāng)輸入的讀取命令被判定為是第一讀取命令時，該方法可前進到操作S320。這里，輸入的讀取命令是第一讀取命令的情況可意味著要訪問的字線不處于MSB編程狀態(tài)。在操作S320中，可執(zhí)行利用讀取電壓RO的讀出操作。例如，控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430以使得讀取電壓RO被生成?？赏ㄟ^頁緩沖電路1450執(zhí)行讀出操作，其中，讀取電壓RO被施加到要訪問的字線。在操作S330中，讀出的數(shù)據(jù)可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出到存儲器控制器1200。[0114]返回到操作S310，如果輸入的讀取命令不是第一讀取命令，則該方法可前進到操作S340。這里，輸入的讀取命令不是第一讀取命令的情況可意味著要訪問的字線處于MSB編程狀態(tài)。在操作S340中，可判定要訪問的字線的讀取操作是否是LSB讀取操作。也就是說，可判定要訪問的字線的頁地址是否是LSB頁地址。在要訪問的字線的頁地址是LSB頁地址的情況下，該方法可前進到操作S350，在該操作中執(zhí)行利用讀取電壓R2的讀出操作。例如，控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430以使得讀取電壓R2被生成?？赏ㄟ^頁緩沖電路1450執(zhí)行讀出操作，其中，讀取電壓R2被施加到要訪問的字線。在操作S330中，讀出的數(shù)據(jù)可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出到存儲器控制器1200。[0115]返回到操作S340，如果要訪問的字線的頁地址不是LSB頁地址，則該方法可前進到操作S370。在操作S370中，執(zhí)行利用讀取電壓Rl的讀出操作。例如，控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430以使得讀取電壓Rl被生成?？赏ㄟ^頁緩沖電路1450執(zhí)行讀出操作，其中，讀取電壓Rl被施加到要訪問的字線。在操作S380中，執(zhí)行利用讀取電壓R3的讀出操作。例如，控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430以使得讀取電壓R3被生成。可通過頁緩沖電路1450執(zhí)行讀出操作，其中，讀取電壓R3被施加到要訪問的字線。在操作S390中，利用讀取電壓Rl和R3讀出的數(shù)據(jù)的組合可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出到存儲器控制器1200。然后，該方法可結(jié)束。[0116]圖10是用于在描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的存儲器系統(tǒng)的讀取性能的改善時參考的圖。在圖10中，塊BlOO可示出以使用標(biāo)志單元的傳統(tǒng)方式執(zhí)行LSB頁讀取操作和MSB頁讀取操作所花費的讀取時間(其中，R/nB為低)。塊B200可示出以使用編程深度位圖1242，即不使用標(biāo)記單元執(zhí)行LSB頁讀取操作和MSB頁讀取操作所花費的讀取時間。[0117]在使用標(biāo)志單元的情況下，在LSB頁讀取操作中，在tR2期間可執(zhí)行利用讀取電壓R2的讀出操作。此時，標(biāo)志單元的數(shù)據(jù)也可被讀出。在tMFC期間可判定從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)是指示LSB編程狀態(tài)還是MSB編程狀態(tài)。如果從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)指示LSB編程狀態(tài)，則在tRO期間可額外地執(zhí)行利用讀取電壓RO的讀出操作。利用讀取電壓RO讀出的數(shù)據(jù)可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出。如果從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)指示MSB編程狀態(tài)，則利用讀取電壓R2讀出的數(shù)據(jù)可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出。[0118]在使用標(biāo)志單元的情況下，在MSB頁讀取操作中，在tRl期間可執(zhí)行利用讀取電壓Rl的讀出操作。此時，標(biāo)志單元的數(shù)據(jù)也可被讀出。在tMFC期間可判定從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)是指示LSB編程狀態(tài)還是MSB編程狀態(tài)。如果從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)指示MSB編程狀態(tài)，則在tR3期間可執(zhí)行利用讀取電壓R3的讀出操作。利用讀取電壓Rl和R3讀出的數(shù)據(jù)的組合可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出。如果從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)指示LSB編程狀態(tài)，則頁緩沖電路1450可被設(shè)定到設(shè)定狀態(tài)(例如，數(shù)據(jù)“I”)，并且設(shè)定狀態(tài)的數(shù)據(jù)可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出。[0119]因此，對標(biāo)志單元和單個讀取命令的傳統(tǒng)使用可使得判定從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)是否指示MSB編程狀態(tài)的執(zhí)行時間tMFC成為必要。在發(fā)明構(gòu)思的實施例的存儲器系統(tǒng)的情況下，參考塊B200，當(dāng)接收到第一讀取命令時，在tRO期間可執(zhí)行利用讀取電壓RO的讀出操作。利用讀取電壓RO讀出的數(shù)據(jù)可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出。當(dāng)接收到第二讀取命令時，可判定與第二讀取命令一起輸入的頁地址是否是LSB頁地址。當(dāng)輸入的頁地址是LSB頁地址時，在tR2期間可執(zhí)行利用讀取電壓R2的讀取操作。利用讀取電壓R2讀出的數(shù)據(jù)可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出。當(dāng)輸入的頁地址是MSB頁地址時，在tRl期間可執(zhí)行利用讀取電壓Rl的讀取操作，在tR3期間可執(zhí)行利用讀取電壓R3的讀取操作。利用讀取電壓Rl和R3讀出的數(shù)據(jù)的組合可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出。[0120]與使用標(biāo)志單元的讀取操作相比，發(fā)明構(gòu)思的實施例可不需要判定從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)是否指示MSB編程狀態(tài)所花費的時間tMFC。從而，可以改善根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的存儲器系統(tǒng)的讀取性能。與使用標(biāo)志單元的讀取操作相比，無論是否執(zhí)行對所選字線的MSB頁編程操作，執(zhí)行LSB頁讀取操作所花費的時間tR2和tRO都可彼此相等。另外，根據(jù)所選字線是否處于MSB編程狀態(tài)，可從存儲器控制器1200提供不同的讀取命令。