專(zhuān)利名稱(chēng)：：磁記錄介質(zhì)和使用該介質(zhì)的磁記錄/再現(xiàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)和使用該介質(zhì)的磁記錄/再現(xiàn)裝置，尤其涉及潤(rùn)滑劑的改善。
背景技術(shù)：
：磁記錄介質(zhì)廣泛用來(lái)作為錄音帶、錄像帶、備份數(shù)據(jù)帶、軟磁盤(pán)、硬磁盤(pán)等。作為這種磁記錄介質(zhì)，使用的是將含有非常微細(xì)的強(qiáng)磁性粉末和粘結(jié)劑的磁性涂料在非磁性支撐體上涂布、干燥而形成磁性層的所謂涂布型磁記錄介質(zhì)(媒體)，或借助于蒸發(fā)沉積等手段在非磁性支撐體上被覆形成強(qiáng)磁性金屬材料而形成磁性層的所謂金屬薄膜型的磁記錄介質(zhì)(媒體)。不過(guò)，在這些磁記錄介質(zhì)中，為了使間隔損失(spacingloss)降到最低限度，力求做到磁性層表面的平滑化。在高密度記錄中，由于所使用的記錄波長(zhǎng)短，容易受表面糙度影響，因而表面糙度的控制特別重要。然而，磁性層表面的平滑性越良好，對(duì)磁頭或?qū)л伒然^部件的實(shí)質(zhì)性接觸面積就越大。因此，磁性層表面的平滑性良好的磁記錄介質(zhì)的摩擦系數(shù)大，在走帶過(guò)程中容易與滑動(dòng)部件發(fā)生凝聚現(xiàn)象(所謂貼附)，因而有走帶性、耐久性不足等諸多問(wèn)題。例如，在8mm錄像帶走帶機(jī)構(gòu)中，如果磁帶的磁性層表面與導(dǎo)銷(xiāo)的摩擦系數(shù)大，就會(huì)引起磁帶爬行(stickslip)，并發(fā)生所謂帶鳴這樣的現(xiàn)象，從而誘發(fā)再現(xiàn)圖像疤痕。此外，當(dāng)像暫停狀態(tài)這樣磁頭在磁帶上同一個(gè)位置高速滑動(dòng)時(shí)，如果磁帶的磁性層表面與磁頭的摩擦系數(shù)大，則由此引起的磁性層磨耗或因此而發(fā)生的再現(xiàn)輸出水平下降便成為問(wèn)題。此外，在以硬盤(pán)等為代表的磁記錄再現(xiàn)裝置上，一般使用的是磁盤(pán)停止時(shí)磁頭與磁盤(pán)接觸，而啟動(dòng)時(shí)磁盤(pán)高速旋轉(zhuǎn)，且磁頭隨之從磁盤(pán)表面浮上，在這種狀態(tài)下進(jìn)行記錄再現(xiàn)的浮上方式。在這樣的浮上方式中，啟動(dòng)時(shí)從磁盤(pán)開(kāi)始旋轉(zhuǎn)到磁頭浮上之間，和運(yùn)動(dòng)停止時(shí)從磁頭與磁盤(pán)接觸到磁盤(pán)停止旋轉(zhuǎn)之間，磁頭都是在磁盤(pán)上滑動(dòng)。此時(shí)磁頭與磁盤(pán)之間的摩擦成為大問(wèn)題，也成為磁記錄介質(zhì)和磁頭的磨耗性縮少的原因。這種磨耗損傷若達(dá)到磁性層，就會(huì)破壞磁性層中記錄的信息，發(fā)生所謂磁頭破壞(headcrash)現(xiàn)象。因此，為了改善這些問(wèn)題，已經(jīng)做了嘗試，以使?jié)櫥瑒┗蛘邇?nèi)添于上述磁記錄介質(zhì)的磁性層中，或者涂布在磁性層表面而形成潤(rùn)滑膜，從而抑制摩擦系數(shù)。而且，也做了另一個(gè)嘗試，即把碳、氧化物、碳化物、氮化物等組成的保護(hù)層覆蓋到磁性層上，進(jìn)而在保護(hù)層上涂布潤(rùn)滑劑以形成潤(rùn)滑膜，使磁記錄介質(zhì)本身的耐磨耗性提高，從而防止上述磁頭破壞等。這樣的可用于磁記錄介質(zhì)中的潤(rùn)滑劑要求其性質(zhì)上嚴(yán)格的特性，一般要求具有以下列舉的特性(1)耐熱性、化學(xué)穩(wěn)定性?xún)?yōu)異；(2)低溫特性?xún)?yōu)異，即使在寒冷地區(qū)使用時(shí)也能確保預(yù)定潤(rùn)滑效果；(3)由于與磁頭的間隔會(huì)成為問(wèn)題，因而應(yīng)能做得極薄，而即使在這種情況下也能發(fā)揮令人滿(mǎn)意的潤(rùn)滑特性；(4)耐長(zhǎng)時(shí)間使用，能長(zhǎng)期保持潤(rùn)滑效果?，F(xiàn)在，作為能滿(mǎn)足這樣一些特性的潤(rùn)滑劑，已經(jīng)有人進(jìn)行了各種各樣的探討，就使用得最多的潤(rùn)滑劑而言，可以列舉硬脂酸等高級(jí)脂肪酸或其酯等，以及全氟烷基聚醚類(lèi)化合物，或全氟烷基類(lèi)化合物等氟類(lèi)潤(rùn)滑劑。可是，近年來(lái)，磁記錄/再現(xiàn)裝置的高密度化突飛猛進(jìn)，因而磁頭浮上量也力求進(jìn)一步降低。進(jìn)而，作為浮上量的極限，也有人提倡邊讓磁頭總是與磁記錄介質(zhì)表面接觸邊進(jìn)行記錄/再現(xiàn)的方式，即所謂接觸方式(contectmethod)。因此，如果使浮上量降下來(lái)，則磁頭與磁記錄介質(zhì)表面的接觸滑動(dòng)時(shí)間也必然增加，因而，有必要提高潤(rùn)滑膜的連續(xù)滑動(dòng)耐久性，以期降低動(dòng)態(tài)摩擦系數(shù)或磨耗。而且隨著這種浮上量的降低，磁盤(pán)的表面糙度或波動(dòng)度也要變小，因而磁頭與磁盤(pán)之間容易發(fā)生很高的最大靜止摩擦力(以下簡(jiǎn)稱(chēng)粘著)。粘著成為磁盤(pán)不能啟動(dòng)或磁頭損傷的原因。因此，潤(rùn)滑膜的低粘著化便成為必要。進(jìn)而，在接觸方式中，磁頭滑動(dòng)器與磁盤(pán)總是接觸的，但此時(shí)任何振動(dòng)(特別是來(lái)自外部的振動(dòng))都會(huì)使磁頭滑動(dòng)器從磁盤(pán)表面浮上，并再次碰撞磁盤(pán)，從而發(fā)生磁頭破壞。為了防止這種現(xiàn)象，也有必要用一種以某種程度作用于潤(rùn)滑膜與磁頭滑動(dòng)器之間的月牙形力(meniscusforee)來(lái)使磁頭滑動(dòng)器吸附到磁盤(pán)表面上。因此，當(dāng)采用這樣的極低浮上方式或接觸方式時(shí)，有必要用一種兼?zhèn)錆?rùn)滑膜的連續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性、高月牙形力的潤(rùn)滑劑來(lái)構(gòu)成潤(rùn)滑膜。然而，一般來(lái)說(shuō)，連續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性、高月牙形力是相互矛盾的，迄今為止的一般潤(rùn)滑劑中這種兼?zhèn)涫怯邢薜?。例如，如果為了具有連續(xù)滑動(dòng)耐久性而使?jié)櫥瑢釉龊?，則不利于低粘著性。而如果為了避免粘著而使?jié)櫥さ暮穸茸儽。瑒t會(huì)使連續(xù)滑動(dòng)耐久性降低，并使?jié)櫥さ谋桓猜氏陆?。此外，即使在為了在低表面能、低粘著性、耐熱性、化學(xué)穩(wěn)定性等方面優(yōu)異而進(jìn)行了先有技術(shù)開(kāi)發(fā)的全氟聚醚類(lèi)聚合物中，也產(chǎn)生了如下問(wèn)題。在采用極低浮上方式或接觸方式的磁記錄/再現(xiàn)裝置上，已知通過(guò)磁頭滑動(dòng)器(主要構(gòu)成材料是Al2O3/TiC等氧化物類(lèi)材料)與磁盤(pán)表面接觸會(huì)使磁頭滑動(dòng)器表面磨耗，從而露出非常活潑的新生表面。全氟聚醚類(lèi)聚合物在這種活潑的新生面上非常容易分解，因而會(huì)使連續(xù)滑動(dòng)耐久性降低，并發(fā)生分解生成物附著在磁頭和磁頭滑動(dòng)器表面這樣的問(wèn)題。此外，全氟聚醚類(lèi)聚合物是氟化合物，因而當(dāng)涂布在磁記錄介質(zhì)上時(shí)，其表面就成為低表面能化和斥水性。即，潤(rùn)滑膜表面與磁頭滑動(dòng)器表面之間產(chǎn)生的月牙形力變小。因此，在采用極低浮上方式或接觸方式的磁記錄/再現(xiàn)裝置上，磁頭滑動(dòng)器不能穩(wěn)定地存在于磁記錄介質(zhì)上，磁頭振動(dòng)等變得容易引起，從而發(fā)生磁頭破壞等問(wèn)題。因此，迄今為止的一般潤(rùn)滑劑在兼?zhèn)溥B續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性、高月牙形力方面是有極限的。發(fā)明公開(kāi)本發(fā)明的目的是提供一種保持了能滿(mǎn)足連續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性、高月牙形力等全部特性的潤(rùn)滑劑的磁記錄介質(zhì)，和使用了該介質(zhì)的磁記錄/再現(xiàn)裝置。本發(fā)明者等人反復(fù)進(jìn)行銳意研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)以特定的單環(huán)結(jié)構(gòu)液晶分子、二環(huán)結(jié)構(gòu)液晶分子、三環(huán)結(jié)構(gòu)液晶分子作為潤(rùn)滑劑，將其保持在磁記錄介質(zhì)的最外層，就能達(dá)到滿(mǎn)足連續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性、高月牙形力等全部潤(rùn)滑特性的優(yōu)異潤(rùn)滑效果，終于完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在非磁性支撐體上形成了至少一個(gè)磁性層的磁記錄介質(zhì)中，使含有通式(A)或通式(A′)所示的單環(huán)液晶分子、通式(B)或通式(B′)所示的二環(huán)液晶分子、通式(C)乃至通式(C″)所示的二環(huán)液晶分子、通式(D)或通式(D′)所示的三環(huán)液晶分子中任何一種的潤(rùn)滑劑保持在最外層。L—X1—R···通式(A)(式中，X1是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L、R是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，L—X2···一般式(A′)(式中，X2是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，L—X—Y1···通式(B)(式中，X、Y1是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，—L—X—Y2—R···通式(B′)(式中，X、Y2是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L、R是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，(式中，X3是具有鏈狀結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，Y1是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，且L、R是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，(式中，X3是具有鏈狀結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，Y2是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，Y3—X3—Y4···通式(C″)(式中，X3是具有鏈狀結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，Y3、Y4是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)。)L—W—X—Y5···通式(D)(式中，W、X4、Y5是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，L—W—X4—Y6—R···通式(D′)(式中，W、X4、Y6是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L、R是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，上述潤(rùn)滑劑既可以涂布于磁性層表面，也可以?xún)?nèi)添于磁性層中。此外，當(dāng)磁性層是金屬磁性薄膜并在金屬磁性薄膜上形成了保護(hù)膜時(shí)，上述潤(rùn)滑劑也可以涂布在保護(hù)膜表面。進(jìn)而，當(dāng)在與非磁性支撐體的磁性層形成面相反的那一面上形成了背面涂層(backcoat)時(shí)，上述潤(rùn)滑劑既可以涂布在背面涂層表面，也可以?xún)?nèi)添于背面涂層中。當(dāng)在非磁性支撐體與磁性層之間形成了非磁性層時(shí)，上述潤(rùn)滑劑也可以?xún)?nèi)添于非磁性層中。另一方面，本發(fā)明涉及的磁記錄/再現(xiàn)裝置有記錄信息的磁記錄介質(zhì)，和把信息記錄于磁記錄介質(zhì)中和/或使之再現(xiàn)的磁頭，磁記錄介質(zhì)和磁頭各自表面的幾何學(xué)平均面之間的最小間隔是50nm以下。而且，上述磁記錄介質(zhì)的特征在于，在與磁頭相對(duì)的最外層中保持著含有以上所述的通式(A)或通式(A′)所示單環(huán)液晶分子、通式(B)或通式(B′)所示二環(huán)液晶分子、通式(C)乃至通式(C″)所示二環(huán)液晶分子、通式(D)或通式(D′)所示三環(huán)液晶分子中任何一種的潤(rùn)滑劑。本發(fā)明中使用的潤(rùn)滑劑含有當(dāng)從固體向液體的相轉(zhuǎn)變發(fā)生時(shí)具有液體與固體之間的性質(zhì)的液晶分子。因此，本發(fā)明的潤(rùn)滑劑能通過(guò)相轉(zhuǎn)變釋放滑動(dòng)所給予的動(dòng)能。而且，含有這種液晶分子的潤(rùn)滑劑當(dāng)滑動(dòng)能量小(或無(wú)摩擦)時(shí)以固體性質(zhì)存在，因而是低粘著性的，而一旦受到因碰撞而產(chǎn)生的滑動(dòng)能量作用時(shí)就發(fā)生相轉(zhuǎn)變而變成液體性質(zhì)的，從而產(chǎn)生了使之移向磁頭的月牙形力。這樣，本發(fā)明含有液晶分子的潤(rùn)滑劑能借助于因滑動(dòng)而得到的摩擦能量發(fā)生相轉(zhuǎn)變而成為液體，因而能滿(mǎn)足低粘著性、高月牙形力這兩個(gè)特性。此外，上述各液晶分子在室溫(20℃)以上有向列相或近晶相。向列相/近晶相的液晶分子容易以分子長(zhǎng)軸對(duì)基板面垂直的方式排列，從而在基板上形成一層厚膜，因而可以認(rèn)為，即使在重復(fù)滑動(dòng)而使?jié)櫥瑒┓肿又饾u磨耗減少的情況下也是耐久性?xún)?yōu)異的。與此相反，膽甾相的液晶分子容易以分子長(zhǎng)軸對(duì)基板面平行的方式排列，因而可以認(rèn)為，當(dāng)重復(fù)滑動(dòng)而使?jié)櫥瑒┓肿又饾u磨耗減少時(shí)，潤(rùn)滑劑分子容易磨耗(剝離)，耐久性不能令人滿(mǎn)意。