本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種增加TLC Nand閃存使用周期的方法及其系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

Nand閃存作為一種低價(jià)、大容量的存儲(chǔ)設(shè)備，在嵌入式系統(tǒng)中使用越來(lái)越廣泛。SLC(Single-Level Cell)閃存為Nand閃存中的一種，SLC利用正、負(fù)兩種電荷，一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)一個(gè)字節(jié)的信息，約10萬(wàn)次擦寫壽命。TLC(Triple-LevelCell)閃存為目前市面上應(yīng)用較為普遍的一種Nand閃存，TLC利用不同電位的電荷，一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)3個(gè)字節(jié)的信息，約500-1000次擦寫壽命，對(duì)于TLC閃存來(lái)說(shuō)，由于本身的擦寫次數(shù)有限，頻繁的大量寫入數(shù)據(jù)是TLC閃存不能承受的。由此可見，如何提高TLC閃存的擦寫壽命是亟待解決的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：提供一種可以增加TLC Nand閃存使用周期的方法及其系統(tǒng)，可以大大降低數(shù)碼產(chǎn)品的成本。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

一種增加TLC Nand閃存使用周期的方法，包括：

判斷TLC Nand閃存的塊中是否存在壞塊；

若是，則將所述壞塊設(shè)置為SLC存儲(chǔ)模式。

本發(fā)明采用的另一技術(shù)方案為：

一種增加TLC Nand閃存使用周期的系統(tǒng)，包括：

判斷模塊，用于判斷TLC Nand閃存的塊中是否存在壞塊；

設(shè)置模塊，用于若是，則將所述壞塊設(shè)置為SLC存儲(chǔ)模式。

本發(fā)明的有益效果在于：由于SLC閃存的擦寫壽命大于TLC閃存，所以將TLC Nand閃存中的壞塊設(shè)置為SLC存儲(chǔ)模式繼續(xù)使用，可以增加TLC閃存的使用周期，大大降低數(shù)碼產(chǎn)品的成本。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的一種增加TLC Nand閃存使用周期的方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例一的一種增加TLC Nand閃存使用周期的方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明的一種增加TLC Nand閃存使用周期的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例二的一種增加TLC Nand閃存使用周期的系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖；

標(biāo)號(hào)說(shuō)明：

1、判斷模塊；2、設(shè)置模塊；3、創(chuàng)建模塊；4、添加模塊；5、新建模塊；6、調(diào)用模塊；11、讀取單元；12、判斷單元；13、判定單元。

具體實(shí)施方式

為詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖予以說(shuō)明。

本發(fā)明最關(guān)鍵的構(gòu)思在于：將TLC Nand閃存中的壞塊設(shè)置為SLC存儲(chǔ)模式繼續(xù)使用，可以延長(zhǎng)TLC Nand閃存的使用壽命。

請(qǐng)參照?qǐng)D1，一種增加TLC Nand閃存使用周期的方法，包括：

判斷TLC Nand閃存的塊中是否存在壞塊；

若是，則將所述壞塊設(shè)置為SLC存儲(chǔ)模式。

從上述描述可知，本發(fā)明的有益效果在于：首先判斷TLC Nand閃存中是否存在壞塊，由于TLC Nand閃存可以操作在SLC存儲(chǔ)模式，SLC閃存的擦寫壽命大于TLC閃存，所以可將TLC Nand閃存中的壞塊設(shè)置為SLC存儲(chǔ)模式繼續(xù)使用，大大降低數(shù)碼產(chǎn)品的成本。