[0121]圖11是示意性示出每單元存儲3位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備的閾值電壓分布的圖。[0122]在每單元存儲3位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備中，存儲單元可具有圖11中所示的多個狀態(tài)30至37之一。在與每條字線相連接的存儲單元處可存儲3頁數(shù)據(jù)。例如，在與每條字線相連接的存儲單元處可存儲最低頁數(shù)據(jù)(或者，第一頁數(shù)據(jù))、中間頁數(shù)據(jù)(或者，第二頁數(shù)據(jù))和最高頁數(shù)據(jù)(或者，第三頁數(shù)據(jù))。圖11中所示的位排序可以是示范性的，并且發(fā)明構(gòu)思不限于此。[0123]最低頁數(shù)據(jù)可在讀取電壓R4-3P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取。中間頁數(shù)據(jù)可以是在讀取電壓R2-3P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)和在讀取電壓R6-3P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)的組合。最高頁數(shù)據(jù)可以是在讀取電壓R1-3P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)、在讀取電壓R3-3P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)、在讀取電壓R5-3P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)以及在讀取電壓R7-3P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)的組合。[0124]所選字線中的頁之中被讀取請求的頁可如上所述根據(jù)頁地址信息來確定。[0125]在每個存儲單元處存儲3位數(shù)據(jù)的情況下，存儲器控制器1200可管理包括與每條字線相對應(yīng)的位信息的編程深度位圖1242。編程深度位圖1242的位信息可根據(jù)主機1600的寫入請求而被改變(或更新)。例如，當(dāng)對特定字線的寫入操作被請求兩次時，該特定字線的位信息可被從“I”改變到“O”。位信息的改變可通過更新存儲在緩沖存儲器1240處的編程深度位圖1242來完成。是否需要對特定字線的高端編程操作(例如，對第二或第三頁數(shù)據(jù)的編程操作)可以要訪問的頁的地址為基礎(chǔ)來判定。然而，用于判定是否需要對特定字線的高端編程操作的基準(zhǔn)不限于本公開的示例。[0126]在主機1600發(fā)出讀取請求時，存儲器控制器1200可判定與存儲被讀取請求的數(shù)據(jù)的頁相對應(yīng)的字線是否處于高端頁編程狀態(tài)。這可以編程深度位圖1242為基礎(chǔ)來執(zhí)行。當(dāng)編程深度位圖1242的位信息指示出要訪問的字線不處于高端頁編程狀態(tài)時，存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設(shè)備1400提供伴隨利用讀取電壓R4-3P的讀取操作的第一讀取命令。當(dāng)接收到第一讀取命令時，非易失性存儲器設(shè)備1400可執(zhí)行利用讀取電壓R4-3P的讀取操作。這里，與第一讀取命令相對應(yīng)的讀取序列可不包括確定標(biāo)志單元的狀態(tài)的操作。[0127]當(dāng)編程深度位圖1242的位信息指示出要訪問的字線處于高端頁編程狀態(tài)時，存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設(shè)備1400提供伴隨利用讀取電壓R4-3P的讀取操作、利用讀取電壓R2-3P和R6-3P的讀取操作或者利用讀取電壓R1-3P、R3-3P、R5-3P和R7-3P的讀取操作的第二讀取命令。當(dāng)接收到第二讀取命令時，非易失性存儲器設(shè)備1400可執(zhí)行利用讀取電壓R4-3P的讀取操作、利用讀取電壓R2-3P和R6-3P的讀取操作或者利用讀取電壓R1-3P、R3-3P、R5-3P和R7-3P的讀取操作。這里，與第二讀取命令相對應(yīng)的讀取序列可不包括確定標(biāo)志單元的狀態(tài)的操作。[0128]利用讀取電壓R4-3P的讀取操作可在要訪問的字線的頁地址是第一頁地址時執(zhí)行，利用讀取電壓R2-3P和R6-3P的讀取操作可在要訪問的字線的頁地址是第二頁地址時執(zhí)行，并且利用讀取電壓R1-3P、R3-3P、R5-3P和R7-3P的讀取操作可在要訪問的字線的頁地址是第三頁地址時執(zhí)行。[0129]發(fā)明構(gòu)思的實施例的存儲器控制器1200可基于關(guān)于要訪問的字線的編程深度信息來生成不同的讀取命令，并且非易失性存儲器設(shè)備1400可執(zhí)行與輸入的讀取命令相對應(yīng)的讀取序列。在此情況下，發(fā)明構(gòu)思的存儲器系統(tǒng)可不需要讀取存儲字線的編程狀態(tài)的標(biāo)志單元。這可意味著確定標(biāo)志單元的信息所花費的時間和/或執(zhí)行額外的讀取操作所花費的時間不是必需的。從而，可以改善存儲器系統(tǒng)的讀取性能。[0130]圖12是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一實施例的非易失性存儲器設(shè)備的讀取方法的流程圖。以下，將參考附圖更充分地描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的另一實施例的非易失性存儲器設(shè)備的讀取方法。[0131]參考圖12，在操作S400中，非易失性存儲器設(shè)備1400可從存儲器控制器1200接收讀取命令。在操作S410中，控制邏輯1440可判定輸入的讀取命令是否是第一讀取命令。當(dāng)輸入的讀取命令被判定為是第一讀取命令時，該方法可前進到操作S420。這里，輸入的讀取命令是第一讀取命令的情況可意味著要訪問的字線不處于高端頁編程狀態(tài)。在操作S420中，可執(zhí)行利用讀取電壓RO的讀出操作(參考圖1A)。例如，控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430以使得讀取電壓RO被生成?？赏ㄟ^頁緩沖電路1450執(zhí)行讀出操作，其中，讀取電壓RO被施加到要訪問的字線。在操作S430中，讀出的數(shù)據(jù)可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出到存儲器控制器1200。[0132]返回到操作S410，如果輸入的讀取命令不是第一讀取命令，則該方法可前進到操作S440。這里，輸入的讀取命令不是第一讀取命令的情況可意味著要訪問的字線處于高端頁編程狀態(tài)。在操作S440中，可判定要訪問的字線的頁地址是否是第一頁地址。如果要訪問的字線的頁地址是第一頁地址，則該方法可前進到操作S450，在該操作中執(zhí)行利用讀取電壓R4-3P的讀出操作。例如，控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430以使得讀取電壓R4-3P被生成?？赏ㄟ^頁緩沖電路1450執(zhí)行讀出操作，其中，讀取電壓R4-3P被施加到要訪問的字線。在操作S460中，讀出的數(shù)據(jù)可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出到存儲器控制器1200。[0133]返回到操作S440，如果要訪問的字線的頁地址不是第一頁地址，則該方法可前進到操作S470，在該操作中判定要訪問的字線的讀取操作是否是第二頁讀取操作。也就是說，可判定要訪問的字線的頁地址是否是第二頁地址。如果要訪問的字線的頁地址是第二頁地址，則該方法可前進到操作S480，在該操作中執(zhí)行利用讀取電壓R2-3P和R6-3P的讀出操作。