而且，顯示向列相/近晶相的液晶分子由于能在一定方向上取向，因而可以認(rèn)為能得到局部高粘度。與此相反，顯示膽甾相的液晶中，取向面是邊扭曲邊成層的，因而分子間力便平均化了，不能得到因取向而產(chǎn)生的局部高粘度，從而不利于釋放滑動(dòng)所產(chǎn)生的摩擦能量。這樣，本發(fā)明中使用的潤(rùn)滑劑能通過(guò)相轉(zhuǎn)變釋放滑動(dòng)所給予的動(dòng)能，而且由于發(fā)生向液體的相轉(zhuǎn)變，因而能全部滿(mǎn)足連續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性、高月牙形力的潤(rùn)滑特性。本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)和磁記錄/再現(xiàn)裝置，由于最外層中有這樣的潤(rùn)滑層，因而在各種使用條件下都能保持優(yōu)異的潤(rùn)滑性能，并能長(zhǎng)時(shí)間保持潤(rùn)滑效果，從而成為走行性、耐磨耗性、耐久性均優(yōu)異者。進(jìn)而，本發(fā)明中使用的潤(rùn)滑劑，與先有技術(shù)氟類(lèi)潤(rùn)滑劑只能用氟類(lèi)溶劑涂布比較而言，有可能用甲苯、丙酮等烴類(lèi)溶劑涂布，因而也能減少對(duì)環(huán)境造成的負(fù)荷。實(shí)施本發(fā)明的最佳形態(tài)以下詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)。本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)，其特征在于在非磁性支撐體上形成至少一個(gè)磁性層，并在最外層中保持一種含有液晶分子的潤(rùn)滑劑。其中，作為可以作為潤(rùn)滑劑使用的液晶分子，第1，可以列舉通式(A)或通式(A′)所示的單環(huán)液晶分子。L—X1—R···通式(A)(式中，X1是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L、R是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，L—X2···一般式(A′)(式中，X2是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，上述通式(A)中，X1所示的原子團(tuán)較好的是從通式(X1-1)～通式(X1-18)所示的環(huán)式結(jié)構(gòu)中選擇。(式中，a1、a2是碳原子或氮原子，構(gòu)成環(huán)的鍵是單鍵或雙鍵。)(式中，a3、a4是碳原子、氮原子或氧原子，且構(gòu)成環(huán)的鍵是單鍵或雙鍵。)(式中，a5是氫或甲基，a6是氫、甲基或氰基，a8、a9是氧或碳原子，a7可以是氧原子也可以沒(méi)有，且構(gòu)成環(huán)的鍵是單鍵或雙鍵。)(式中，a10、a11是氧原子或硫原子中任何一種。)(式中，a12、a13是氧原子或硫原子中任何一種。)(式中，a14、a15、a16、a17是氧原子或硫原子中任何一種。)(式中，a18是氫原子、溴原子、甲基、氨基、烷胺基中任何一種。)此外，上述通式(A′)中，X2所示的原子團(tuán)較好的是從通式(X2-1)、(X2-2)所示的環(huán)式結(jié)構(gòu)中選擇。作為可以作為潤(rùn)滑劑使用的液晶分子，第2，可以列舉通式(B)或通式(B′)所示的二環(huán)液晶分子。L—X—Y1···通式(B)(式中，X、Y1是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，—L—X—Y2—R···通式(B′)(式中，X、Y2是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L、R是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，上述通式(B)或通式(B′)所示的液晶分子中，X所示的原子團(tuán)較好的是下述通式(X-1)所示的六元環(huán)結(jié)構(gòu)，或下述通式(X-2)所示的稠合環(huán)結(jié)構(gòu)。(式中，a1是碳或氮原子，a2、a3、a4、a5是碳或氧原子；構(gòu)成環(huán)的鍵是單鍵或雙鍵。)(式中，a6是碳原子或氧原子，a7是碳原子或氮原子。)此外，上述通式(B)所示的液晶分子中，Y1所示的原子團(tuán)較好的是從下述通式(Y-1)～通式(Y-6)所示的環(huán)式結(jié)構(gòu)中選擇。(式中，a8是O、S、SO、SO2中任何一種。)而且，上述通式(B′)所示的液晶分子中，Y2所示的原子團(tuán)較好的是從下述通式(Y-7)～通式(Y-31)所示的環(huán)式結(jié)構(gòu)中選擇。(式中，a9、a10、a11、a12是碳原子或氮原子；在氮原子的情況下，也可以形成N-氧化物。)(式中，a13、a14、a15、a16中不毗鄰的任意2個(gè)原子也可以有氧或硫原子取代。)(式中，a17、a18中至少一個(gè)以上是有氮原子取代的。)(式中，a19、a20、a21是碳或氧原子。)(式中，a22、a23、a24是碳或氧原子。)(式中，a25、a26、a27是碳、氮原子或氧原子；構(gòu)成環(huán)的鍵是單鍵或雙鍵。)(式中，a28是碳原子、氮原子、氧原子或硫原子；a29、a30是碳原子或氮原子。)(式中，a31、a32是氧原子或硫原子。)(式中，a33是氫原子、甲基、溴原子或烷胺基。)作為可以作為潤(rùn)滑劑使用的液晶分子，第3，可以列舉通式(C)乃至通式(C″)所示的二環(huán)液晶分子。(式中，X3是具有鏈狀結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，Y1是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)；且L、R是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，(式中，X3是具有鏈狀結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，Y2是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)；L是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，Y3—X3—Y4···一般式(C″)(式中，X3是具有鏈狀結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，Y3、Y4是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)。)上述通式(C)乃至通式(C″)所示的液晶分子中，X3所示的原子團(tuán)是使兩側(cè)環(huán)式結(jié)構(gòu)交聯(lián)的原子團(tuán)，較好的是從下述通式(X3-1)～(X3-23)所示的鏈狀結(jié)構(gòu)中選擇。(式中，n＝1、2。)(式中，n＝1、2。)(式中，n＝1、2。)(式中，n＝0、1、2、3。)(式中，a1是O、S，a2是O、S、SH2、Se、Te、NH。)(式中，a3是H、CH3；a4是H、CH3。)(式中，a5是CH2、O、O-O、S-S、NH-NH。)(式中，a6是H、甲基、乙基、CN。)(式中，a7是烷基。)此外，在上述通式(C)中，Y1所示的原子團(tuán)較好的是從下述通式(Y1-1)～(Y1-32)所示的環(huán)式結(jié)構(gòu)中選擇。(式中，a8、a9、a10、a11是碳或氮原子。)(式中，構(gòu)成環(huán)的鍵中任何一個(gè)也可以是雙鍵。)(式中，a12是氧原子或硫原子，a13、a14各自是碳原子或氮原子。)(式中，a15是碳原子或氮原子。)(式中，a16、a17是CH2、氧原子、硫原子中任何一種。)(式中，構(gòu)成環(huán)的單鍵或雙鍵。)(式中，a18是甲基或氰基。)(式中，a19是H、Br、CH3、NH2、NHR、NRR′、R、R′是有機(jī)官能團(tuán)。)(式中，a20是氧原子或硫原子。)進(jìn)而，上述通式(C′)中，Y2所示的原子團(tuán)較好的是從下述通式(Y2-1)～(Y2-3)所示的環(huán)式結(jié)構(gòu)中選擇。進(jìn)而，上述通式(C″)中，Y3、Y4所示的原子團(tuán)較好的是從下述通式(Y34-1)～(Y34-3)所示的環(huán)式結(jié)構(gòu)中選擇。作為可以作為潤(rùn)滑劑使用的液晶分子，第4，可以列舉通式(D)乃至通式(D′)所示的三環(huán)液晶分子。L—W—X4—Y5···通式(D)(式中，W、X4、Y5是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，L—W—X4—Y6—R···通式(D′)(式中，W、X4、Y6是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L，R是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，上述通式(D)或通式(D′)中，W所示的原子團(tuán)較好的是從下述通式(W-1)～(W-7)所示的環(huán)式結(jié)構(gòu)中選擇。(式中，a1、a2、a3、a4是碳原子或氮原子；構(gòu)成環(huán)的鍵是單鍵或雙鍵。)(式中，a5是氧原子或硫原子，a6、a7是碳原子或氮原子。)此外，上述通式(D)或通式(D′)中，X4所示的原子團(tuán)較好的是從下述通式(X4-1)～(X4-23)所示的環(huán)式結(jié)構(gòu)中選擇。(式中，a8、a9、a10、a11是碳原子或氮原子。)(式中，a12是碳原子或氮原子。)(式中，a13是O、S、Se、Te或NH,a14、a15是碳原子或氮原子。)(式中，a16是O或NH。)(式中，a17是氧原子或硫原子。)(式中，a18、a20是氧或硫原子，a19是碳原子或硼原子。)(式中，a21、a22是碳原子或氮原子。)(式中，a23是CH2或O。)(式中，n是2、3、4中任何一個(gè)。)(式中，a24是O、S、NR、CHR(R是烷基)中任何一個(gè)。)進(jìn)而，上述通式(D)中，Y5所示的原子團(tuán)較好的是從下述通式(Y5-1)～(Y5-5)所示的環(huán)式結(jié)構(gòu)中選擇。(式中，a25、a26、a27、a28是碳原子或氮原子；構(gòu)成環(huán)的鍵是單鍵或雙鍵。)進(jìn)而，上述通式(D′)中，Y6所示的原子團(tuán)較好的是從下述通式(Y6-1)～(Y6-32)所示的環(huán)式結(jié)構(gòu)中選擇。(式中，a29、a30、a31、a32是碳原子或氮原子。)(式中，構(gòu)成環(huán)的鍵中任何一個(gè)都也可以是雙鍵。)(式中，a33是氧原子或硫原子，a34、a35是碳原子或氮原子。)(式中，a36是碳原子或氮原子。)(式中，a37、a38是CH2、O、S中任何一種。)(式中，鍵是單鍵或雙鍵。)(式中，a39是甲基或氰基。)(式中，a40是H、Br、CH3、NH2、NHR、NRR′中任何一種。)(式中，a41是氧原子或硫原子。)本發(fā)明中使用的潤(rùn)滑劑含有在從固體向液體的相轉(zhuǎn)變的同時(shí)具有液體與固體之間的性質(zhì)的液晶分子。因此，本發(fā)明的潤(rùn)滑劑能通過(guò)相轉(zhuǎn)變釋放滑動(dòng)所給予的動(dòng)能。此外，含有這種液晶分子的潤(rùn)滑劑在滑動(dòng)能量小(或無(wú)摩擦)時(shí)由于以固體性質(zhì)存在因而是低粘著性的，而一旦受到來(lái)自碰撞的滑動(dòng)能量就會(huì)發(fā)生相轉(zhuǎn)變而呈液體性質(zhì)，從而產(chǎn)生使之移向磁頭的月牙形力。這樣，含有本發(fā)明液晶分子的潤(rùn)滑劑能借助于從滑動(dòng)得到的摩擦能量發(fā)生相轉(zhuǎn)變而成為液體，因而能滿(mǎn)足低粘著性、高月牙形力這兩個(gè)特性。另一方面，在是固體潤(rùn)滑劑的情況下，滑動(dòng)所給予的動(dòng)能被用于使分子飛濺，結(jié)果，引起潤(rùn)滑劑分解。這種分解生成物會(huì)附著到磁頭、磁記錄介質(zhì)上而使滑動(dòng)性能惡化。與此相反，含有液晶分子的潤(rùn)滑劑借助于從半固體向液體的狀態(tài)變化能釋放滑動(dòng)所給予的摩擦能量，因而能抑制潤(rùn)滑劑的分解而不會(huì)使滑動(dòng)特性惡化。此外，在是液體潤(rùn)滑劑的情況下，由于流動(dòng)性高，因而能釋放滑動(dòng)所給予的摩擦能量而不伴隨潤(rùn)滑劑分解。然而，液體潤(rùn)滑劑由于流動(dòng)性大因而滑動(dòng)時(shí)會(huì)從表面流出，使基板的被覆率降低而使?jié)櫥粤⒓磫适?。與此相反，含有液晶分子的潤(rùn)滑劑以半固體/半液體的狀態(tài)存在于表面上，因而不會(huì)像液體潤(rùn)滑劑那樣因滑動(dòng)而使基板表面的覆蓋率受損，從而不會(huì)使滑動(dòng)特性惡化。而且，一般來(lái)說(shuō)，液晶分子因其分子排列而異，存在著向列相、近晶相、膽甾相這三種類(lèi)型。本發(fā)明中使用的液晶分子在室溫(20℃)以上有向列相或近晶相。向列相/近晶相的液晶分子容易以分子長(zhǎng)軸垂直于基板面的方式排列，在基板上形成厚厚的一層膜，因而可以認(rèn)為，即使在重復(fù)滑動(dòng)而使?jié)櫥瑒┓肿又饾u磨耗減少的情況下，也是耐久性?xún)?yōu)異的。與此相反，膽甾相的液晶分子容易以分子長(zhǎng)軸平行于基板面的方式排列，因而可以認(rèn)為，在重復(fù)滑動(dòng)而使?jié)櫥瑒┓肿又饾u磨耗的情況下，容易使?jié)櫥瑒┠ズ?剝離)，從而耐久性不能令人滿(mǎn)意。此外，顯示向列相/近晶相的液晶是在一定方向上取向的，因而可以認(rèn)為能得到局部高粘度。與此相反，顯示膽甾相的液晶是取向面邊扭曲邊成層的，因而可以認(rèn)為分子間力被平均化了。因此，顯示膽甾相的液晶不能得到取向所引起的局部高粘度，從而不利于釋放滑動(dòng)所產(chǎn)生的摩擦能量。這樣，本發(fā)明中使用的潤(rùn)滑劑可以通過(guò)相轉(zhuǎn)變釋放滑動(dòng)所給予的動(dòng)能，發(fā)生向液相的相轉(zhuǎn)變，因而能全部滿(mǎn)足連續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性、高月牙形力的潤(rùn)滑特性?？墒?，本發(fā)明所涉及的磁記錄介質(zhì)，既可以是把含有非常微細(xì)的強(qiáng)磁性粉末和粘結(jié)劑的磁性涂料涂布在非磁性支撐體上、干燥而形成磁性層的所謂涂布型磁記錄介質(zhì)，也可以是借助于蒸發(fā)沉積等手段使強(qiáng)磁性金屬材料在非磁性支撐體上形成被覆層而形成磁性層的所謂金屬薄膜型磁記錄介質(zhì)。