專利名稱：磨料料漿及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磨料料漿以及該磨料料漿的制備方法，它適用于薄膜磁頭的磨蝕，該磁頭用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)(特別是復(fù)合薄膜磁頭)、半導(dǎo)體集成電路等。
隨著HDD記憶能力的增加，最近的趁勢(shì)是采用更加復(fù)合的薄膜磁頭，以執(zhí)行磁誘導(dǎo)寫(xiě)入和磁電阻閱讀組合(所謂的MR磁頭)，它超過(guò)了磁誘導(dǎo)薄膜磁頭。
在目前情況下，其上形成MR元件的基體表面粗糙度已經(jīng)成為控制由薄膜疊層制成的磁電阻元件(MR元件)特性的性能。JP-A-9-54914(術(shù)語(yǔ)“JP-A”用于本文中是指“未經(jīng)審查的日本專利公開(kāi)”)建議作為MR底層的氧化鋁表面應(yīng)稍稍被磨蝕。
此外，JP-A-8-96237提出可以進(jìn)行磨蝕以除去由于基體層的厚度不同而造成的上屏蔽表面的不平整，并且最后的磨蝕步驟包括磨蝕Al2O3和NiFe。
這些常規(guī)技術(shù)公開(kāi)了可以采用磨蝕作為形成表面的一種方法。但是必須同時(shí)磨蝕復(fù)合薄膜磁頭，例如作為絕緣層的氧化鋁和構(gòu)成磁路的NiFe。關(guān)于可以用來(lái)進(jìn)行磨蝕并且符合兩個(gè)部件水平面差保持在1000埃以下同時(shí)表面粗糙度Rmax不超過(guò)100埃和Ra不超過(guò)10埃要求的磨料料漿沒(méi)有詳細(xì)公開(kāi)。
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種用于在形成薄膜磁頭、半導(dǎo)體集成電路等過(guò)程中進(jìn)行水平磨蝕的磨料料漿，它可以滿足復(fù)合材料表面粗糙度的要求并且適宜保持不同材料之間水平面的差異。
本發(fā)明提供了一種制備磨料料漿的方法，它包括下列步驟制備選自可溶于水的無(wú)機(jī)鋁鹽和鎳鹽的無(wú)機(jī)鹽溶液和可溶于水的螯合劑溶液；將這兩種溶液混合；將該混合溶液保持1天或更長(zhǎng)，以析出幾乎不溶于水的晶體；由該溶液中除去該幾乎不溶于水的晶體；以及將該溶液與平均顆粒直徑為0.05-1微米的氧化鋁磨粒、磨料油和所需量的水介質(zhì)混合。
因此，本發(fā)明的磨料料漿包括平均顆粒直徑為0.05-1微米且數(shù)量為0.1-10％(重量)的氧化鋁粒；選自可溶于水的無(wú)機(jī)鋁鹽和鎳鹽且數(shù)量為0.1-3％(重量)的無(wú)機(jī)鹽；數(shù)量為0.1-3％(重量)的可溶于水的螯合劑；數(shù)量為0.1-10％(重量)的磨料油以及數(shù)量不超過(guò)0.1％(重量)的幾乎不溶于水的螯合鋁鹽或螯合鎳鹽。這種磨料料漿可用于在生產(chǎn)時(shí)磨蝕半導(dǎo)體集成電路的絕緣層和磁性薄膜磁頭。
根據(jù)本發(fā)明的磨料料漿包括會(huì)造成劃痕的幾乎不溶于水的螯合鋁鹽或螯合鎳鹽，它們以不超過(guò)0.1％(重量)的有限量引入其中，即使是在制備后保持1個(gè)月以后。因此，用本發(fā)明的磨料料漿磨蝕復(fù)合磁頭中，沒(méi)有發(fā)現(xiàn)氧化鋁和NiFe產(chǎn)生的微劃痕。此外，采用平均顆粒直徑為0.05-1微米的磨料?？梢愿倪M(jìn)Wf表面的平整度。