在操作S490中，通過利用讀取電壓R2-3P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)和通過利用讀取電壓R6-3P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)的組合可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出到存儲器控制器1200。[0134]返回到操作S470，如果要訪問的字線的頁地址不是第二頁地址，則該方法可前進到操作S500，在該操作中執(zhí)行利用讀取電壓R1-3P、R3-3P、R5-3P和R7-3P的讀出操作。在操作S510中，通過利用讀取電壓R1-3P、R3-3P、R5-3P和R7-3P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)的組合可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出到存儲器控制器1200。[0135]圖13是示意性示出每單元存儲4位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備的閾值電壓分布的圖。[0136]在每單元存儲4位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備中，存儲單元可具有圖13中所示的多個狀態(tài)40至55之一。在與每條字線相連接的存儲單元處可存儲4頁數(shù)據(jù)。例如，在與每條字線相連接的存儲單元處可存儲最低頁數(shù)據(jù)(或者，第一頁數(shù)據(jù))、第一中間頁數(shù)據(jù)(或者，第二頁數(shù)據(jù))、第二中間頁數(shù)據(jù)(或者，第三頁數(shù)據(jù))和最高頁數(shù)據(jù)(或者，第四頁數(shù)據(jù))。圖13中所示的位排序可以是示范性的，并且發(fā)明構(gòu)思不限于此。[0137]最低頁數(shù)據(jù)可在讀取電壓R8-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取。第一中間頁數(shù)據(jù)可以是在讀取電壓R12-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)和在讀取電壓R2-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)的組合。第二中間頁數(shù)據(jù)可以是在讀取電壓R2-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)、在讀取電壓R6-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)、在讀取電壓R10-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)以及在讀取電壓R14-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)的組合。[0138]最高頁數(shù)據(jù)可以是以下數(shù)據(jù)的組合:在讀取電壓R1-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)、在讀取電壓R3-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)、在讀取電壓R5-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)、在讀取電壓R7-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)、在讀取電壓R9-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)、在讀取電壓R11-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)、在讀取電壓R13-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)以及在讀取電壓R15-4P被施加到所選字線的情況下從存儲單元讀取的數(shù)據(jù)。[0139]所選字線中的頁之中要被讀取請求的頁可如上所述根據(jù)頁地址信息來確定。[0140]在每個存儲單元處存儲4位數(shù)據(jù)的情況下，存儲器控制器1200可管理包括與每條字線相對應(yīng)的位信息的編程深度位圖1242。編程深度位圖1242的位信息可根據(jù)主機1600的寫入請求而被改變(或更新)。例如，當(dāng)對特定字線的寫入操作被請求兩次時，該特定字線的位信息可被從“I”改變到“O”。位信息的改變可通過更新存儲在緩沖存儲器1240處的編程深度位圖1242來完成。是否需要對特定字線的高端編程操作(例如，對第二、第三或第四頁數(shù)據(jù)的編程操作)可以要訪問的頁的地址為基礎(chǔ)來判定。然而，用于判定是否需要對特定字線的高端編程操作的基準(zhǔn)不限于本公開的示例。[0141]在主機1600發(fā)出讀取請求時，存儲器控制器1200可判定與存儲被讀取請求的數(shù)據(jù)的頁相對應(yīng)的字線是否處于高端頁編程狀態(tài)。這可以編程深度位圖1242為基礎(chǔ)來執(zhí)行。當(dāng)編程深度位圖1242的位信息指示出要訪問的字線不處于高端頁編程狀態(tài)時，存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設(shè)備1400提供伴隨利用讀取電壓R8-4P的讀取操作的第一讀取命令。當(dāng)接收到第一讀取命令時，非易失性存儲器設(shè)備1400可執(zhí)行利用讀取電壓R8-4P的讀取操作。這里，與第一讀取命令相對應(yīng)的讀取序列可不包括確定標(biāo)志單元的狀態(tài)的操作。[0142]當(dāng)編程深度位圖1242的位信息指示出要訪問的字線處于高端頁編程狀態(tài)時，存儲器控制器1200可向非易失性存儲器設(shè)備1400提供伴隨利用讀取電壓R8-4P的讀取操作、利用讀取電壓R4-4P和R12-4P的讀取操作、利用讀取電壓R2-4P、R6-4P、R10-4P和R14-4P的讀取操作、或者利用讀取電壓R1-4P、R3-4P、R5-4P、R7-4P、R9-4P、Rl1-4P、R13-4P和R15-4P的讀取操作的第二讀取命令。當(dāng)接收到第二讀取命令時，非易失性存儲器設(shè)備1400可執(zhí)行利用讀取電壓R8-4P的讀取操作、利用讀取電壓R4-4P和R12-4P的讀取操作、利用讀取電壓R2-4P、R6-4P、R10-4P和R14-4P的讀取操作、或者利用讀取電壓R1-4P、R3-4P、R5-4P、R7-4P、R9-4P、R11-4P、R13-4P和R15-4P的讀取操作。這里，與第二讀取命令相對應(yīng)的讀取序列可不包括確定標(biāo)志單元的狀態(tài)的操作。[0143]利用讀取電壓R8-4P的讀取操作可在要訪問的字線的頁地址是第一頁地址時執(zhí)行，利用讀取電壓R4-4P和R12-4P的讀取操作可在要訪問的字線的頁地址是第二頁地址時執(zhí)行，利用讀取電壓R2-4P、R6-4P、R10-4P和R14-4P的讀取操作可在要訪問的字線的頁地址是第三頁地址時執(zhí)行，并且利用讀取電壓R1-4P、R3-4P、R5-4P、R7-4P、R9-4P、R11-4P、R13-4P和R15-4P的讀取操作可在要訪問的字線的頁地址是第四頁地址時執(zhí)行。[0144]發(fā)明構(gòu)思的實施例的存儲器控制器1200可基于關(guān)于要訪問的字線的編程深度信息來生成不同的讀取命令，并且非易失性存儲器設(shè)備1400可執(zhí)行與輸入的讀取命令相對應(yīng)的讀取序列。在此情況下，發(fā)明構(gòu)思的存儲器系統(tǒng)可不需要讀取存儲字線的編程狀態(tài)的標(biāo)志單元。