進(jìn)一步的，所述“將所述壞塊設(shè)置為SLC存儲(chǔ)模式”之后還包括：

創(chuàng)建壞塊表；

將所述壞塊添加至所述壞塊表。

由上述描述可知，將壞塊添加至壞塊表方便對(duì)壞塊進(jìn)行記錄和查找。

進(jìn)一步的，所述“判斷TLC Nand閃存的塊中是否存在壞塊”具體為：

若對(duì)TLC Nand閃存的塊中的一塊進(jìn)行擦除操作，則讀取所述一塊的錯(cuò)誤更正碼；

判斷所述錯(cuò)誤更正碼是否滿足可進(jìn)行錯(cuò)誤更正的預(yù)設(shè)條件；

若否，則判定所述一塊為壞塊。

由上述描述可知，當(dāng)通過(guò)錯(cuò)誤更正碼不能更正塊的錯(cuò)誤時(shí)，即判斷所述塊為壞塊。

進(jìn)一步的，所述“將所述壞塊添加至所述壞塊表”之后還包括：

新建SLC空塊列表，并將所述壞塊對(duì)應(yīng)的SLC塊添加至所述SLC空塊列表中；

當(dāng)需使用SLC空塊時(shí)，調(diào)用所述SLC空塊列表的SLC塊。

由上述描述可知，SLC空塊列表中可以顯示哪些SLC塊為空塊，即哪些SLC塊可以調(diào)用替代TLC壞塊進(jìn)行存儲(chǔ)。

請(qǐng)參照?qǐng)D3，本發(fā)明涉及的另一技術(shù)方案為：

一種增加TLC Nand閃存使用周期的系統(tǒng)，包括：

判斷模塊，用于判斷TLC Nand閃存的塊中是否存在壞塊；

設(shè)置模塊，用于若是，則將所述壞塊設(shè)置為SLC存儲(chǔ)模式。

進(jìn)一步的，還包括：

創(chuàng)建模塊，用于創(chuàng)建壞塊表；

添加模塊，用于將所述壞塊添加至所述壞塊表。

進(jìn)一步的，所述判斷模塊包括：

讀取單元，用于若對(duì)TLC Nand閃存的塊中的一塊進(jìn)行擦除操作，則讀取所述一塊的錯(cuò)誤更正碼；

判斷單元，用于判斷所述錯(cuò)誤更正碼是否滿足可進(jìn)行錯(cuò)誤更正的預(yù)設(shè)條件；

判定單元，用于若否，則判定所述一塊為壞塊。

進(jìn)一步的，還包括：

新建模塊，用于新建SLC空塊列表，并將所述壞塊對(duì)應(yīng)的SLC塊添加至所述SLC空塊列表中；

調(diào)用模塊，用于當(dāng)需使用SLC空塊時(shí)，調(diào)用所述SLC空塊列表的SLC塊。

實(shí)施例一

請(qǐng)參照?qǐng)D2，本發(fā)明的實(shí)施例一為：一種增加TLC Nand閃存使用周期的方法，既可以延長(zhǎng)TLC Nand閃存的使用壽命，又可以大大降低數(shù)碼產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。包括：

S1、判斷TLC Nand閃存的塊中是否存在壞塊，若是，則執(zhí)行步驟S2。由于Nand閃存的工藝不能保證Nand的Memory Array在其生命周期中保持性能可靠，因此，Nand閃存在生產(chǎn)和使用過(guò)程中都會(huì)產(chǎn)生壞塊。在生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的壞塊成為固有壞塊，在使用過(guò)程中產(chǎn)生的壞塊成為使用壞塊。如果在第一個(gè)塊的某個(gè)Page進(jìn)行編程的時(shí)候發(fā)生了錯(cuò)誤就要把這個(gè)塊標(biāo)記為壞塊，首先就要把其他號(hào)的page里面的內(nèi)容備份到另一個(gè)空的好塊里面，然后，將這個(gè)塊標(biāo)記為壞塊，當(dāng)然這可能會(huì)犯“錯(cuò)殺”的錯(cuò)誤。本實(shí)施例中，判斷某一塊是否為壞塊的具體過(guò)程為：若對(duì)TLC Nand閃存的塊中的一塊進(jìn)行擦除操作，則讀取所述一塊的錯(cuò)誤更正碼；判斷所述錯(cuò)誤更正碼是否滿足可進(jìn)行錯(cuò)誤更正的預(yù)設(shè)條件；若否，則判定所述一塊為壞塊。所述錯(cuò)誤更正碼即為ECC(Error Checking andCorrecting，錯(cuò)誤檢查和糾正)碼，ECC碼是將信息進(jìn)行8比特位的編碼，采用這種方式可以恢復(fù)1比特的錯(cuò)誤，每一次數(shù)據(jù)寫入內(nèi)存時(shí)，ECC碼使用一種特殊的算法對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行計(jì)算，其結(jié)果成為校驗(yàn)位。ECC碼可以從邏輯上分離錯(cuò)誤并通知系統(tǒng)，當(dāng)只出現(xiàn)單比特錯(cuò)誤的時(shí)候，ECC碼才可以把錯(cuò)誤改正過(guò)來(lái)，且不影響系統(tǒng)運(yùn)行，此時(shí)ECC碼滿足可進(jìn)行錯(cuò)誤更正的預(yù)設(shè)條件。當(dāng)ECC碼不能對(duì)塊的錯(cuò)誤進(jìn)行更正時(shí)，即判斷所述塊為壞塊。