在涂布型磁記錄介質(zhì)的情況下，將磁性涂料中含有上述單環(huán)式、二環(huán)式或三環(huán)式液晶分子的潤(rùn)滑劑內(nèi)添于磁性層中?；蛘咴诖判詫有纬芍?，該潤(rùn)滑劑用浸漬方式(dipping)或旋涂方式(spincoat)涂布，形成潤(rùn)滑膜。在前一種情況下，其添加量相對(duì)于強(qiáng)磁性粉末100重量份而言較好的是0.1～20重量份，更好的是0.5～10重量份。而在后一種情況下，作為潤(rùn)滑劑的涂布量，較好的是0.5～100mg/m2，更好的是1～50mg/m2。無(wú)論在哪一種情況下，只要磁記錄介質(zhì)最外層(磁性層表面)的潤(rùn)滑劑存在量少，其潤(rùn)滑效果就都不會(huì)令人滿(mǎn)意，反之，若存在量過(guò)多，則會(huì)成為磁記錄介質(zhì)貼附的原因。因此，必然要確定如上所述的最佳量。在近年來(lái)超微粒高填充(highpacking)介質(zhì)的情況下，后者能更高效率地使?jié)櫥瑒┍３衷诖判詫颖砻妗４送?，在金屬磁性薄膜型磁記錄介質(zhì)的情況下，可以在通過(guò)蒸發(fā)沉積而被覆形成磁性層之后，在磁性層上涂布含有上述液晶分子的潤(rùn)滑劑?；蛘?，為了賦予連續(xù)滑動(dòng)耐久性，也可以在由金屬磁性薄膜組成的磁性層上形成保護(hù)膜，然后在保護(hù)膜表面上涂布該潤(rùn)滑劑。作為潤(rùn)滑劑的涂布方法，可以列舉諸如浸漬法、蘭格繆爾噴射法(LB法)、噴霧法、旋涂法(spincoat)、澆鑄法、真空蒸發(fā)沉積法、分子束蒸發(fā)沉積法等。即使在這種情況下，作為潤(rùn)滑劑涂布量，較好的是0.5～100mg/m2，更好的是1～50mg/m2。而且，在潤(rùn)滑膜形成后，也可以用溶劑實(shí)施洗滌以調(diào)節(jié)涂布量。潤(rùn)滑膜形成后是否用溶劑實(shí)施洗滌，可從膜厚調(diào)整的觀點(diǎn)決定。進(jìn)而，必要時(shí)，在潤(rùn)滑膜形成后也可以進(jìn)行加熱處理或紫外線照射處理。加熱處理也因所用的潤(rùn)滑劑而異，但較好的是在70～200℃的范圍、更好的是在90～170℃的范圍內(nèi)實(shí)施。進(jìn)而，本發(fā)明中，還可以在與非磁性支撐體的磁性層形成面相反的那一面上形成底涂層(backcoat)，而且既可以在這個(gè)底涂層上涂布含有上述液晶分子的潤(rùn)滑劑，也可以在底涂層中內(nèi)添該潤(rùn)滑劑。而且，在本發(fā)明中，在非磁性支撐體與磁性層之間，還可以形成一個(gè)以得到磁性層平滑性為目的的非磁性層(下層)。這一般稱(chēng)之為多層涂布型磁記錄介質(zhì)。在這種情況下，也可以在非磁性層中內(nèi)添含有液晶分子的潤(rùn)滑劑。內(nèi)添于非磁性層中的潤(rùn)滑劑會(huì)滲到磁性層中，并最終存在于磁記錄介質(zhì)的最外層。要說(shuō)明的是，潤(rùn)滑劑的添加量，相對(duì)于非磁性粉末100重量份而言，較好的是0.1～20重量份，更好的是0.5～10重量份。這樣，本發(fā)明所涉及的磁記錄介質(zhì)，由于能使含有上述液晶分子的潤(rùn)滑劑保持在最外層，因而即使在各種使用條件下也能保持優(yōu)異的潤(rùn)滑性能，在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持潤(rùn)滑效果，并使走行性、耐磨耗性、耐久性變得優(yōu)異?？墒?，本發(fā)明適用的磁記錄介質(zhì)中構(gòu)成非磁性支撐體或磁性層的材料均可使用先有技術(shù)上已知的材料，沒(méi)有特別限定。例如，作為非磁性支撐體，可以列舉聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚-2，6萘二甲酸乙二醇酯等聚酯類(lèi)，聚丙烯等聚鏈烯類(lèi)，纖維素三乙酸酯、纖維素二乙酸酯等纖維素類(lèi)，乙烯基類(lèi)樹(shù)脂，聚亞胺類(lèi)，聚碳酸酯類(lèi)為代表的這樣一些高分子材料，或者從金屬、玻璃、陶瓷等形成的支撐體等。此外，在磁記錄介質(zhì)有涂布型磁性層的情況下，磁性層可以通過(guò)涂布一種以磁性粉末和粘結(jié)劑為主體的磁性涂料來(lái)形成，但作為這種強(qiáng)磁性粉末，可以列舉Fe、Co、Ni等金屬，F(xiàn)e-Co、Fe-Ni、Fe-Al、Fe-Ni-Al、Fe-Al-P、Fe-Ni-Si-Al、Fe-Ni-Si-Al-Mn、Fe-Mn-Zn、Fe-Ni-Zn、Co-Ni、Co-P、Fe-Co-Ni、Fe-Co-Ni-Cr、Fe-Co-Ni-P、Fe-Co-B、Fe-Co-Cr-B、Mn-Bi、Mn-Al、Fe-Co-V等合金，氮化鐵，碳化鐵等。無(wú)論如何，即使適量含有為防止還原時(shí)燒結(jié)或保持形狀等目的而添加的Al、Si、P、B等輕金屬元素，也不妨礙本發(fā)明的效果。進(jìn)而，作為強(qiáng)磁性粉末，還可以列舉γ-Fe2O3、Fe3O4、γ-Fe2O3與Fe3O4的貝陀立合金化合物、含Co的γ-Fe2O3、含Co的Fe3O4、含Co的γ-Fe2O3與Fe3O4的貝陀立合金化合物、CrO2中含有1種或多種金屬元素例如Te、Sb、Fe、B等的氧化物等。而且，六方晶系板狀鐵氧體也可以使用，而且可以列舉M型、W型、Y型、Z型的鋇鐵氧體、鍶鐵氧體、鈣鐵氧體、鉛鐵氧體，以及以控制保磁力為目的而向這些物質(zhì)中添加Co-Ti、Co-Ti-Zn、Co-Ti-Nb、Co-Ti-Zn-Nb、Cu-Zr、Ni-Ti等而得到的材料。這些強(qiáng)磁性粉末既可以每1種單獨(dú)使用，也可以并用2種以上。本發(fā)明中使用的強(qiáng)磁性粉末的比表面積，較好的是30～80m2/g，更好的是40～70m2/g。比表面積若在上述范圍內(nèi)，則隨著強(qiáng)磁性粉末形狀的微粒化，高密度記錄便成為可能，從而有可能得到噪聲特性?xún)?yōu)異的磁記錄介質(zhì)。進(jìn)而，本發(fā)明中使用的強(qiáng)磁性粉末，較好的是長(zhǎng)軸0.05～0.50μm，軸比2～15。若長(zhǎng)軸長(zhǎng)不足0.05μm，則磁性涂料中的分散變得困難；若長(zhǎng)軸長(zhǎng)超過(guò)0.50μm，則有使噪聲特性劣化之虞，因而不好。若軸比不足5，則強(qiáng)磁性粉末的取向性下降，從而使出力降低，而若軸比超過(guò)15，則有短波長(zhǎng)信號(hào)出力降低之虞，因而不好。在板狀鐵氧體的情況下，較好的是板徑0.01～0.5μm、板厚0.001～0.2μm左右。長(zhǎng)軸長(zhǎng)、軸比、板徑和板厚均采用從透射型電子顯微鏡照片中隨機(jī)選擇的100個(gè)樣品以上的平均值。本發(fā)明的磁性層中所含的粘結(jié)劑可以使用先有技術(shù)上作為磁記錄介質(zhì)用粘結(jié)劑使用的已知熱塑性樹(shù)脂、熱固性樹(shù)脂、反應(yīng)型樹(shù)脂等，較好的是數(shù)均分子量為5000～100000。作為熱塑性樹(shù)脂的實(shí)例，可以列舉聚氯乙烯、聚乙酸乙烯酯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-偏二氯乙烯共聚物、氯乙烯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-氯乙烯-偏二氯乙烯共聚物、氯乙烯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-偏二氯乙烯共聚物、甲基丙烯酸酯-偏二氯乙烯共聚物、甲基丙烯酸酯-氯乙烯共聚物、甲基丙烯酸酯-乙烯共聚物、聚氟乙烯、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、丙烯腈-丁二烯共聚物、聚酰胺樹(shù)脂、聚乙烯醇縮丁醛、纖維素衍生物(乙酸丁酸纖維素、二乙酸纖維素、三乙酸纖維素、丙酸纖維素、硝基纖維素)、苯乙烯-丁二烯共聚物、聚亞胺酯樹(shù)脂、聚酯樹(shù)脂、氨基樹(shù)脂、合成橡膠等。而作為熱固性樹(shù)脂或反應(yīng)型樹(shù)脂的實(shí)例，可以列舉苯酚樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚亞胺酯固化型樹(shù)脂、尿素樹(shù)脂、密胺樹(shù)脂、醇酸樹(shù)脂、聚硅氧烷樹(shù)脂、聚胺樹(shù)脂、脲醛樹(shù)脂等。此外，在上述所有粘結(jié)劑中，為了提高顏料分散性之目的，也可以引進(jìn)-SO3M、-OSO3M、-COOM、P＝O(OM)2等極性官能團(tuán)。在此，式中M是氫原子或鋰、鉀、鈉等堿金屬。進(jìn)而，作為上述極性官能團(tuán)，是有-NR1R2、-NR1R2R3+X-端基的側(cè)鏈型官能團(tuán)和＞NR1R2+X-的主鏈型官能團(tuán)。這里，式中R1、R2、R3是氫原子或烴基，X是氟、氯、溴、碘等鹵素離子，或者無(wú)機(jī)·有機(jī)離子。此外，還有-OH、-SH、-CN、環(huán)氧基等極性官能團(tuán)。這些極性官能團(tuán)的量，較好的是10-1～10-8mol/g，更好的是10-2～10-6mol/g。這些粘結(jié)劑既可以是1種單獨(dú)使用，但也可以是2種以上并用。磁性層中的這些粘結(jié)劑，相對(duì)于上述強(qiáng)磁性粉末或非磁性粉末100重量份而言，較好的是1～200重量份，更好的是10～50重量份。如果粘結(jié)劑的使用量過(guò)多，則磁性層中強(qiáng)磁性粉末所占的比例相對(duì)變小，因而出力降低。而且驅(qū)動(dòng)器的重復(fù)滑動(dòng)等使塑性流動(dòng)變得容易發(fā)生，從而使磁記錄介質(zhì)的走行耐久性下降。另一方面，若粘結(jié)劑的使用量過(guò)少，則磁性層變脆，從而使磁記錄介質(zhì)的走行耐久性下降。本發(fā)明中，可以并用能使上述粘結(jié)劑交聯(lián)固化的多異氰酸酯。作為這種多異氰酸酯，甲苯二異氰酸酯及其加成物、亞烷基二異氰酸酯及其加成物等。這些多異氰酸酯對(duì)上述粘結(jié)劑的配合量，相對(duì)于上述粘結(jié)劑100重量份而言，較好的是5～80重量份，更好的是10～50重量份。如上所述的強(qiáng)磁性粉末或粘結(jié)劑可以分散在溶劑中制成磁性涂料。作為這種涂料配制時(shí)可以使用的溶劑，可以列舉丙酮、甲乙酮、甲基·異丁酮、環(huán)己酮等酮類(lèi)溶劑，甲醇、乙醇、丙醇等醇類(lèi)溶劑，乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸丙酯、乳酸乙酯、乙酸乙二醇酯等酯類(lèi)溶劑，二甘醇二甲醚、2-乙氧基乙醇、四氫呋喃、二噁烷等醚類(lèi)溶劑，苯、甲苯、二甲苯等芳香族烴類(lèi)溶劑，二氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳、氯仿、氯苯等鹵代烴類(lèi)溶劑等。要注意的是，磁性涂料中必要時(shí)還可以含有磨料微粒。作為此類(lèi)磨料的實(shí)例，有氧化鋁(α、β、γ)、氧化鉻、碳化硅、鉆石、柘榴石、剛玉、氮化硼、碳化鈦、碳化硅、氧化鈦(金紅石、銳鐵礦)等。這些磨料微料，相對(duì)于強(qiáng)磁性粉末100重量份而言，較好的是20重量份以下，更好的是10重量份以下。而且，這些磨料微粒的莫氏硬度在4以上、較好在5以上，比重在2～6、較好在3～5范圍內(nèi)，平均粒徑在0.5μm以下、較好在0.3μm以下。非磁性增強(qiáng)微粒的平均粒徑同強(qiáng)磁性粉末的情況一樣，也是從透射型電子顯微鏡照片上測(cè)定、統(tǒng)計(jì)處理的。磁性涂料配制時(shí)，用混煉步驟、混合步驟、分散步驟等步驟，把上述材料配成涂料。分散和混煉時(shí)，可以用碾壓機(jī)、球磨機(jī)、砂磨機(jī)、攪拌機(jī)、捏和機(jī)、擠出機(jī)、勻化器、超聲波分散機(jī)等。然后，在磁性涂料配制后，用噴涂或輥涂等任意方法把這種磁性涂料涂布在非磁性支撐體上，干燥后形成磁性層。進(jìn)而，如有必要，將其導(dǎo)入砑光裝置上、纏繞在卷繞輥上。此外，還可以在非磁性支撐體的磁性層形成面的反面上涂布底涂層。要注意的是，在設(shè)置這樣的涂布型磁性層的情況下，為謀求磁性層的平滑化之目的，也可以在磁性層與非磁性支撐體之間形成一個(gè)將非磁性粉末分散于粘結(jié)劑中的非磁性層(下層)。在進(jìn)行這樣的多層涂布的情況下，就下層中使用的粘結(jié)劑而言，對(duì)磁性層所列舉的那些均可使用。而作為下層中含有的非磁性粉末，可以列舉諸如α-Fe2O3等非磁性氧化鐵，針鐵礦，金紅石型氧化鈦，銳鈦礦型氧化鈦，氧化錫，氧化鎢，氧化硅，氧化鋅，氧化鉻，氧化鈰，碳化鈦，BN，α-氧化鋁，β-氧化鋁，γ-氧化鋁，硫酸鈣，硫酸鋇，二硫化鉬，碳酸鎂，碳酸鈣，碳酸鋇，碳酸鍶，鈦酸鋇等。這些非磁性粉末既可以單獨(dú)使用，也可以多種混合使用。上述非磁性粉末，既可以因目的而異摻入適量雜質(zhì)，也可以為了改善分散性、賦予導(dǎo)電性、改善色調(diào)等的目的而用Al、Si、Ti、Sn、Sb、Zr等化合物進(jìn)行表面處理。非磁性粉末的比表面積，較好的是30～80m2/g，更好的是40～70m2/g。此外，非磁性層中，必要時(shí)除上述非磁性粉末外還可以含有橡膠用爐黑、熱分解碳、顏色用黑、乙炔黑等碳黑。碳黑的比表面積較好的是100～400m2/g，DBP吸油量較好的是20～200ml/100g。通過(guò)把非磁性粉末和碳黑的比表面積設(shè)定在上述范圍內(nèi)，就能使非磁性層(下層)平滑化，從而使磁性層(上層)的平滑化成為可能。這樣，得到調(diào)制噪聲特性?xún)?yōu)異、間隔損失影響小的磁記錄介質(zhì)就成為可能。進(jìn)而，在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)有金屬磁性薄膜組成的磁性層的情況下，金屬磁性薄膜可以借助于鍍膜或?yàn)R射、真空蒸發(fā)沉積法等手段使強(qiáng)磁性金屬材料連續(xù)被覆于非磁性支撐體上來(lái)形成。作為非磁性支撐體，可以用上述非磁性支撐體，但當(dāng)使用鋁合金板或玻璃板等有鋼性的基板時(shí)，基板表面上也可以形成氧化鋁膜處理等的氧化膜或Ni-P被覆膜等，以使其表面變硬。作為金屬磁性薄膜，可以列舉Fe、Co、Ni等金屬，或Co-Ni系合金、Co-Pt系合金、Co-Pt-Ni系合金、Fe-Co系合金、Fe-Ni系合金、Fe-Co-Ni系合金、Fe-Ni-B系合金、Fe-Co-B系合金、Fe-Co-Ni-B系合金等組成的面內(nèi)磁化記錄金屬磁性膜，或Co-Cr系合金薄膜。具體地說(shuō)，在面內(nèi)磁化記錄金屬磁性薄膜的情況下，可以事先在非磁性支撐體上形成Bi、Sb、Pb、Sn、Ga、In、Ge、Si、Tl等低熔點(diǎn)非磁性材料底襯層，然后從垂直方向蒸發(fā)沉積或?yàn)R射金屬磁性材料來(lái)形成金屬磁性薄膜。若在底襯層上被覆金屬磁性材料，則這些低熔點(diǎn)非磁性材料會(huì)擴(kuò)散到金屬磁性薄膜中，從而消除取向性、確保面內(nèi)各向同性，并提高了抗磁性。