本發(fā)明還提供了一種通過(guò)磨料料漿來(lái)磨蝕薄膜的方法，所說(shuō)的磨料料漿包括平均顆粒直徑為0.05-1微米且數(shù)量為0.1-10％(重量)的氧化鋁磨粒；選自可溶于水的無(wú)機(jī)鋁鹽和鎳鹽且數(shù)量為0.1-3％(重量)的無(wú)機(jī)鹽；數(shù)量為0.1-3％(重量)的可溶于水的螯合劑以及數(shù)量為0.1-10％(重量)的磨料油，其中所說(shuō)的幾乎不溶于水的螯合鋁鹽或螯合鎳鹽在所說(shuō)的可溶于水的磨料料漿中的含量不超過(guò)0.1％(重量)。這種方法可以使用到磨蝕半導(dǎo)體集成電路的方法中、使用到磨蝕磁性薄膜磁頭等的方法中。
順便說(shuō)一下，在本發(fā)明中，術(shù)語(yǔ)“磨蝕”包括拋光、研磨、磨光等等。舉例來(lái)說(shuō)，CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)是拋光方法中的一種。
在附圖中

圖1A和1B是表示采用本發(fā)明的磨料料漿對(duì)半導(dǎo)體集成電路的多層布線進(jìn)行平整化過(guò)程的一種方案的截面圖；以及圖2A和2B是表示對(duì)薄膜磁頭的屏蔽層和上部磁極的磁極極點(diǎn)進(jìn)行平整化過(guò)程的一種方案的截面圖。
下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行描述。
磨料料漿的制備過(guò)程關(guān)于本發(fā)明的磨料料漿的制備過(guò)程，需制備選自可溶于水的無(wú)機(jī)鋁鹽和鎳鹽的無(wú)機(jī)鹽溶液(b)和可溶于水的螯合劑的溶液(c)。將這兩種溶液混合以使晶體在水中析出。舉例來(lái)說(shuō)，將該混合物保持1天或更長(zhǎng)時(shí)間，優(yōu)選地為1-7天。而后通過(guò)過(guò)濾、潷析或其類似方法將析出的晶體除去。而后將該溶液與平均直徑為0.05-1微米的氧化鋁粒(a)、磨料油(d)和還可以有所需量的水介質(zhì)混合，由此獲得含有平均顆粒直徑為0.05-1微米且數(shù)量為0.1-10％(重量)的氧化鋁晶粒(a)、選自可溶于水的無(wú)機(jī)鋁鹽和鎳鹽且數(shù)量為0.1-3％(重量)的無(wú)機(jī)鹽(b)、數(shù)量為0.1-3％(重量)的可溶于水的螯合劑(c)以及數(shù)量為0.1-10％(重量)的磨料油的含水磨料料漿。在本發(fā)明的含水磨料料漿中，幾乎不溶于水的螯合鋁鹽或螯合鎳鹽在該可溶于水的磨料料漿中的含量不超過(guò)0.1％(重量)。
幾乎不溶于水的螯合鹽在該磨料料漿中的含量不超過(guò)0.1％(重量)，優(yōu)選地不超過(guò)0.01％(重量)。
本發(fā)明的磨損料漿包括會(huì)造成劃痕的幾乎不溶于水的螯合鋁鹽或螯合鎳鹽，它們以不超過(guò)0.1％(重量)的有限量引入其中，即使是在制備后保持1個(gè)月以后。因此，用本發(fā)明的磨料料漿磨蝕復(fù)合磁頭時(shí)沒(méi)有發(fā)現(xiàn)氧化鋁和NiFe產(chǎn)生的微劃痕。此外，采用平均顆粒直徑為0.05-1微米的磨料?？梢愿倪M(jìn)Wf表面的平整度。
