磁記錄介質(zhì)、磁記錄介質(zhì)的制造方法、磁記錄再現(xiàn)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明的實施方式涉及磁記錄介質(zhì)、磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再現(xiàn)裝置。
[0002]本申請以日本專利申請2014-175005號(申請日:2014年8月29日)為基礎(chǔ)申請要求優(yōu)先權(quán)。本申請通過參照該基礎(chǔ)申請而包含基礎(chǔ)申請的全部內(nèi)容。
【背景技術(shù)】
[0003]現(xiàn)在使用的CoCrPt-氧化物顆粒型的磁記錄層中，隨著記錄密度的提高，需要減小CoCrPt粒子。但是，如果減小磁性粒子則熱穩(wěn)定性會降低。因此，曾提出了 PPM這樣的介質(zhì)。PPM中，在磁壁移動型的磁性層中形成孔(hole)和/或非磁性的釘扎位點(pinningsite)，采取通過將磁壁釘扎來維持位元的形態(tài)。對于釘扎位點的形成，可列舉采用濺射成膜等在磁記錄層中形成非磁性金屬部的方法、利用具有孔凸的基底層在磁記錄層中制作孔的方法等。在采用濺射成膜等形成非磁性的釘扎位點的方法中，理論上難以控制非磁性部的位置和形狀，非磁性部的位置、形狀的分散變大。另一方面，在用于陽極氧化氧化鋁等的具有孔凸的基底的方法中，雖然在30nm以上的間距中，有報告改善位置和形狀的分散，在磁記錄層中形成孔的例子，但該尺寸下難以進行現(xiàn)有的記錄密度以上的高密度化。另外，低于30nm時，難以將位置和形狀的分散設(shè)為15%以下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的課題在于得到一種具有設(shè)置有間距分散良好的凸圖案的磁記錄層的磁記錄介質(zhì)。
[0005]根據(jù)實施方式，提供一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，具備:基板；形成于該基板上，并具有包含多個凹部的凹部圖案的氧化硅基底層；形成于該氧化硅基底層上，并具有對應(yīng)于該凹部圖案的包含多個孔的第1孔圖案的非磁性基底層；和形成于該非磁性基底層上，并具有包含與該第1孔圖案連通的多個孔的第2孔圖案的磁記錄層。
【附圖說明】
[0006]圖1是表示實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的構(gòu)成的模式截面圖。
[0007]圖2A是表示實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一例的圖。
[0008]圖2B是表示實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一例的圖。
[0009]圖2C是表示實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的制造工序的一例的圖。
[0010]圖3是表示實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的磁記錄層的上表面形態(tài)的一例的模式圖。
[0011]圖4是表示比較的磁記錄層的上表面形態(tài)的一例的模式圖。
[0012]圖5是磁記錄層的表面SEM照片。
[0013]圖6是表示實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的靜磁特性的圖。
[0014]圖7是實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的截面SEM照片。
[0015]圖8是表示實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的再現(xiàn)波形的一例的圖。
【具體實施方式】
[0016]實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)，包含:基板；以及在基板上依次形成的、具有包含多個凹部的凹部圖案的氧化硅基底層、具有包含多個孔的第1孔圖案的非磁性基底層、和具有包含多個孔的第2孔圖案的磁記錄層。
[0017]以規(guī)定圖案排列的多個凹部、第1孔圖案的多個孔、和第2孔圖案的多個孔相互對應(yīng)地配置。第1孔圖案的多個孔和第2孔圖案的多個孔被連通。
[0018]再者，在此所說的孔，是指將膜整體貫穿的貫穿孔。其中，第1孔圖案和第2孔圖案需要連通。優(yōu)選第1孔圖案與第2孔圖案一起被一體地形成貫穿孔，但即使在第1孔圖案與第2孔圖案僅僅稍微相連的情況下，只要第1孔圖案與第2孔圖案連通即可。