S2、將所述壞塊設(shè)置為SLC存儲(chǔ)模式。即，將壞塊的存儲(chǔ)模式設(shè)置為SLC模式繼續(xù)使用，由于SLC閃存的擦寫壽命大于TLC閃存，所以可以延長(zhǎng)TLCNand閃存的使用壽命。

S3、創(chuàng)建壞塊表。若TLC Nand閃存在出廠時(shí)自帶壞塊表，那么可以省略該步驟。

S4、將所述壞塊添加至所述壞塊表。

S5、新建SLC空塊列表，并將所述壞塊對(duì)應(yīng)的SLC塊添加至所述SLC空塊列表中。即，所述SLC空塊列表用于將已經(jīng)替代了TLC存儲(chǔ)模式的SLC塊記錄下來(lái)。

S6、當(dāng)需使用SLC空塊時(shí)，調(diào)用所述SLC空塊列表的SLC塊。SLC空塊列表中由于記錄了已經(jīng)使用了的SLC塊，所以可以顯示哪些SLC塊為空塊，即哪些SLC塊可以調(diào)用出來(lái)替代TLC壞塊進(jìn)行存儲(chǔ)。

本實(shí)施例中，當(dāng)TLC Nand閃存的壞塊比率達(dá)到預(yù)設(shè)值時(shí)，就停止進(jìn)行步驟S2，例如，當(dāng)壞塊比率達(dá)到50％時(shí)，停止將壞塊設(shè)置為SLC存儲(chǔ)模式的步驟，TLC Nand閃存就視為報(bào)廢。

本實(shí)施例中，由于SLC閃存的擦寫壽命大于TLC閃存，所以將TLC Nand閃存中的壞塊設(shè)置為SLC存儲(chǔ)模式，可以延長(zhǎng)TLC Nand閃存的使用壽命，降低數(shù)碼產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。

實(shí)施例二

請(qǐng)參照?qǐng)D4，本發(fā)明的實(shí)施例二與實(shí)施例一中的方法相對(duì)應(yīng)，為一種增加TLC Nand閃存使用周期的系統(tǒng)，包括：

判斷模塊1，用于判斷TLC Nand閃存的塊中是否存在壞塊；所述判斷模塊包括：讀取單元11，用于若對(duì)TLC Nand閃存的塊中的一塊進(jìn)行擦除操作，則讀取所述一塊的錯(cuò)誤更正碼；判斷單元12，用于判斷所述錯(cuò)誤更正碼是否滿足可進(jìn)行錯(cuò)誤更正的預(yù)設(shè)條件；判定單元13，用于若否，則判定所述一塊為壞塊；

設(shè)置模塊2，用于若是，則將所述壞塊設(shè)置為SLC存儲(chǔ)模式。

創(chuàng)建模塊3，用于創(chuàng)建壞塊表；

添加模塊4，用于將所述壞塊添加至所述壞塊表。

新建模塊5，用于新建SLC空塊列表，并將所述壞塊對(duì)應(yīng)的SLC塊添加至所述SLC空塊列表中；

調(diào)用模塊6，用于當(dāng)需使用SLC空塊時(shí)，調(diào)用所述SLC空塊列表的SLC塊。

綜上所述，本發(fā)明提供的一種增加TLC Nand閃存使用周期的方法及其系統(tǒng)，由于SLC閃存的擦寫壽命大于TLC閃存，將TLC Nand閃存中的壞塊設(shè)置為SLC存儲(chǔ)模式，可以延長(zhǎng)TLC Nand閃存的使用壽命，降低數(shù)碼產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等同變換，或直接或間接運(yùn)用在相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。