待磨蝕的物體根據(jù)本發(fā)明的制備方法獲得的磨料料漿用于在形成復(fù)合磁頭元件、半導(dǎo)體集成電路等的過(guò)程中進(jìn)行水平磨蝕。這些待磨蝕材料的例子包括在表面單獨(dú)或組合暴露的具有用作絕緣層的氧化鋁、構(gòu)成磁路的NiFe、在磁路中電流從中流過(guò)的Cu布線的材料等。磨料粒作為磨料粒，可以采用氧化鋁晶粒，可以單獨(dú)使用的，也可以與氧化鈰、單晶金剛石、多晶金剛石、氧化硅、碳化硅、氧化鉻或玻璃粉組合使用。這些磨料粒的平均顆粒直徑為0.05-1.0微米，優(yōu)選地為0.3-0.5微米。
作為組分(a)磨料粒在磨料料漿中的量為0.1-10％(重量)，優(yōu)選地0.1-3％(重量)。如果磨料粒的量低于0.05％(重量)，就不達(dá)到實(shí)用的磨蝕速度。如果磨料粒的量超過(guò)10％(重量)，也不可能進(jìn)一步提高效果。因此使用過(guò)量的磨料料漿從經(jīng)濟(jì)學(xué)看是不利的。含水介質(zhì)作為分散介質(zhì)，可以單獨(dú)采用水。也可以采用將水作為主要成分(70-99％(重量))與可溶于水的有機(jī)溶劑輔助成分(1-30％(重量))的混合物。作為水，優(yōu)選地可以采用通過(guò)用0.1微米盒式過(guò)濾器過(guò)濾而獲得的盡可能沒(méi)有大顆粒的那種。該過(guò)濾器的孔隙優(yōu)選地盡可能地細(xì)。其中可以使用的醇類的例子包括甲醇、乙醇和異丙醇。其中可以使用的二醇的例子包括乙二醇、四甲二醇、二乙二醇、丙二醇和聚乙二醇。
含水介質(zhì)在該磨料料漿中的含量為70-99％(重量)，優(yōu)選地為90-99％(重量)。如果含水介質(zhì)的量低于70％(重量)，則所形成的料漿具有較高的粘度并且可能無(wú)法提供到基體上以及存放不穩(wěn)定?？扇苡谒臒o(wú)機(jī)金屬鹽作為組分(b)，可溶于水的無(wú)機(jī)鋁鹽或鎳鹽可以提高磨蝕速度。這種組分(b)的例子包括鋁或鎳的硝酸鹽、鹽酸鹽、硫酸鹽、磷酸鹽和硫代硫酸鹽。這些鹽的特定的例子包括硝酸鋁、硝酸鎳和硫酸鋁。作為組分(b)而引入到該磨料料漿中的可溶于水的無(wú)機(jī)鹽，其量為0.1-3％(重量)，優(yōu)選地為0.3-1％(重量)?？扇苡谒牡尿蟿┳鳛榻M分(c)，可溶于水的的螯合劑引入到該料漿中的目的在于提高磨蝕速度和由此獲得的晶片的平整性。可以使用的這種可溶于水的的螯合劑的例子包括乙二胺四乙酸(EDTA)、乙二胺四乙酸二鈉(EDTA-2)、氨基磺酸-N，N-二乙酸的堿金屬鹽、2，2-二甲基丙烷雙草酰胺的堿金屬鹽、二乙三胺五乙酸及其鈉鹽。作為組分(c)的螯合劑在磨料料漿中的引入量為0.1-3％(重量)，優(yōu)選地為0.3-1％(重量)。磨料油磨料油可以起到磨蝕改進(jìn)劑和磨料粒分散劑的作用，用作組分(d)的磨料油的例子包括各種表面活性劑、乙二醇、丙二醇、聚乙二醇、聚亞乙基烷基醚、聚氧亞乙基烷基苯醚和pullonic非離子表面活性劑(環(huán)氧乙烷和環(huán)氧丙烷的加成物)。