[0019]另外，實施方式涉及的磁記錄再現(xiàn)裝置具有上述磁記錄介質(zhì)和磁頭。
[0020]根據(jù)實施方式，通過在具有以規(guī)定圖案排列而成的包含多個凹部的凹部圖案的氧化硅基底層上，依次形成取向控制用的非磁性基底層、和磁記錄層，在磁記錄層中，形成基于氧化娃基底層的凹部圖案的孔，該孔作為PPM (Percolated Perpendicular Media)中的將磁壁停止的釘扎位點發(fā)揮功能。
[0021 ] 實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的制造方法包括:制作形成氧化硅的材料和自組織化材料混合而成的涂布溶液，并在基板上涂布涂布溶液，使得到的涂布膜發(fā)生相分離，形成具有包含氧化硅材料和有機成分的海狀的相、以及包含有機成分的島狀的相的海島相。進行加熱使有機成分分解，形成在相當(dāng)于島狀的相的部分具有包含多個凹部的凹部圖案的氧化硅基底層，在氧化硅基底層上形成非磁性基底層，在非磁性基底層上形成磁記錄層。
[0022]另外，作為自組織化材料使用例如二嵌段共聚物制作出的氧化硅的孔圖案，有各孔的尺寸分散變小、例如變?yōu)?5%以下的傾向，能夠在磁記錄層內(nèi)形成均勻的釘扎位點。
[0023]另外，可以將氧化硅基底層的多個凹部的直徑設(shè)為10nm以上，并且將多個凹部以30nm以下的間距有規(guī)則地排列。通過將凹部的直徑設(shè)為10nm以上，并將凹部間的距離設(shè)為30nm以下，能夠?qū)⒋庞涗泴又械目组g連結(jié)而形成磁記錄層的晶界，由此能夠利用釘扎位點阻止磁壁。
[0024]以下，對于實施方式，參照附圖進行說明。
[0025]圖1是表示實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的構(gòu)成的模式截面圖。
[0026]如圖所示，實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)10，包含:基板1 ;形成于基板1上的具有包含多個凹部5的凹部圖案的氧化硅基底層2 ;具有與凹部圖案對應(yīng)的包含多個孔6的第1孔圖案的非磁性基底層3 ;和形成于非磁性基底層3上，并具有包含與第1孔圖案連通的多個孔7的第2孔圖案磁記錄層4。
[0027]圖2A?圖2C是表示圖1所示的磁記錄介質(zhì)10的制造方法的一例的模式截面圖。
[0028]實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，首先，制作將氧化硅材料例如旋涂玻璃(S0G)和自組織化材料例如PS (聚苯乙烯)-ΡΕ0 (聚苯乙烯-聚氧化乙烯)二嵌段共聚物混合而成的涂布溶液。接著，采用例如旋涂法在基板上涂布涂布溶液，形成自組織化膜13。通過將自組織化膜13在例如三氯甲烷和辛烷的氣氛下滯留5小時，使自組織化膜13發(fā)生相分離。由此，如圖2A所示，形成海島相，所述海島相含有包含PS的島狀聚合物相12、和包圍島狀聚合物相12并包含含有SOG的PEO的連續(xù)而成的海狀聚合物相11。作為促進自組織化的方法，可以在室溫的大氣中滯留20小時。
[0029]接著，通過在例如氮氣氛下將基板加熱到500°C，作為自組織化膜13中的有機材料的PS、PE0分解，如圖2B所示，相當(dāng)于島狀聚合物相12的部分成為凹坑5，形成在相當(dāng)于海狀聚合物相11的部分具有包含多個凹坑5的凹部圖案的包含S0G的氧化硅基底層2。
[0030]其后，在氧化硅基底層2上采用濺射形成非磁性基底層6。得到的非磁性基底層3具有對應(yīng)于凹部圖案的包含多個孔6的第1孔圖案。
[0031]接著，在非磁性基底層3上采用濺射形成磁記錄層4。得到的磁記錄層4具有包含與第1孔圖案連通的多個孔7的第2孔圖案。這樣，得到如圖1所示的磁記錄介質(zhì)。
[0032]將形成于氧化硅基底層2的凹部5的直徑設(shè)為A、間距設(shè)為L、磁記錄層4的磁性粒的直徑設(shè)為R，可以規(guī)定實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的條件。
[0033]圖3是表示實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的磁記錄層的上表面形態(tài)的一例的模式圖。
[0034]在實施方式涉及的磁記錄介質(zhì)中，如圖3所示，可將各孔7連結(jié)而形成磁記錄層4的晶界11。通過該晶界11的構(gòu)成，磁壁能夠?qū)⒖走B結(jié)而被釘扎。作為用于制作具有這樣的