此外，在磁記錄介質(zhì)的表面，在形成潤(rùn)滑膜之前，為了達(dá)到提高涂膜強(qiáng)度或防銹性之目的，也可以設(shè)置碳等的保護(hù)膜。作為形成保護(hù)膜的方法，一般是濺射法或化學(xué)蒸汽沉積(CVD)法，沒(méi)有特別限定，任何一種方法都可以使用。保護(hù)膜的膜厚較好的是2～100nm，更好的是5～30nm。進(jìn)而，上述潤(rùn)滑劑必要時(shí)也可以并用防銹劑。作為防銹劑，只要是通?？梢宰鳛檫@種磁記錄介質(zhì)的防銹劑使用的，任何一種都可以使用，可以列舉諸如苯酚類(lèi)、萘酚類(lèi)、醌類(lèi)、含氮原子的雜環(huán)化合物、含氧原子的雜環(huán)化合物、含硫原子的雜環(huán)化合物等。防銹劑雖然也可以與上述潤(rùn)滑劑復(fù)合使用，但如果是在磁性層或碳等的保護(hù)膜上涂布了防銹劑層之后涂布潤(rùn)滑劑層這樣分兩層以上被覆，則效果高。本發(fā)明適用的磁記錄介質(zhì)，只要是在非磁性支撐體上形成了磁性層者，其形狀是沒(méi)有特別限定的，例如，可以是裁成8mm寬的磁帶，也可以是沖壓成3.5英寸大小圓盤(pán)狀而得到的磁盤(pán)，還可以是使用圓盤(pán)狀硬質(zhì)基板的磁盤(pán)(所謂硬盤(pán))。以下說(shuō)明本發(fā)明的磁記錄/再現(xiàn)裝置。這種磁記錄/再現(xiàn)裝置由磁盤(pán)以及能邊在這種磁盤(pán)上掃描邊對(duì)該磁盤(pán)進(jìn)行信息記錄和/或再現(xiàn)的磁頭組成。上述磁頭既可以是利用磁盤(pán)的旋轉(zhuǎn)風(fēng)力對(duì)該磁盤(pán)表面空出微小間隔而邊浮上邊掃描的浮上型磁頭，也可以是邊與磁盤(pán)表面接觸邊掃描的接觸記錄方式的磁頭。但是，在浮上型磁頭的情況下，對(duì)磁盤(pán)表面的幾何學(xué)平均面的最小間隔要達(dá)到50nm以下。而且，在這種磁記錄/再現(xiàn)裝置中，尤其作為上述磁盤(pán)，可以使用在如上所述的最外層中保持了含有通式(A)或通式(A′)、通式(B)或通式(B′)、通式(C)乃至通式(C″)或通式(D)或通式(D′)所示的液晶分子的潤(rùn)滑劑的磁記錄介質(zhì)。在這樣的磁記錄/再現(xiàn)裝置中，如果使用在最外層中保持了上述液晶分子的磁記錄介質(zhì)，則由于液晶分子有低粘著性和高月牙形力，因而對(duì)于浮上型磁頭在啟動(dòng)或停止之際的磁盤(pán)滑動(dòng)和對(duì)于接觸記錄型磁頭在記錄/再現(xiàn)之際的磁盤(pán)滑動(dòng)等，均能達(dá)到良好的滑動(dòng)耐久性，從而得到優(yōu)異的走行性、耐磨耗性、耐久性。以下說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施例和比較例，但無(wú)需說(shuō)的是本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。<涂布型磁帶的制作>實(shí)施例1首先，將下列所示組成的強(qiáng)磁性粉末、粘結(jié)劑、添加劑、潤(rùn)滑劑、溶劑混合，用擠出機(jī)混煉后，再用砂磨機(jī)分散6小時(shí)，配制一種磁性涂料。<磁性涂料組成>Fe系金屬?gòu)?qiáng)磁性粉末100重量份(矯頑磁力＝160kA/m，飽和磁化量＝145Am2/kg，比表面積＝51m2/g，長(zhǎng)軸長(zhǎng)＝0.08μm，針狀比＝3)聚氯乙烯樹(shù)脂14重量份(日本Geon公司制，MR-110)聚酯聚氨酯樹(shù)脂3重量份(東洋紡公司制，MG-130)添加劑(Al2O3)5重量份潤(rùn)滑劑(以下的液晶分子1)3重量份甲乙酮150重量份環(huán)己酮150重量份然后，向所得到的磁性涂料中添加多異氰酸酯3重量份。然后，把這種磁性層涂料在厚寬7μm的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(以下稱(chēng)PET)薄膜上涂布成厚度6.5μm，用螺線管進(jìn)行取向處理后，進(jìn)行干燥、砑光處理、硬化處理，從而形成磁性層。進(jìn)而，把下列組成的底涂料涂布到上述PET薄膜上磁性層形成面的反面。然后，把這種PET薄膜裁成8mm寬帶狀物，制成涂布型磁帶。<底涂料組成>碳黑(旭Carbon公司制，#50)100重量份聚酯聚氨酯100重量份(商品名NipporanN-2304)甲乙酮500重量份甲苯500重量份實(shí)施例2～實(shí)施例8除用下列液晶分子2～液晶分子8代替液晶分子1作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例1一樣進(jìn)行，制作涂布型磁帶。比較例1除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸代替液晶分子1作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例1一樣進(jìn)行，制作涂布型磁帶。比較例2除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸甲酯代替液晶分子1作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例1一樣進(jìn)行，制作涂布型磁帶。特性評(píng)價(jià)對(duì)于以上得到的實(shí)施例1～實(shí)施例8以及比較例1～比較例2的磁帶，進(jìn)行溫度25℃-相對(duì)濕度60％時(shí)、溫度40℃-相對(duì)濕度80％時(shí)、溫度-5℃時(shí)的摩擦系數(shù)和靜態(tài)耐久性測(cè)定。其結(jié)果列于表1、表2中。要說(shuō)明的是，摩擦系數(shù)是用一般的梭式摩擦測(cè)定器、以荷重20g、帶速度5mm/秒測(cè)定的。摩擦系數(shù)值是用運(yùn)行100遍后的值，從張力變化、用歐拉公式計(jì)算的。靜態(tài)耐久性是通過(guò)測(cè)定暫停狀態(tài)出力衰減到-3dB所需的時(shí)間來(lái)評(píng)價(jià)的。最長(zhǎng)測(cè)定時(shí)間為150分鐘。表1\>表2從表1、表2可以看出，用液晶分子1～液晶分子8作為潤(rùn)滑劑的實(shí)施例磁帶，相對(duì)于用先有技術(shù)潤(rùn)滑劑硬脂酸或硬脂酸甲酯的比較例而言，其摩擦系數(shù)降低了，并得到了優(yōu)異的靜態(tài)特性。由此可見(jiàn)，通過(guò)使用液晶分子作為潤(rùn)滑劑，能得到優(yōu)異的連續(xù)滑動(dòng)耐久性和低粘著性。<金屬薄膜型磁帶的制作>實(shí)施例9首先，在10μm厚的PET薄膜上用斜方蒸發(fā)沉積法被覆Co-Ni合金，形成了膜厚100nm的強(qiáng)磁性金屬薄膜。然后，在這種強(qiáng)磁性金屬薄膜表面上用濺射法形成了膜厚10nm的碳保護(hù)膜。然后，在這層碳保護(hù)膜上涂布與上述實(shí)施例1同樣的液晶分子1作為潤(rùn)滑劑。液晶分子1的涂布量為10mg/m2。然后，把這種PET薄膜裁成8mm寬的帶狀，制作了金屬薄膜型磁帶。實(shí)施例10～實(shí)施例16除用液晶分子2～液晶分子8代替液晶分子1作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例9一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁帶。比較例3除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸代替液晶分子1作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例9一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁帶。比較例4除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸甲酯代替液晶分子1作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例9一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁帶。特性評(píng)價(jià)對(duì)以上得到的實(shí)施例9～實(shí)施例16和比較例3～比較例4的磁帶，同實(shí)施例1一樣進(jìn)行溫度25℃-相對(duì)濕度60％時(shí)、溫度-5℃時(shí)、溫度40℃-相對(duì)濕度80％時(shí)的摩擦系數(shù)和靜態(tài)耐久性測(cè)定。其結(jié)果列于表3、表4中。表3<p>表4從表3、表4可以看出，用液晶分子1～液晶分子8作為潤(rùn)滑劑的實(shí)施例磁帶，相對(duì)于使用了先有技術(shù)潤(rùn)滑劑硬脂酸、硬脂酸甲酯的比較例而言，其摩擦系數(shù)降低了，而且能得到優(yōu)異的靜態(tài)特性。由此可見(jiàn)，通過(guò)利用液晶分子作為潤(rùn)滑劑，可以?xún)?yōu)異的連續(xù)滑動(dòng)耐久性和低粘著性。此外，如同從以上結(jié)果也可以看出的，其潤(rùn)滑效果，無(wú)論是在涂布型磁帶中還是在金屬薄膜型磁帶中，都是良好的。進(jìn)而，潤(rùn)滑膜的成膜法，無(wú)論是涂布型磁帶情況下那樣的內(nèi)添法，還是金屬薄膜型磁帶那樣的外涂層法，任何一種方法都能得到優(yōu)異的特性。<金屬薄膜型磁盤(pán)的制作>實(shí)施例17首先，在表面進(jìn)行了鏡面研磨的3.5英寸鋁合金基板上，通過(guò)依次濺射N(xiāo)iP底襯膜10μm、Cr中間層0.5μm、Co-Cr-Pt磁性層60nm、碳保護(hù)膜20nm進(jìn)行成膜。要說(shuō)明的是，這種磁盤(pán)表面的面糙度以中心線平均糙度(Ra)計(jì)是1.2nm。然后，使液晶分子1以0.01％(重量)濃度溶解于氯仿中，配制潤(rùn)滑劑。然后，通過(guò)在這種潤(rùn)滑劑中浸漬上述磁盤(pán)，使液晶分子1涂布到磁盤(pán)上。涂布條件是，在潤(rùn)滑劑中的滯留時(shí)間為180秒，從潤(rùn)滑劑中向上提升的速度為0.25mm/秒。進(jìn)而，將磁盤(pán)浸漬于純氯仿中，從磁盤(pán)上除去過(guò)量附著的液晶分子1。因此，形成了全膜厚2.5nm(用橢圓對(duì)稱(chēng)儀測(cè)定)、涂布量為10mg/m2的潤(rùn)滑膜。通過(guò)以上步驟，制作了金屬磁性薄膜型磁盤(pán)。實(shí)施例18～實(shí)施例24除用液晶分子2～液晶分子8代替液晶分子1作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例17一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁盤(pán)。比較例5除用如下氟類(lèi)潤(rùn)滑劑(分子量4000)代替液晶分子1作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例17一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁盤(pán)。HO－CH2CF2(OCF2CF2)m(OCF2)nCF2CH2OH特性評(píng)價(jià)把以上那樣得到的實(shí)施例17～實(shí)施例24和比較例5的磁盤(pán)裝進(jìn)磁記錄/再現(xiàn)裝置中，測(cè)定最大靜摩擦系數(shù)、動(dòng)摩擦系數(shù)、直至發(fā)生磁頭破壞的旋轉(zhuǎn)次數(shù)。其結(jié)果列于表5中。要說(shuō)明的是，最大靜摩擦系數(shù)是在磁頭滑動(dòng)器與磁盤(pán)接觸的狀態(tài)下使磁盤(pán)以低速旋轉(zhuǎn)，測(cè)定剛旋轉(zhuǎn)后產(chǎn)生的摩擦力。測(cè)定條件壓磁頭負(fù)荷為5g，磁盤(pán)轉(zhuǎn)速為1rpm。動(dòng)摩擦系數(shù)是在磁頭滑動(dòng)器與磁盤(pán)接觸的狀態(tài)下連續(xù)滑動(dòng)直至20萬(wàn)次，測(cè)定其間的最大摩擦力。測(cè)定條件壓磁頭負(fù)荷為5g，磁盤(pán)轉(zhuǎn)速為150rpm。要說(shuō)明的是，在20萬(wàn)次以下的旋轉(zhuǎn)次數(shù)就發(fā)生磁頭破壞的情況下，測(cè)定直至發(fā)生磁頭破壞時(shí)的最大摩擦力。磁盤(pán)的磁頭破壞是作為潤(rùn)滑膜下襯的碳保護(hù)膜完全磨耗而使磁性膜露出的狀態(tài)。若發(fā)生這種磁頭破壞，則會(huì)產(chǎn)生可以用目視法確認(rèn)的滑動(dòng)痕，因而在此時(shí)中止實(shí)驗(yàn)，記錄直至此時(shí)的旋轉(zhuǎn)次數(shù)。要注意，最大旋轉(zhuǎn)次數(shù)為20萬(wàn)次。表5<tablesid="table5"num="005"><tablewidth="676">潤(rùn)滑劑最大靜摩擦系數(shù)動(dòng)摩擦系數(shù)直至破壞的旋轉(zhuǎn)次數(shù)實(shí)施例17液晶分子10.200.21＞200k實(shí)施例18液晶分子20.190.20＞200k實(shí)施例19液晶分子30.190.21＞200k實(shí)施例20液晶分子40.200.21＞200k實(shí)施例21液晶分子50.200.21＞200k實(shí)施例22液晶分子60.210.22＞200k實(shí)施例23液晶分子70.210.21＞200k實(shí)施例24液晶分子80.200.21＞200k比較例5氟類(lèi)潤(rùn)滑劑0.210.21100k</table></tables>從表5可以看出，用液晶分子作為潤(rùn)滑劑的實(shí)施例磁盤(pán)，與比較例的磁盤(pán)比較，顯示出幾乎相同的最大靜摩擦系數(shù)和動(dòng)摩擦系數(shù)，而且大大提高了直至磁頭破壞的旋轉(zhuǎn)次數(shù)。由此可見(jiàn)，在使用液晶分子作為潤(rùn)滑劑的情況下，可以得到優(yōu)異的連續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性、高月牙形力。<涂布型磁帶的制作>實(shí)施例25首先，把以下所示組成的強(qiáng)磁性粉末、粘結(jié)劑、添加劑、潤(rùn)滑劑、溶劑混合，用擠出機(jī)混煉后，用砂磨機(jī)分散6小時(shí)，配制了磁性涂料。<磁性涂料組成>Fe系金屬?gòu)?qiáng)磁性粉末100重量份(矯頑磁力＝160kA/m，飽和磁化量＝145Am2/kg，比表面積＝51m2/g，長(zhǎng)軸長(zhǎng)＝0.08μm，針狀比＝3)聚氯乙烯樹(shù)脂(日本Geon公司制，MR-110)14重量份聚酯聚氨酯樹(shù)脂(東洋紡公司制，MG-130)3重量份添加劑(Al2O3)5重量份潤(rùn)滑劑(下面的液晶分子9)3重量份甲乙酮150重量份環(huán)己酮150重量份然后，向所得到的磁性涂料中添加多異氰酸酯3重量份。