可用于本發(fā)明的表面活性劑的例子包括陰離子表面活性劑、陽(yáng)離子表面活性劑、非離子表面活性劑、兩性離子表面活性劑、陰離子表面活性劑與非離子表面活性劑的組合、陰離子表面活性劑與兩性離子表面活性劑的組合、陽(yáng)離子表面活性劑和非離子表面活性劑的組合以及陽(yáng)離子表面活性劑與兩性離子表面活性劑的組合。磨料油在該磨料料漿中的引入量為0.1-10％(重量)，優(yōu)選地為1-5％(重量)。陰離子表面活性劑
適用于本發(fā)明的陰離子表面活性劑的例子包括金屬皂類如棕櫚酸鈉、硬脂酸鈉、油酸鈣、硬脂酸鋁和棕櫚酸鈉鉀、烷基聚氧亞乙基醚羧酸鹽、烷基苯基聚氧亞乙基醚羧酸鹽、硫酸化的脂肪酸烷基酯、硫酸單?；视王?、仲烷磺酸酯、N-酰基-N-甲基酒石酸酯、十二烷基苯磺酸鈉、烷基醚磷酸、烷基聚氧亞乙基磷酸酯、烷基苯聚氧亞乙基磷酸酯、萘磺酸鈉、全氟烷基磷酸酯和磺酸改性的硅油。
這些陰離子表面活性劑中優(yōu)選的是HLB不低于5的金屬皂類、磺酸類陰離子表面活性劑、磷酸酯類陰離子表面活性劑、氟基陰離子表面活性劑和氯基陰離子表面活性劑以及上述兩種或多種陰離子表面活性劑的組合。
陰離子表面活性劑在該料漿中的引入量為0.05-2％(重量)，優(yōu)選地為0.5-1％(重量)。如果陰離子表面活性劑的量低于0.05％(重量)，所獲得的磨料料漿具有較差的顆粒分布，因此容易發(fā)生顆粒沉降。甚至陰離子表面活性劑的量超過(guò)2％(重量)，也不能獲得進(jìn)一步提高分散性和磨蝕速度的效果?？紤]到廢水處理，陰離子表面活性劑在料漿中的引入量最好較小。非離子表面活性劑適用于本發(fā)明的非離子表面活性劑的例子包括聚氧亞乙基烷基醚、聚氧亞乙基烷基苯醚、pullonic非離子表面活性劑(環(huán)氧乙烷和環(huán)氧丙烷的加成物)、脂肪酸聚氧乙烯酯、脂肪酸聚氧乙烯脫水山梨糖醇酯、聚氧乙烯蓖麻油、脂肪酸蔗糖以及聚氧亞乙基氧亞丙基烷基醚。
這些非離子表面活性劑的特定例子包括二月桂酸聚乙二醇酯、十三烷基聚氧乙烯醚、壬基苯基聚氧乙烯醚和單硬脂酸聚乙二醇。這些非離子表面活性劑中優(yōu)選的是那些HLB不低于10的。
非離子表面活性劑的引入量為0.1-10％(重量)。兩性離子表面活性劑適用于本發(fā)明的兩性離子表面活性劑的例子包括用N-烷基硫甜菜堿改性的硅油、N-烷基次氨基三乙酸、N-烷基二甲基甜菜堿、α-三甲基氨脂肪酸、N-烷基-β-氨基丙酸、N-烷基-β-次氨基二丙酸鹽、N-烷氧基甲基-N，N-二乙基甜菜堿、2-烷基咪唑啉衍生物和N-烷基硫甜菜堿。
如果與陰離子表面活性劑組合起來(lái)使用，則非離子表面活性劑或兩性離子表面活性劑的量以1份重量陰離子表面活性劑計(jì)為0.1-5份重量。將非離子表面活性劑或兩性離子表面活性劑與陰離子表面活性劑組合起來(lái)使用可以提高料漿的存放穩(wěn)定性。
非離子表面活性劑或兩性離子表面活性劑在該磨料料漿中的含量為0.1-10％(重量)，優(yōu)選地為0.1-5％(重量)。如果非離子表面活性劑或兩性離子表面活性劑的含量低于0.1％(重量)，則就沒(méi)有提高磨料料漿存放穩(wěn)定性的作用，如果非離子表面活性劑或兩性離子表面活性劑的含量超過(guò)10％(重量)，也不會(huì)進(jìn)一步提高分散性。磨料輔助料除了上述組分(a)、(b)、(c)和(d)和水分散劑以外，還可以在該料漿中加入其它磨料輔助料。這些磨料輔助料的例子包括分散助劑、防銹劑、消泡劑、pH調(diào)節(jié)劑和防霧劑。分散助劑的例子包括六偏磷酸鈉、油酸和磷酸—?dú)溻}。pH調(diào)節(jié)劑的例子包括氫氧化鉀、氫氧化鈉、嗎啉和氨水。防銹劑的例子包括含氮有機(jī)化合物如鏈烷醇胺—鏈烷醇硼酸鹽濃縮物、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、鏈烷醇胺硼酸鹽和苯并異噻唑啉。消泡劑的例子包括液體石蠟、二甲基硅油、硬脂酸單甘油酯和硬脂酸二甘油酯，以及一棕櫚酸山梨糖醇酯。