這可意味著確定標(biāo)志單元的信息所花費的時間和/或執(zhí)行額外的讀取操作所花費的時間不是必需的。從而，可以改善存儲器系統(tǒng)的讀取性能。[0145]圖14是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的又一實施例的非易失性存儲器設(shè)備的讀取方法的流程圖。以下，將參考附圖更充分地描述根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的又一實施例的非易失性存儲器設(shè)備的讀取方法。[0146]參考圖14，在操作S600中，非易失性存儲器設(shè)備1400可從存儲器控制器1200接收讀取命令。在操作S610中，控制邏輯1440可判定輸入的讀取命令是否是第一讀取命令。當(dāng)輸入的讀取命令被判定為是第一讀取命令時，該方法可前進到操作S620。這里，輸入的讀取命令是第一讀取命令的情況可意味著要訪問的字線不處于高端頁編程狀態(tài)。在操作S620中，可執(zhí)行利用讀取電壓RO的讀出操作(參考圖1A)。例如，控制邏輯1440可控制電壓生成器1430電路以使得讀取電壓RO被生成?？赏ㄟ^頁緩沖電路1450執(zhí)行讀出操作，其中，讀取電壓RO被施加到要訪問的字線。在操作S630中，讀出的數(shù)據(jù)可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出到存儲器控制器1200。[0147]返回到操作S610，如果輸入的讀取命令不是第一讀取命令，則該方法可前進到操作S640。這里，輸入的讀取命令不是第一讀取命令的情況可意味著要訪問的字線處于高端頁編程狀態(tài)。在操作S640中，可判定要訪問的字線的讀取操作是否是第一頁讀取操作。也就是說，可判定要訪問的字線的頁地址是否是第一頁地址。如果要訪問的字線的頁地址是第一頁地址，則該方法可前進到操作S650，在該操作中執(zhí)行利用讀取電壓R8-4P的讀出操作。例如，控制邏輯1440可控制電壓生成器電路1430以使得讀取電壓R8-4P被生成。可通過頁緩沖電路1450執(zhí)行讀出操作，其中，讀取電壓R8-4P被施加到要訪問的字線。在操作S660中，讀出的數(shù)據(jù)可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出到存儲器控制器1200。[0148]返回到操作S640，如果要訪問的字線的頁地址不是第一頁地址，則該方法可前進到操作S670，在該操作中判定要訪問的字線的讀取操作是否是第二頁讀取操作。也就是說，可判定要訪問的字線的頁地址是否是第二頁地址。如果要訪問的字線的頁地址是第二頁地址，則該方法可前進到操作S680，在該操作中執(zhí)行利用讀取電壓R4-4P和R12-4P的讀出操作。在操作S690中，通過利用讀取電壓R4-4P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)和通過利用讀取電壓R12-4P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)的組合可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出到存儲器控制器1200。[0149]返回到操作S670，如果要訪問的字線的頁地址不是第二頁地址，則該方法可前進到操作S700，在該操作中判定要訪問的字線的讀取操作是否是第三頁讀取操作。也就是說，可判定要訪問的字線的頁地址是否是第三頁地址。如果要訪問的字線的頁地址是第三頁地址，則該方法可前進到操作S710，在該操作中執(zhí)行利用讀取電壓R2-4P、R6-4P、R10-4P和R14-4P的讀出操作。在操作S720中，通過利用讀取電壓R2-4P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)、通過利用讀取電壓R6-4P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)、通過利用讀取電壓R10-4P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)和通過利用讀取電壓R14-4P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)的組合可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出到存儲器控制器1200。[0150]返回到操作S700，如果要訪問的字線的頁地址不是第三頁地址(B卩，要訪問的字線的頁地址是第四頁地址)，則該方法可前進到操作S730，在該操作中執(zhí)行利用讀取電壓R1-4P、R3-4P、R5-4P、R7-4P、R9-4P、R11-4P、R13-4P和R15-4P的讀出操作。在操作S740中，通過利用讀取電壓R1-4P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)、通過利用讀取電壓R3-4P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)、通過利用讀取電壓R5-4P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)、通過利用讀取電壓R7-4P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)、通過利用讀取電壓R9-4P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)、通過利用讀取電壓R11-4P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)、通過利用讀取電壓R13-4P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)和通過利用讀取電壓R15-4P的讀取操作讀取的數(shù)據(jù)的組合可作為被讀取請求的數(shù)據(jù)被輸出到存儲器控制器1200。然后，該方法可結(jié)束。[0151]圖15是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的又一實施例的非易失性存儲器設(shè)備的框圖。[0152]參考圖15，非易失性存儲器設(shè)備1400b可包括存儲單元陣列1410b、地址解碼器1420b、電壓生成器1430b、控制邏輯1440b、頁緩沖電路1450b以及輸入/輸出接口1460b。除了存儲單元陣列1410b以外，圖15的非易失性存儲器設(shè)備1400b與圖5的相同，從而這里的描述聚焦于存儲單元陣列1410b以避免冗余。[0153]存儲單元陣列1410b可以是三維存儲單元陣列，并且可包括多個存儲塊BLKl至BLKz，其中每一個被形成為具有三維結(jié)構(gòu)(或者，垂直結(jié)構(gòu))。在具有二維(水平)結(jié)構(gòu)的存儲塊中，可在與基板表面平行的方向上形成存儲單元。在具有三維結(jié)構(gòu)的存儲塊中，可在與基板表面垂直的方向上形成存儲單元。存儲塊BLKl至BLKz中的每一個可以是非易失性存儲器設(shè)備1400b的擦除單位。[0154]圖16是示意性示出圖15中所示的存儲塊的3D結(jié)構(gòu)的透視圖。參考圖16，可在與基板SUB垂直的方向上形成存儲塊BLK1。可在基板SUB處形成η+摻雜區(qū)域?？梢来卧诨錝UB上淀積柵電極層和絕緣層?？稍跂烹姌O層與絕緣層之間形成電荷存儲層。[0155]如果在垂直方向上圖案化柵電極層和絕緣層，則可形成V形柱。該柱可經(jīng)由柵電極層和絕緣層與基板SUB相連接。柱的外部部分O可由通道半導(dǎo)體形成，并且其內(nèi)部部分I可由諸如二氧化硅之類的絕緣材料形成。[0156]存儲塊BLKl的柵電極層可與地選擇線GSL、多條字線WLl至WL8以及串選擇線SSL相連接。存儲塊BLKl的柱可與多條位線BLl至BL3相連接。在圖16中，示出了一個存儲塊BLKl具有兩條選擇線SSL和GSL、八條字線WLl至WL8以及三條位線BLl至BL3的情況。