然后，將這種磁性層涂料在厚度7μm的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(以下稱(chēng)PET)薄膜上涂布成厚度6.5μm，用螺線管進(jìn)行取向處理后，進(jìn)行干燥、砑光處理、硬化處理，形成了磁性層。進(jìn)而，把下列組成的底涂料涂布到PET薄膜上上述磁性層形成面的反面上。然后，把這種PET薄膜裁成8mm寬的帶狀物，制作了涂布型磁帶。<底涂料組成>碳黑(商品名#50；旭Carbon公司制)100重量份聚酯聚氨酯(商品名NipporanN-2304)100重量份甲乙酮500重量份甲苯500重量份實(shí)施例26～實(shí)施例32除用下列液晶分子10～液晶分子16代替液晶分子9作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例25一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。比較例6除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸代替液晶分子9作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例25一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。比較例7除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸甲酯代替液晶分子9作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例25一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。比較例8除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸丁酯代替液晶分子9作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例25一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。特性評(píng)價(jià)對(duì)于象以上那樣得到的實(shí)施例25～實(shí)施例32和比較例6～比較例8的磁帶，進(jìn)行了溫度25℃-相對(duì)濕度60％時(shí)、溫度40℃-相對(duì)濕度80％時(shí)、溫度-5℃時(shí)的摩擦系數(shù)和靜態(tài)耐久性測(cè)定。其結(jié)果列于表6～表7中。要說(shuō)明的是，摩擦系數(shù)是用一般的梭式摩擦測(cè)定器、負(fù)荷20g、帶速度5mm/s測(cè)定的。摩擦系數(shù)的值采用運(yùn)行100遍后的值，從張力變化用歐拉公式計(jì)算。靜態(tài)耐久性是通過(guò)測(cè)定暫停狀態(tài)下出力衰減到-3dB的時(shí)間來(lái)評(píng)價(jià)的。最長(zhǎng)測(cè)定時(shí)間為150分鐘。表6>表7從表6～表7可以看出，用液晶分子9～液晶分子16作為潤(rùn)滑劑的實(shí)施例涂布型磁帶，相對(duì)于用先有技術(shù)潤(rùn)滑劑的硬脂酸或硬脂酸甲酯的比較例而言，摩擦系數(shù)降低了，而且能得到優(yōu)異的靜態(tài)特性。由此可見(jiàn)，通過(guò)用液晶分子作為潤(rùn)滑劑，可以得到優(yōu)異的連續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性。然后，用下列液晶分子17(氰基-烷基聯(lián)苯化合物)或下列液晶分子18(氰基-烷氧基聯(lián)苯化合物)作為潤(rùn)滑劑，考察較好的添加量和疏水基(CH2)nCH3的碳原子數(shù)。實(shí)驗(yàn)例1～實(shí)驗(yàn)例5用液晶分子17(氰基-烷基聯(lián)苯化合物)作為潤(rùn)滑劑，疏水基-(CH2)nCH3的n為7，添加量分別為0.1、0.5、3、7、15，此外同實(shí)施例25一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。實(shí)驗(yàn)例6～實(shí)驗(yàn)例8用液晶分子17(氰基-烷基聯(lián)苯化合物)作為潤(rùn)滑劑，疏水基-(CH2)nCH3的n為1、5、12，此外同實(shí)施例25一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。實(shí)驗(yàn)例9～實(shí)驗(yàn)例13用液晶分子18(氰基-烷氧基聯(lián)苯化合物)作為潤(rùn)滑劑，疏水基-O(CH2)nCH3的n為7，添加量分別為0.1、0.5、3、7、15，此外同實(shí)施例25一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。實(shí)驗(yàn)例14～實(shí)驗(yàn)例16用液晶分子18(氰基-烷氧基聯(lián)苯化合物)作為潤(rùn)滑劑，疏水基-O(CH2)nCH3的n為1、5、12，此外同實(shí)施例25一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。特性評(píng)價(jià)對(duì)以上那樣得到的實(shí)驗(yàn)例1～實(shí)驗(yàn)例16的涂布型磁帶，同實(shí)施例25一樣，進(jìn)行溫度25℃-濕度60％時(shí)、溫度-5℃時(shí)、溫度40℃-濕度80％時(shí)的摩擦系數(shù)和靜態(tài)耐久性測(cè)定。其結(jié)果列于表8～表9中。表8<<p>表9<<p>從表8～表9的結(jié)果可以看出，液晶分子的添加量，相對(duì)于強(qiáng)磁性粉末100重量份而言，更好的是0.5～10重量份。一般來(lái)說(shuō)，液晶分子的添加量越多，摩擦系數(shù)和靜態(tài)耐久性這兩個(gè)特性有變得越良好的傾向，但其添加量存在著最佳點(diǎn)。若液晶分子的添加量太多，則有沾粘傾向，反而使摩擦系數(shù)增大、靜態(tài)特性也會(huì)惡化。此外，液晶分子17、18的疏水基碳原子數(shù)，顯然較好的是3～15。當(dāng)碳原子數(shù)在2以下時(shí)，疏水基長(zhǎng)度太短，無(wú)法確保摩擦、靜態(tài)兩特性均為令人滿(mǎn)意的特性。以下考察潤(rùn)滑劑不添加于磁性層內(nèi)而是外涂于磁性層表面時(shí)其較好的涂布量。實(shí)驗(yàn)例17～實(shí)驗(yàn)例23疏水基-(CH2)nCH3的n為7的液晶分子17(氰基-烷基聯(lián)苯化合物)作為潤(rùn)滑劑，不添加于磁性層內(nèi)而是外涂于磁性層表面。然后，使其涂布量分別為0.3、1、5、10、35、50、100。除此之外，同實(shí)施例25一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。實(shí)驗(yàn)例24～實(shí)驗(yàn)例30疏水基-O(CH2)nCH3的n為7的液晶分子18(氰基-烷氧基聯(lián)苯化合物)作為潤(rùn)滑劑，不添加于磁性層內(nèi)而是外涂于磁性層表面。然后，使其涂布量分別為0.3、1、5、10、35、50、100。除此之外，同實(shí)施例25一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。特性評(píng)價(jià)對(duì)以上那樣得到的實(shí)驗(yàn)例17～實(shí)驗(yàn)例30的涂布型磁帶，同實(shí)施例25一樣，進(jìn)行溫度25℃-濕度60％時(shí)、溫度-5℃時(shí)、溫度40℃-濕度80％時(shí)的摩擦系數(shù)和靜態(tài)耐久性測(cè)定。其結(jié)果列于表10～表11中。表10>表11從表10～表11的結(jié)果可以看出，作為潤(rùn)滑劑的液晶分子無(wú)論內(nèi)添于磁性層內(nèi)還是涂布于磁性層表面，都能得到良好的結(jié)果。而且還可以看出，此時(shí)液晶分子的涂布量更好的是1～50mg/m2。一般來(lái)說(shuō)，液晶分子的添加量越多，摩擦系數(shù)和靜態(tài)耐久性均有變好的傾向，但其涂布量存在著最佳點(diǎn)。若液晶分子的涂布量太多，則有沾粘趨勢(shì)，反而使摩擦系數(shù)增大、靜態(tài)特性也會(huì)惡化。以下考察潤(rùn)滑劑不添加于磁性層內(nèi)而內(nèi)添于底涂層內(nèi)時(shí)它的較好添加量。實(shí)驗(yàn)例31～實(shí)驗(yàn)例33疏水基-(CH2)nCH3的n為7的液晶分子17(氰基-烷基聯(lián)苯化合物)作為潤(rùn)滑劑不添加于磁性層內(nèi)而內(nèi)添于底涂層中。然后，使其添加量分別為5、10、20。除此之外，同實(shí)施例25一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。實(shí)驗(yàn)例34～實(shí)驗(yàn)例36疏水基-O(CH2)nCH3的n為7的液晶分子18(氰基-烷氧基聯(lián)苯化合物)作為潤(rùn)滑劑不添加于磁性層內(nèi)而內(nèi)添于底涂層中。然后，使其添加量分別為5、10、20。除此之外，同實(shí)施例25一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。特性評(píng)價(jià)對(duì)以上那樣得到的實(shí)驗(yàn)例31～實(shí)驗(yàn)例36的涂布型磁帶，同實(shí)施例25一樣，進(jìn)行溫度25℃-濕度60％時(shí)、溫度-5℃時(shí)、溫度40℃-濕度80％時(shí)的摩擦系數(shù)和靜態(tài)耐久性測(cè)定。其結(jié)果列于表12～表13中。表12表13從表12～表13的結(jié)果可以看出，作為潤(rùn)滑劑的液晶分子，無(wú)論內(nèi)添于磁性層內(nèi)還是在內(nèi)添于底涂層中的情況下，都能得到良好的結(jié)果。此外，還可以看出，此時(shí)液晶分子的添加量較好的是5～20重量份。<金屬薄膜型磁帶的制作>實(shí)施例33首先，在10μm厚的PET薄膜上用斜方蒸發(fā)沉積法被覆Co-Ni合金，形成了膜厚100nm的強(qiáng)磁性金屬薄膜。然后，在這種強(qiáng)磁性金屬薄膜表面上用濺射法形成膜厚10nm的碳保護(hù)膜。然后，在這種碳保護(hù)膜上涂布液晶分子9作為潤(rùn)滑劑。液晶分子9的涂布量為10mg/m2。然后，把這種PET薄膜裁成8mm寬的帶狀物，制作了金屬薄膜型磁帶。實(shí)施例34～實(shí)施例40除用液晶分子10～液晶分子16代替液晶分子9作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例33一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁帶。比較例9除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸代替液晶分子9作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例33一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁帶。比較例10除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸甲酯代替液晶分子9作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例33一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁帶。比較例11～比較例15除用下述高級(jí)脂肪酸1～高級(jí)脂肪酸5代替液晶分子9作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例33一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁帶。要說(shuō)明的是，化學(xué)式中的p是，高級(jí)脂肪酸1中p＝10，高級(jí)脂肪酸2中p＝12，高級(jí)脂肪酸3中p＝15，高級(jí)脂肪酸4中p＝17，高級(jí)脂肪酸5中p＝20。CH3(CH2)pCOOH特性評(píng)價(jià)對(duì)以上那樣得到的實(shí)施例33～實(shí)施例40和比較例9～比較例15的金屬薄膜型磁帶，同實(shí)施例25一樣，進(jìn)行溫度25℃-濕度60％時(shí)、溫度-5℃時(shí)、溫度40℃-濕度80％時(shí)的摩擦系數(shù)和靜態(tài)耐久性測(cè)定。其結(jié)果列于表14～表16中。表14<tablesid="table14"num="014"><tablewidth="680">潤(rùn)滑劑條件摩擦系數(shù)靜態(tài)耐久性(分鐘)薄膜型磁帶實(shí)施例33液晶分子925℃60％0.21＞150-5℃0.23＞15040℃80％0.23＞150實(shí)施例34液晶分子1025℃60％0.18＞150-5℃0.20＞15040℃80％0.19＞150實(shí)施例35液晶分子1125℃60％0.22＞150-5℃0.24＞15040℃80％0.23＞150實(shí)施例36液晶分子1225℃60％0.21＞150-5℃0.23＞15040℃80％0.23＞150實(shí)施例37液晶分子1325℃60％0.18＞150-5℃0.20＞15040℃80％0.19＞150實(shí)施例38液晶分子1425℃60％0.22＞150-5℃0.24＞15040℃80％0.23＞150實(shí)施例39液晶分子1525℃60％0.21＞150-5℃0.23＞15040℃80％0.23＞150實(shí)施例40液晶分子1625℃60％0.21＞150-5℃0.23＞15040℃80％0.23＞150</table></tables>表15表16<p>從表14～表16可以看出，用液晶分子9～液晶分子16作為潤(rùn)滑劑的實(shí)施例磁帶，相對(duì)于使用了先有技術(shù)潤(rùn)滑劑的硬脂酸、硬脂酸甲酯、高級(jí)脂肪酸的比較例而言，摩擦系數(shù)降低了，也能得到優(yōu)異的靜態(tài)特性。由此可見(jiàn)，通過(guò)使用液晶分子作為潤(rùn)滑劑，能得到優(yōu)異的連續(xù)滑動(dòng)耐久性和低粘著性。而且，如同從以上的結(jié)果也可以看出的一樣，顯然，其潤(rùn)滑效果無(wú)論在涂布型磁帶中還是在金屬薄膜型磁帶中都是良好的。以下考察用前面使用的液晶分子17(氰基-烷基聯(lián)苯化合物)作為潤(rùn)滑時(shí)較好的疏水基(CH2)nCH3的碳原子數(shù)。