下面將用實(shí)施例來(lái)進(jìn)一步描述本發(fā)明。實(shí)施例1將0.5份重量硝酸鋁溶解在45份重量水中，該水已經(jīng)通過(guò)0.1微米盒式過(guò)濾器過(guò)濾。另外將0.5份重量用作螯合劑的乙二胺四乙酸二鈉溶解在50份重量水中，該水也已經(jīng)通過(guò)0.1微米盒式過(guò)濾器過(guò)濾。將這兩種溶液混合。將由此獲得的混合物在23℃恒溫下存放1-5天，而后測(cè)定沉淀物(透明晶體)的量。
基于溶液的重量的晶體量如下1天后0.008％(重量)2天后0.036％(重量)3天后0.125％(重量)4天后0.138％(重量)5天后0.140％(重量)5天后，通過(guò)過(guò)濾將晶體從溶液中除去。
將93.5份重量濾液與2.5份重量平均顆粒直徑為0.5微米的氧化鋁顆粒、1.0份重量月桂醇聚氧乙烯醚和2.0份重量聚乙二醇(分子量為300)通過(guò)均化器混合，從而制得一種磨料料漿。
該磨料料漿含有可以引起劃痕的幾乎不溶于水的螯合鋁鹽或螯合鎳鹽，其量在制備后存放1個(gè)月以后，不超出0.1％(重量)。
將復(fù)合磁頭的Wf壓向粘附在摩擦盤(pán)上的磨料墊，同時(shí)將由此獲得的磨料料漿滴加其上。在下列條件下進(jìn)行摩蝕。
盤(pán)轉(zhuǎn)速50轉(zhuǎn)/分鐘Wf轉(zhuǎn)速50轉(zhuǎn)/分鐘Wf壓力400克/平方厘米摩擦?xí)r間2分鐘用AFT來(lái)評(píng)價(jià)經(jīng)過(guò)摩蝕的氧化鋁和NiFe每平方微米的表面粗糙度。結(jié)果氧化鋁和NiFe均具有大約50埃的Rmax和大約6埃的Ra。
此外，氧化鋁與NiFe的高度差為700埃。
而后通過(guò)用激光束對(duì)合金表面進(jìn)行表面缺陷測(cè)定，以確定長(zhǎng)度不超過(guò)20微米、寬度為1-3微米的劃痕的數(shù)量。結(jié)果，沒(méi)有發(fā)現(xiàn)微劃痕。參考實(shí)施例將0.5份重量硝酸鋁和0.5份重量乙二胺四乙酸二鈉溶解在95份重量已經(jīng)0.1微米盒式過(guò)濾器過(guò)濾的水中。將由此制得的溶液在23℃恒熱下存放1-5天，以測(cè)定沉淀物(透明晶體)的量。
1天后 0.189％(重量)2天后 0.190％(重量)3天后 0.198％(重量)4天后 0.203％(重量)5天后 0.204％(重量)對(duì)比實(shí)施例1將0.5份重量硝酸鋁和0.5份重量乙二胺四乙酸二鈉溶解在93.5份重量已經(jīng)0.1微米盒式過(guò)濾器過(guò)濾的水中。而后將該溶液與2.5份重量平均顆粒直徑為0.5微米的氧化鋁顆粒、1.0份重量月桂醇聚氧乙烯醚和2.0份重量聚乙二醇(分子量為200)通過(guò)均化器混合，以制得一種磨料料漿。
將由此制得的溶液在使用前存放3天。