然而，發(fā)明構(gòu)思不限于此。[0157]圖17是圖16中所示的存儲塊的等效電路。參考圖17，NAND串NSll至NS33可連接在位線BLl至BL3和共源線CSL之間。每個NAND串(例如，NS11)可包括串選擇晶體管SST、多個存儲單元MCl至MC8以及地選擇晶體管GST。[0158]串選擇晶體管SST可與串選擇線SSLl至SSL3相連接。存儲單元MCl至MC8可分別與相應(yīng)的字線WLl至WL8相連接。地選擇晶體管GST可與地選擇線GSLl至GSL3相連接。在每個NAND串中，串選擇晶體管SST可與位線相連接，并且地選擇晶體管GST可與共源線CSL相連接。[0159]具有相同高度的字線(例如，WLl)可被公共連接，并且串選擇線SSLl至SSL3可與彼此分離。地選擇線GSLl至GSL3可被共同連接。在對與第一字線WLl連接并且包括在NAND串NSl1、NS12和NS13中的存儲單元(構(gòu)成一頁)編程時，第一字線WLl和第一串選擇線SSLl可以被選擇。[0160]圖18是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的計算系統(tǒng)的框圖。計算系統(tǒng)可包括處理單元2101、用戶接口2202、諸如基帶芯片集之類的調(diào)制解調(diào)器2303、存儲器控制器2404以及存儲介質(zhì)2505。[0161]存儲器控制器2404可與圖3中所述的控制器相同或者基本上相同地那樣來配置，并且存儲介質(zhì)2505可由與圖5、圖6或或圖15中所示相同或基本上相同的非易失性存儲器設(shè)備形成。例如，存儲器控制器2404可被配置為基于主機的寫入請求來管理編程深度圖。編程深度圖可包括指示出非易失性存儲器設(shè)備的每條字線是處于低端頁編程狀態(tài)(例如，LSB頁編程狀態(tài))還是高端頁編程狀態(tài)(例如，在每單元存儲3位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備的情況下的中間/MSB頁編程狀態(tài)，或者在每單元存儲4位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備的情況下的第一中間/第二中間/MSB頁編程狀態(tài))的信息。在主機發(fā)出讀取請求時可查閱編程深度圖。例如，編程深度圖可用于判定與讀取請求相對應(yīng)的字線是處于低端頁編程狀態(tài)還是高端頁編程狀態(tài)，并且存儲器控制器2404可向非易失性存儲器設(shè)備輸出不同的讀取命令之中與判定結(jié)果相對應(yīng)的讀取命令。這里，不同的讀取命令可包括指示字線處于低端頁編程狀態(tài)時的讀取操作的第一讀取命令以及指示字線處于高端頁編程狀態(tài)時的讀取操作的第二讀取命令。當(dāng)接收到第一讀取命令或第二讀取命令時，非易失性存儲器設(shè)備可以按與參考圖9、圖12或圖14所述相同或基本上相同的方式來執(zhí)行讀取操作。在發(fā)明構(gòu)思的實施例中，當(dāng)與使用標(biāo)志單元的情況相比時，判定從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)是否指示高端頁編程狀態(tài)所花費的時間tMFC可不是必需的。從而，可以改善讀取性能。[0162]已被/要被處理單元2101處理的N位數(shù)據(jù)(N為I或以上的整數(shù))可通過存儲器控制器2404被存儲在存儲介質(zhì)2505中。在計算系統(tǒng)是移動設(shè)備的情況下，在計算系統(tǒng)中還可包括電池2606以向其供應(yīng)操作電壓。雖然在圖18中沒有示出，但計算系統(tǒng)還可包括應(yīng)用芯片集、相機圖像處理器(cameraimageprocessor,CIS)、移動DRAM等等。[0163]圖19是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的固態(tài)驅(qū)動器的框圖。[0164]參考圖19，固態(tài)驅(qū)動器(solidstatedrive，SSD)4000可包括存儲介質(zhì)4100和控制器4200。存儲介質(zhì)4100可經(jīng)由多條通道與控制器4200連接，其中每條通道與多個非易失性存儲器公共連接。[0165]控制器4200可與聯(lián)系圖3所述的控制器相同或基本上相同地那樣來配置，并且存儲介質(zhì)4100中的每個非易失性存儲器設(shè)備可由圖、圖6或圖15中所示相同或基本上相同的非易失性存儲器設(shè)備形成。例如，控制器4200可被配置為基于主機的寫入請求來管理編程深度圖。編程深度圖可包括指示出非易失性存儲器設(shè)備的每條字線是處于低端頁編程狀態(tài)(例如，LSB頁編程狀態(tài))還是高端頁編程狀態(tài)(例如，在每單元存儲3位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備的情況下的中間/MSB頁編程狀態(tài)，或者在每單元存儲4位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備的情況下的第一中間/第二中間/MSB頁編程狀態(tài))的信息。在主機發(fā)出讀取請求時可查閱編程深度圖。例如，編程深度圖可用于判定與讀取請求相對應(yīng)的字線是處于低端頁編程狀態(tài)還是高端頁編程狀態(tài)，并且存儲器控制器4200可向非易失性存儲器設(shè)備輸出不同的讀取命令之中與判定結(jié)果相對應(yīng)的讀取命令。這里，不同的讀取命令可包括指示字線處于低端頁編程狀態(tài)時的讀取操作的第一讀取命令以及指示字線處于高端頁編程狀態(tài)時的讀取操作的第二讀取命令。當(dāng)接收到第一讀取命令或第二讀取命令時，非易失性存儲器設(shè)備可以按與參考圖9、圖12或圖14所述相同或基本上相同的方式來執(zhí)行讀取操作。在發(fā)明構(gòu)思的實施例中，當(dāng)與使用標(biāo)志單元的情況相比時，判定從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)是否指示高端頁編程狀態(tài)所花費的時間tMFC可不是必需的。從而，可以改善讀取性能。[0166]圖20是示意性示出使用圖19中所示的固態(tài)驅(qū)動器的存儲裝置的框圖，并且圖21是示意性示出使用圖19中所示的固態(tài)驅(qū)動器的存儲服務(wù)器的框圖。[0167]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的SSD4000可用于形成存儲裝置。如圖20中所示，該存儲裝置可包括與聯(lián)系圖19所述相同或基本上相同地來配置的多個固態(tài)驅(qū)動器4000。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的SSD4000可用于配置存儲服務(wù)器。如圖21中所示，存儲服務(wù)器可包括與聯(lián)系圖19所述的相同或基本上相同地來配置的多個固態(tài)驅(qū)動器4000，以及服務(wù)器4000A。另外，在存儲服務(wù)器中可設(shè)有公知的RAID控制器4000B。[0168]圖22是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的嵌入式存儲裝置的框圖。參考圖22，嵌入式存儲裝置5000可包括至少一個NAND閃速存儲器設(shè)備5100和控制器5200。嵌入式存儲裝置5000(例如，MoviNAND?)可支持MMC4.4(也稱為“eMMC”)標(biāo)準(zhǔn)。[0169]NAND閃速存儲器設(shè)備5100可以是單數(shù)據(jù)速率(singledatarate,SDR)NAND閃速存儲器設(shè)備或雙數(shù)據(jù)速率(doubledatarate，DDR)NAND閃速存儲器設(shè)備。