實(shí)驗(yàn)例37～實(shí)驗(yàn)例46用液晶分子17(氰基-烷基聯(lián)苯化合物)作為潤(rùn)滑劑，使疏水基-(CH2)nCH3的n在3～15之間改變。除此之外，同實(shí)施例33一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁帶。特性評(píng)價(jià)對(duì)以上那樣得到的實(shí)驗(yàn)例37～實(shí)驗(yàn)例46的磁帶，同實(shí)施例25一樣，進(jìn)行了溫度25℃-濕度60％時(shí)、溫度-5℃時(shí)、溫度40℃-濕度80％時(shí)的摩擦系數(shù)和靜態(tài)耐久性測(cè)定。其結(jié)果列于表17～表18中。表17<<p>表18從表17～表18可以看出，液晶分子17(氰基-烷基聯(lián)苯化合物)的疏水基碳原子數(shù)較好的是3～5。當(dāng)碳原子數(shù)在2以下時(shí)，疏水基長(zhǎng)度太短，無(wú)法確保摩擦系數(shù)和靜態(tài)耐久性?xún)烧叨加辛钊藵M(mǎn)意的特性。在碳原子數(shù)在16以上的情況下，潤(rùn)滑劑涂布到磁性層表面上時(shí)，在溶劑中的溶解性減少，因而不好。<金屬薄膜型磁盤(pán)的制作>實(shí)施例41首先，在表面進(jìn)行了鏡面研磨的3.5英寸鋁合金基板上依次濺射N(xiāo)iP底襯膜10μm、Cr中間層0.5μm、Co-Cr-Pt磁性層60nm、碳保護(hù)膜20nm進(jìn)行成膜。要說(shuō)明的是，這種磁盤(pán)表面的面糙度以中心線平均糙度(Ra)計(jì)是1.2nm。然后，使液晶分子9以0.01％(重量)的濃度溶解于氯仿中，配制了潤(rùn)滑劑。然后，在這種潤(rùn)滑中浸漬上述磁盤(pán)，使液晶分子9涂布在磁盤(pán)上。涂布條件是在潤(rùn)滑劑中的滯留時(shí)間為180秒，從潤(rùn)滑劑中向上提升的速度為0.25mm/秒。進(jìn)而，將磁盤(pán)浸漬于純氯仿中，從磁盤(pán)上除去過(guò)量附著的液晶分子9。因此，形成了全膜厚2.5nm(用橢圓對(duì)稱(chēng)儀測(cè)定)、涂布量10mg/m2的潤(rùn)滑膜。通過(guò)以上步驟，制作了金屬磁性薄膜型磁盤(pán)。實(shí)施例42～實(shí)施例48除用液晶分子10～液晶分子16代替液晶分子9作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例41一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁盤(pán)。比較例16除用如下氟類(lèi)潤(rùn)滑劑(分子量4000)代替液晶分子9作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例41一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁盤(pán)。HO—CH2CF2(OCF2CF2)m(OCF2)nCF2CH2—OH特性評(píng)價(jià)把以上那樣得到的實(shí)施例41～實(shí)施例48和比較例16的磁盤(pán)裝進(jìn)硬盤(pán)裝置中，測(cè)定最大靜摩擦系數(shù)、動(dòng)摩擦系數(shù)、和直至發(fā)生磁頭破壞時(shí)的旋轉(zhuǎn)次數(shù)。其結(jié)果列于表19中。要說(shuō)明的是，最大靜摩擦系數(shù)是在磁頭滑動(dòng)器與磁盤(pán)接觸的狀態(tài)下使磁盤(pán)以低速旋轉(zhuǎn)，測(cè)定剛旋轉(zhuǎn)后產(chǎn)生的摩擦力。測(cè)定條件壓磁頭負(fù)荷為5g，磁盤(pán)轉(zhuǎn)速為1rpm。動(dòng)摩擦系數(shù)是在磁頭滑動(dòng)器與磁盤(pán)接觸的狀態(tài)下連續(xù)滑動(dòng)直至20萬(wàn)次，測(cè)定其間的最大摩擦力。測(cè)定條件壓磁頭負(fù)荷為5g，磁盤(pán)轉(zhuǎn)速為150rpm。要說(shuō)明的是，在20萬(wàn)次以下的旋轉(zhuǎn)次數(shù)就發(fā)生磁頭破壞的情況下，測(cè)定直至發(fā)生磁頭破壞時(shí)的最大摩擦力。磁盤(pán)的磁頭破壞是作為潤(rùn)滑劑下襯的碳保護(hù)膜完全磨耗而使磁性膜露出的狀態(tài)。若發(fā)生這種磁頭破壞，則會(huì)產(chǎn)生可以用目視法確認(rèn)的滑動(dòng)痕，因而在此時(shí)中止實(shí)驗(yàn)，記錄直至此時(shí)的旋轉(zhuǎn)次數(shù)。要注意，最大旋轉(zhuǎn)次數(shù)為20萬(wàn)次。表19從表19可以看出，用液晶分子作為潤(rùn)滑劑的實(shí)施例磁盤(pán)，與比較例的磁盤(pán)比較而言，顯示出幾乎同樣的最大摩擦系數(shù)和動(dòng)摩擦系數(shù)，且直至磁頭破壞時(shí)的旋轉(zhuǎn)次數(shù)大大提高了。由此可見(jiàn)，在使用液晶分子作為潤(rùn)滑劑的情況下，可以得到優(yōu)異的連續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性、高月牙形力。<涂布型磁帶的制作>實(shí)施例49首先，把下列所示組成的強(qiáng)磁性粉末、粘結(jié)劑、添加劑、潤(rùn)滑劑、溶劑混合，用擠出機(jī)混煉后，用砂磨機(jī)分散6小時(shí)，配制磁性涂料。<磁性涂料組成>Fe系金屬?gòu)?qiáng)磁性粉末100重量份(矯頑磁力＝160kA/m，飽和磁化量＝145Am2/kg，比表面積＝51m2/g，長(zhǎng)軸長(zhǎng)＝0.08μm，針狀比＝3)聚氯乙烯樹(shù)脂(日本Geon公司制，MR-110)14重量份聚酯聚氨酯樹(shù)脂(東洋紡公司制，MG-130)3重量份添加劑(Al2O3)5重量份潤(rùn)滑劑(下面的液晶分子19)3重量份甲乙酮150重量份環(huán)己酮150重量份然后，向所得到的磁性涂料中添加多異氰酸酯3重量份。然后，把這種磁性涂料在厚度7μm的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(以下稱(chēng)PET)薄膜上涂布成厚度6.5μm，用螺線管進(jìn)行取向處理后，進(jìn)行干燥、砑光處理、硬化處理，形成磁性層。進(jìn)而，把下列組成的底涂料涂布在PET薄膜上上述磁性層形成面的反面上。然后，把這種PET薄膜裁成8mm寬的帶狀物，制作了涂布型磁帶。<底涂料組成>碳黑(旭Carbon公司制，#50)100重量份聚酯聚氨酯(商品名NipporanN-2304)100重量份甲乙酮500重量份甲苯500重量份實(shí)施例50～實(shí)施例56除用液晶分子20～液晶分子26代替液晶分子19作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例49一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。比較例17除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸代替液晶分子19作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例49一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。比較例18除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸甲酯代替液晶分子19作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例49一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。特性評(píng)價(jià)對(duì)以上那樣得到的實(shí)施例49～實(shí)施例56和比較例17～比較例18的磁帶，進(jìn)行了溫度25℃-相對(duì)濕度60％時(shí)、溫度40℃-相對(duì)濕度80％時(shí)、溫度-5℃時(shí)的摩擦系數(shù)和靜態(tài)耐久性測(cè)定。其結(jié)果列于表20、表21。要說(shuō)明的是，摩擦系數(shù)是用一般梭式摩擦測(cè)定器、以負(fù)荷20g、走帶速度5mm/秒測(cè)定的。摩擦系數(shù)的值采用運(yùn)行100遍后的值，是從張力變化用歐拉公式計(jì)算的。靜態(tài)耐久性是通過(guò)測(cè)定暫停狀態(tài)下的出力衰減到-3dB的時(shí)間來(lái)評(píng)價(jià)的。最長(zhǎng)測(cè)定時(shí)間為150分鐘。表20<p>表21從表20、表21可以看出，用液晶分子19～液晶分子26作為潤(rùn)滑劑的實(shí)施例磁帶，相對(duì)于使用了先有技術(shù)潤(rùn)滑劑的硬脂酸或硬脂酸甲酯的比較例而言，其摩擦系數(shù)降低了，也能得到優(yōu)異的靜態(tài)特性。由此可見(jiàn)，通過(guò)使用液晶分子作為潤(rùn)滑劑，可以得到優(yōu)異的連續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性。<金屬薄膜型磁帶的制作>實(shí)施例例57首先，在10μm厚的PET薄膜上用斜方蒸發(fā)沉積法被覆Co-Ni合金，形成膜厚100nm的強(qiáng)磁性金屬薄膜。其次，在這種強(qiáng)磁性金屬薄膜表面上用濺射法形成膜厚10nm的碳保護(hù)膜。再其次，在這種碳保護(hù)膜上涂布液晶分子19作為潤(rùn)滑劑。液晶分子19的涂布量為10mg/m2。然后，把這種PET薄膜裁成8mm寬的帶狀物，制作了金屬薄膜型磁帶。實(shí)施例58～實(shí)施例64除用液晶分子20-液晶分子26代替液晶分子19作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例57一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁帶。比較例19除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸代替液晶分子19作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例57一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁帶。比較例20除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸甲酯代替液晶分子19作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例57一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁帶。特性評(píng)價(jià)對(duì)以上那樣得到的實(shí)施例57～實(shí)施例64和比較例19～比較例20的磁帶，同實(shí)施例49一樣，進(jìn)行了溫度25℃-相對(duì)濕度60％時(shí)、溫度-5℃時(shí)、溫度40℃-相對(duì)濕度80％時(shí)的摩擦系數(shù)和靜態(tài)耐久性測(cè)定。其結(jié)果列于表22、表23。表22表23<從表22、表23可以看出，用液晶分子19～液晶分子26作為潤(rùn)滑劑的實(shí)施例磁帶，相對(duì)于使用了先有技術(shù)潤(rùn)滑劑硬脂酸、硬脂酸甲酯的比較例而言，其摩擦系數(shù)降低了，而且能得到優(yōu)異的靜態(tài)特性。由此可見(jiàn)，通過(guò)使用液晶分子作為潤(rùn)滑劑，可以得到優(yōu)異的連續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性。而且，如同從前面的結(jié)果也可以看出的，其潤(rùn)滑效果無(wú)論在涂布型磁帶中還是在金屬薄膜型磁帶中都是良好的。進(jìn)而，潤(rùn)滑膜的成膜法，無(wú)論是涂布型磁帶情況下那樣的內(nèi)添法還是金屬薄膜型磁帶那樣的外涂法，任何一種方法都能得到優(yōu)異的特性。<金屬薄膜型磁盤(pán)的制作>實(shí)施例65首先，在表面進(jìn)行了鏡面研磨的3.5英寸的鋁合金基板上，用濺射法依次形成NiP底襯膜10μm、Cr中間層0.5μm、Co-Cr-Pt磁性層60nm、碳保護(hù)膜20nm。要說(shuō)明的是，這種磁盤(pán)表面的面糙度以中心線平均粗度(Ra)計(jì)是1.2nm。其次，將液晶分子19以0.01％(重量)的濃度溶解于氯仿中，配制了潤(rùn)滑劑。然后，在這種潤(rùn)滑劑中浸漬上述磁盤(pán)，使液晶分子19涂布到磁盤(pán)上。涂布條件是，在潤(rùn)滑劑中的滯留時(shí)間為180秒，從潤(rùn)滑劑中向上提升的速度為0.25mm/秒。進(jìn)而，把磁盤(pán)浸漬在純氯仿中，從磁盤(pán)上除去過(guò)量附著的液晶分子19。因此，形成了全膜厚為2.5nm(用橢圓對(duì)稱(chēng)儀測(cè)定)、涂布量為10mg/m2的潤(rùn)滑膜。通過(guò)以上步驟，制作了金屬磁性薄膜型磁盤(pán)。實(shí)施例66～實(shí)施例72除用液晶分子20～液晶分子26代替液晶分子19作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例65一樣，制作了金屬薄膜型磁盤(pán)。比較例21除用如下氟類(lèi)潤(rùn)滑劑(分子量4000)代替液晶分子19作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例65一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁盤(pán)。HO－CH2CF2(OCF2CF2)m(OCF2)nCF2CH2—OH特性評(píng)價(jià)把以上那樣得到的實(shí)施例65～實(shí)施例72和比較例21的磁盤(pán)裝進(jìn)磁記錄/再現(xiàn)裝置中，測(cè)定最大靜摩擦系數(shù)、動(dòng)摩擦系數(shù)、和直至發(fā)生磁頭破壞時(shí)的旋轉(zhuǎn)次數(shù)。其結(jié)果列于表24中。要說(shuō)明的是，最大靜摩擦系數(shù)是在磁頭滑動(dòng)器與磁盤(pán)接觸的狀態(tài)下使磁盤(pán)以低速旋轉(zhuǎn)，測(cè)定剛旋轉(zhuǎn)后產(chǎn)生的摩擦力。測(cè)定條件是壓磁頭負(fù)荷為5g、磁盤(pán)轉(zhuǎn)速為1rpm。動(dòng)摩擦系數(shù)是在磁頭滑動(dòng)器與磁盤(pán)接觸的狀態(tài)下連續(xù)滑動(dòng)直至20萬(wàn)次，測(cè)定其間的最大摩擦力。測(cè)定條件是壓磁頭負(fù)荷為5g，磁盤(pán)轉(zhuǎn)速為150rpm。