而后與實(shí)施例1相同的方式用由此制得的磨料料漿摩蝕復(fù)合磁頭。結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)有3個(gè)長(zhǎng)度不小于20微米的劃痕。實(shí)施例2將0.5份重量硫酸鋁溶解在45份重量水中，該水已經(jīng)通過(guò)0.1微米盒式過(guò)濾器過(guò)濾。另外將0.5份重量的用作螯合劑的二乙三胺五乙酸鈉溶解在50份重量水中，該水也已經(jīng)通過(guò)0.1微米盒式過(guò)濾器過(guò)濾。將這兩種溶液混合。將由此獲得的混合物在23℃恒溫下存放1-5天，而后測(cè)定沉淀物(透明晶體)的量。
基于溶液重量的晶體量如下1天后 0.011％(重量)2天后 0.052％(重量)3天后 0.130％(重量)4天后 0.150％(重量)5天后 0.151％(重量)5天后，通過(guò)過(guò)濾將晶體從溶液中除去。
將93.5份重量濾液與2.5份重量的平均顆粒直徑為0.5微米的氧化鋁顆粒、1.0份重量月桂醇聚氧乙烯醚和2.0份重量聚乙二醇(分子量為300)通過(guò)均化器混合，從而制得一種磨料料漿。
將由此制得的磨料料漿在使用前存放3天。
該磨料料漿含有可以引起劃痕的幾乎不溶于水的螯合鋁鹽或螯合鎳鹽，其量在制備后存放1個(gè)月以后仍不超出0.1％(重量)。
而后以與實(shí)施例1相同的方式用由此制得的磨料料漿摩蝕復(fù)合磁頭。結(jié)果，沒(méi)有發(fā)現(xiàn)長(zhǎng)度不小于20微米的劃痕。
本發(fā)明的磨料料漿可以滿足復(fù)合材料表面粗糙度的要求，并且即使在形成薄膜磁頭，特別是復(fù)合薄膜磁頭元件的過(guò)程中在將其用于水平磨蝕中時(shí)也能夠保持不同材料水平之間的差距。
圖1A和1B是表示采用本發(fā)明的磨料料漿對(duì)半導(dǎo)體集成電路的多層布線進(jìn)行平整化過(guò)程的實(shí)施方案的截面圖。如圖1A中所示，在場(chǎng)氧化層30上形成由氧化硅層形成的中間絕緣層32，該場(chǎng)氧化層是在硅質(zhì)基體(未示出)上形成的。在該場(chǎng)氧化層30上形成多種金屬布線圖31。中間絕緣層32中的凸出部分32a是在集中金屬布線圖的部分上形成。圖1B表示用本發(fā)明的磨料料漿磨平的中間絕緣層32的表面。
由圖1B可以明顯看出，根據(jù)本發(fā)明，不僅集中金屬布線的凸出部分32a而且位于凸出部分32a之間的部分也被精確磨平。因此中間絕緣層上的布線層(未示出)不可能破裂及由于電子遷移而發(fā)生問(wèn)題。因此在半導(dǎo)體集成電路的多層布線結(jié)構(gòu)中，裝置的可靠性和生產(chǎn)產(chǎn)量可以明顯提高。
圖2A-2C是表示薄膜磁頭和屏蔽層和上部磁極的磁極極點(diǎn)的磨平過(guò)程的實(shí)施方案的截面圖。在圖2A中，在由altic制成的基體40上形成由氧化鋁制成的絕緣層41。在絕緣層41上形成用于由磁性材料如坡莫合金(NiFe)等制成的閱讀頭的下部屏蔽層42。而后在下部屏蔽層42上形成由氧化鋁制成的絕緣層43。凸出部分43a是在位于下部屏蔽層42上的絕緣層43中形成的。
在圖2B中，絕緣層43的表面已經(jīng)用本發(fā)明的磨料料漿磨平了。在這種情況下，該薄膜磁頭的表面被磨平到下部屏蔽層42暴露到絕緣層43的表面。