在示范性實施例中，NAND閃速存儲器設(shè)備5100可包括NAND閃速存儲器芯片。這里，NAND閃速存儲器設(shè)備5100可通過將NAND閃速存儲器芯片堆疊在一個封裝中來實現(xiàn)(例如，細間距球柵陣列(Fine-pitchBallGridArray,FBGA)等等)。[0170]控制器5200可與聯(lián)系圖3所述的控制器相同或基本上相同地那樣來配置，并且NAND閃速存儲器設(shè)備5100可由與圖5、圖6或圖15中所示相同或基本上相同的非易失性存儲器設(shè)備形成。例如，控制器5200可被配置為基于主機的寫入請求來管理編程深度圖。編程深度圖可包括指示出NAND閃速存儲器設(shè)備5100的每條字線是處于低端頁編程狀態(tài)(例如，LSB頁編程狀態(tài))還是高端頁編程狀態(tài)(例如，在每單元存儲3位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備的情況下的中間/MSB頁編程狀態(tài)，或者在每單元存儲4位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備的情況下的第一中間/第二中間/MSB頁編程狀態(tài))的信息。在主機發(fā)出讀取請求時可查閱編程深度圖。例如，編程深度圖可用于判定與讀取請求相對應(yīng)的字線是處于低端頁編程狀態(tài)還是高端頁編程狀態(tài)，并且控制器5200可向NAND閃速存儲器設(shè)備5100輸出不同的讀取命令之中與判定結(jié)果相對應(yīng)的讀取命令。這里，不同的讀取命令可包括指示字線處于低端頁編程狀態(tài)時的讀取操作的第一讀取命令以及指示字線處于高端頁編程狀態(tài)時的讀取操作的第二讀取命令。當(dāng)接收到第一讀取命令或第二讀取命令時，NAND閃速存儲器設(shè)備5100可以按與參考圖9、圖12或圖14所述相同或基本上相同的方式來執(zhí)行讀取操作。在發(fā)明構(gòu)思的實施例中，當(dāng)與使用標(biāo)志單元的情況相比時，判定從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)是否指示高端頁編程狀態(tài)所花費的時間tMFC可不是必需的。從而，可以改善讀取性能。[0171]控制器5200可經(jīng)由多條通道與NAND閃速存儲器設(shè)備5100連接。控制器5200可包括至少一個控制器核5210、主機接口5220以及NAND接口5230?？刂破骱?210可控制嵌入式存儲裝置5000的整體操作。主機接口5220可被配置為在控制器5200與主機之間執(zhí)行MMC接口。NAND接口5230可被配置為在NAND閃速存儲器設(shè)備5100與控制器5200之間接口。在示范性實施例中，主機接口5220可以是并行接口(例如，MMC接口)。在其它示范性實施例中，嵌入式存儲裝置5000的主機接口5220可以是串行接口(例如，UHS-1I,UFS坐坐、寸寸7ο[0172]嵌入式存儲裝置5000可從主機接收供電電壓Vcc和Vccq。這里，供電電壓Vcc(約3.3V)可被供應(yīng)給NAND閃速存儲器設(shè)備5100和NAND接口5230，而供電電壓Vccq(約1.8V/3.3V)可被供應(yīng)給控制器5200。在示范性實施例中，可以可選地向嵌入式存儲裝置5000供應(yīng)外部高電壓Vpp。[0173]根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的嵌入式存儲裝置5000可以有利地存儲海量數(shù)據(jù)，而且實現(xiàn)改善的讀取特性。根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的嵌入式存儲裝置5000可應(yīng)用到小型和低功率移動產(chǎn)品(例如，GalaxyS"、iPhone'等等)。[0174]圖23是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的通信設(shè)備的框圖。參考圖23，通信設(shè)備6000可包括通信單元6100、控制器6200、存儲器單元6300、顯示單元6400、觸摸屏單元6500以及音頻單元6600。存儲器單元6300可包括至少一個DRAM6310、至少一個OneNAND?6320以及至少一個moviNAND?(或者，嵌入式存儲裝置)6330。[0175]對移動設(shè)備的詳細描述在第2010/0062715號、第2010/0309237號和第2010/0315325號美國專利公布中公開，通過引用將這些美國專利公布的全部內(nèi)容結(jié)合于此。[0176]圖24是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的固態(tài)驅(qū)動器設(shè)備所被應(yīng)用到的系統(tǒng)的圖。[0177]如圖24中所示，根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的包括數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的固態(tài)驅(qū)動器可被應(yīng)用到郵件服務(wù)器8100。[0178]圖25是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的存儲卡的框圖。[0179]作為示例，圖25的存儲卡可以是MMC卡、SD卡、多用途卡、micro-SD卡、記憶棒、緊湊型SD卡、ID卡、PCMCIA卡、SSD卡、芯片卡、智能卡、USB卡等等。[0180]參考圖25，存儲卡可包括用于與外部設(shè)備接口的接口電路9221、包括緩沖存儲器并控制存儲卡的操作的控制器9222以及至少一個非易失性存儲器設(shè)備9207?？刂破?222可以是被配置為控制非易失性存儲器設(shè)備9207的寫入和讀取操作的處理器。控制器9222可經(jīng)由數(shù)據(jù)總線和地址總線與非易失性存儲器設(shè)備9207和接口電路9221耦合。接口電路9221可經(jīng)由卡協(xié)議(例如SD/MMC)與主機接口，以用于主機和存儲卡之間的數(shù)據(jù)交換。[0181]控制器9222可與聯(lián)系圖3所述的控制器相同或基本上相同地那樣來配置，并且非易失性存儲器設(shè)備9207可由圖5、圖6或圖15中所示相同或基本上相同的非易失性存儲器設(shè)備形成。例如，控制器9222可被配置為基于主機的寫入請求來管理編程深度圖。編程深度圖可包括指示出非易失性存儲器設(shè)備9207的每條字線是處于低端頁編程狀態(tài)(例如，LSB頁編程狀態(tài))還是高端頁編程狀態(tài)(例如，在每單元存儲3位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備的情況下的中間/MSB頁編程狀態(tài)，或者在每單元存儲4位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備的情況下的第一中間/第二中間/MSB頁編程狀態(tài))的信息。在主機發(fā)出讀取請求時可查閱編程深度圖。例如，編程深度圖可用于判定與讀取請求相對應(yīng)的字線是處于低端頁編程狀態(tài)還是高端頁編程狀態(tài)，并且控制器9222可向非易失性存儲器設(shè)備9207輸出不同的讀取命令之中與判定結(jié)果相對應(yīng)的讀取命令。這里，不同的讀取命令可包括指示字線處于低端頁編程狀態(tài)時的讀取操作的第一讀取命令以及指示字線處于高端頁編程狀態(tài)時的讀取操作的第二讀取命令。當(dāng)接收到第一讀取命令或第二讀取命令時，非易失性存儲器設(shè)備9207可以按與參考圖9、圖12或圖14所述相同或基本上相同的方式來執(zhí)行讀取操作。在發(fā)明構(gòu)思的實施例中，當(dāng)與使用標(biāo)志單元的情況相比時，判定從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)是否指示高端頁編程狀態(tài)所花費的時間tMFC可不是必需的。