要說(shuō)明的是，在20萬(wàn)次以下的旋轉(zhuǎn)次數(shù)就發(fā)生磁頭破壞的情況下，測(cè)定直至發(fā)生磁頭破壞時(shí)的最大摩擦力。磁盤(pán)的磁頭破壞是作為潤(rùn)滑膜下襯的碳保護(hù)膜完全磨耗而使磁性膜露出的狀態(tài)。若發(fā)生這種磁頭破壞，則產(chǎn)生了可以用目視法確認(rèn)滑動(dòng)痕，因而此時(shí)中止實(shí)驗(yàn)，并記錄直至此時(shí)的旋轉(zhuǎn)次數(shù)。要說(shuō)明的是，最大旋轉(zhuǎn)次數(shù)為20萬(wàn)次。表24從表24可以看出，用液晶分子作為潤(rùn)滑劑的實(shí)施例的實(shí)施例磁盤(pán)，與比較例的磁盤(pán)相比，顯示出幾乎同樣的最大摩擦系數(shù)和動(dòng)摩擦系數(shù)，且直至磁頭破壞時(shí)的旋轉(zhuǎn)次數(shù)大大提高了。由此可見(jiàn)，在使用液晶分子作為潤(rùn)滑劑的情況下，可以得到優(yōu)異的連續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性、高月牙形力。<涂布型磁帶的制作>實(shí)施例73首先，將下列所示組成的強(qiáng)磁性粉末、粘結(jié)劑、添加劑、潤(rùn)滑劑、溶劑混合，用擠出機(jī)混煉后，用砂磨機(jī)分散6小時(shí)，配制了磁性涂料。<磁性涂料組成>Fe系金屬?gòu)?qiáng)磁性粉末100重量份(矯頑磁力＝160kA/m，飽和磁化量＝145Am2/kg，比表面積＝51m2/g，長(zhǎng)軸長(zhǎng)＝0.08μm，針狀比＝3)聚氯乙烯樹(shù)脂(日本Geon公司制，MR-110)14重量份聚酯聚氨酯樹(shù)脂(東洋紡公司制，MG-130)3重量份添加劑(Al2O3)5重量份潤(rùn)滑劑(下面的液晶分子27)3重量份甲乙酮150重量份環(huán)己酮150重量份其次，向所得到的磁性涂料中添加多異氰酸酯3重量份。然后，把這種磁性涂料在厚度7μm的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(以下稱(chēng)PET)薄膜上涂布成厚6.5μm，用螺線管取向處理后，進(jìn)行干燥、砑光處理、硬化處理，形成了磁性層。進(jìn)而，把下列組成的底涂料涂布在PET薄膜上上述磁性層形成面的反面上。然后，把這種PET薄膜裁成8mm寬帶狀物，制作了涂布型磁帶。<底涂料組成>碳黑(商品名#50，旭Carbon公司制)100重量份聚酯聚氨酯(商品名NipporanN-2304)100重量份甲乙酮500重量份甲苯500重量份實(shí)施例74～實(shí)施例80除用下列液晶分子28～液晶分子34代替液晶分子27作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例73一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。比較例22除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸代替液晶分子27作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例73一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。比較例23除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸甲酯代替液晶分子27作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例73一樣進(jìn)行，制作了涂布型磁帶。特性評(píng)價(jià)對(duì)以上那樣得到的實(shí)施例73～實(shí)施例80和比較例22～比較例23的涂布型磁帶，進(jìn)行了溫度25℃-濕度60％時(shí)、溫度40℃-濕度80％時(shí)、溫度-5℃時(shí)的摩擦系數(shù)和靜態(tài)耐久性測(cè)定。其結(jié)果列于表25～表27中。要說(shuō)明的是，摩擦系數(shù)是用一般梭式摩擦測(cè)定器、以負(fù)荷20g、走帶速度5mm/s測(cè)定的。摩擦系數(shù)的值是用運(yùn)行100遍后的值，從張力變化用歐拉公式計(jì)算的。靜態(tài)耐久性是通過(guò)測(cè)定暫停狀態(tài)下的出力衰減到-3dB的時(shí)間來(lái)評(píng)價(jià)的。最長(zhǎng)測(cè)定時(shí)間為150分鐘。表25>表27從表25～表27可以看出，使用了液晶分子27～液晶分子34作為潤(rùn)滑劑的實(shí)施例磁帶，相對(duì)于使用了先有技術(shù)潤(rùn)滑劑硬脂酸或硬脂酸甲酯的比較例而言，其摩擦系數(shù)降低了，而且能得到優(yōu)異的靜態(tài)特性。由此可見(jiàn)，通過(guò)使用液晶分子作為潤(rùn)滑劑，可以得到優(yōu)異的連續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性。<金屬薄膜型磁帶的制作>實(shí)施例81首先，在10μm厚的PET薄膜上，用斜方蒸發(fā)沉積法被覆Co-Ni合金，形成膜厚100nm的強(qiáng)磁性金屬薄膜。其次，在這種強(qiáng)磁性金屬薄膜表面上，用濺射法形成膜厚10nm的碳保護(hù)膜。再其次，在這種碳保護(hù)膜上涂布液晶分子27作為潤(rùn)滑劑。液晶分子27的涂布量為10mg/m2。然后，把這種PET薄膜裁成8mm寬的帶狀物，制作了金屬薄膜型磁帶。實(shí)施例82～實(shí)施例88除用液晶分子28～液晶分子34代替液晶分子27作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例81一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁帶。比較例24除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸代替液晶分子27作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例81一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁帶。比較例25除用一般潤(rùn)滑劑硬脂酸甲酯代替液晶分子27作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例81一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁帶。特性評(píng)價(jià)對(duì)以上那樣得到的實(shí)施例81～實(shí)施例88和比較例24～比較例25的金屬薄膜型磁帶，同實(shí)施例73一樣，進(jìn)行了溫度25℃-濕度60％時(shí)、溫度-5℃時(shí)、溫度40℃-濕度80％時(shí)的摩擦系數(shù)和靜態(tài)耐久性測(cè)定。其結(jié)果列于表28～表30中。表28p><p>表29表30從表28～表30可以看出，使用了液晶分子27～液晶分子34作為潤(rùn)滑劑的實(shí)施例磁帶，相對(duì)于使用了先有技術(shù)潤(rùn)滑劑硬脂酸、硬脂酸甲酯的比較例而言，其摩擦系數(shù)降低了，而且能得到優(yōu)異的靜態(tài)特性。由此可見(jiàn)，通過(guò)使用液晶分子作為潤(rùn)滑劑，可以得到優(yōu)異的連續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性。而且，如同從前面的結(jié)果也可以看出的，其潤(rùn)滑效果，無(wú)論在涂布型磁帶中還是在金屬薄膜型磁帶中，都是良好的。進(jìn)而，潤(rùn)滑膜的成膜法，無(wú)論是涂布型磁帶情況下那樣的內(nèi)添法，還是金屬薄膜型磁帶那樣的外涂法，任何一種方法都能得到優(yōu)異的特性。<金屬薄膜型磁盤(pán)的制作>實(shí)施例89首先，在表面進(jìn)行了鏡面研磨的3.5英寸鋁合金基板上，用濺射法依次形成NiP底襯膜10μm、Cr中間層0.5μm、Co-Cr-Pt磁性層60nm、碳保護(hù)膜20nm。要說(shuō)明的是，這種磁盤(pán)表面的面糙度以中心線平均糙度(Ra)計(jì)是1.2nm。其次，把液晶分子27以0.01％(重量)的濃度溶解于氯仿中，配制了潤(rùn)滑劑。然后，在這種潤(rùn)滑劑中浸漬上述磁盤(pán)，使液晶分子27涂布到磁盤(pán)上。涂布條件是，在潤(rùn)滑劑中的滯留時(shí)間為180秒，從潤(rùn)滑劑中向上提升的速度為0.25mm/秒。進(jìn)而，把磁盤(pán)浸漬到純氯仿中，從磁盤(pán)上除去過(guò)量附著的液晶分子27。因此，形成了全膜厚為2.5nm(用橢圓對(duì)稱(chēng)儀測(cè)定)、涂布量為10mg/m2的潤(rùn)滑膜。通過(guò)以上步驟，制作了金屬磁性薄膜型磁盤(pán)。實(shí)施例90～實(shí)施例96除用液晶分子28～液晶分子34代替液晶分子27作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例89一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁盤(pán)。比較例26除用如下氟類(lèi)潤(rùn)滑劑(分子量4000)代替液晶分子27作為潤(rùn)滑劑外，同實(shí)施例89一樣進(jìn)行，制作了金屬薄膜型磁盤(pán)。HO－CH2CF2(OCF2CF2)m(OCF2)nCF2CH2—OH特性評(píng)價(jià)把以上那樣得到的實(shí)施例89～實(shí)施例96和比較例26的磁盤(pán)裝進(jìn)硬盤(pán)裝置中，測(cè)定了最大靜摩擦系數(shù)、動(dòng)摩擦系數(shù)、和直至發(fā)生磁頭破壞時(shí)的旋轉(zhuǎn)次數(shù)。其結(jié)果列于表31和表32中。要說(shuō)明的是，最大靜摩擦系數(shù)是在磁頭滑動(dòng)器與磁盤(pán)接觸的狀態(tài)下使磁盤(pán)以低速旋轉(zhuǎn)、測(cè)定剛旋轉(zhuǎn)后產(chǎn)生的摩擦力。測(cè)定條件是壓磁頭負(fù)荷為5g，磁盤(pán)轉(zhuǎn)速為1rpm。動(dòng)摩擦系數(shù)是在磁頭滑動(dòng)器與磁盤(pán)接觸的狀態(tài)下連續(xù)滑動(dòng)直至20萬(wàn)次，測(cè)定此間的最大摩擦力。測(cè)定條件是壓磁頭負(fù)荷為5g，磁盤(pán)轉(zhuǎn)速為150rpm。要說(shuō)明的是，在20萬(wàn)次以下的旋轉(zhuǎn)次數(shù)發(fā)生磁頭破壞的情況下，測(cè)定直至發(fā)生磁頭破壞時(shí)的最大摩擦力。磁盤(pán)的磁頭破壞是作為潤(rùn)滑下襯的碳保護(hù)膜完全磨耗而使磁性膜露出的狀態(tài)。若發(fā)生這種磁頭破壞，則產(chǎn)生可以用目視法確認(rèn)的滑動(dòng)痕，因而此時(shí)中止實(shí)驗(yàn)，記錄直至此時(shí)的旋轉(zhuǎn)次數(shù)。要說(shuō)明的是，最大旋轉(zhuǎn)次數(shù)為20萬(wàn)次。表31表32>從表31和表32可以看出，使用液晶分子作為潤(rùn)滑劑的實(shí)施例磁盤(pán)，與比較例的磁盤(pán)相比，顯示出幾乎同樣的最大摩擦系數(shù)和動(dòng)摩擦系數(shù)，而且直至磁頭破壞的旋轉(zhuǎn)次數(shù)大大提高。由此可見(jiàn)，在使用液晶分子作為潤(rùn)滑劑的情況下，能得到優(yōu)異的連續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性和高月牙形力。權(quán)利要求1.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在非磁性支撐體上至少形成了磁性層的磁記錄介質(zhì)中，在最外層保持了含有以下通式(A)或通式(A′)所示的單環(huán)或液晶分子的潤(rùn)滑劑，L—X1—R···通式(A)(式中，X1是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L、R是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，L—X2···通式(A′)(式中，X2是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)。2.權(quán)利要求1記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于通式(A)中的X1是從下列通式(X1-1)～通式(X1-18)所示的環(huán)結(jié)構(gòu)中選擇的，(式中，a1、a2是碳原子或氮原子，構(gòu)成環(huán)的鍵是單鍵或雙鍵)，(式中，a3、a4是碳原子、氮原子或氧原子，且構(gòu)成環(huán)的鍵是單鍵或雙鍵)，(式中，a5是氫或甲基，a6是氫、甲基或氰基，a8、a9是氧或碳原子，a7可以是氧原子也可以沒(méi)有，而且構(gòu)成環(huán)的鍵是單鍵或雙鍵)，(式中，a10、a11是氧原子或硫原子中任何一種)，(式中，a12、a13是氧原子或硫原子中任何一種)，(式中，a14、a15、a16、a17是氧原子或硫原子中任何一種)，(式中，a18是氫、溴、甲基、氨基、烷胺基中任何一種)，3.權(quán)利要求1記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于通式(A′)中的X2是從下列通式(X2-1)或通式(X2-2)所示的環(huán)結(jié)構(gòu)中選擇的，4.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在非磁性支撐體上至少形成了磁性層的磁記錄介質(zhì)中，在最外層保持了含有以下通式(B)或通式(B′)所示的二環(huán)式液晶分子的潤(rùn)滑劑，L—X—Y1···通式(B)(式中，X、Y1是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，—L—X—Y2—R···通式(B′)(式中，X，Y2是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L、R是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)。5.權(quán)利要求4記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，通式(B)或通式(B′)中的X是以下通式(X-1)所示的六元環(huán)結(jié)構(gòu)，或通式(X-2)所示的稠合環(huán)結(jié)構(gòu)，(式中，a1是碳或氮原子，a2、a3、a4、a5是碳或氧原子，構(gòu)成環(huán)的鍵是單鍵或雙鍵)，(式中，a6是碳原子或氧原子，a7是碳原子或氮原子)。