而后，如圖2C中所示，形成下部屏蔽間隙膜44、磁阻效應(yīng)層45、與磁阻效應(yīng)層相連的拉出電極層(鉛絲)46、上部屏蔽間隙膜47和上部屏蔽層/下部磁極48。而后形成絕緣層49，并且用本發(fā)明的磨料料漿摩蝕該絕緣層的表面。另外再形成記錄間隙膜50和極點(diǎn)51a。然后，形成由氧化鋁制成的絕緣層52，再對(duì)絕緣層52進(jìn)行摩蝕。最后形成薄膜線圈(未示出)、上部磁層(頂極)51b和覆蓋層(未示出)等，以完成該薄膜磁頭的制造過(guò)程。
因此在制造該薄膜磁頭的同時(shí)，每一層絕緣層均可以用本發(fā)明的磨料料漿磨蝕。因此該裝置的可靠性和生產(chǎn)產(chǎn)量可以明顯提高。順使說(shuō)一下，盡管在上述實(shí)施方案中絕緣層被磨蝕，但本發(fā)明不限于此。舉例來(lái)說(shuō)，可以以上述方式磨蝕磁層。
權(quán)利要求
1.一種制備磨料料漿的方法，它包括下列步驟制備選自可溶于水的無(wú)機(jī)鋁鹽和鎳鹽中的至少一種的無(wú)機(jī)鹽溶液和可溶于水的螯合劑溶液；將這兩種溶液混合；存放該混合溶液，以析出幾乎不溶于水的晶體；由該溶液中除去該幾乎不溶于水的晶體；以及將該溶液與平均顆粒直徑為0.05-1微米的氧化鋁粒、磨料油和所需量的水介質(zhì)混合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的制備磨料料漿的方法，其中將該混合溶液存放1天或更長(zhǎng)時(shí)間，以析出幾乎不溶于水的晶體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的制備磨料料漿的方法，其中所說(shuō)的無(wú)機(jī)鹽是至少一種選自鋁或鎳的硝酸鹽、鹽酸鹽、硫酸鹽、磷酸鹽和硫代硫酸鹽的無(wú)機(jī)鹽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的制備磨料料漿的方法，其中所說(shuō)的無(wú)機(jī)鹽是硝酸鋁。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的制備磨料料漿的方法，其中所說(shuō)的螯合劑是乙二胺四乙酸二鈉、乙三胺五乙酸鈉。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的制備磨料料漿的方法，其中所說(shuō)的磨料油是至少一種選自聚亞乙基烷基醚、聚氧亞乙基烷基苯醚和pullonic非離子表面活性劑(環(huán)氧化乙烷和環(huán)氧丙烷的加成物)、脂肪酸聚氧乙烯酯、聚氧亞乙基氧亞丙基烷醚、乙二醇、四甲二醇、二乙二醇、丙二醇和聚乙二醇的磨料油。
7.一種磨料料漿，它包括平均顆粒直徑為0.05-1微米且數(shù)量為0.1-10％(重量)的氧化鋁粒；選自可溶于水的無(wú)機(jī)鋁鹽和鎳鹽且數(shù)量為0.1-3％(重量)的一種無(wú)機(jī)鹽；數(shù)量為0.1-3％(重量)的可溶于水的螯合劑；數(shù)量為0.1-10％(重量)的磨料油；以及數(shù)量不超過(guò)0.1％(重量)的幾乎不溶于水的螯合鋁鹽或螯合鎳鹽。