從而，可以改善讀取性能。[0182]圖26是示意性示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實施例的數(shù)字靜態(tài)相機的框圖。[0183]參考圖26，數(shù)字靜態(tài)相機可包括主體9301、插槽9302、鏡頭9303、顯示單元9308、快門按鈕9312、閃光燈9318等等。存儲卡9331可被插入在插槽9302中，并且存儲卡9331可包括聯(lián)系圖2所述的存儲器控制器和非易失性存儲器設(shè)備。[0184]存儲器控制器可與聯(lián)系圖3所述的控制器相同或基本上相同地那樣來配置，并且非易失性存儲器設(shè)備可由圖5、圖6或圖15中所示相同或基本上相同的非易失性存儲器設(shè)備形成。例如，存儲器控制器可被配置為基于主機的寫入請求來管理編程深度圖。編程深度圖可包括指示出非易失性存儲器設(shè)備的每條字線是處于低端頁編程狀態(tài)(例如，LSB頁編程狀態(tài))還是高端頁編程狀態(tài)(例如，在每單元存儲3位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備的情況下的中間/MSB頁編程狀態(tài)，或者在每單元存儲4位數(shù)據(jù)的非易失性存儲器設(shè)備的情況下的第一中間/第二中間/MSB頁編程狀態(tài))的信息。在主機發(fā)出讀取請求時可查閱編程深度圖。例如，編程深度圖可用于判定與讀取請求相對應(yīng)的字線是處于低端頁編程狀態(tài)還是高端頁編程狀態(tài)，并且存儲器控制器可向非易失性存儲器設(shè)備輸出不同的讀取命令之中與判定結(jié)果相對應(yīng)的讀取命令。這里，不同的讀取命令可包括指示字線處于低端頁編程狀態(tài)時的讀取操作的第一讀取命令以及指示字線處于高端頁編程狀態(tài)時的讀取操作的第二讀取命令。當(dāng)接收到第一讀取命令或第二讀取命令時，非易失性存儲器設(shè)備9207可以按與參考圖9、圖12或圖14所述相同或基本上相同的方式來執(zhí)行讀取操作。在發(fā)明構(gòu)思的實施例中，當(dāng)與使用標(biāo)志單元的情況相比時，判定從標(biāo)志單元讀取的數(shù)據(jù)是否指示高端頁編程狀態(tài)所花費的時間tMFC可不是必需的。從而，可以改善讀取性能。[0185]在存儲卡9331是接觸型的情況下，則電路板上的電路在存儲卡9331被插入在插槽9302中時可與存儲卡9331電接觸。在存儲卡9331是非接觸型的情況下，可以以諸如射頻(RF)波之類的無線方式來訪問存儲卡9331。[0186]圖27是示意性示出圖25中所示的存儲卡所被應(yīng)用到的各種系統(tǒng)的圖。[0187]參考圖27，存儲卡9331可被應(yīng)用到視頻相機VC、電視機TV、音頻設(shè)備AD、游戲機GM、電子音樂設(shè)備EMD、蜂窩電話HP、計算機CP、個人數(shù)字助理(PDA)、語音記錄器VR、PC卡PPP坐坐[0188]在示范性實施例中，存儲單元可由可變電阻存儲單元形成。示范性的可變電阻存儲單元和包括其的存儲器設(shè)備在第7，529，124號美國專利中公開，通過引用將該美國專利的全部內(nèi)容結(jié)合于此。[0189]在其它示范性實施例中，存儲單元可由具有電荷存儲層的各種單元結(jié)構(gòu)之一形成。具有電荷存儲層的單元結(jié)構(gòu)包括使用電荷俘獲層的電荷俘獲閃速結(jié)構(gòu)、其中陣列被堆疊在多層的堆疊閃速結(jié)構(gòu)、源-漏自由閃速結(jié)構(gòu)、管腳型閃速結(jié)構(gòu)等等。[0190]在其它示范性實施例中，在6，858，906號美國專利和2004/0169238號和2006/0180851號美國專利公布中公開了具有電荷俘獲閃速結(jié)構(gòu)作為電荷存儲層的存儲器設(shè)備，通過引用將這些美國專利和美國專利公布的全部內(nèi)容結(jié)合于此。在第673020號韓國專利中公開了源-漏自由閃速結(jié)構(gòu)，通過引用將該韓國專利的全部內(nèi)容結(jié)合于此。[0191]可根據(jù)各種不同的封裝技術(shù)中的任意一種來封裝根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的非易失性存儲器設(shè)備和/或存儲器控制器。這些封裝技術(shù)的示例包括:PoP(PackageonPackage，層疊封裝)、球柵陣列(Ballgridarray，BGA)、芯片級封裝(Chipscalepackage，CSP)、塑料帶引線芯片載體(PlasticLeadedChipCarrier，PLCC)、塑料雙列直插封裝(PlasticDualIn-LinePackage，PDIP)、疊片內(nèi)裸片封裝(DieinWafflePack)、晶片內(nèi)裸片形式(DieinWaferForm)、板上芯片(ChipOnBoard，COB)、陶瓷雙列直插封裝(CeramicDualIn-LinePackage，CERDIP)、塑料標(biāo)準(zhǔn)四方扁平封裝(PlasticMetricQuadFlatPack，MQFP)、小外形IC(SmallOutline，S0IC)、縮小型小外形封裝(ShrinkSmallOutlinePackage，SS0P)、薄型小外形封裝(ThinSmallOutline,TS0P)、薄型四方扁平封裝(ThinQuadFlatpack，TQFP)、系統(tǒng)級封裝(SystemInPackage，SIP)、多芯片封裝(MultiChipPackage，MCP)、晶片級結(jié)構(gòu)封裝(Wafer-levelFabricatedPackage，WFP)、晶片級處理堆疊封裝(Wafer-LevelProcessedStackPackage，WSP)等等。[0192]雖然已參考示范性實施例描述了發(fā)明構(gòu)思，但對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說明顯的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可進行各種改變和修改。因此，應(yīng)當(dāng)理解，上述實施例不是限制性的，而是例示性的。【權(quán)利要求】1.一種控制非易失性存儲器的存儲器設(shè)備的操作方法，該操作方法包括:響應(yīng)于外部寫入請求，管理指示出所述非易失性存儲器的多條字線中的每一條的高端頁編程狀態(tài)的編程深度位圖；以及響應(yīng)于外部讀取請求，基于所述編程深度位圖的與要訪問的字線相對應(yīng)的信息來向所述非易失性存儲器輸出多個不同的讀取命令之一。2.如權(quán)利要求1所述的操作方法，其中，所述多個不同的讀取命令包括指引對只具有低端頁編程狀態(tài)的字線的讀取操作的第一讀取命令和指引對具有高端頁編程狀態(tài)的字線的讀取操作的第二讀取命令。3.如權(quán)利要求2所述的操作方法，其中，與根據(jù)所述第一讀取命令執(zhí)行的所述非易失性存儲器的低端頁讀取操作相對應(yīng)的讀取時間跟與根據(jù)所述第二讀取命令執(zhí)行的所述非易失性存儲器的低端頁讀取操作相對應(yīng)的讀取時間相同。4.如權(quán)利要求3所述的操作方法，其中，根據(jù)所述第一讀取命令和第二讀取命令中的每一個執(zhí)行的所述非易失性存儲器的讀取操作不包括判定要訪問的字線的高端頁編程狀態(tài)的操作。5.如權(quán)利要求3所述的操作方法，其中，在每條字線的存儲單元處存儲了至少2頁數(shù)據(jù)。6.—種存儲器系統(tǒng),包括:至少一個非易失性存儲器；以及存儲器控制器，被配置為控制所述至少一個非易失性存儲器，其中，所述存儲器控制器響應(yīng)于外部讀取請求而基于編程深度位圖的信息的與要訪問的字線相對應(yīng)的位信息來向所述至少一個非易失性存儲器提供多個不同的讀取命令之一，其中，所述編程深度位圖指示出關(guān)于所述至少一個非易失性存儲器的多條字線中的每一條的高端頁編程狀態(tài)。