本發(fā)明涉及一種存儲器裝置及其增強式編程方法，尤其是涉及一種可提升數(shù)據(jù)可靠度的存儲器裝置及其增強式編程方法。

背景技術(shù)：

1、非易失性存儲器經(jīng)過長時間、溫度及電壓應(yīng)力的條件將加速縮短組件可靠度的壽命周期。其中，隨著存儲單元持續(xù)地重復(fù)寫入擦除，在存儲單元中的氧化層內(nèi)將有大量的陷阱(trap)。這些存儲單元中的氧化層中的陷阱，容易因編程動作或松弛效應(yīng)而發(fā)生干擾(disturb)，使得陷住的電荷由氧化層內(nèi)逃出，進而降低存儲單元的臨界電壓值，并影響到數(shù)據(jù)為邏輯0的窗口大小。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明是針對一種存儲器裝置以及增強式編程方法，可有效提升所存儲的數(shù)據(jù)的可靠度。

2、根據(jù)本發(fā)明的實施例，增強式編程方法包括：針對存儲器分區(qū)的多個存儲單元群進行編程及驗證動作，其中各存儲單元群對應(yīng)至少一字節(jié)；計數(shù)各存儲單元群完成編程動作所需的編程次數(shù)；當(dāng)編程次數(shù)大于預(yù)設(shè)閾值時，設(shè)定指示旗標(biāo)；以及，當(dāng)指示旗標(biāo)為被設(shè)定狀態(tài)時，提升多個編程動作參數(shù)的至少其中之一，以針對存儲器分區(qū)的存儲單元群執(zhí)行增強式編程動作。

3、根據(jù)本發(fā)明的實施例，存儲器裝置包括存儲器陣列以及控制器。存儲器陣列具有至少一存儲器分區(qū)?？刂破黢罱又辽僖淮鎯ζ鞣謪^(qū)?？刂破饔靡葬槍Υ鎯ζ鞣謪^(qū)的多個存儲單元群進行編程及驗證動作，其中各存儲單元群對應(yīng)至少一字節(jié)；計數(shù)各存儲單元群完成編程動作所需的編程次數(shù)；當(dāng)編程次數(shù)大于預(yù)設(shè)閾值時，設(shè)定指示旗標(biāo)；以及，當(dāng)指示旗標(biāo)為被設(shè)定狀態(tài)時，提升多個編程動作參數(shù)的至少其中之一，以針對存儲器分區(qū)的存儲單元群執(zhí)行增強式編程動作。

4、基于上述，本發(fā)明的存儲器裝置針對存儲器分區(qū)中的每一存儲單元群的編程動作的執(zhí)行次數(shù)進行計算，并在編程次數(shù)大于預(yù)設(shè)閾值時，針對存儲器分區(qū)的存儲單元群額外執(zhí)行增強式編程動作，以確保所保存的數(shù)據(jù)的可靠度。

技術(shù)特征：

1.一種增強式編程方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強式編程方法，其中所述多個編程動作參數(shù)包括編程驗證電壓、編程脈波的電壓值以及所述編程脈波的寬度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強式編程方法，針對所述存儲器區(qū)塊的多個存儲單元群進行編程及驗證動作的步驟包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的增強式編程方法，其中所述預(yù)設(shè)閾值小于最大編程次數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強式編程方法，其中在所述增強式編程動作的步驟包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強式編程方法，其中所述至少一字節(jié)為2的n次方個字節(jié)，n為不小于0的整數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強式編程方法，其中所述存儲器分區(qū)為存儲器頁或存儲器塊。

8.一種存儲器裝置，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器裝置，其中所述多個編程動作參數(shù)包括編程驗證電壓、編程脈波的電壓值以及所述編程脈波的寬度。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器裝置，其中所述控制器更用以：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器裝置，其中所述預(yù)設(shè)閾值小于最大編程次數(shù)。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器裝置，其中所述控制器更用以：

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器裝置，其中所述至少一字節(jié)為2的n次方個字節(jié)，n為不小于0的整數(shù)。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器裝置，其中所述存儲器分區(qū)為存儲器頁或存儲器塊。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種存儲器裝置及其增強式編程方法。增強式編程方法包括：針對存儲器分區(qū)的多個存儲單元群進行編程及驗證動作，其中各存儲單元群對應(yīng)至少一字節(jié)；計數(shù)各存儲單元群完成編程動作所需的編程次數(shù)；當(dāng)編程次數(shù)大于預(yù)設(shè)閾值時，設(shè)定指示旗標(biāo)；以及，當(dāng)指示旗標(biāo)為被設(shè)定狀態(tài)時，提升多個編程動作參數(shù)的至少其中之一，以針對存儲器分區(qū)的存儲單元群執(zhí)行增強式編程動作。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭隆吉,蔡三玄,郭盈杉,張雅廸,鄭如杰
受保護的技術(shù)使用者：華邦電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/21