6.權(quán)利要求4記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于通式(B)中的Y1是從下列通式(Y-1)～通式(Y-6)所示的環(huán)結(jié)構(gòu)中選擇的，(式中，a8是O、S、SO、SO2中任何一種)，7.權(quán)利要求4記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于通式(B′)中的Y2是從下列通式(Y-7)～通式(Y-31)所示的環(huán)結(jié)構(gòu)中選擇的，(式中，a9、a10、a11、a12是碳原子或氮原子，在氮原子的情況下，也可以形成N-氧化物)，(式中，a13、a14、a15、a16中不相鄰的任意2個(gè)原子也可以有氧或硫原子取代)，(式中，a17、a18中至少一個(gè)以上有氮原子取代)，(式中，a19、a20、a21是碳或氧原子)，(式中，a22、a23、a24是碳或氧原子)，(式中，a25、a26、a27是碳、氮原子或氧原子，構(gòu)成環(huán)的鍵是單鍵或雙鍵)，(式中，a28是碳原子、氮原子、氧原子或硫原子，a29、a30是碳原子或氮原子)，(式中，a31、a32是氧原子或硫原子)(式中，a33是氫原子、甲基、溴原子或烷胺基)，8.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在非磁性支撐體上至少形成了磁性層的磁記錄介質(zhì)中，在最外層保持了含有以下通式(C)、通式(C′)、通式(C″)中任何一種所示的二環(huán)式液晶分子的潤(rùn)滑劑，(式中，X3是具有鏈狀結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，Y1是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，且L、R是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，(式中，X3是具有鏈狀結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，Y2是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，Y3—X3—Y4···通式(C″)(式中，X3是具有鏈狀結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，Y3、Y4是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán))。9.權(quán)利要求8記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，通式(C)、通式(C′)、通式(C″)中的X3是從下列通式(X3-1)～通式(X3-23)所示的鏈狀結(jié)構(gòu)中選擇的，(式中，n＝1、2)，(式中，n＝1、2)，(式中，n＝1、2)，(式中，n＝0、1、2、3)，(式中，a1是O、S,a2是O、S、CH2、Se、Te、NH),(式中，a是H、CH3、a4是H、CH3)，(式中，a5是CH2、O、O-O、S-S、NH-NH)，(式中，a6是H、甲基、乙基、CN)，(式中，a7是烷基)，10.權(quán)利要求9記載磁記錄介質(zhì)，其特征在于，通式(C)中的Y1是從下列通式(Y1-1)～通式(Y1-2)所示的環(huán)結(jié)構(gòu)中選擇的，(式中，a8、a9、a10、a11是碳或氮原子)，(式中，構(gòu)成環(huán)的鍵中任何一個(gè)也可以是雙鍵)，(式中，a12是氧原子或硫原子，a13、a14分別是碳原子或氮原子)，(式中，a15是碳原子或氮原子)，(式中，a16、a17是CH2、氧原子、硫原子中任何一種)，(式中，構(gòu)成環(huán)的鍵是單鍵或雙鍵)，(式中，a18是甲基或氰基)，(式中，a19是H、Br、CH3、NH2、NHR、NRR′，RR′是有機(jī)官能團(tuán))，(式中，a20是氧原子或硫原子)，11.權(quán)利要求9記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，通式(C′)中的Y2是從下列通式(Y2-1)～通式(Y2-3)所示的環(huán)結(jié)構(gòu)中選擇的，12.權(quán)利要求9記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，通式(C″)中的Y3、Y4是從下列通式(Y34-1)～通式(Y34-3)所示的環(huán)結(jié)構(gòu)中選擇的，13.一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，在非磁性支撐體上至少形成了磁性層的磁記錄介質(zhì)中，在最外層保持了含有以下通式(D)或通式(D′)所示的三環(huán)式液晶分子的潤(rùn)滑劑，L—W—X4—Y5···通式(D)(式中，W、X4、Y5是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，L—W—X4—Y6—R···通式(D′)(式中，W、X4、Y6是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L、R是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)。14.權(quán)利要求13記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，通式(D)或通式(D′)中的W是從下列通式(W-1)～通式(W-7)所示的環(huán)結(jié)構(gòu)中選擇的，(式中，a1、a2、a3、a4是碳原子或氮原子，構(gòu)成環(huán)的鍵是單鍵或雙鍵)，(式中，a5是氧原子或硫原子，a6、a7是碳原子或氮原子)，15.權(quán)利要求13記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，通式(D)或通式(D′)中的X4是從下列通式(X4-1)～通式(X4-23)所示的鏈狀結(jié)構(gòu)中選擇的，(式中，a8、a9、a10、a11是碳原子或氮原子)，(式中，a12是碳原子或氮原子)，(式中，a13是O、S、Se、Te或NH,a14、a15是碳原子或氮原子)，(式中，a16是O或NH)，(式中，a17是氧原子或硫原子)，(式中，a18、a20是氧或硫原子，a19是碳原子或硼原子)，(式中，a21、a22是碳原子或氮原子)，(式中，a23是CH2或O)，(式中，n是2、3、4中任何一個(gè))，(式中，a24是O、S、NR、CHR(R為烷基)中任何一個(gè))，16.權(quán)利要求13記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，通式(D)中的Y5是從下列通式(Y5-1)～通式(Y5-5)所示的環(huán)結(jié)構(gòu)中選擇的，(式中，a25、a26、a27、a28是碳原子或氮原子，構(gòu)成環(huán)的鍵是單鍵或雙鍵)，17.權(quán)利要求13記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，通式(D′)中的Y6是從下列通式(Y6-1)～通式(Y6-32)所示的環(huán)結(jié)構(gòu)中選擇的，(式中，a29、a30、a31、a32是碳原子或氮原子)，(式中，構(gòu)成環(huán)的鍵中任意一個(gè)也可以是雙鍵)，(式中，a33是氧原子或硫原子，a34、a35是碳原子或氮原子)，(式中，a36是碳原子或氮原子)，(式中，a37、a38是CH2、O、S中任何一種)(構(gòu)成環(huán)的鍵是單鍵或雙鍵)，(式中，a39是甲基或氰基)，(式中，a40是H、Br、CH3、NH2、NHR、NRR′中任何一個(gè))，(式中，a41是氧原子或硫原子)，18.權(quán)利要求1～17中任何一項(xiàng)記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于所述潤(rùn)滑劑可以涂布在磁性層表面，也可以?xún)?nèi)添于磁性層中。19.權(quán)利要求1～17中任何一項(xiàng)記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于磁性層是金屬磁性薄膜，在金屬磁性薄膜上形成了保護(hù)膜，而且所述潤(rùn)滑劑涂布在保護(hù)膜表面。20.權(quán)利要求1～17中任何一項(xiàng)記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于在非磁性支撐體的磁性層形成面的反面上形成底涂層，而且所述潤(rùn)滑劑可以涂布在背涂層表面，也可以?xún)?nèi)添于背涂層中。21.權(quán)利要求1～17中任何一項(xiàng)記載的磁記錄介質(zhì)，其特征在于在非磁性支撐體與磁性層之間形成了非磁性層，而且所述潤(rùn)滑劑內(nèi)添于非磁性層中。22.一種磁記錄/再現(xiàn)裝置，其特征在于，是一種有能記錄信息的磁記錄介質(zhì)和能將信息記錄于磁記錄介質(zhì)上和/或能使之再現(xiàn)的磁頭，且磁記錄介質(zhì)與磁頭的各自表面的幾何學(xué)平均面之間的最小間隔在50nm以下的磁記錄/再現(xiàn)裝置，其中，磁記錄介質(zhì)在其與磁頭相對(duì)的最外層中保持了含有以下通式(A)或通式(A′)所示的單環(huán)式液晶分子的潤(rùn)滑劑，L—X1—R···通式(A)(式中，X1是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L、R是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，L—X2···通式(A′)(式中，X2是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)。23.一種磁記錄/再現(xiàn)裝置，其特征在于，是一種有能記錄信息的磁記錄介質(zhì)和能將信息記錄于磁記錄介質(zhì)上和/或能使之再現(xiàn)的磁頭，且磁記錄介質(zhì)與磁頭的各自表面的幾何學(xué)平均面之間的最小間隔在50nm以下的磁記錄/再現(xiàn)裝置，其中，磁記錄介質(zhì)在其與磁頭相對(duì)的最外層中保持了含有以下通式(B)或通式(B′)所示的二環(huán)式液晶分子的潤(rùn)滑劑，L—X—Y1···通式(B)(式中，X、Y1是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，—L—X—Y2—R···通式(B′)(式中，X、Y2是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L、R是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)。24.一種磁記錄/再現(xiàn)裝置，其特征在于，是一種有能記錄信息的磁記錄介質(zhì)和能將信息記錄于磁記錄介質(zhì)上和/或能使之再現(xiàn)的磁頭，且磁記錄介質(zhì)與磁頭的各自表面的幾何學(xué)平均面之間的最小間隔在50nm以下的磁記錄/再現(xiàn)裝置，其中，磁記錄介質(zhì)在其與磁頭相對(duì)的最外層中保持了含有以下通式(C)、通式(C′)、通式(C″)中任何一種所示的二環(huán)式液晶分子的潤(rùn)滑劑，(式中，X3是具有鏈狀結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，Y1是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，且L、R是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，(式中，X3是具有鏈狀結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，Y2是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，Y3—X3—Y4···通式(C″)(式中，X3是具有鏈狀結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，Y3、Y4是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán))。25.一種磁記錄/再現(xiàn)裝置，其特征在于，是一種有能記錄信息的磁記錄介質(zhì)和能將信息記錄于磁記錄介質(zhì)上和/或能使之再現(xiàn)的磁頭，且磁記錄介質(zhì)與磁頭的各自表面的幾何學(xué)平均面之間的最小間隔在50nm以下的磁記錄/再現(xiàn)裝置，其中，磁記錄介質(zhì)在其與磁頭相對(duì)的最外層中保持了含有以下通式(D)或通式(D′)所示的三環(huán)式液晶分子的潤(rùn)滑劑，L—W—X4—Y5···通式(D)(式中，W、X4、Y5是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)，L—W—X4—Y6—R···通式(D′)(式中，W、X4、Y6是具有環(huán)結(jié)構(gòu)的原子團(tuán)，L、R是氰基、硝基、醛基、羥基、氨基、酰胺基、醚基、羰基、羧基、氧羧基、鹵素、烷基、芳基、羥亞氨基，或有這些基團(tuán)取代的芳基、烷基、氧羧基、羧基、羰基、醚基、酰胺基、氨基中任何一種)。全文摘要一種在其最外層中保持了有所規(guī)定單環(huán)式、二環(huán)式和三環(huán)式結(jié)構(gòu)的液晶分子作為潤(rùn)滑劑的磁記錄介質(zhì)；和一種磁記錄/再現(xiàn)裝置，包含一種用于記錄信息的磁記錄介質(zhì)，和一種用于把信息記錄在磁記錄介質(zhì)上和/或使磁記錄介質(zhì)上的信息再現(xiàn)的磁頭，其中，磁記錄介質(zhì)和磁頭的幾何平均面之間的最小間隔是50nm或以下，且有規(guī)定結(jié)構(gòu)的液晶分子作為一種潤(rùn)滑劑保持于磁記錄介質(zhì)的最外層中。該潤(rùn)滑劑含有呈從固相向液相的相轉(zhuǎn)變狀態(tài)并具有介于液體與固體之間的中間性質(zhì)的液晶分子。該潤(rùn)滑劑能通過(guò)相轉(zhuǎn)變釋放出滑動(dòng)所產(chǎn)生的動(dòng)能。該磁記錄介質(zhì)和磁記錄/再現(xiàn)裝置能滿(mǎn)足連續(xù)滑動(dòng)耐久性、低粘著性和高月牙形力等全部特征。文檔編號(hào)G11B5/725GK1239570SQ98801354公開(kāi)日1999年12月22日申請(qǐng)日期1998年7月17日優(yōu)先權(quán)日1997年7月17日發(fā)明者岸井典之,龜井隆広,栗原研一,小林健,巖本浩,松澤伸行申請(qǐng)人:索尼公司