7.如權(quán)利要求6所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述存儲器控制器響應(yīng)于外部寫入請求而依據(jù)外部寫入請求來管理所述編程深度位圖。8.如權(quán)利要求7所述的存儲器系統(tǒng)，其中，多個讀取命令包括指引對只具有低端頁編程狀態(tài)的字線的讀取操作的第一讀取命令和指引對具有高端頁編程狀態(tài)的字線的讀取操作的第二讀取命令。9.如權(quán)利要求8所述的存儲器系統(tǒng)，其中，當(dāng)接收到所述第一讀取命令時，所述至少一個非易失性存儲器對要訪問的字線的低端頁數(shù)據(jù)執(zhí)行讀取操作。10.如權(quán)利要求9所述的存儲器系統(tǒng)，其中，當(dāng)接收到所述第二讀取命令時，所述至少一個非易失性存儲器基于與所述第二讀取命令一起輸入的頁地址對要訪問的字線的低端頁數(shù)據(jù)和高端頁數(shù)據(jù)之一執(zhí)行讀取操作。11.如權(quán)利要求10所述的存儲器系統(tǒng)，其中，與根據(jù)所述第一讀取命令執(zhí)行的所述非易失性存儲器的低端頁數(shù)據(jù)相對應(yīng)的讀取時間跟與根據(jù)所述第二讀取命令執(zhí)行的所述非易失性存儲器的低端頁數(shù)據(jù)相對應(yīng)的讀取時間相同。12.如權(quán)利要求6所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述至少一個非易失性存儲器不包括用于存儲字線的編程狀態(tài)的標(biāo)志單元。13.如權(quán)利要求6所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述至少一個非易失性存儲器包括用于存儲字線的編程狀態(tài)的標(biāo)志單元，并且，其中，所述標(biāo)志單元被訪問以在所述至少一個非易失性存儲器被提供以所述多個不同的讀取命令之一之前形成所述編程深度位圖。14.如權(quán)利要求6所述的存儲器系統(tǒng)，其中，所述至少一個非易失性存儲器包括存儲單元，每個存儲單元存儲低端頁數(shù)據(jù)和高端頁數(shù)據(jù)。15.如權(quán)利要求8所述的存儲器系統(tǒng)，其中，根據(jù)所述第一讀取命令和第二讀取命令中的每一個執(zhí)行的所述非易失性存儲器的讀取操作不包括判定要訪問的字線的高端頁編程狀態(tài)的操作。16.一種存儲器控制器，包括:主機接口，被配置為與主機設(shè)備接口；存儲器接口，被配置為與包括多條字線的非易失性存儲器接口；處理器，被配置為依據(jù)從所述主機接口接收到的請求將命令發(fā)送給所述存儲器接口；以及存儲器，被配置為存儲所述非易失性存儲器的多條字線中的每一條的高端頁編程狀態(tài)，其中，所述處理器響應(yīng)于經(jīng)由所述主機接口接收到的讀取請求而訪問所述存儲器來確定所述多條字線之中的要訪問的字線的高端頁編程狀態(tài)，并且依據(jù)所確定的要訪問的字線的高端頁編程狀態(tài)來將多個不同的讀取命令之一發(fā)送到所述存儲器接口。17.如權(quán)利要求16所述的存儲器控制器，其中，所述多條字線中的每一條的高端頁編程狀態(tài)在所述存儲器中被存儲為位圖。18.如權(quán)利要求17所述的存儲器控制器，其中，所述處理器被配置為響應(yīng)于經(jīng)由所述主機接口接收到的寫入請求而更新所述位圖。19.一種非易失性存儲器設(shè)備的讀取方法，包括:判定輸入的讀取命令是否是對于具有高端頁編程狀態(tài)的字線的讀取命令；當(dāng)輸入的讀取命令被判定為不是對于具有高端頁編程狀態(tài)的字線的讀取命令時，對所述字線執(zhí)行第一低端頁讀取操作；當(dāng)輸入的讀取命令被判定為是對于具有高端頁編程狀態(tài)的字線的讀取命令時，判定與輸入的讀取命令一起輸入的頁地址是否是低端頁地址；當(dāng)與輸入的讀取命令一起輸入的頁地址被判定為是低端頁地址時，對所述字線執(zhí)行第二頁低端讀取操作；以及當(dāng)與輸入的讀取命令一起輸入的頁地址被判定為不是低端頁地址時，對所述字線執(zhí)行高端頁讀取操作。20.如權(quán)利要求19所述的讀取方法，其中，執(zhí)行所述第一低端頁讀取操作所花費的讀取時間跟執(zhí)行所述第二低端頁讀取操作所花費的讀取時間相同。21.如權(quán)利要求20所述的讀取方法，其中，所述第一低端頁讀取操作、所述第二低端頁讀取操作和所述高端頁讀取操作中的每一個不包括判定所述字線的高端頁編程狀態(tài)的操作。22.如權(quán)利要求21所述的讀取方法，其中，所述非易失性存儲器設(shè)備包括用于存儲字線的編程狀態(tài)的標(biāo)志單元，并且其中，不響應(yīng)于所述輸入的讀取命令而訪問所述標(biāo)志單元。23.如權(quán)利要求19所述的讀取方法，其中，所述高端頁讀取操作的高端頁包括中間頁和最聞頁，并且其中，對所述字線執(zhí)行高端頁讀取操作包括:判定輸入的頁地址是否是中間頁地址；當(dāng)輸入的頁地址被判定為是中間頁地址時，對所述字線執(zhí)行中間頁讀取操作；以及當(dāng)輸入的頁地址被判定為不是中間頁地址時，對所述字線執(zhí)行最高頁讀取操作。24.如權(quán)利要求23所述的讀取方法，其中，所述中間頁讀取操作和所述最高頁讀取操作中的每一個不包括判定所述字線的高端頁編程狀態(tài)的操作。25.如權(quán)利要求19所述的讀取方法，其中，所述高端頁讀取操作的高端頁包括第一中間頁、第中間頁和最聞頁，并且其中，對所述字線執(zhí)行高端頁讀取操作包括:判定輸入的頁地址是否是第一中間頁地址；當(dāng)輸入的頁地址被判定為是第一中間頁地址時，對所述字線執(zhí)行第一中間頁讀取操作；當(dāng)輸入的頁地址被判定為不是第一中間頁地址時，判定輸入的頁地址是否是第二中間頁地址；當(dāng)輸入的頁地址被判定為是第二中間頁地址時，對所述字線執(zhí)行第二中間頁讀取操作；當(dāng)輸入的頁地址被判定為不是第二中間頁地址時，對所述字線執(zhí)行最高頁讀取操作。26.如權(quán)利要求25所述的讀取方法，其中，所述第一中間頁讀取操作、所述第二中間頁讀取操作和所述最高頁讀取操作中的每一個不包括判定所述字線的高端頁編程狀態(tài)的操作。27.一種非易失性存儲器設(shè)備，包括:存儲單元陣列，包括布置成行和列的存儲單元；讀取/寫入電路，被配置為從所述存儲單元陣列讀取數(shù)據(jù)和在所述存儲單元陣列處存儲數(shù)據(jù)；以及控制邏輯，被配置為響應(yīng)于從外部設(shè)備提供的讀取命令而控制所述讀取/寫入電路，其中，所述控制邏輯判定所述讀取命令是指引對具有低端頁編程狀態(tài)的字線的讀取操作的第一讀取命令還是指引對具有高端頁編程狀態(tài)的字線的讀取操作的第二讀取命令；并且其中，當(dāng)所述讀取命令被判定為是所述第二讀取命令時，所述控制邏輯控制所述讀取/寫入電路基于與所述第二讀取命令一起輸入的頁地址讀取字線的低端頁或高端頁。28.如權(quán)利要求27所述的非易失性存儲器設(shè)備，其中，與所述第一讀取命令和第二讀取命令相對應(yīng)的每個讀取操作不包括判定字線的高端頁編程狀態(tài)的操作。29.如權(quán)利要求27所述的非易失性存儲器設(shè)備，其中，所述存儲單元陣列還包括用于存儲字線的編程狀態(tài)的標(biāo)志單元，并且其中，不響應(yīng)于所述讀取命令而訪問所述標(biāo)志單元。30.如權(quán)利要求27所述的非易失性存儲器設(shè)備，其中，根據(jù)所述第一讀取命令執(zhí)行的低端頁讀取操作的讀取時間跟根據(jù)所述第二讀取命令執(zhí)行的低端頁讀取操作的讀取時間相同?！疚臋n編號】G11C16/06GK104036825SQ201410083667【公開日】2014年9月10日申請日期:2014年3月7日優(yōu)先權(quán)日:2013年3月7日【發(fā)明者】金武星,鄭多蕓申請人:三星電子株式會社