8.一種用于磨蝕半導(dǎo)體集成電路的方法，其中在制造該半導(dǎo)體集成電路層結(jié)構(gòu)的同時(shí)，用一種磨料料漿磨蝕至少一層，所說(shuō)的磨料料漿包括平均顆粒直徑為0.05-1微米且數(shù)量為0.1-10％(重量)的氧化鋁粒、選自可溶于水的無(wú)機(jī)鋁鹽和鎳鹽且數(shù)量為0.1-3％(重量)的無(wú)機(jī)鹽、數(shù)量為0.1-3％(重量)的可溶于水的螯合劑以及數(shù)量為0.1-10％(重量)的磨料油；其中所說(shuō)的幾乎不溶于水的螯合鋁鹽或螯合鎳鹽在所說(shuō)的可溶于水的磨料料漿中的含量不超過(guò)0.1％(重量)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的用于磨蝕半導(dǎo)體集成電路的方法，其中至少一層絕緣層被磨蝕。
10.一種用于磨蝕磁性薄膜磁頭的方法，其中在制造該磁性薄膜磁頭的同時(shí)，用一種磨料料漿磨蝕至少一層，所說(shuō)的磨料料漿包括平均顆粒直徑為0.05-1微米且數(shù)量為0.1-10％(重量)的氧化鋁粒、選自可溶于水的無(wú)機(jī)鋁鹽和鎳鹽且數(shù)量為0.1-3％(重量)的無(wú)機(jī)鹽、數(shù)量為0.1-3％(重量)的可溶于水的螯合劑以及數(shù)量為0.1-10％(重量)的磨料油；其中所說(shuō)的幾乎不溶于水的螯合鋁鹽或螯合鎳鹽在所說(shuō)的可溶于水的磨料料漿中的含量不超過(guò)0.1％(重量)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的用于磨蝕磁性薄膜磁頭的方法，其中至少一層絕緣層被磨蝕。
12.一種通過(guò)磨料料漿來(lái)磨蝕薄膜的方法，所說(shuō)的磨料料漿包括平均顆粒直徑為0.05-1微米且數(shù)量為0.1-10％(重量)的氧化鋁粒、選自可溶于水的無(wú)機(jī)鋁鹽和鎳鹽且數(shù)量為0.1-3％(重量)的無(wú)機(jī)鹽、數(shù)量為0.1-3％(重量)的可溶于水的螯合劑以及數(shù)量為0.1-10％(重量)的磨料油；其中所說(shuō)的幾乎不溶于水的螯合鋁鹽或螯合鎳鹽在所說(shuō)的可溶于水的磨料料漿中的含量不超過(guò)0.1％(重量)。
全文摘要
一種磨料料漿,它含有氧化鋁粒、一種無(wú)機(jī)鹽、一種可溶于水的螯合劑、一種磨料油和一種幾乎不溶于水的螯合鋁鹽或螯合鎳鹽。該氧化鋁粒的平均顆粒直徑為0.05—1微米且數(shù)量為0.1—10%(重量)。該無(wú)機(jī)鹽選自可溶于水的無(wú)機(jī)鋁鹽和鎳鹽且數(shù)量為0.1—3%(重量)。該可溶于水的螯合劑的數(shù)量為0.1—3%(重量)。該磨料油的數(shù)量為0.1—10%(重量)。幾乎不溶于水的螯合鋁鹽或螯合鎳鹽的數(shù)量不超過(guò)0.1%(重量)。這種磨料料漿可用于在生產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路和磁性薄膜磁頭的同時(shí)磨蝕其絕緣層。
文檔編號(hào)G11B5/31GK1251380SQ9912240
公開(kāi)日2000年4月26日 申請(qǐng)日期1999年10月5日 優(yōu)先權(quán)日1998年10月5日
發(fā)明者久保田俊雄, 山田勉 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社